電工電子技術(shù)期末考試試題.doc

電工電子技術(shù)期末考試試題專業(yè)： 姓名： 電話：題號(hào)一二三四合計(jì)得分一、 單選題 20分（210）1.將1K4ROM擴(kuò)展為8K8ROM需用（ ）片1K4ROM. A.4 B.8 C.16 D.322.信息可隨時(shí)寫入或讀出，斷電后信息立即全部消失的存儲(chǔ)器是（ ）. A.ROM B.RAM C.PROM D.EPROM3.只讀存儲(chǔ)器ROM的功能是（ ）. A.只能讀出存儲(chǔ)器的內(nèi)容，且掉電后仍保持 B.只能將信息寫入存儲(chǔ)器中 C.可以隨機(jī)讀出或存入信息 D.只能讀出存儲(chǔ)器的內(nèi)容，且掉電后信息全丟失4.TTL與非門的閥值電壓約為( ). A.5V B.3V C.1.4V D.0.5V 5.TTL電路的電源電壓和輸出電壓的高、低電平值依次為（ ）. A.5V, 3.6V, 0.3V B.10V, 3.6V, 0.3V C.5V, 1.4V, 0.3V D.10V, 3.6V, 1.4V6.當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將（ ）. A.增大 B.不變 C.減小 D.先增大后減小7.工作在放大區(qū)的某晶體管，如果當(dāng)I從12A增大到22A時(shí)，I從1mA變?yōu)?mA，那么它的約為（ ）. A.83 B.91 C.100 D.1058.當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極直流電流I從2mA變?yōu)?mA時(shí)，它的低頻跨導(dǎo)g將（ ） A.增大 B.不變 C.減小 D.先增大后減小9.在本征半導(dǎo)體中加入（ ）元素可形成N型半導(dǎo)體，加入（ ）元素可形成P型半導(dǎo)體. A.5價(jià) B.4價(jià) C.3價(jià) D.2價(jià)二、填空題20分（210） 1.兩變量A、B的異或表達(dá)式為（ ），要實(shí)現(xiàn)Y A的功能，異或門的B端應(yīng)接（ ），要實(shí)現(xiàn)YA的功能，B端應(yīng)接（ ）。 2.（1011.001）（ ）（ ）（ ） 3.三態(tài)門的輸出有三個(gè)狀態(tài)，即（ ）、（ ）、（ ）。三態(tài)門輸出端并聯(lián)連接實(shí)現(xiàn)（ ）功能。三、問答題20分（45） 1.本征半導(dǎo)體的載流子濃度與什么有關(guān)？ 2.二極管的主要參數(shù)有哪些？ 3.組成放大電路的基本原則是什么？ 4.能否將1.5V的干電池以正向接法接到二極管兩端？為什么？ 5.有兩只晶體管，一只的 =200，Iceo =200A;另一支的 =100，Iceo =10A，其他參數(shù)大致相同。應(yīng)選用哪只管子?為什么？四、計(jì)算題40分 1.將（101.11）轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù)。 6分2.化簡Y=A B A BABCDA B CD 8分3.電路如圖4-5所示，已知u=-55u，其余參數(shù)如圖中所標(biāo)注，試求出R的值4.在圖2-14a所示電路中（其小信號(hào)模型電路如圖2-14b所示），已知Rb1=20k,Rb2=10k,Rc=3k,Re=2k,RL=6k,VCC=12V，晶體管的 =40。（1）試估算放大電