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NMR測(cè)定時(shí)選用四甲基硅烷 TMS 作為參比物 為什么 12個(gè)氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境 只產(chǎn)生一個(gè)尖峰 外圍電子云密度最密 屏蔽強(qiáng)烈 位移最大 與有機(jī)化合物中的質(zhì)子峰不重迭 化學(xué)惰性 易溶于有機(jī)溶劑 沸點(diǎn)低 易回收在NMR中 何謂屏蔽作用 化學(xué)位移是指什么 a 理想化的 裸露的氫核 滿足共振條件 產(chǎn)生單一的吸收峰 實(shí)際上 氫核受周圍不斷運(yùn)動(dòng)著的電子影響 在外磁場(chǎng)作用下 運(yùn)動(dòng)著的電子產(chǎn)生相對(duì)于外磁場(chǎng)方向的感應(yīng)磁場(chǎng) 起到屏蔽作用 使氫核實(shí)際受到的外磁場(chǎng)作用減小 b 在有機(jī)化合物中 各種氫核周圍的電子云密度不同 結(jié)構(gòu)中不同位置 共振頻率有差異 即引起共振吸收峰的位移 這種現(xiàn)象稱為化學(xué)位移 3 從純化合物的1HNMR譜圖上可獲得哪些有用的信息來判斷未知化合物的結(jié)構(gòu)式 a 化學(xué)位移 可推斷質(zhì)子所處的化學(xué)環(huán)境 b 偶合自旋裂分的模式和偶合常數(shù) 可鑒別相鄰的質(zhì)子環(huán)境 c 積分線 積分高度相當(dāng)于峰面積 峰面積之比等于質(zhì)子數(shù)之比 4 在質(zhì)譜中 如何判斷分子離子峰 A 通常 分子離子峰出現(xiàn)在質(zhì)荷比最高的位置 B 分子離子穩(wěn)定 分子離子峰強(qiáng) 其穩(wěn)定性與分子結(jié)構(gòu)有關(guān) C 應(yīng)該符合 氮規(guī)律 D 在最右側(cè)峰的左側(cè)3 14amu范圍出現(xiàn)峰時(shí) 則最右側(cè)的蜂不大可能是分子離子峰 5 將下列三個(gè)化合物中末端亞甲基中質(zhì)子的化學(xué)位移值按大小順序排列 并簡(jiǎn)要說明理由 化合物a中 OCH3與烯鍵形成p 共軛體系 非鍵軌道上的n電子流向 鍵 使得末端亞甲基上質(zhì)子周圍電子云密度增加 屏蔽效應(yīng)增大 與乙烯相比向高場(chǎng)方向移動(dòng) 減小 化合物c中 羰基的電負(fù)性很高 受到它的影響 使得末端亞甲基上質(zhì)子周圍的電子云密度降低 與乙烯相比向低場(chǎng)移動(dòng) 增大 由以上討論知 它們的化學(xué)位移值大小順序?yàn)?H c H b H a 求C6H12O的不飽和度為 化合物C10H13NO的不飽和度為 6 計(jì)算化合物的不飽和度 1 n4 1 2 n3 n1 7 核磁共振波譜是如何產(chǎn)生的 將試樣在外磁場(chǎng)作用下 用適宜的電磁輻射照射 使有磁矩的原子核吸收能量 產(chǎn)生能級(jí)躍遷而引起的 8 物質(zhì)的紫外 可見吸收光譜是由什么躍遷產(chǎn)生的 是由原子核外層電子的躍遷產(chǎn)生的 9 化合物CH4 CH3F CH3Cl CH3Br中化學(xué)位移最小的是哪個(gè) 10 影響IR基團(tuán)振動(dòng)頻率的分子內(nèi)部因素有哪些 1 電子效應(yīng)a 誘導(dǎo)效應(yīng) 吸電子基團(tuán)使雙鍵性 吸收峰向高頻方向移動(dòng) 蘭移 共軛效應(yīng) 羰基與別的雙鍵共軛 其 電子離域性增大 從而減小了雙鍵的鍵級(jí) 使其雙鍵性降低 即振動(dòng)頻率降低 c 共振效應(yīng) 2 氫鍵效應(yīng) 氫鍵的形成使電子云密度平均化 從而使伸縮振動(dòng)頻率降低 3 振動(dòng)的耦合 4 Fermi共振 5 空間效應(yīng) 6 成鍵軌道類型 11 化合物CH3COCH2COOCH2CH3的1HNMR譜的特點(diǎn)是 12 當(dāng)外層電子吸收紫外或可見輻射后 就從基態(tài)向激發(fā)態(tài) 反鍵軌道 躍遷 主要的四種躍遷形式是 13 某化合物分子式為C11H24 其紅外光譜圖如下圖所示 確定此化合物的結(jié)構(gòu) 故C11H24結(jié)構(gòu)式為CH3 CH2 9 CH3 14 某化合物的化學(xué)式為C7H8 其1HNMR譜圖如下 試推測(cè)其結(jié)構(gòu)式 15 某化合物的化學(xué)式為C8H10 其1HNMR譜圖如下 試推測(cè)其結(jié)構(gòu)式 16 某未知化合物的化學(xué)式為C4H8O 各波譜數(shù)據(jù)如下 試推測(cè)其結(jié)

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