cmos器件作業(yè)及思考題

1、NMOS 英文全稱為:N-Mental-Oxide-Semiconductor 。意思為金屬 -氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為 MOS晶體管。 有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱 為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由 PMOS管組成的電路就是 PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩 種管子組成的互補(bǔ) MOS電路，即CMOS電路。PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的 MOS管全稱 : positive cha nnel Metal Oxide Semic on ductor別名：positive MOS金屬氧

2、化物半導(dǎo)體場效應(yīng)（MOS）晶體管可分為N溝道與P溝道兩大 類，P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分 別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓（柵極接地）時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和 漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度， 從而改變溝道的 電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。如 果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖?P型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)?偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的 MOS場效應(yīng)晶體管稱為 P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為 PMOS晶體管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾

3、何尺寸 和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道 MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏 高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管一一晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路（見N溝道金屬一氧化物一半導(dǎo)體集成電路）出現(xiàn)之后，多數(shù)已為 NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡單，價(jià)格便宜，有些 中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用 PMOS電路技術(shù)。MOSFET共有三個(gè)腳，一般為 G、D、S，通過G、S間加控制信號 時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。PMOS

4、和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全 相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。 簡單地說，NMOS是在P 型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成 N型的摻雜區(qū)，作為NMOS的源 漏區(qū)；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成 P型的摻雜 區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱為溝道長 度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度 W。對于這 種簡單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對稱的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流 的流向才能最后確認(rèn)具體的源和漏。PMOS的工作原理與NMOS相類似。因?yàn)镻MOS是N型硅襯底， 其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是 P型，所以，PMOS的工作條件是在柵

5、上相對于源極施加負(fù)電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動(dòng) 的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層， 不考慮二氧化硅中存在的電 荷的影響，襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于 PMOS柵上的負(fù)電荷的 數(shù)量。當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)，在相對于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下，源 端的正電荷空穴經(jīng)過導(dǎo)通的 P型溝道到達(dá)漏端，形成從源到漏的源 漏電流。同樣地，VGS越負(fù)(絕對值越大)，溝道的導(dǎo)通電阻越小，電 流的數(shù)值越大。與NMOS 樣，導(dǎo)通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū)， 臨界飽 和點(diǎn)和飽和區(qū)。當(dāng)然，不論 NMOS還是PMOS，當(dāng)未形成反型溝道 時(shí)，都處于截止區(qū)，其電壓條件是VGSWTN (N

6、MOS)，VGSVTP (PMOS)，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負(fù)值。PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS 集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電 路米用兩種電源供電。米用直接接口方式，一般 CMOS的電源電壓 選擇在1012V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。MOS場效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路。各種場效應(yīng)管特性比較在2004年12月的國際電子器件會(huì)議(IEDM)上表示：雙應(yīng)力襯墊 (DSL)方法導(dǎo)致NMOS和PMOS中的有效驅(qū)動(dòng)電流分別增加15%和 32%，飽和驅(qū)動(dòng)電流分

7、別增加11%和20%。PMOS的空穴遷移率在 不使用SiGe的情況下可以提高60%，這已經(jīng)成為其他應(yīng)變硅研究的 焦點(diǎn)。CMOS(Compleme ntary Metal Oxide Semic on ductor)指互補(bǔ)金屬氧 化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工 藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于 CMOS中一對MOS組成的門電路在 瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性 的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。BiMOS瀏覽2297次雙極金屬氧化物半導(dǎo)體bipolar metal-oxide semic on ductor雙極工藝和半導(dǎo)體

8、工藝在單一器件上的結(jié)合。參見BiCMOS。BiCMOS是繼CMOS后的新一代高性能 VLSI工藝。CMOS以低功 耗、高密度成為80年VLSI的主流工藝。隨著尺寸的逐步縮小，電 路性能不斷得到提高，但是當(dāng)尺寸降到1um以下時(shí)，由于載流子速度飽和等原因，它的潛力受到很大的限制。把CMOS和Bipolar集成 在同一芯片上，發(fā)揮各自的優(yōu)勢，克服缺點(diǎn)，可以使電路達(dá)到高速度、 低功耗。BiCMOS工藝一般以CMOS工藝為基礎(chǔ)，增加少量的工藝 步驟而成。BiCMOS( Bipolar CMOS )是CMOS和雙極器件同時(shí)集成在同一塊 芯片上的技術(shù)，其基本思想是以 CMOS器件為主要單元電路，而在 要求驅(qū)

9、動(dòng)大電容負(fù)載之處加入雙極器件或電路。因此BiCMOS電路既具有CMOS電路高集成度、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，又獲得了雙極電路高 速、強(qiáng)電流驅(qū)動(dòng)能力的優(yōu)勢。電子管，是一種最早期的電信號放大器件。被封閉在玻璃容器（一 般為玻璃管）中的陰極電子發(fā)射部分、控制柵極、加速柵極、陽極（屏 極）引線被焊在管基上。利用電場對真空中的控制柵極注入電子調(diào)制 信號，并在陽極獲得對信號放大或反饋振蕩后的不同參數(shù)信號數(shù)據(jù)。 早期應(yīng)用于電視機(jī)、收音機(jī)擴(kuò)音機(jī)等電子產(chǎn)品中，近年來逐漸被半導(dǎo) 體材料制作的放大器和集成電路取代，但目前在一些高保真的音響器 材中，仍然使用低噪聲、穩(wěn)定系數(shù)高的電子管作為音頻功率放大器件（香港人稱使用電子管功率

10、放大器為 “膽機(jī)”）。電子管功放（膽機(jī)） 的音質(zhì)明顯優(yōu)于晶體管功放。晶體管功放（石機(jī)）聽起來咼頻、中咼頻有偏多感覺，低頻感 覺偏少，晶體管功放聽起來聲音較硬，特別是低頻聲不夠柔和，而高 頻聲又顯得尖刺、發(fā)燥，聽起來有時(shí)感到高頻段存在著交越畸變。當(dāng) 頻率增咼而音量又很大時(shí)，這些現(xiàn)象就更加明顯。I 但晶體管功放的動(dòng)態(tài)大、速度快，特別適宜于表現(xiàn)動(dòng)態(tài)大一些的音樂。 至于表現(xiàn) 槍炮和雷電聲當(dāng)然更優(yōu)于電子管功放了。電子管優(yōu)缺點(diǎn)、結(jié)構(gòu)和工作原理電子管是電子儀器儀表的重要器件之一，與晶體管、集成電路相比， 雖然體積較大，工作時(shí)要首先加熱燈絲，但它仍具有不可忽視的特點(diǎn)： 同一型導(dǎo)電子管參數(shù)的一致性要優(yōu)于晶體管，

11、因此更換電子管時(shí)，不用重調(diào)參數(shù)、即可正常工作；電子管參數(shù)特性隨環(huán)境溫度變化也較小， 因而工作穩(wěn)定；電子管不太嬌氣，能承受較大的功軋過載能力強(qiáng).因此, 電了管在某些領(lǐng)域仍然發(fā)揮著重要的作用.電子管是基于熱電子發(fā)射形成電流而工作的.如果將金屬體加熱至一定溫躍部分電子就從金屬體內(nèi)發(fā)射出來.電子管的陰極就是用來發(fā)射熱電子的電子管工作時(shí)，熱電子由陰極射向陽抵這是在燈絲加熱 和陰極陽極之問存在電壓的條件下實(shí)現(xiàn)的.圖9-1為二極和三極電子管的結(jié)構(gòu)示意圖及符號.電子管陰極按 加熱方式分為直熱式和旁熱式兩種，直熱式的燈絲就是陰極，旁熱式的陰極是由另外的燈絲加熱的，如圖9-2和9-3所示.電子管陽極加有正電壓，其

12、作用主要是吸收電子為了易于發(fā)射電子，陰極表面徐 有一層易發(fā)射電子的物質(zhì).為了防止極板的氧化和正離子對陽極的轟 擊作用（因正離于質(zhì)量大），電子管是抽成真空的電子管根傾電極的數(shù) 目分為二極管、三極管，柬射四極管和五極管等./電子管一般是玻璃管封裝，耗電量大，陽極電壓高，靈 活應(yīng)用性高，體積大?，F(xiàn)已被淘汰，但電子愛好者仍有應(yīng)用。晶體管有塑料封裝和金屬封裝，耗電量小，電壓可高可低，靈活應(yīng)用 性高，體積小?，F(xiàn)仍在應(yīng)用。集成電路一般是塑料封裝，耗電量更小，電壓低，靈活應(yīng)用性低，體 積小。配合晶體管和其他電子元件被大量應(yīng)用。晶體管是集成電路的基本單元，比如 pmos，nmos等，單 個(gè)晶體管也可以稱作集成電

13、路，比如現(xiàn)在系統(tǒng)使用的開關(guān)管，比晶體 管在高一級的門級電路比如與門，或門，反相器，多路選擇器等都是 由晶體管實(shí)現(xiàn)的?，F(xiàn)在說集成電路一般指很大規(guī)模的， 比如你使用的 公交卡內(nèi)的芯片，手機(jī)的sim卡，cpu，dsp管芯等等，但再大規(guī)模 的集成電路都可以分解為一個(gè)一個(gè)的晶體管。(1) 集成應(yīng)用電路的特點(diǎn) 大部分應(yīng)用電路不畫出內(nèi)電路方框圖，這對識圖不利，尤其對初學(xué)者進(jìn)行電路工作分析時(shí)更為不利。 對初學(xué)者而言，分析集成電路的應(yīng)用電路比分析分立元器件的 電路更為困難，這是對集成電路內(nèi)部電路不了解的緣故。 實(shí)際上識圖 也好、修理也好，集成電路比分立元器件電路更為方便。 對集成電路應(yīng)用電路而言，大致了解集成電

14、路內(nèi)部電路和詳細(xì) 了解各引腳作用的情況下，識圖是比較方便的。這是因?yàn)橥愋图?電路具有規(guī)律性，在掌握了它們的共性后，可以方便地分析許多同功 能木同型號的集成電路應(yīng)用電路。(2) 集成電路的主要優(yōu)點(diǎn)集成電路有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，歸納起來有以下幾點(diǎn)。 電路簡單。由于采用了集成電路，簡化了整機(jī)電路的設(shè)計(jì)、調(diào) 試和安裝，特別是采用一些專用集成電路后，整機(jī)電路顯得更為簡單。 性價(jià)比高。相對于分立元器件電路而言，采用集成電路構(gòu)成的 整機(jī)電路性能指標(biāo)更高，與分立電子元器件電路相比，集成電路的成 本、價(jià)格更低。例如，集成運(yùn)放電路的增益之高、零點(diǎn)漂移之小是分 立電子元器件電路無法比擬的。 可靠性強(qiáng)。集成電路具有可靠

15、性高的優(yōu)點(diǎn)，從而提高了整機(jī)電 路工作的可靠性，提高了電路的工作性能和一致性。另外，采用集成 電路后，電路中的焊點(diǎn)大幅度減少，出現(xiàn)虛焊的可能性下降，使整機(jī) 電路工作更為可靠。 能耗較小。集成電路還具有耗電小、體積小、經(jīng)濟(jì)等優(yōu)點(diǎn)。同 一功能的電路，采用集成電路要比采用分立電子元器件的電路功耗小 許多。 故障率低。由于集成電路的故障發(fā)生率相對分立元器件電路而 言比較低，所以降低了整機(jī)電路的故障發(fā)生率。(3) 集成電路的主要缺點(diǎn)集成電路的主要缺點(diǎn)有下列幾個(gè)方面。 電路拆卸困難。集成電路的引腳很多，給修理、拆卸集成電路 帶來了很大的困難，特別是引腳很多的四列集成電路，拆卸比轅困難。 修理成本增加。當(dāng)集成

16、電路內(nèi)電路中的部分電路出現(xiàn)故障時(shí)， 通常必須整塊更換，增加了修理成本。 故障判斷不便。相對分立電子元器件電路而言，在檢修某些特 殊故障時(shí)，準(zhǔn)確地判斷集成電路故障不太方便。一、概述集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、 電阻、電容和電感等元件及布線互連一起， 制作在一小塊或幾小塊半 導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路 功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，這樣，整 個(gè)電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點(diǎn)的數(shù)目也大為減少， 從而 使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面

17、邁進(jìn)了一大步。集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點(diǎn)少，壽命長， 可靠性高，性能好等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在 工、民用電子設(shè)備如收錄機(jī)、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)等方面得到廣泛的應(yīng)用， 同時(shí)在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。用集成電路來裝 配電子設(shè)備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍， 設(shè)備的穩(wěn) 定工作時(shí)間也可大大提高。它在電路中用字母“ IC”（也有用文字符號“ N”等）表示。編輯本段二、集成電路的分類（一）按功能結(jié)構(gòu)分類集成電路按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、 數(shù)字集成電路和數(shù)/模混合集成電路三大類。模擬集成電路用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號（指幅度

18、隨時(shí)間邊疆變化的信號。例如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號、錄放機(jī)的磁 帶信號等），而數(shù)字集成電路用來產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號（指 在時(shí)間上和幅度上離散取值的信號。例如 VCD、DVD重放的音頻信 號和視頻信號）。（二）按制作工藝分類集成電路按制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路和薄膜集成電路。膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。（三）按集成度高低分類集成電路按集成度高低的不同可分為小規(guī)模集成電路、中規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成電路、超大規(guī)模集成電路、特大規(guī)模集成電 路和巨大規(guī)模集成電路。（四）按導(dǎo)電類型不同分類集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成 電路。雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜，功耗

19、較大，代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的制 作工藝簡單，功耗也較低，易于制成大規(guī)模集成電路，代表集成電路 有 CMOS、NMOS、PMOS 等類型。（五）按用途分類集成電路按用途可分為電視機(jī)用集成電路、音響用集成電 路、影碟機(jī)用集成電路、錄像機(jī)用集成電路、電腦（微機(jī)）用集成電 路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機(jī)用集成電路、遙控 集成電路、語言集成電路、報(bào)警器用集成電路及各種專用集成電路。1. 電視機(jī)用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉(zhuǎn)換集成電路、開關(guān) 電源集成電路、遙控集成電路、

20、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成 電路、微處理器（CPU ）集成電路、存儲(chǔ)器集成電路等。2. 音響用集成電路包括 AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電 路、音頻前置放大電路、音頻運(yùn)算放大集成電路、音頻功率放大集成 電路、環(huán)繞聲處理集成電路、電平驅(qū)動(dòng)集成電路，電子音量控制集成 電路、延時(shí)混響集成電路、電子開關(guān)集成電路等。3. 影碟機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、 視頻編碼集成電 路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成 電路、RF信號處理集成電路、數(shù)字信號處理集成電路、伺服集成電 路、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路等。4. 錄像機(jī)用集成電路有系統(tǒng)控制集成電路、伺服集成電路、 驅(qū)動(dòng)集成電路、

21、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。（六）按大小分有小規(guī)模集成電路大規(guī)模集成電路超大規(guī)模集成電路（六）按應(yīng)用領(lǐng)域分集成電路按應(yīng)用領(lǐng)域可分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和專用集成 電路。編輯本段三、集成電路發(fā)展簡史1. 世界集成電路的發(fā)展歷史1947年：貝爾實(shí)驗(yàn)室肖克萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個(gè)里程碑;1950年：結(jié)型晶體管誕生；1950年：R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝；1951年：場效應(yīng)晶體管發(fā)明；1956年：C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝；1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù) 月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史；1960年：H H

22、Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝；1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應(yīng)晶體管；1963 年：F.M.Wanlass 和 C.T.Sah 首次提出 CMOS 技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于 CMOS工藝；1964年：In tel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍；1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制 出第一塊門陣列（50門）；1967年：應(yīng)用材料公司（Applied Materials ）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司；1971年：InteI推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM ），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)

23、；1971年：全球第一個(gè)微處理器 4004由Intel公司推出，采 用的是MOS工藝，這是一個(gè)里程碑式的發(fā)明；1974年：RCA公司推出第一個(gè) CMOS微處理器1802 ；1976 年：16kb DRAM 和 4kb SRAM 問世；1978年：64kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器誕生，不足0.5平方厘米的 硅片上集成了 14萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI ）時(shí) 代的來臨；1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基 于8088推出全球第一臺(tái)PC;1981 年：256kb DRAM 和 64kb CMOS SRAM 問世；1984年：日本宣布推出1Mb DRAM 和25

24、6kb SRAM ；1985年：80386微處理器問世，20MHz ；1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成 有3500萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（ULSI）階段；1989年：1Mb DRAM 進(jìn)入市場；1989年：486微處理器推出，25MHz , 1卩m工藝，后來 50MHz芯片采用 0.8卩m工藝；1992年：64M位隨機(jī)存儲(chǔ)器問世；1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6工藝；1995 年:Pentium Pro, 133MHz，采用 0.6-0.35 m工藝；1997年：300MHz奔騰H問世，采用0.25 m工藝；1999年：奔騰皿問世，4

25、50MHz，采用0.25 m工藝，后 采用0.18卩m工藝；2000年：1Gb RAM 投放市場；2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18 m工藝；2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13 m工藝。2我國集成電路的發(fā)展歷史我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：1965年-1978年：以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開發(fā)邏 輯電路為主要產(chǎn) 品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件；1978年-1990年：主要引進(jìn)美國二手設(shè)備，改善集成電路 裝備水平，在“治散治亂”的同時(shí)，以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較 好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化；1990

26、年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn)，以 CAD 為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)， 為信息產(chǎn)業(yè)服 務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。編輯本段四、集成電路的封裝種類1、BGA(ball grid array)球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按 陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360弓I腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為 0.5

27、mm的 304引腳QFP為40mm 見方。而且BGA不用擔(dān)心QFP那樣的引 腳變形問題。該封裝是美國Motorola公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被米用，今后在美國有 可能在個(gè)人計(jì)算機(jī)中普及。最初， BGA的引腳（凸點(diǎn)）中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在 也有 一 些LSI廠家正在開發(fā)500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊后的 外觀檢查。現(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為，由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來 處理。 美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為 OMPAC , 而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC（見OMPAC和GPAC

28、）。2、BQFP（quad flat package with bumper）帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起（緩沖墊）以 防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲 變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和 ASIC等電路中 采用 此封 裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84到196左右（見QFP）。4、C （ceramic）表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是 在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號。5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM ,DSP（數(shù)字信號處理器）等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip用于紫外線 擦除型EPROM 以及

29、內(nèi)部帶有EPROM的微機(jī)電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數(shù)從8到42。在日本，此封裝表示為DIP G（G即 玻璃密圭寸的意思）。6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷 QFP，用于封裝 DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗 口的Cerquad用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.52W 的功率。但封裝成本比塑料QFP高35倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32到 368。帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝 的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦

30、除型EPROM 以及帶有 EPROM 的微機(jī)電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ - G(見 QFJ)。8、COB(chip on board)板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼 裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)， 芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)， 并用 樹脂覆 蓋以確保 可靠性。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn) 不如TAB和倒片焊技術(shù)。9、DFP(dual flat package)雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此 稱法，現(xiàn)在已基本上不用。10、DIC(dual in-line ceramic p

31、ackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).11、DIL(dual in-line)DIP的別稱（見DIP）。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。12、DIP（dual in-line package）雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出， 封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC,存貯器LSI，微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm， 引腳數(shù)從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。 但多數(shù)情況下并不加 區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為 D

32、IP。另外，用低熔點(diǎn) 玻璃密圭寸的陶瓷 DIP也稱為cerdip（見cerdip）。13、DSO（dual small out-lint）雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱（見SOP）。部分半導(dǎo)體 廠家采用此名稱。14、DICP（dual tape carrier package）雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣 帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利 用的是TAB（自動(dòng)帶載焊接）技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動(dòng)LSI，但多數(shù)為 定制品。另外，0.5mm厚的存儲(chǔ)器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按 照EIAJ（日本電子機(jī) 械工 業(yè)）會(huì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP命名為DTP。

33、15、DIP（dual tape carrier package）同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對DTCP的命名（見DTCP)16、FP(flat package)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和 SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采 用此名稱。17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸 點(diǎn) 與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連 接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術(shù)中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與 LSI芯片不同，就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂 來加固L

34、SI芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。18、FQFP(fine pitch quad flat package)小引腳中心距 QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采 用此名稱。19、CPAC(globe top pad array carrier)美國Motorola 公司對BGA的別稱(見BGA)。20、CQFP(quad fiat package with guard ring)帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料 QFP之一，引腳用樹 脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變 形。在把LSI組裝在印刷基板上之 前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀 (L

35、形狀)。這種封裝 在美國Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多 為208左右。21、H-(with heat sink)表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。22、pin grid array(surface mount type)表面貼裝型 PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從 1.5mm至U 2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因?yàn)橐_中心距只有1.27mm，比插裝型PGA小一半， 所以封裝本體可制作得不 怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250 528)，

36、是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板 和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。23、JLCC(J-leaded chip carrier)J形引腳芯片載體。指帶窗口 CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半 導(dǎo)體廠家采用的名稱。24、LCC(Leadless chip carrier)無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高 速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN 或 QFN C(見 QFN)。25、LGA(land grid array)觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配

37、時(shí)插入插座即可?，F(xiàn) 已 實(shí)用的有227觸點(diǎn)(1.27mm中心 距)和447觸點(diǎn)(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速 邏輯LSI 電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸 出引腳。另外，由于引線的阻 抗 小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用。預(yù)計(jì) 今后 對其需求會(huì)有所增加。26、LOC(lead on chip)芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于 芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片 的中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合 進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的 結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá) 1m

38、m左右寬度。27、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新 QFP外形規(guī)格所用的名稱。28、L QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高78倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法 密封，從而抑制了成本。是為邏輯 LSI開發(fā)的一種 封裝，在自然 空冷條件下可容許 W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了 208引腳(0.5mm中 心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝，并于1993 年10月開始投入批量生產(chǎn)。29、MCM(multi-chip m

39、odule)多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可 分 為MCM L, MCM C和MCM D三大類。MCML是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組 件。布線密度不怎么高，成本較低。MCMC是用厚膜技術(shù)形成 多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多 層陶瓷基板的厚膜混合 IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM L。MCM D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮 化鋁）或Si、AI作為基板的組 件。布線密謀在三種組件中是最高的， 但成本也高。30、MFP（mini flat package）小形扁平封裝。塑料 SOP或S

40、SOP的別稱（見SOP和 SSOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。31、MQFP（metric quad flat package）按照J(rèn)EDEC（美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)對QFP進(jìn)行 的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm 2.0mm 的標(biāo)準(zhǔn)QFP（見QFP）。32、MQUAD（metal quad）美國Olin公司開發(fā)的一種QFP封裝?；迮c封蓋均采用 鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W2.8W的 功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開始生產(chǎn)。33、MSP（mini square package）QFI的別稱（見QFI），在開發(fā)初期多

41、稱為 MSP。QFI是日 本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國 Motorola公司對模壓樹 脂密封BGA采用的名稱（見BGA）。35、P （plastic）表示塑料封裝的記號。如 PDIP表示塑料DIP。36、PAC（pad array carrier）凸點(diǎn)陳列載體，BGA的別稱（見BGA）。37、PCLP（printed circuit board leadless package）印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN（塑料LCC）采用的名稱（見QFN）。引腳中心距有0.55mm

42、和0.4mm 兩種規(guī)格。目前正處于開 發(fā)階段。38、PFPF（plastic flat package）塑料扁平封裝。塑料QFP的別稱（見QFP）。部分LSI廠家 采用的名稱。39、PGA（pin grid array）陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列 狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材 料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大規(guī)模 邏輯LSI電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64到447左 右。了為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也 有64256引腳的塑料 PG A。另外，還有一種引腳中心距為 1.27m

43、m的短引腳表面貼裝型PGA（碰焊PGA）。（見表面貼裝 型PGA)40、piggy back馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關(guān)與 DIP、QFP、 QFN相似。在開發(fā)帶有微機(jī)的設(shè)備時(shí)用于評價(jià)程序確認(rèn)操作。例如， 將EPROM插入插座進(jìn)行調(diào)試。這種封裝基本上都是 定制品，市 場上不怎么流通。41、PLCC（plastic leaded chip carrier）帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝 的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司 首先在64k位DRAM 和256kDRAM 中采用，現(xiàn)在已經(jīng) 普 及用于 邏輯LSI、DLD（或程邏輯器件）等電路。弓I腳

44、中心距1.27mm，引腳 數(shù)從18到84。J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后 的外觀檢查較為困難。PLCC與LCC（也稱QFN）相似。以前，兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝（標(biāo)記為塑料LCC、PC LP、P LCC等），已經(jīng)無法分辨。為此，日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于 1988年決定，把從四側(cè)引出 J形引腳的封裝稱為 QFJ，把在四側(cè) 帶有電極凸點(diǎn)的封裝稱為 QFN（見QFJ和QFN）。42、P LCC（plastic teadless chip carrier）（plastic leaded chip currier）有

45、時(shí)候是塑料QFJ的別稱，有時(shí)候是QFN（塑料LCC）的別 稱（見QFJ和QFN）。部分LSI廠家用PLCC表示帶引線封裝，用P LCC表示無引 線封裝，以示區(qū)別。43、QFH（quad flat high package）四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料 QFP的一種，為了防止封裝 本體斷裂，QFP本體制作得 較厚（見QFP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的 名稱。44、QFI（quad flat I-leaded packgac）四側(cè)I形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝 四個(gè)側(cè)面引出，向下呈I字。也稱為MSP（見MSP）。貼裝與印刷 基板進(jìn)行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面積小 于QFP

46、。日立制作所為視頻模擬IC開發(fā)并使用了這種封裝。此外， 日本的Motorola公司的PLL IC也采用了此種封裝。引腳中心距 1.27mm，引腳數(shù)從18于68。45、QFJ（quad flat J-leaded package）四側(cè)J形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝 四個(gè)側(cè)面引出，向下呈 J字形。是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名 稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ多數(shù)情況稱為PLCC（見 PLCC），用于微機(jī)、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP等電路。引腳 數(shù)從18至84。陶瓷QFJ也稱為CLCC、JLCC（見CLCC）。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPRO

47、M以及帶有EPROM的微機(jī)芯片電路。 引腳數(shù)從32至84。46、QFN(quad flat non-leaded package) 四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現(xiàn)在多稱為LCC。QFN是日本電子機(jī)械工業(yè) 會(huì)規(guī)定的名稱。封裝四側(cè)配置有電 極觸點(diǎn)，由于無引腳，貼裝占有面積比 QFP小，高度 比QFP低。 但是，當(dāng)印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)， 在電極接觸處就不能得到 緩解。因此電 極觸點(diǎn) 難于作到QFP的引腳那樣多，一般從14到 100左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當(dāng)有 LCC標(biāo)記時(shí)基本上都是 陶瓷QFN。電極觸點(diǎn)中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本

48、圭寸裝。電極觸點(diǎn)中心距除1.27mm夕卜，還有0.65mm 和0.5mm 兩 種。這種封裝也稱為塑料 LCC、PCLC、P LCC等。47、QFP(quad flat package)四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個(gè)側(cè)面 引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看， 塑料封裝占絕大部分。當(dāng)沒有特別表示出材料時(shí)，多數(shù)情 況為塑料QFP。塑料QFP是最普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器， 門陳列等數(shù)字 邏輯LSI電路，而且也用于 VTR信號處理、音響信 號處理等模擬LSI電路。弓I腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、0.4mm、

49、0.3mm 等多種規(guī)格。0.65mm 中心距規(guī)格中最多 引腳數(shù)為304。日本將引腳中心距小于 0.65mm 的QFP稱為QFP(FP)。但現(xiàn)在日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)對 QFP的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評價(jià)。在 引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm3.6mm 厚）、LQFP（1.4mm 厚）和 TQFP（1.0mm 厚）三種另外，有的LSI廠家把引腳中心距為0.5mm的QFP專門 稱為收縮型 QFP或SQFP、VQFP。但有的廠家把引腳中心距為 0.65mm 及0.4mm 的QFP也稱為 SQFP，至使名稱稍有一些混 亂。QFP的缺點(diǎn)是，當(dāng)引腳中心距小于0.65mm時(shí)，引腳容

50、易彎 曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已出現(xiàn)了幾種改進(jìn)的 QFP品種。如封裝的四個(gè)角帶有樹指緩沖墊的 BQFP（見BQFP）;帶樹脂保護(hù)環(huán)覆 蓋引腳前端的GQFP（見GQFP）;在封裝本體里設(shè)置測試凸點(diǎn)、放在 防止引腳變形的專 用夾 具里就可進(jìn)行測試的TPQFP（見TPQFP）。 在邏輯LSI方面，不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數(shù)最多為348的產(chǎn)品也已問世。 此外，也有用玻璃密封的陶瓷 QFP（見Gerqa d）。48、QFP（FP）（QFP fine pitch）小中心距QFP。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的名稱。指引腳中心距為 0.55mm、0.4

51、mm、0.3mm等小于 0.65mm 的QFP（見 QFP）。49、QIC（quad in-line ceramic package）陶瓷QFP的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱（見QFP、Cerquad）。50、QIP（quad in-line plastic package）塑料QFP的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱（見QFP）。51、QTCP（quad tape carrier package）四側(cè)引腳帶載封裝。TCP封裝之一，在絕緣帶上形成引腳 并從封裝四個(gè)側(cè)面引出。是利 用TAB技術(shù)的薄型封裝(見TAB、 TCP)。52、QTP(quad tape carrier package)四側(cè)

52、引腳帶載封裝。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1993年4月對QTCP所制定的外形規(guī)格所用的名稱(見TCP)。53、QUIL(quad in-line)QUIP的別稱(見QUIP)。54、QUIP(quad in-line package)四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個(gè)側(cè)面引出，每隔一根 交錯(cuò)向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當(dāng)插入印刷基板時(shí)， 插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板。是 比標(biāo)準(zhǔn)DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺(tái)式計(jì)算機(jī)和家電產(chǎn)品等 的微機(jī)芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。55、SDIP (shrink dual in-line p

53、ackage)收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與 DIP相同，但引腳中心距(1.778mm)小于 DIP(2.54 mm)，因而得此稱呼。引腳數(shù)從14到90。也有稱為SH DIP的。 材料有陶瓷和塑料兩種。56、SH DIP(shrink dual in-line package)同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。57、SIL(single in-line)SIP的別稱(見SIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL這個(gè)名稱。58、SIMM(single in-line memory module)單列存貯器組件。只在印刷基板的一個(gè)側(cè)面附近配有電極的 存貯器組件。通常指插入插座 的組件。標(biāo)準(zhǔn) S

54、IMM有中心距為2.54mm 的30電極和中心距為1.27mm的72電極兩種規(guī)格。在 印刷基板的單面或雙面裝有用 SOJ封裝的1兆位及4兆位DRAM 的SIMM已經(jīng)在個(gè)人 計(jì)算機(jī)、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少 有3040 %的DRAM 都裝配在SIMM 里。59、SIP(single in-line package)單列直插式封裝。引腳從封裝一個(gè)側(cè)面引出，排列成一條直 線。當(dāng)裝配到印刷基板上時(shí)封 裝呈側(cè)立狀。引腳中心距通常為2.54m m,引腳數(shù)從2至23，多數(shù)為定制產(chǎn)品。封裝的形 狀各 異。 也有的把形狀與ZIP相同的封裝稱為SIP。60、SK DIP(skinny dual in-li

55、ne package)DIP的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP(見DIP)。61、SL DIP(slim dual in-line package)DIP的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP。62、SMD(surface mount devices)表面貼裝器件。偶而，有的半導(dǎo)體廠家把SOP歸為SMD(見SOP)SOP的別稱。世界上很多半導(dǎo)體廠家都采用此別稱。（見SOP）。64、SOI（small out-line l-leaded package）I形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳

56、從封裝雙 側(cè)引出向下呈I字形，中心 距1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。 日立公司在模擬IC（電機(jī)驅(qū)動(dòng)用IC）中采用了此封裝。引 腳數(shù)26。65、SOIC（small out-line integrated circuit）SOP的別稱（見SOP）。國外有許多半導(dǎo)體廠家采用此名稱。66、SOJ（Small Out-Line J-Leaded Package）J形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩 側(cè)引出向下呈J字形，故此 得名。通常為塑料制品，多數(shù)用于DRAM 和SRAM等存儲(chǔ)器LSI電路，但絕大部分是DRAM。用SO J封裝 的DRAM器件很多都裝配在SIMM上。引腳中心距1.27mm，弓I腳 數(shù)從20至40（見SIMM ）。67、SQL（Small Out-Line L-leaded package）按照J(rèn)EDEC（美國聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)對SOP 所采用的名稱（見SOP）。68、SONF（Small Out-Line Non-Fin）無散熱片的SOP。與通常的SOP相同。為了在功率IC封 裝中表示無散熱片的區(qū)別，有意 增添了 NF（non-fin）標(biāo)記。部分半導(dǎo) 體廠家采用的名稱（見SOP）。69、SOP(small Out-Line package)小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈 海鷗翼狀(L字形)。材料有 塑料和