模擬電子電路考試卷

1、模擬電子電路一、 填空題（每題2分，共20分）1. 在一個(gè)單時(shí)間常數(shù)低通網(wǎng)絡(luò)中，已知，則該網(wǎng)絡(luò)的3dB角頻率為 。2. 對(duì)于一個(gè)電壓放大器，當(dāng)時(shí)，則該放大器的 dB。3. 在CMOS集成電路設(shè)計(jì)中，NMOS的襯底應(yīng)接在電路的 最低 電位，PMOS的襯底應(yīng)接在電路的 最高 電位。4. 當(dāng)加入2K的負(fù)載電阻后，電壓放大器的輸出電壓減少了20%，則放大器的輸出電阻為 。5. BJT的共發(fā)射極特性曲線根據(jù)工作條件可以分為 、 、截止區(qū)和擊穿區(qū)。6. 差分放大器的功能是放大 ，抑制 。7. 采用電壓混合的反饋放大器能夠 輸入阻抗，采用電流采樣的反饋放大器能夠 輸出阻抗。（提高？降低？）8. 一個(gè)負(fù)反饋系

2、統(tǒng)的相位裕量為60，則該系統(tǒng)工作狀態(tài) ，若相位裕量為-60，則該系統(tǒng)工作狀態(tài) 。（穩(wěn)定？不穩(wěn)定？）9. B類(lèi)功放的導(dǎo)通角為 。10. 考慮一個(gè)硅二極管，n=1，如果電流從0.1mA變到10mA，則電壓變化 。二、 簡(jiǎn)答題。（每題5分，共20分）1. 如圖2-1所示，畫(huà)出該電路高頻小信號(hào)等效電路，并寫(xiě)出該電路的米勒等效輸入電容Cin和上限頻率的表達(dá)式，假設(shè)，已知。 圖2-12. 如圖2-2所示，求所標(biāo)明的電壓和電流值，其中二極管要求用恒壓降模型替代，即。圖2-2第 1 頁(yè) 共 4 頁(yè)3. 如圖2-3所示，假設(shè)所有BJT均匹配，且都很大，求圖中標(biāo)識(shí)的四個(gè)電流大小。圖2-34. 用一片理想運(yùn)放設(shè)計(jì)實(shí)

3、現(xiàn)，要求所有電阻不小于10K且不大于100K。三、 分析計(jì)算。（共60分）1. （15分）如圖3-1所示，已知各個(gè)晶體管，和很大，求：1） 假設(shè)Q2的集電結(jié)面積和Q3相等，求I的值；2） 求，和的值。圖3-1第 2 頁(yè) 共 4 頁(yè)2. （10分）如圖3-2所示電路，已知，恒流源I的輸出電阻為200K，求：1） 差分輸出時(shí)的差模增益；2） 單端輸出時(shí)的共模增益和CMRR。圖3-23.（10分）在圖3-3所示電路為B類(lèi)功率放大電路，已知VCC=12V，RL8W，忽略BJT的飽和壓降，求：1）負(fù)載上可能得到的最大輸出功率；2）每個(gè)管子允許的最大功耗為多少？3）輸出功率為時(shí)放大電路的效率。圖3-34. （10分）考慮如圖3-4所示的雙穩(wěn)態(tài)電路。1） 推導(dǎo)門(mén)限電壓和的表達(dá)式，用運(yùn)放的飽和電平和、電阻，和表示。2） 設(shè)，求和的值，使得門(mén)限電壓等于0和。圖 3-4第 3 頁(yè) 共 4 頁(yè)5. （15分）如圖3-5所示，運(yùn)放開(kāi)環(huán)增益為，差模輸入電阻，輸出電阻，1） 畫(huà)出考慮負(fù)載效應(yīng)后的基本