長沙高科技設(shè)備項目可行性研究報告

1、泓域咨詢 /長沙高科技設(shè)備項目可行性研究報告長沙高科技設(shè)備項目可行性研究報告泓域咨詢機構(gòu)報告說明在良好的政策環(huán)境下，國家產(chǎn)業(yè)投資基金及民間資本以市場化的投資方式進入半導體產(chǎn)業(yè)。國家產(chǎn)業(yè)投資基金通過股權(quán)投資的方式支持集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中具有較強技術(shù)優(yōu)勢和市場競爭力的公司，推動企業(yè)提升產(chǎn)能水平和實現(xiàn)兼并重組，形成良性的自我發(fā)展能力。在國家產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立的同時，各地也支持設(shè)立地方性投資基金，鼓勵社會各類風險投資和股權(quán)投資基金進入集成電路領(lǐng)域，以國家資金為杠桿，撬動大規(guī)模社會資本進入半導體產(chǎn)業(yè)。我國半導體設(shè)備行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展契機，有助于我國半導體設(shè)備行業(yè)技術(shù)水平的提高和行業(yè)的快速發(fā)展。本期

2、項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資16374.71萬元，其中：建設(shè)投資12494.37萬元，占項目總投資的76.30%；建設(shè)期利息240.11萬元，占項目總投資的1.47%；流動資金3640.23萬元，占項目總投資的22.23%。根據(jù)謹慎財務測算，項目正常運營每年營業(yè)收入47100.00萬元，綜合總成本費用38478.69萬元，凈利潤5136.90萬元，財務內(nèi)部收益率14.77%，財務凈現(xiàn)值2429.90萬元，全部投資回收期5.32年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本期項目技術(shù)上可行、經(jīng)濟上合理，投資方向正確，資本結(jié)構(gòu)

3、合理，技術(shù)方案設(shè)計優(yōu)良。本期項目的投資建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益等方面都是積極可行的?？傮w來看，“十三五”時期是貫徹落實國家“四個全面”戰(zhàn)略的重要時期，是長沙轉(zhuǎn)型創(chuàng)新發(fā)展的關(guān)鍵時期，也是率先建成全面小康的決戰(zhàn)時期，既面臨重大機遇，也面臨諸多挑戰(zhàn)。我們必須立足市情，順勢而為，引領(lǐng)新常態(tài)，培育新動力，厚植新優(yōu)勢，推動長沙實現(xiàn)新一輪較快發(fā)展。可行性研究是投資決策前的活動，它是在事件沒有發(fā)生之前的研究，是對事物未來發(fā)展的情況、可能遇到的問題和結(jié)果的估計，具有預測性。因此，必須進行深入地調(diào)查研究，充分地占有資料，運用切合實際的預測方法，科學地預測未來前景。本報告基于可信的公開資料，參考行業(yè)研究模

4、型，旨在對項目進行合理的邏輯分析研究。本報告僅作為投資參考或作為參考范文模板用途。目錄第一章 項目概論第二章 項目建設(shè)背景、必要性第三章 行業(yè)前景及市場預測第四章 建設(shè)方案與產(chǎn)品規(guī)劃第五章 項目選址方案第六章 建筑工程方案第七章 原輔材料及成品分析第八章 技術(shù)方案第九章 環(huán)保分析第十章 勞動安全生產(chǎn)第十一章 節(jié)能方案第十二章 組織架構(gòu)分析第十三章 建設(shè)進度分析第十四章 項目投資計劃第十五章 經(jīng)濟效益第十六章 招標及投資方案第十七章 風險評估分析第十八章 總結(jié)評價說明第十九章 附表 附表1：主要經(jīng)濟指標一覽表附表2：建設(shè)投資估算一覽表附表3：建設(shè)期利息估算表附表4：流動資金估算表附表5：總投資估

5、算表附表6：項目總投資計劃與資金籌措一覽表附表7：營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表附表8：綜合總成本費用估算表附表9：利潤及利潤分配表附表10：項目投資現(xiàn)金流量表附表11：借款還本付息計劃表第一章 項目概論一、項目名稱及投資人（一）項目名稱長沙高科技設(shè)備項目（二）項目投資人xxx投資管理公司（三）建設(shè)地點本期項目選址位于xx。二、編制原則按照“保證生產(chǎn)，簡化輔助”的原則進行設(shè)計，盡量減少用地、節(jié)約資金。在保證生產(chǎn)的前提下，綜合考慮輔助、服務設(shè)施及該項目的可持續(xù)發(fā)展。采用先進可靠的工藝流程及設(shè)備和完善的現(xiàn)代企業(yè)管理制度，采取有效的環(huán)境保護措施，使生產(chǎn)中的排放物符合國家排放標準和規(guī)定，重視安全與

6、工業(yè)衛(wèi)生使工程項目具有良好的經(jīng)濟效益和社會效益。三、編制依據(jù)1、中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展“十三五”規(guī)劃綱要；2、建設(shè)項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)及使用手冊（第三版）；3、工業(yè)可行性研究編制手冊；4、現(xiàn)代財務會計；5、工業(yè)投資項目評價與決策；6、國家及地方有關(guān)政策、法規(guī)、規(guī)劃；7、項目建設(shè)地總體規(guī)劃及控制性詳規(guī)；8、項目建設(shè)單位提供的有關(guān)材料及相關(guān)數(shù)據(jù)；9、國家公布的相關(guān)設(shè)備及施工標準。四、編制范圍及內(nèi)容1、確定生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)品方案；2、調(diào)研產(chǎn)品市場；3、確定工程技術(shù)方案；4、估算項目總投資，提出資金籌措方式及來源；5、測算項目投資效益，分析項目的抗風險能力。五、項目建設(shè)背景半導體行業(yè)是現(xiàn)代經(jīng)濟

7、社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導性產(chǎn)業(yè)，是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐，其產(chǎn)品被廣泛地應用于電子通信、計算機、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)，是絕大多數(shù)電子設(shè)備的核心組成部分。根據(jù)國際貨幣基金組織測算，每1美元半導體芯片的產(chǎn)值可帶動相關(guān)電子信息產(chǎn)業(yè)10美元產(chǎn)值，并帶來100美元的GDP，這種價值鏈的放大效應奠定了半導體行業(yè)在國民經(jīng)濟中的重要地位。半導體與信息安全的發(fā)展進程息息相關(guān)，世界各國政府都將其視為國家的骨干產(chǎn)業(yè)，半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平逐漸成為了國家綜合實力的象征。半導體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導體終端產(chǎn)品以及其衍生的應用、系統(tǒng)等。半導體終端需求會影響半導體制造行業(yè)的發(fā)展。而在半導體制造產(chǎn)業(yè)中，半導體設(shè)備行業(yè)的下游

8、客戶是晶圓廠。當半導體終端需求增長時，晶圓廠會加大資本性支出，擴大其生產(chǎn)規(guī)模，開始建設(shè)新廠或進行產(chǎn)能升級。隨著晶圓廠的資本性支出加大，半導體設(shè)備銷售也會隨之增長。因此，半導體設(shè)備銷售的周期性和波動性較下游半導體制造行業(yè)更大?？傮w而言，半導體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個螺旋式上升的過程，放緩或回落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復蘇。近年來，隨著半導體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導體設(shè)備市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。隨著半導體產(chǎn)業(yè)日趨成熟，特別是集成電路和微觀器件產(chǎn)業(yè)不斷地出現(xiàn)更多半導體產(chǎn)品，半導體終端應用越來越廣。隨著終端應用逐漸滲透到國民經(jīng)濟各個領(lǐng)域，下游客戶晶圓廠的資本性支出的波動和行業(yè)周期性有望降低?？傮w來看

9、，“十三五”時期是貫徹落實國家“四個全面”戰(zhàn)略的重要時期，是長沙轉(zhuǎn)型創(chuàng)新發(fā)展的關(guān)鍵時期，也是率先建成全面小康的決戰(zhàn)時期，既面臨重大機遇，也面臨諸多挑戰(zhàn)。我們必須立足市情，順勢而為，引領(lǐng)新常態(tài)，培育新動力，厚植新優(yōu)勢，推動長沙實現(xiàn)新一輪較快發(fā)展。六、結(jié)論分析（一）項目選址本期項目選址位于xx，占地面積約45.89畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項目建設(shè)。（二）建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案項目建成后，形成年產(chǎn)高科技設(shè)備10000套的生產(chǎn)能力。（三）項目實施進度本期項目按照國家基本建設(shè)程序的有關(guān)法規(guī)和實施指南要求進行建設(shè)，本期項目建設(shè)期限規(guī)劃2

10、4個月。（四）投資估算本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資16374.71萬元，其中：建設(shè)投資12494.37萬元，占項目總投資的76.30%；建設(shè)期利息240.11萬元，占項目總投資的1.47%；流動資金3640.23萬元，占項目總投資的22.23%。（五）資金籌措項目總投資16374.71萬元，根據(jù)資金籌措方案，xxx投資管理公司計劃自籌資金（資本金）11474.71萬元。根據(jù)謹慎財務測算，本期工程項目申請銀行借款總額4900.00萬元。（六）經(jīng)濟評價1、項目達產(chǎn)年預期營業(yè)收入（SP）：47100.00萬元（含稅）。2、年綜合總成本費用（TC）：3

11、8478.69萬元。3、項目達產(chǎn)年凈利潤（NP）：5136.90萬元。4、財務內(nèi)部收益率（FIRR）：14.77%。5、全部投資回收期（Pt）：5.32年（含建設(shè)期24個月）。6、達產(chǎn)年盈虧平衡點（BEP）：6037.76萬元（產(chǎn)值）。（七）社會效益本項目實施后，可滿足國內(nèi)市場需求，增加國家及地方財政收入，帶動產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展，為社會提供更多的就業(yè)機會。另外，由于本項目環(huán)保治理手段完善，不會對周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此，本項目建設(shè)具有良好的社會效益。（八）主要經(jīng)濟技術(shù)指標主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積30593.30約45.89畝1.1總建筑面積35794.16容積率1.171.

12、2基底面積17132.25建筑系數(shù)56.00%1.3投資強度萬元/畝253.901.4基底面積17132.252總投資萬元16374.712.1建設(shè)投資萬元12494.372.1.1工程費用萬元10460.282.1.2工程建設(shè)其他費用萬元1682.642.1.3預備費萬元351.452.2建設(shè)期利息萬元240.112.3流動資金3640.233資金籌措萬元16374.713.1自籌資金萬元11474.713.2銀行貸款萬元4900.004營業(yè)收入萬元47100.00正常運營年份5總成本費用萬元38478.696利潤總額萬元6849.207凈利潤萬元5136.908所得稅萬元1712.309增

13、值稅萬元1560.8010稅金及附加萬元1772.1111納稅總額萬元5045.2112工業(yè)增加值萬元11774.8313盈虧平衡點萬元6037.76產(chǎn)值14回收期年5.32含建設(shè)期24個月15財務內(nèi)部收益率14.77%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元2429.90所得稅后第二章 項目建設(shè)背景、必要性一、行業(yè)背景分析（1）刻蝕設(shè)備行業(yè)在新技術(shù)方面近年來的發(fā)展情況與未來發(fā)展趨勢集成電路制造工藝集成電路制造工藝繁多復雜，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導體制造三大核心工藝。薄膜沉積工藝系在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，勻膠工藝系把光刻膠涂抹在薄膜上，光刻和顯影工藝系把光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠，刻蝕工藝系把光刻

14、膠上圖形轉(zhuǎn)移到薄膜，去除光刻膠后，即完成圖形從光罩到晶圓的轉(zhuǎn)移。制造芯片的過程需要數(shù)十層光罩，集成電路制造主要是通過薄膜沉積、光刻和刻蝕三大工藝循環(huán)，把所有光罩的圖形逐層轉(zhuǎn)移到晶圓上。半導體制造工藝：薄膜沉積、光刻和刻蝕是半導體制造三大核心工藝制造先進的集成電路器件，如同建一個幾十層的微觀樓房，或建一個多層的高速立交橋。等離子體刻蝕技術(shù)刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù)，其中以等離子體干法刻蝕為主導。等離子體刻蝕設(shè)備是一種大型真空的全自動的加工設(shè)備，一般由

15、多個真空等離子體反應腔和主機傳遞系統(tǒng)構(gòu)成。等離子體刻蝕設(shè)備的分類與刻蝕工藝密切相關(guān)，其原理是利用等離子體放電產(chǎn)生的帶化學活性的粒子，在離子的轟擊下，與表面的材料發(fā)生化學反應，產(chǎn)生可揮發(fā)的氣體，從而在表面的材料上加工出微觀結(jié)構(gòu)。根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕；根據(jù)被刻蝕材料類型的不同，干法刻蝕主要是刻蝕介質(zhì)材料（氧化硅、氮化硅、二氧化鉿、光刻膠等）、硅材料（單晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金屬材料（鋁、鎢等）。電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結(jié)構(gòu)；而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均

16、勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應用。刻蝕技術(shù)水平發(fā)展狀況及未來發(fā)展趨勢隨著國際上高端量產(chǎn)芯片從14納米到10納米階段向7納米、5納米甚至更小的方向發(fā)展，當前市場普遍使用的沉浸式光刻機受光波長的限制，關(guān)鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現(xiàn)更小的尺寸，使得刻蝕技術(shù)及相關(guān)設(shè)備的重要性進一步提升。芯片線寬的縮小及新制造工藝的采用（如多重模板工藝），對刻蝕技術(shù)的精確度和重復性要求更高?？涛g技術(shù)需要在刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷、顆粒沾污等指標上滿足更高的要求，刻蝕設(shè)備隨之更新進步，例如：

17、刻蝕設(shè)備的靜電吸盤從原來的四分區(qū)擴展到超過20個分區(qū)，以實現(xiàn)更高要求的均勻性；更好的腔體的溫度控制實現(xiàn)生產(chǎn)重復性的提高。集成電路2D存儲器件的線寬已接近物理極限，NAND閃存已進入3D時代。目前64層3DNAND閃存已進入大生產(chǎn)，96層和128層閃存正處于研發(fā)中。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數(shù)。刻蝕要在氧化硅和氮化硅一對的疊層結(jié)構(gòu)上，加工40：1到60：1的極深孔或極深的溝槽。3DNAND層數(shù)的增加要求刻蝕技術(shù)實現(xiàn)更高的深寬比。（2）MOCVD設(shè)備行業(yè)在新技術(shù)方面近年來的發(fā)展情況與未來發(fā)展趨勢在光電子半導體LED領(lǐng)域存在一個類似摩爾定律的海茲

18、定律，即LED的價格每10年將為原來的1/10，輸出流明則增加20倍。自1993年第一顆商業(yè)化藍光LED誕生以來，經(jīng)過20多年的發(fā)展，制造藍光LED的MOCVD技術(shù)已達到較為成熟的階段，目前MOCVD設(shè)備企業(yè)主要在提高大規(guī)模外延生產(chǎn)所需的性能、降低生產(chǎn)成本、具備大尺寸襯底外延能力等方面進行技術(shù)開發(fā)，以滿足下游應用市場的需求。主流MOCVD設(shè)備反應腔的加工能力從31片4英寸外延片發(fā)展到34片4英寸外延片，現(xiàn)在行業(yè)主流廠商正在開發(fā)41片4英寸外延片超大反應器。 制造紅黃光LED、紫外光LED、功率器件等都需要MOCVD設(shè)備，這些設(shè)備還有待進一步開發(fā)。MiniLED和MicroLED可能帶來的顯示器

19、件革命孕育著更大的市場機會。二、產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析1、行業(yè)發(fā)展態(tài)勢及面臨的機遇（1）新應用推動市場需求持續(xù)旺盛縱觀半導體行業(yè)的發(fā)展歷史，雖然行業(yè)呈現(xiàn)明顯的周期性波動，但整體增長趨勢并未發(fā)生變化，而每一次技術(shù)變革是驅(qū)動行業(yè)持續(xù)增長的主要動力。歷史證明，隨著消費電子產(chǎn)品朝著智能化、輕薄化、便攜化發(fā)展，新的智能終端產(chǎn)品層出不窮，從個人電腦、寬帶互聯(lián)網(wǎng)到移動互聯(lián)網(wǎng)的技術(shù)更替，使得集成電路、MEMS、功率器件等半導體產(chǎn)業(yè)的市場前景和發(fā)展機遇越來越廣闊。雖然短期內(nèi)個人電腦和智能手機滲透率接近高位在一定程度上影響半導體行業(yè)的持續(xù)快速發(fā)展，但以物聯(lián)網(wǎng)為代表的新需求所帶動的如云計算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應用的興起，逐

20、漸成為半導體行業(yè)新一代技術(shù)的變革力量。從長遠來看，伴隨新應用推動市場需求的持續(xù)旺盛，半導體行業(yè)的景氣度有望保持螺旋式上升。在如此的大浪潮下，全球的半導體巨頭如三星、英特爾、海力士等紛紛在近期提出加大資本性支出的計劃，或開啟新一輪的半導體投資周期。作為半導體生產(chǎn)環(huán)節(jié)投資規(guī)模占比最大的部分，半導體設(shè)備將直接受益于未來持續(xù)擴張的半導體產(chǎn)業(yè)。（2）集成電路工藝的進步刺激設(shè)備需求增加在摩爾定律的推動下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，直接導致集成電路制造工序愈為復雜。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，20納米工藝所需工序約為1,000道，而10納米工藝和7納米工藝所需工序已超過1,400道。尤其當線寬向

21、10、7、5納米甚至更小的方向升級，當前市場普遍使用的光刻機受波長的限制精度無法滿足要求，需要采用多重模板工藝，重復多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，20納米工藝需要的刻蝕步驟約為50次，而10納米工藝和7納米工藝所需刻蝕步驟則超過100次。工序步驟的大幅增加意味著需要更多以刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為代表的半導體設(shè)備參與集成電路生產(chǎn)環(huán)節(jié)。除集成電路線寬不斷縮小以外，半導體器件的結(jié)構(gòu)也趨于復雜，例如存儲器領(lǐng)域的NAND閃存已進入3D時代。3DNAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增大堆疊的層數(shù)，疊堆層數(shù)也從32層、6

22、4層量產(chǎn)向128層發(fā)展，每層均需要經(jīng)過刻蝕和薄膜沉積的工藝步驟，催生出更多刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備的需求。此外，3D結(jié)構(gòu)的半導體器件往往需要很小的通孔連接幾十至一百余層硅，因此對刻蝕設(shè)備的技術(shù)要求是更高的深寬比，這為刻蝕設(shè)備提出了新的應用方向，帶來了新的附加值。綜上，集成電路尺寸及線寬的縮小、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的立體化及生產(chǎn)工藝的復雜化等因素都對半導體設(shè)備行業(yè)提出了更高的要求和更多的需求，并為以刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備為代表的核心裝備的發(fā)展提供了廣闊的市場空間。（3）LED新技術(shù)和應用方向的發(fā)展將催生MOCVD的新需求LED行業(yè)的新應用和新技術(shù)同樣層出不窮，除藍光LED外，紅黃光LED、深紫外LED以及Mi

23、niLED、MicroLED、第三代半導體功率器件等諸多新產(chǎn)品方興未艾，這些領(lǐng)域都需要MOCVD設(shè)備，將進一步擴大MOCVD設(shè)備的市場規(guī)模。MiniLED和MicroLED具有高分辨率、高亮度、省電及反應速度快等特點，被視為新一代顯示技術(shù)，吸引蘋果、三星、LG、索尼等大型企業(yè)布局發(fā)展。以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體功率器件由于具有高效、低能耗和快速轉(zhuǎn)換等優(yōu)點，正在迅速取代部分硅功率器件，并從電子領(lǐng)域擴展到如民用高頻器件，例如5G等其他領(lǐng)域，市場前景廣闊。根據(jù)LEDinside預測，深紫外LED市場產(chǎn)值于2017年成長至2.23億美金，預估2022年將會到達12.24億美金，2017-20

24、22年復合成長率達33%。除固化應用市場穩(wěn)定成長之外，表面殺菌、靜止水殺菌、流動水殺菌等應用為2018-2022年深紫外LED市場的主要成長動能。（4）全球半導體產(chǎn)能向中國大陸轉(zhuǎn)移，推動國內(nèi)設(shè)備行業(yè)大力發(fā)展作為全球最大的半導體消費市場，我國對半導體器件產(chǎn)品的需求持續(xù)旺盛，中國半導體市場規(guī)模2013年至2018年年均復合增長率為14.34%。市場需求帶動全球產(chǎn)能中心逐步向中國大陸轉(zhuǎn)移，持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶動了大陸半導體整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高。SEMI所發(fā)布的近兩年全球晶圓廠預測報告顯示，2016至2017年間，新建的晶圓廠達17座，其中中國大陸占了10座。SEMI進一步預估，2017年到202

25、0年的四年間，全球預計新建62條晶圓加工線，其中中國大陸將新建26座晶圓廠，成為全球新建晶圓廠最積極的地區(qū)，整體投資金額預計占全球新建晶圓廠的42%，為全球之最。中國大陸晶圓廠建廠潮為半導體設(shè)備行業(yè)提供了巨大的市場空間。根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年第三季度中國大陸半導體設(shè)備銷售額同比增長106%，首次超越韓國，預計2019年將成為全球最大半導體設(shè)備市場。同時，中國大陸需求和投資的旺盛也促進了我國半導體產(chǎn)業(yè)專業(yè)人才的培養(yǎng)及配套行業(yè)的發(fā)展，半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境的良性發(fā)展為我國設(shè)備產(chǎn)業(yè)的擴張和升級提供了機遇。（5）良好的半導體產(chǎn)業(yè)扶持政策為進一步加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2014年6月出臺的國家集成電路產(chǎn)

26、業(yè)發(fā)展推進綱要強調(diào)，進一步突出企業(yè)的主體地位，以需求為導向，以技術(shù)創(chuàng)新、模式創(chuàng)新和體制機制創(chuàng)新為動力，突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料瓶頸，推動產(chǎn)業(yè)整體提升，實現(xiàn)跨越式發(fā)展。國家高度重視和大力支持行業(yè)發(fā)展，相繼出臺了多項政策，推動中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和加速國產(chǎn)化進程，將半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升到國家戰(zhàn)略的高度，充分顯示出國家發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的決心。在良好的政策環(huán)境下，國家產(chǎn)業(yè)投資基金及民間資本以市場化的投資方式進入半導體產(chǎn)業(yè)。國家產(chǎn)業(yè)投資基金通過股權(quán)投資的方式支持集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)中具有較強技術(shù)優(yōu)勢和市場競爭力的公司，推動企業(yè)提升產(chǎn)能水平和實現(xiàn)兼并重組，形成良性的自我發(fā)展能力。在國家產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立的同時

27、，各地也支持設(shè)立地方性投資基金，鼓勵社會各類風險投資和股權(quán)投資基金進入集成電路領(lǐng)域，以國家資金為杠桿，撬動大規(guī)模社會資本進入半導體產(chǎn)業(yè)。我國半導體設(shè)備行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展契機，有助于我國半導體設(shè)備行業(yè)技術(shù)水平的提高和行業(yè)的快速發(fā)展。2、面臨的挑戰(zhàn)（1）融資環(huán)境仍不成熟半導體設(shè)備行業(yè)投資周期長，研發(fā)投入大，是典型的資本密集型行業(yè)，為保持公司的技術(shù)優(yōu)勢，需要長期、持續(xù)不斷的研發(fā)投入。目前行業(yè)內(nèi)企業(yè)主要資金來源于股東的投入，融資渠道單一限制了國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。（2）高端技術(shù)和人才的缺乏半導體設(shè)備行業(yè)屬于典型技術(shù)密集型行業(yè)，對于技術(shù)人員的知識背景、研發(fā)能力及操作經(jīng)驗積累均有較高要求。雖然近年來國家對

28、半導體設(shè)備行業(yè)給予鼓勵和支持，但由于研發(fā)起步較晚，業(yè)內(nèi)人才和技術(shù)水平仍然較為缺乏，在一定程度上制約了行業(yè)的快速發(fā)展。全球經(jīng)濟處于曲折復蘇的深度調(diào)整期?！笆濉睍r期，和平與發(fā)展仍是時代主題，曲折復蘇和分化調(diào)整是世界經(jīng)濟的主要特征，新型競合將成為發(fā)展大趨勢。美國、歐盟等發(fā)達地區(qū)“制造業(yè)回歸”持續(xù)推進，日本經(jīng)濟復蘇的穩(wěn)定性預期不強，新興經(jīng)濟體增長動力相對較弱。以互聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)4.0等為標識的新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革步伐加快，將為我市參與國際分工合作、促進產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級等帶來新的機遇。國內(nèi)經(jīng)濟進入轉(zhuǎn)型提質(zhì)的發(fā)展新常態(tài)?！笆濉睍r期，我國經(jīng)濟將在新常態(tài)下發(fā)生深刻變化：發(fā)展速度由高速增長轉(zhuǎn)向中高速，更加注

29、重有質(zhì)量、有效益和可持續(xù)發(fā)展；發(fā)展水平由中低端邁向中高端，更加注重新型工業(yè)化、新型城鎮(zhèn)化、信息化、農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化和綠色化協(xié)同發(fā)展；發(fā)展動力由要素驅(qū)動轉(zhuǎn)向創(chuàng)新驅(qū)動，全面創(chuàng)新加快催生新的增長點，深化改革持續(xù)釋放巨大紅利，將有力推動我國跨越“中等收入陷阱”。全市經(jīng)濟邁向?qū)崿F(xiàn)基本現(xiàn)代化新階段。一是承載發(fā)展的框架加快形成，將持續(xù)放大我市發(fā)展新優(yōu)勢。長沙作為“一帶一路”重要節(jié)點城市、“一帶一部”首位城市和長江中游城市群中心城市，承東啟西、連南接北、通江達海的區(qū)位優(yōu)勢和戰(zhàn)略地位將更加突出，區(qū)域經(jīng)濟輻射帶動能力將持續(xù)增強。二是先行先試的平臺全面筑牢，將有效提升我市核心競爭力。我市擁有全國兩型社會建設(shè)綜合配套改革試

30、驗區(qū)、國家自主創(chuàng)新示范區(qū)、國家級湘江新區(qū)三大戰(zhàn)略平臺，依托國家支持政策與自身探索實踐的疊加優(yōu)勢，培育形成有利于轉(zhuǎn)型創(chuàng)新發(fā)展的制度環(huán)境，將推動我市在更大范圍內(nèi)加速產(chǎn)業(yè)、人口及要素集聚，構(gòu)筑新的競爭優(yōu)勢。三是產(chǎn)業(yè)升級的潛力逐步釋放，將有力推動我市轉(zhuǎn)型創(chuàng)新發(fā)展。我市在新材料、生物產(chǎn)業(yè)、節(jié)能環(huán)保等一批新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，有技術(shù)、有優(yōu)勢、有潛力、有前景，有望成為“十三五”時期率先突破的關(guān)鍵點，進而加速形成新的經(jīng)濟增長點，為全市轉(zhuǎn)型創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐。第三章 行業(yè)前景及市場預測一、行業(yè)基本情況1、2006-2020年國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略在集成電路（特別是中央處理器芯片）、系統(tǒng)軟件、關(guān)鍵應用軟件、自主可控關(guān)鍵裝備

31、等涉及自主發(fā)展能力的關(guān)鍵領(lǐng)域，瞄準國際創(chuàng)新前沿，加大投入，重點突破，逐步掌握產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主動權(quán)。制定并完善集成電路、軟件、基礎(chǔ)電子產(chǎn)品、信息安全產(chǎn)品、信息服務業(yè)等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)政策。研究制定支持大型中央企業(yè)的信息化發(fā)展政策。培育有核心競爭能力的信息產(chǎn)業(yè)。加強政府引導，突破集成電路、軟件、關(guān)鍵電子元器件、關(guān)鍵工藝裝備等基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展瓶頸，提高在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的地位，逐步形成技術(shù)領(lǐng)先、基礎(chǔ)雄厚、自主發(fā)展能力強的信息產(chǎn)業(yè)。2、關(guān)于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策的通知為進一步優(yōu)化軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展質(zhì)量和水平，培育一批有實力和影響力的行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，在財稅、投融資、研究開

32、發(fā)、進出口等各方面制定了許多優(yōu)惠政策。在投融資方面，積極支持符合條件的軟件企業(yè)和集成電路企業(yè)采取發(fā)行股票、債券等多種方式籌集資金，拓寬直接融資渠道。3、關(guān)于海關(guān)支持軟件產(chǎn)明確了經(jīng)認定的軟件進企業(yè)進口所需的自用設(shè)備以及配套件、備件可以免征進口關(guān)稅，照章征收進業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的有關(guān)政策規(guī)定和措施的公告經(jīng)認定線寬小于0.25微米或投資額超過80億元人民幣的集成電路生產(chǎn)企業(yè)和經(jīng)認定的線寬小于0.8微米（含）的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，其進口自用生產(chǎn)性原材料、消耗品，凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)，以及集成電路生產(chǎn)設(shè)備零、配件可以免征關(guān)稅和進口環(huán)節(jié)增值稅。4、國家規(guī)劃布局內(nèi)重點軟件企業(yè)和集成電路設(shè)計企業(yè)認定管

33、理試行辦法規(guī)劃布局企業(yè)須符合戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃等國家規(guī)劃部署，在全國軟件和集成電路行業(yè)中具有相對比較優(yōu)勢。5、關(guān)于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知我國境內(nèi)新辦的集成電路設(shè)計企業(yè)和符合條件的軟件企業(yè)，經(jīng)認定后，在2017年12月31日前自獲利年度起計算優(yōu)惠期，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。國家規(guī)劃布局內(nèi)的重點軟件企業(yè)和集成電路設(shè)計企業(yè)，如當年未享受免稅優(yōu)惠的，可減按10%的稅率征收企業(yè)所得稅。6、國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要提出著力發(fā)展集成電路設(shè)計業(yè)；加速發(fā)展集成電路制造業(yè)；提升

34、先進封裝測試業(yè)發(fā)展水平；突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料；并從成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導小組、設(shè)立國家產(chǎn)業(yè)投資基金、加大金融支持力度、落實稅收支持政策、加強安全可靠軟硬件的推廣應用、強化企業(yè)創(chuàng)新能力建設(shè)、加大人才培養(yǎng)和引進力度、繼續(xù)擴大對外開放等八個方面配備了相應的保障措施。7、中國制造2025著力提升集成電路設(shè)計水平，不斷豐富知識產(chǎn)權(quán)（IP）和設(shè)計工具，突破關(guān)系國家信息與網(wǎng)絡(luò)安全及電子整機產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片，提升國產(chǎn)芯片的應用適配能力。掌握高密度封裝及三維（3D）微組裝技術(shù)，提升封裝產(chǎn)業(yè)和測試的自主發(fā)展能力。形成關(guān)鍵制造裝備供貨能力。8、國務院辦公廳關(guān)于進一步激發(fā)民間有效投資活力促進經(jīng)濟持續(xù)

35、健康發(fā)展的指導意見提出發(fā)揮財政性資金帶動作用，通過投資補助、資本金注入、設(shè)立基金等多種方式，廣泛吸納各類社會資本，支持企業(yè)加大技術(shù)改造力度，加大對集成電路等關(guān)鍵領(lǐng)域和薄弱環(huán)節(jié)重點項目的投入。二、市場分析（1）半導體行業(yè)概述半導體行業(yè)的重要性半導體行業(yè)是現(xiàn)代經(jīng)濟社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導性產(chǎn)業(yè)，是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐，其產(chǎn)品被廣泛地應用于電子通信、計算機、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)，是絕大多數(shù)電子設(shè)備的核心組成部分。根據(jù)國際貨幣基金組織測算，每1美元半導體芯片的產(chǎn)值可帶動相關(guān)電子信息產(chǎn)業(yè)10美元產(chǎn)值，并帶來100美元的GDP，這種價值鏈的放大效應奠定了半導體行業(yè)在國民經(jīng)濟中的重要地位。半導體與

36、信息安全的發(fā)展進程息息相關(guān)，世界各國政府都將其視為國家的骨干產(chǎn)業(yè)，半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平逐漸成為了國家綜合實力的象征。半導體行業(yè)的發(fā)展狀況從歷史上看，半導體行業(yè)遵循螺旋式上升規(guī)律，新科技推動行業(yè)屢獲新生。半導體核心元器件晶體管自誕生以來，帶動了全球半導體產(chǎn)業(yè)20世紀50年代至90年代的迅猛增長。進入21世紀以后市場日趨成熟，隨著PC、手機、液晶電視等消費類電子產(chǎn)品市場滲透率不斷提高，行業(yè)增速逐步放緩。近年在以物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子和安防電子等為主的新興應用領(lǐng)域強勁需求的帶動下，全球半導體產(chǎn)業(yè)恢復增長。根據(jù)WSTS統(tǒng)計，從2013年到2018年，全球半導體市場規(guī)模從3

37、,056億美元迅速提升至4,688億美元，年均復合增長率達到8.93%。半導體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個螺旋式上升的過程，放緩或回落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復蘇。半導體行業(yè)在過去都遵循著摩爾定律，晶體管密度每隔18-24個月便會增加一倍。信息技術(shù)的進步是背后的主要驅(qū)動力，伴隨著電子產(chǎn)品在人類生活的更廣泛普及以及智能化，物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的革命為整個行業(yè)的下一輪進化提供了動力，半導體行業(yè)有望長期保持旺盛的生命力。中國半導體行業(yè)現(xiàn)狀從需求端分析，隨著經(jīng)濟的不斷發(fā)展，中國已成為了全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)及消費市場，衍生出了巨大的半導體器件需求。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，從2013年到2018年

38、僅中國半導體集成電路市場規(guī)模就從820億美元擴大至1,550億美元，年均復合增長率約為13.58%。未來隨著互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展，中國的半導體器件消費還將持續(xù)增加，中國將成為全球半導體最具活力和發(fā)展前景的市場區(qū)域。從供給端分析，對比巨大的國內(nèi)市場需求，國產(chǎn)半導體集成電路市場規(guī)模較小，2018年自給率約為15%。根據(jù)海關(guān)總署的數(shù)據(jù)，僅半導體集成電路產(chǎn)品的進口額從2015年起已連續(xù)四年位列所有進口商品中的第一位，不斷擴大的中國半導體市場規(guī)模嚴重依賴于進口，中國半導體產(chǎn)業(yè)自給率過低，進口替代的空間巨大。（2）半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈簡介半導

39、體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導體終端產(chǎn)品以及其衍生的應用、系統(tǒng)等。半導體產(chǎn)品按功能區(qū)分，可以分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器等四大類。據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2018年集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器的全球市場規(guī)模分別為3,933億美元、380億美元、241億美元和134億美元，占4,688億美元半導體市場整體規(guī)模的比例分別約為83.9%、8.1%、5.1%和2.9%；相較于2017年，集成電路增長14.6%，光電子器件增長9.3%，分立器件增長11.7%，傳感器增長6.0%。集成電路和光電子器件是半導體產(chǎn)品最主要的門類。（3）半導體設(shè)備行業(yè)概況半導體設(shè)備的重要性半導體設(shè)備行業(yè)屬于半導體產(chǎn)業(yè)鏈

40、的上游核心環(huán)節(jié)之一，根據(jù)半導體行業(yè)內(nèi)“一代設(shè)備，一代工藝，一代產(chǎn)品”的經(jīng)驗，半導體產(chǎn)品制造要超前電子系統(tǒng)開發(fā)新一代工藝，而半導體設(shè)備要超前半導體產(chǎn)品制造開發(fā)新一代產(chǎn)品。半導體設(shè)備支撐10倍大的芯片制造產(chǎn)業(yè)，對信息產(chǎn)業(yè)有成百上千倍的放大作用，隨著半導體行業(yè)的迅速發(fā)展，半導體產(chǎn)品的加工面積成倍縮小，復雜程度與日俱增，生產(chǎn)半導體產(chǎn)品所需的制造設(shè)備需要綜合運用光學、物理、化學等科學技術(shù)，具有技術(shù)壁壘高、制造難度大及研發(fā)投入高等特點。半導體設(shè)備價值普遍較高，一條制造先進半導體產(chǎn)品的生產(chǎn)線投資中設(shè)備價值約占總投資規(guī)模的75%以上，半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出巨大的設(shè)備需求市場。全球半導體制造設(shè)備行業(yè)簡介2013

41、年以來，隨著全球半導體行業(yè)整體景氣度的提升，半導體設(shè)備市場也呈增長趨勢。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，全球半導體設(shè)備銷售額從2013年的約318億美元增長至2018年的預估621億美元，年均復合增長率約為14.33%，高于同期全球半導體器件市場規(guī)模的增速。全球半導體設(shè)備市場目前主要由國外廠商主導，行業(yè)呈現(xiàn)高度壟斷的競爭格局。根據(jù)VLSIResearch統(tǒng)計，2018年全球半導體設(shè)備系統(tǒng)及服務銷售額為811億美元，其中前五大半導體設(shè)備制造廠商，由于起步較早，憑借資金、技術(shù)、客戶資源、品牌等方面的優(yōu)勢，占據(jù)了全球半導體設(shè)備市場65%的市場份額。中國半導體設(shè)備行業(yè)簡介從需求端分析，根據(jù)SEMI統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018

42、年半導體設(shè)備在中國大陸的銷售額估計為128億美元，同比增長56%，約占全球半導體設(shè)備市場的21%，已成為僅次于韓國的全球第二大半導體設(shè)備需求市場。從供給端分析，根據(jù)中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2018年國產(chǎn)半導體設(shè)備銷售額預計為109億元，自給率約為13%。中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的數(shù)據(jù)包括集成電路、LED、面板、光伏等設(shè)備，實際上國內(nèi)集成電路設(shè)備的國內(nèi)市場自給率僅有5%左右，在全球市場僅占1-2%，技術(shù)含量最高的集成電路前道設(shè)備市場自給率更低。對應巨大的需求缺口，中國半導體設(shè)備進口依賴的問題突出，專用設(shè)備大量依賴進口不僅嚴重影響我國半導體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，也對我國電子信息安全造成重大隱

43、患。下游客戶資本性支出波動及行業(yè)周期性情況半導體產(chǎn)業(yè)鏈的下游為半導體終端產(chǎn)品以及其衍生的應用、系統(tǒng)等。半導體終端需求會影響半導體制造行業(yè)的發(fā)展。而在半導體制造產(chǎn)業(yè)中，半導體設(shè)備行業(yè)的下游客戶是晶圓廠。當半導體終端需求增長時，晶圓廠會加大資本性支出，擴大其生產(chǎn)規(guī)模，開始建設(shè)新廠或進行產(chǎn)能升級。隨著晶圓廠的資本性支出加大，半導體設(shè)備銷售也會隨之增長。因此，半導體設(shè)備銷售的周期性和波動性較下游半導體制造行業(yè)更大?？傮w而言，半導體行業(yè)發(fā)展歷程遵循一個螺旋式上升的過程，放緩或回落后又會重新經(jīng)歷一次更強勁的復蘇。近年來，隨著半導體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導體設(shè)備市場呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢。隨著半導體產(chǎn)業(yè)日趨

44、成熟，特別是集成電路和微觀器件產(chǎn)業(yè)不斷地出現(xiàn)更多半導體產(chǎn)品，半導體終端應用越來越廣。隨著終端應用逐漸滲透到國民經(jīng)濟各個領(lǐng)域，下游客戶晶圓廠的資本性支出的波動和行業(yè)周期性有望降低。（4）細分行業(yè)概述近年來全球集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計占所有半導體產(chǎn)品銷售額的90%以上，是半導體產(chǎn)品最重要的組成部分。半導體設(shè)備主要服務于這兩類產(chǎn)品的制造環(huán)節(jié)，將半導體設(shè)備行業(yè)進一步細分，細分行業(yè)為集成電路設(shè)備行業(yè)中的刻蝕設(shè)備行業(yè)和LED設(shè)備行業(yè)中的MOCVD設(shè)備行業(yè)?？涛g設(shè)備行業(yè)概況集成電路設(shè)備包括晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備和測試設(shè)備等，晶圓制造設(shè)備的市場規(guī)模占比超過集成電路設(shè)備整體市場規(guī)模的80

45、%。晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2017年按全球晶圓制造設(shè)備銷售金額占比類推，目前刻蝕設(shè)備、光刻機和薄膜沉積設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價值量約24%、23%和18%。隨著集成電路芯片制造工藝的進步，線寬不斷縮小、芯片結(jié)構(gòu)3D化，晶圓制造向7納米、5納米以及更先進的工藝發(fā)展。由于普遍使用的浸沒式光刻機受到波長限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工將通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板效應來實現(xiàn)

46、，使得相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多。在需求增長較快的刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，行業(yè)集中度較高，泛林半導體占據(jù)刻蝕設(shè)備市場份額半壁江山。隨著集成電路中器件互連層數(shù)增多，刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大，泛林半導體由于其刻蝕設(shè)備品類齊全，從65納米、45納米設(shè)備市場起逐步超過應用材料和東京電子，成為行業(yè)龍頭。TheInformationNetwork數(shù)據(jù)顯示，泛林半導體在刻蝕設(shè)備行業(yè)的市場占有率從2012年的約45%提升至2017年的約55%，主要替代了東京電子的市場份額。排名第二的東京電子的市場份額從2012年的30%降至2017年的20%。應用材料位于第三，2017年約占19%的市場份額。前三大公司在2017年占據(jù)刻蝕

47、設(shè)備總市場份額的94%，行業(yè)集中度高，技術(shù)壁壘明顯。MOCVD設(shè)備行業(yè)概況LED產(chǎn)業(yè)鏈由襯底加工、LED外延片生產(chǎn)、芯片制造和器件封裝組成。該產(chǎn)業(yè)鏈中主要涉及的設(shè)備包括：襯底加工需要的單晶爐、多線切割機；制造外延片需要的MOCVD設(shè)備；制造芯片需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設(shè)備；封裝需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。LED外延片的制備是LED芯片生產(chǎn)的重要步驟，與集成電路在多種核心設(shè)備間循環(huán)的制造工藝不同，主要通過MOCVD單種設(shè)備實現(xiàn)。MOCVD設(shè)備作為LED制造中最重要的設(shè)備，其采購金額一般占LED生產(chǎn)線總投入的一半以上，因此MOCVD設(shè)備的數(shù)量成為衡量LED制造商產(chǎn)能的直觀指標。近年

48、來，中國LED芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展帶動了作為產(chǎn)業(yè)核心設(shè)備的MOCVD設(shè)備需求量的快速增長。高工LED數(shù)據(jù)顯示，2015年至2017年中國MOCVD設(shè)備保有量從1,222臺增長至1,718臺，年均復合增長率達18%。根據(jù)LEDinside統(tǒng)計，中國已成全球MOCVD設(shè)備最大的需求市場，MOCVD設(shè)備保有量占全球比例已超40%。高工LED目前MOCVD設(shè)備下游應用主要包括藍光LED，藍光LED則主要用于照明領(lǐng)域。藍光LED與熒光粉的組合促生了取代白熾燈、熒光燈的新一代照明市場。更值得注意的是，藍光LED和氮化鎵有密不可分的聯(lián)系，藍光LED研發(fā)取得突破的關(guān)鍵是科學家們找到了氮化鎵這種具有較大禁帶寬度的

49、半導體材料。氮化鎵基LED促進了照明行業(yè)的發(fā)展。目前MOCVD設(shè)備主要用于氮化鎵基及砷化鎵基半導體材料外延生長，其中氮化鎵基LEDMOCVD主要用于生產(chǎn)氮化鎵基LED的外延片。根據(jù)LEDinside的數(shù)據(jù)顯示，2018年全年氮化鎵基MOCVD的新增數(shù)量為215臺，砷化鎵基MOCVD的新增數(shù)量為65臺，氮化鎵基MOCVD設(shè)備約占全部MOCVD市場份額的77%。除藍光LED，MOCVD設(shè)備還可應用于綠光LED、紅光LED、深紫外LED，以及MiniLED、MicroLED、功率器件等諸多新興領(lǐng)域，MOCVD設(shè)備的市場規(guī)模會有望進一步擴大。第四章 建設(shè)方案與產(chǎn)品規(guī)劃一、建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容（一）項

50、目場地規(guī)模該項目總占地面積30593.30（折合約45.89畝），預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積35794.16。（二）產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xxx投資管理公司建設(shè)能力分析，建設(shè)規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)高科技設(shè)備10000套，預計年營業(yè)收入47100.00萬元。二、產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進行必要的調(diào)整，各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考市場需求預測情況確定，同時，把產(chǎn)量和銷量視為一致，本報告將按照初步產(chǎn)品方

51、案進行測算。第五章 項目選址方案一、項目選址原則項目選址應符合城市發(fā)展總體規(guī)劃和對市政公共服務設(shè)施的布局要求；依托選址的地理條件，交通狀況，進行建址分析；避免不良地質(zhì)地段(如溶洞、斷層、軟土、濕陷土等)；公用工程如城市電力、供排水管網(wǎng)等市政設(shè)施配套完善；場址要求交通方便，環(huán)境安靜，地形比較平整，能夠充分利.用城市基礎(chǔ)設(shè)施，遠離污染源和易燃易爆的生產(chǎn)、儲存場所，便于生活和服務設(shè)施合理布局；場址上空無高壓輸電線路等障礙物通過，與其他公共建筑不造成相互干擾。二、建設(shè)區(qū)基本情況長沙，別稱星城，湖南省省會，國務院批復確定的中國長江中游地區(qū)重要的中心城市；全國兩型社會綜合配套改革試驗區(qū)、中國重要的糧食生產(chǎn)

52、基地，長江中游城市群和長江經(jīng)濟帶重要的節(jié)點城市。也是綜合交通樞紐、國家物流樞紐，京廣高鐵、滬昆高鐵、渝廈高鐵在此交匯，。長沙地處中國華中地區(qū)、湘江下游、長瀏盆地西緣、湖南東部偏北，東鄰江西省宜春、萍鄉(xiāng)兩市，南接株洲、湘潭兩市，西連婁底、益陽兩市，北抵岳陽、益陽兩市。截至2018年，全市下轄6個區(qū)、1個縣、代管2個縣級市，總面積11819平方千米，建成區(qū)面積567.32平方千米。截至2019年，實現(xiàn)地區(qū)生產(chǎn)總值11574.22億元，常住總?cè)丝?39.45萬人，城鎮(zhèn)化率為79.56%。長沙是首批國家歷史文化名城，歷經(jīng)三千年城名、城址不變，有屈賈之鄉(xiāng)、楚漢名城、瀟湘洙泗之稱。有馬王堆漢墓、四羊方尊、

53、三國吳簡、岳麓書院、銅官窯等歷史遺跡。凝練出經(jīng)世致用、兼收并蓄的湖湘文化。長沙既是清末維新運動和舊民主主義革命策源地之一，又是新民主主義的發(fā)祥地之一。走出了黃興、蔡鍔、劉少奇等名人。長沙是中國（大陸）國際形象最佳城市、東亞文化之都、世界媒體藝術(shù)之都。打造了電視湘軍、出版湘軍、動漫湘軍等文化品牌。長沙有高等學校51所，獨立科研機構(gòu)97家，兩院院士73名，國家工程技術(shù)研究中心14家，國家重點工程實驗室15個；有雜交水稻育種、天河超級計算機、國內(nèi)首臺3D燒結(jié)打印機等科研成果。全球經(jīng)濟處于曲折復蘇的深度調(diào)整期?！笆濉睍r期，和平與發(fā)展仍是時代主題，曲折復蘇和分化調(diào)整是世界經(jīng)濟的主要特征，新型競合將成

54、為發(fā)展大趨勢。美國、歐盟等發(fā)達地區(qū)“制造業(yè)回歸”持續(xù)推進，日本經(jīng)濟復蘇的穩(wěn)定性預期不強，新興經(jīng)濟體增長動力相對較弱。以互聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)4.0等為標識的新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革步伐加快，將為我市參與國際分工合作、促進產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級等帶來新的機遇。國內(nèi)經(jīng)濟進入轉(zhuǎn)型提質(zhì)的發(fā)展新常態(tài)?！笆濉睍r期，我國經(jīng)濟將在新常態(tài)下發(fā)生深刻變化：發(fā)展速度由高速增長轉(zhuǎn)向中高速，更加注重有質(zhì)量、有效益和可持續(xù)發(fā)展；發(fā)展水平由中低端邁向中高端，更加注重新型工業(yè)化、新型城鎮(zhèn)化、信息化、農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化和綠色化協(xié)同發(fā)展；發(fā)展動力由要素驅(qū)動轉(zhuǎn)向創(chuàng)新驅(qū)動，全面創(chuàng)新加快催生新的增長點，深化改革持續(xù)釋放巨大紅利，將有力推動我國跨越“中等收入陷

55、阱”。全市經(jīng)濟邁向?qū)崿F(xiàn)基本現(xiàn)代化新階段。一是承載發(fā)展的框架加快形成，將持續(xù)放大我市發(fā)展新優(yōu)勢。長沙作為“一帶一路”重要節(jié)點城市、“一帶一部”首位城市和長江中游城市群中心城市，承東啟西、連南接北、通江達海的區(qū)位優(yōu)勢和戰(zhàn)略地位將更加突出，區(qū)域經(jīng)濟輻射帶動能力將持續(xù)增強。二是先行先試的平臺全面筑牢，將有效提升我市核心競爭力。我市擁有全國兩型社會建設(shè)綜合配套改革試驗區(qū)、國家自主創(chuàng)新示范區(qū)、國家級湘江新區(qū)三大戰(zhàn)略平臺，依托國家支持政策與自身探索實踐的疊加優(yōu)勢，培育形成有利于轉(zhuǎn)型創(chuàng)新發(fā)展的制度環(huán)境，將推動我市在更大范圍內(nèi)加速產(chǎn)業(yè)、人口及要素集聚，構(gòu)筑新的競爭優(yōu)勢。三是產(chǎn)業(yè)升級的潛力逐步釋放，將有力推動我市

56、轉(zhuǎn)型創(chuàng)新發(fā)展。我市在新材料、生物產(chǎn)業(yè)、節(jié)能環(huán)保等一批新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，有技術(shù)、有優(yōu)勢、有潛力、有前景，有望成為“十三五”時期率先突破的關(guān)鍵點，進而加速形成新的經(jīng)濟增長點，為全市轉(zhuǎn)型創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐。全市地區(qū)生產(chǎn)總值增長8%（預計數(shù)，下同）；規(guī)模以上工業(yè)增加值增長8.8%；固定資產(chǎn)投資增長10%；社會消費品零售總額增長10%；地方一般公共預算收入增長8%；全體居民人均可支配收入增長8.8%，高質(zhì)量發(fā)展取得重大進展。今年是全面建成小康社會和“十三五”規(guī)劃收官之年，長沙的未來機遇和挑戰(zhàn)同在，發(fā)展與風險并存。從機遇看，我國經(jīng)濟穩(wěn)中向好、長期向好的基本趨勢沒有改變，國家堅持宏觀政策要穩(wěn)、微觀政策要活、社

57、會政策要托底的政策框架，逆周期調(diào)節(jié)力度不斷加大，技術(shù)創(chuàng)新、減稅降費等方面的政策支持將會疊加發(fā)。從挑戰(zhàn)看，我國正處在轉(zhuǎn)變發(fā)展方式、優(yōu)化經(jīng)濟結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)換增長動力的攻關(guān)期，結(jié)構(gòu)性、體制性、周期性問題相互交織，受“三期疊加”、經(jīng)濟下行壓力加大和三大攻堅戰(zhàn)任務仍然艱巨等影響，長沙推動經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展與生態(tài)高水平保護的統(tǒng)籌需要持續(xù)加強，防范債務風險和穩(wěn)定投資增長的矛盾需要重點破解，應對先進城市競爭與帶動區(qū)域共同發(fā)展的關(guān)系需要協(xié)同推進。我們一定要保持定力、激發(fā)活力、創(chuàng)新動力、形成合力，積極應對各種風險挑戰(zhàn)，保持高質(zhì)量發(fā)展良好勢頭，加快現(xiàn)代化長沙建設(shè)進程，努力展現(xiàn)省會城市更大擔當、彰顯幸福長沙更大作為。全市經(jīng)濟社會發(fā)展的主要目標是：地區(qū)生產(chǎn)總值增長8%左右；固定資產(chǎn)投資增長9%；規(guī)模以上工業(yè)增加值增長8.5%左右