FlashMLC和SLC制程技術(shù)比較

1、和制程技術(shù)比較產(chǎn)品可以分為三大架構(gòu)，分別是單層式儲(chǔ)存格（；），包括三星電子、海力士（）、美光（）以及東芝都是此技術(shù)使用者，第二種則是多層式儲(chǔ)存格（；），目前有東芝、瑞薩（）使用，不過三星電子將在第四季推出相關(guān)產(chǎn)品，最后則是英飛凌（）與賽芬半導(dǎo)體（）合資利用技術(shù)所共同開發(fā)的多位儲(chǔ)存格（；）。是英特爾（）在年月最先開發(fā)成功的，其作用是將兩個(gè)位的信息存入一個(gè)浮動(dòng)?xùn)牛?，閃存存儲(chǔ)單 元中存放電荷的部分），然后利用不同電位（）的電荷，透過內(nèi)存儲(chǔ)格的電壓控制精準(zhǔn)讀寫，假設(shè)以 種電壓控制、個(gè)晶體管可存取的數(shù)據(jù)，若是控制種電壓就可以存取的數(shù)據(jù)，使的容量大幅提 升，類似的技術(shù)，通過精確控制浮動(dòng)?xùn)派系碾姾蓴?shù)量，使其

2、呈現(xiàn)出種不同的存儲(chǔ)狀態(tài)，每種狀態(tài)代 表兩個(gè)二進(jìn)制數(shù)值（從到）。當(dāng)然不光是型閃存在使用，東芝在年月推出第一款型的，并接續(xù)年月推出采用技術(shù)的與，顯然 這對于本來就以容量見長的閃存更是如虎添翼。根據(jù)研究，東芝利用技術(shù)所開發(fā)出來的，其面積 為。至于技術(shù)與相同，但在浮置閘極（）與源極（）之中的氧化薄膜更薄，其數(shù)據(jù)的寫入是透過 對 浮置閘極的電荷加電壓，然后可以透過源極，即可將所儲(chǔ)存的電荷消除，藉由這樣的方式，便可 儲(chǔ)存?zhèn)€個(gè)信息位，這種技術(shù)的單一位細(xì)胞方式能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術(shù)受限于低 硅效率（）的問題，必須要藉由較先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)（），才能向上提升制程技術(shù)。將上述所言，做一個(gè)比較，架構(gòu)是和兩個(gè)充電值，而架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存?zhèn)€以上的充電值，因此架 構(gòu)可以有比較好的儲(chǔ)存密度，再加上可利用比較老舊的生產(chǎn)程備來提高產(chǎn)品的容量，而無須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，可以享有成本與良率的優(yōu)勢。不過架構(gòu)有著讓使用者很難容忍的缺點(diǎn)，就是使用壽命較短，其次架構(gòu)只能承受約萬次的存 取，遠(yuǎn)低于架構(gòu)的萬次。至于存取速度，架構(gòu)比架構(gòu)要快速三倍以上，加上架構(gòu)對于電力的消耗 較 多，因此使用者若是考慮長久使用、安全儲(chǔ)存數(shù)據(jù)以及高速的存取速度等要求，恐怕會(huì)改用架構(gòu)。Floating gateSLC VS. MLCSingle Level Cell (SLC) 1 bitStorage LayerSo