年產(chǎn)xx靶材項(xiàng)目建議書

1、泓域咨詢/年產(chǎn)xx靶材項(xiàng)目建議書年產(chǎn)xx靶材項(xiàng)目建議書泓域咨詢機(jī)構(gòu)摘要靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡(jiǎn)單說(shuō)的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的

2、合金膜等)。該靶材項(xiàng)目計(jì)劃總投資10791.37萬(wàn)元，其中：固定資產(chǎn)投資7695.01萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的71.31%；流動(dòng)資金3096.36萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的28.69%。達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入26954.00萬(wàn)元，總成本費(fèi)用20471.13萬(wàn)元，稅金及附加225.74萬(wàn)元，利潤(rùn)總額6482.87萬(wàn)元，利稅總額7602.80萬(wàn)元，稅后凈利潤(rùn)4862.15萬(wàn)元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額2740.65萬(wàn)元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率60.07%，投資利稅率70.45%，投資回報(bào)率45.06%，全部投資回收期3.72年，提供就業(yè)職位448個(gè)。本報(bào)告所涉及到的項(xiàng)目承辦單位近幾年來(lái)經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)指標(biāo)，是以國(guó)家法定的會(huì)計(jì)師事務(wù)所出具的

3、財(cái)務(wù)審計(jì)報(bào)告為準(zhǔn)，其數(shù)據(jù)的真實(shí)性和合法性均由公司聘請(qǐng)的審計(jì)機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)；公司財(cái)務(wù)部門相應(yīng)人員負(fù)責(zé)提供近幾年來(lái)既成的財(cái)務(wù)信息，確保財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)必須同時(shí)具備真實(shí)性和合法性，如有弄虛作假等行為導(dǎo)致的后果，由公司財(cái)務(wù)部門相關(guān)人員承擔(dān)直接法律責(zé)任；報(bào)告編制人員只是根據(jù)報(bào)告內(nèi)容所需，對(duì)相關(guān)數(shù)據(jù)承做物理性參照引用，因此，不承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任。濺射靶材是利用物理氣相沉積技術(shù)制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、太陽(yáng)能電池、平板顯示、信息存儲(chǔ)等領(lǐng)域，其中半導(dǎo)芯片用濺射靶材技術(shù)要求最高，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對(duì)較少，主要分布在美國(guó)、日本等國(guó)家和地區(qū)。報(bào)告主要內(nèi)容：項(xiàng)目概論、項(xiàng)目建設(shè)背景、市場(chǎng)分析、

4、產(chǎn)品規(guī)劃分析、項(xiàng)目選址評(píng)價(jià)、土建方案、項(xiàng)目工藝技術(shù)、環(huán)境影響分析、安全經(jīng)營(yíng)規(guī)范、項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)、項(xiàng)目節(jié)能評(píng)估、實(shí)施方案、投資方案、項(xiàng)目經(jīng)營(yíng)效益、評(píng)價(jià)結(jié)論等。年產(chǎn)xx靶材項(xiàng)目建議書目錄第一章 項(xiàng)目概論第二章 項(xiàng)目建設(shè)背景第三章 市場(chǎng)分析第四章 產(chǎn)品規(guī)劃分析第五章 項(xiàng)目選址評(píng)價(jià)第六章 土建方案第七章 項(xiàng)目工藝技術(shù)第八章 環(huán)境影響分析第九章 安全經(jīng)營(yíng)規(guī)范第十章 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)第十一章 項(xiàng)目節(jié)能評(píng)估第十二章 實(shí)施方案第十三章 投資方案第十四章 項(xiàng)目經(jīng)營(yíng)效益第十五章 項(xiàng)目招投標(biāo)方案第十六章 評(píng)價(jià)結(jié)論第一章 項(xiàng)目概論一、項(xiàng)目承辦單位基本情況（一）公司名稱xxx集團(tuán)（二）公司簡(jiǎn)介成立以來(lái)，公司秉承“誠(chéng)實(shí)、信用、謹(jǐn)慎、有

5、效”的信托理念，將“誠(chéng)信為本、合規(guī)經(jīng)營(yíng)”作為企業(yè)的核心理念，不斷提升公司資產(chǎn)管理能力和風(fēng)險(xiǎn)控制能力。公司主要客戶在國(guó)內(nèi)、國(guó)外均衡分布，沒(méi)有集中度過(guò)高的風(fēng)險(xiǎn)，并不存在對(duì)某個(gè)或某幾個(gè)固定客戶的重大依賴，公司采購(gòu)的主要原材料市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)充分，供應(yīng)商數(shù)量眾多，在采購(gòu)方面具有非常大的自主權(quán)，項(xiàng)目承辦單位通過(guò)供應(yīng)商評(píng)價(jià)體系與部分供應(yīng)商建立了長(zhǎng)期合作關(guān)系，不存在對(duì)單一供應(yīng)商依賴的風(fēng)險(xiǎn)。公司及時(shí)跟蹤客戶需求，與國(guó)內(nèi)供應(yīng)商進(jìn)行了深入、廣泛、緊密的合作，為客戶提供全方位的信息化解決方案。和新科技在全球信息化的浪潮中持續(xù)發(fā)展，致力成為業(yè)界領(lǐng)先且具鮮明特色的信息化解決方案專業(yè)提供商。公司秉承“科技創(chuàng)新、誠(chéng)信為本”的企業(yè)核

6、心價(jià)值觀，培養(yǎng)出一支成熟的售后服務(wù)、技術(shù)支持等方面的專業(yè)人才隊(duì)伍，建立了完善的售后服務(wù)體系?？焖俚氖酆蠓?wù)，有效地提高了客戶的滿意度，提升了客戶對(duì)公司的認(rèn)知度和信任度。公司通過(guò)了ISO質(zhì)量管理體系認(rèn)證，并嚴(yán)格按照上述管理體系的要求對(duì)研發(fā)、采購(gòu)、生產(chǎn)和銷售等過(guò)程進(jìn)行管理，同時(shí)以客戶提出的品質(zhì)要求為基礎(chǔ)，建立了完整的產(chǎn)品質(zhì)量控制體系，保證產(chǎn)品質(zhì)量的優(yōu)質(zhì)、穩(wěn)定。（三）公司經(jīng)濟(jì)效益分析上一年度，xxx（集團(tuán)）有限公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入21242.41萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)30.72%（4991.59萬(wàn)元）。其中，主營(yíng)業(yè)業(yè)務(wù)靶材生產(chǎn)及銷售收入為18110.92萬(wàn)元，占營(yíng)業(yè)總收入的85.26%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號(hào)項(xiàng)

7、目第一季度第二季度第三季度第四季度合計(jì)1營(yíng)業(yè)收入4460.915947.875523.035310.6021242.412主營(yíng)業(yè)務(wù)收入3803.295071.064708.844527.7318110.922.1靶材(A)1255.091673.451553.921494.155976.602.2靶材(B)874.761166.341083.031041.384165.512.3靶材(C)646.56862.08800.50769.713078.862.4靶材(D)456.40608.53565.06543.332173.312.5靶材(E)304.26405.68376.71362.2214

8、48.872.6靶材(F)190.16253.55235.44226.39905.552.7靶材(.)76.07101.4294.1890.55362.223其他業(yè)務(wù)收入657.61876.82814.19782.873131.49根據(jù)初步統(tǒng)計(jì)測(cè)算，公司實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)總額5696.05萬(wàn)元，較去年同期相比增長(zhǎng)816.99萬(wàn)元，增長(zhǎng)率16.74%；實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)4272.04萬(wàn)元，較去年同期相比增長(zhǎng)643.39萬(wàn)元，增長(zhǎng)率17.73%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)項(xiàng)目單位指標(biāo)完成營(yíng)業(yè)收入萬(wàn)元21242.41完成主營(yíng)業(yè)務(wù)收入萬(wàn)元18110.92主營(yíng)業(yè)務(wù)收入占比85.26%營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)率（同比）30.72%營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)

9、量（同比）萬(wàn)元4991.59利潤(rùn)總額萬(wàn)元5696.05利潤(rùn)總額增長(zhǎng)率16.74%利潤(rùn)總額增長(zhǎng)量萬(wàn)元816.99凈利潤(rùn)萬(wàn)元4272.04凈利潤(rùn)增長(zhǎng)率17.73%凈利潤(rùn)增長(zhǎng)量萬(wàn)元643.39投資利潤(rùn)率66.08%投資回報(bào)率49.56%財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率29.12%企業(yè)總資產(chǎn)萬(wàn)元25042.17流動(dòng)資產(chǎn)總額占比萬(wàn)元28.52%流動(dòng)資產(chǎn)總額萬(wàn)元7141.88資產(chǎn)負(fù)債率37.46%二、項(xiàng)目建設(shè)符合性（一）產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策符合性由xxx集團(tuán)承辦的“年產(chǎn)xx靶材項(xiàng)目”主要從事靶材項(xiàng)目投資經(jīng)營(yíng)，其不屬于國(guó)家發(fā)展改革委產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2011年本）（2013年修正）有關(guān)條款限制類及淘汰類項(xiàng)目。（二）項(xiàng)目選址與用地

10、規(guī)劃相容性年產(chǎn)xx靶材項(xiàng)目選址于某某新興產(chǎn)業(yè)示范基地，項(xiàng)目所占用地為規(guī)劃工業(yè)用地，符合用地規(guī)劃要求，此外，項(xiàng)目建設(shè)前后，未改變項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域環(huán)境功能區(qū)劃；在落實(shí)該項(xiàng)目提出的各項(xiàng)污染防治措施后，可確保污染物達(dá)標(biāo)排放，滿足某某新興產(chǎn)業(yè)示范基地環(huán)境保護(hù)規(guī)劃要求。因此，建設(shè)項(xiàng)目符合項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域用地規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等規(guī)劃要求。（三）“三線一單”符合性1、生態(tài)保護(hù)紅線：年產(chǎn)xx靶材項(xiàng)目用地性質(zhì)為建設(shè)用地，不在主導(dǎo)生態(tài)功能區(qū)范圍內(nèi)，且不在當(dāng)?shù)仫嬘盟磪^(qū)、風(fēng)景區(qū)、自然保護(hù)區(qū)等生態(tài)保護(hù)區(qū)內(nèi)，符合生態(tài)保護(hù)紅線要求。2、環(huán)境質(zhì)量底線：該項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量不低于項(xiàng)目所在地環(huán)境功能區(qū)劃要求，有一定的環(huán)境容

11、量，符合環(huán)境質(zhì)量底線要求。3、資源利用上線：項(xiàng)目營(yíng)運(yùn)過(guò)程消耗一定的電能、水，資源消耗量相對(duì)于區(qū)域資源利用總量較少，符合資源利用上線要求。4、環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單：該項(xiàng)目所在地?zé)o環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單，項(xiàng)目采取環(huán)境保護(hù)措施后，廢氣、廢水、噪聲均可達(dá)標(biāo)排放，固體廢物能夠得到合理處置，不會(huì)產(chǎn)生二次污染。三、項(xiàng)目概況（一）項(xiàng)目名稱年產(chǎn)xx靶材項(xiàng)目超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表

12、面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。（二）項(xiàng)目選址某某新興產(chǎn)業(yè)示范基地（三）項(xiàng)目用地規(guī)模項(xiàng)目總用地面積29608.13平方米（折合約44.39畝）。（四）項(xiàng)目用地控制指標(biāo)該工程規(guī)劃建筑系數(shù)79.49%，建筑容積率1.48，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率5.88%，固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度173.35萬(wàn)元/畝。（五）土建工程指標(biāo)項(xiàng)目?jī)粲玫孛娣e29608.13平方米，建筑物基底占地面積23535.50平方米，總建筑面積43820.03平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程283

13、04.93平方米，項(xiàng)目規(guī)劃綠化面積2576.57平方米。（六）設(shè)備選型方案項(xiàng)目計(jì)劃購(gòu)置設(shè)備共計(jì)131臺(tái)（套），設(shè)備購(gòu)置費(fèi)2288.46萬(wàn)元。（七）節(jié)能分析1、項(xiàng)目年用電量746777.15千瓦時(shí)，折合91.78噸標(biāo)準(zhǔn)煤。2、項(xiàng)目年總用水量19459.49立方米，折合1.66噸標(biāo)準(zhǔn)煤。3、“年產(chǎn)xx靶材項(xiàng)目投資建設(shè)項(xiàng)目”，年用電量746777.15千瓦時(shí)，年總用水量19459.49立方米，項(xiàng)目年綜合總耗能量（當(dāng)量值）93.44噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年。達(dá)產(chǎn)年綜合節(jié)能量24.84噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年，項(xiàng)目總節(jié)能率20.85%，能源利用效果良好。（八）環(huán)境保護(hù)項(xiàng)目符合某某新興產(chǎn)業(yè)示范基地發(fā)展規(guī)劃，符合某某新興產(chǎn)業(yè)示范基

14、地產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整規(guī)劃和國(guó)家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對(duì)產(chǎn)生的各類污染物都采取了切實(shí)可行的治理措施，嚴(yán)格控制在國(guó)家規(guī)定的排放標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，項(xiàng)目建設(shè)不會(huì)對(duì)區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)生明顯的影響。（九）項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資10791.37萬(wàn)元，其中：固定資產(chǎn)投資7695.01萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的71.31%；流動(dòng)資金3096.36萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的28.69%。（十）資金籌措該項(xiàng)目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（十一）項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)預(yù)期達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入26954.00萬(wàn)元，總成本費(fèi)用20471.13萬(wàn)元，稅金及附加225.74萬(wàn)元，利潤(rùn)總額6482.87萬(wàn)元，利稅總額7602.80萬(wàn)元，稅后凈利潤(rùn)4862.15

15、萬(wàn)元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額2740.65萬(wàn)元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率60.07%，投資利稅率70.45%，投資回報(bào)率45.06%，全部投資回收期3.72年，提供就業(yè)職位448個(gè)。（十二）進(jìn)度規(guī)劃本期工程項(xiàng)目建設(shè)期限規(guī)劃12個(gè)月。項(xiàng)目承辦單位一定要做好后勤供應(yīng)和服務(wù)保障工作，確保不誤前方施工。四、項(xiàng)目評(píng)價(jià)1、本期工程項(xiàng)目符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合某某新興產(chǎn)業(yè)示范基地及某某新興產(chǎn)業(yè)示范基地靶材行業(yè)布局和結(jié)構(gòu)調(diào)整政策；項(xiàng)目的建設(shè)對(duì)促進(jìn)某某新興產(chǎn)業(yè)示范基地靶材產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、技術(shù)結(jié)構(gòu)、組織結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整優(yōu)化有著積極的推動(dòng)意義。2、xxx（集團(tuán)）有限公司為適應(yīng)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)需求，擬建“年產(chǎn)xx靶材項(xiàng)目”，本期

16、工程項(xiàng)目的建設(shè)能夠有力促進(jìn)某某新興產(chǎn)業(yè)示范基地經(jīng)濟(jì)發(fā)展，為社會(huì)提供就業(yè)職位448個(gè)，達(dá)產(chǎn)年納稅總額2740.65萬(wàn)元，可以促進(jìn)某某新興產(chǎn)業(yè)示范基地區(qū)域經(jīng)濟(jì)的繁榮發(fā)展和社會(huì)穩(wěn)定，為地方財(cái)政收入做出積極的貢獻(xiàn)。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率60.07%，投資利稅率70.45%，全部投資回報(bào)率45.06%，全部投資回收期3.72年，固定資產(chǎn)投資回收期3.72年（含建設(shè)期），項(xiàng)目具有較強(qiáng)的盈利能力和抗風(fēng)險(xiǎn)能力。4、統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，民營(yíng)經(jīng)濟(jì)如今已成為中國(guó)經(jīng)濟(jì)的中堅(jiān)力量。截至2017年年底，我國(guó)實(shí)有個(gè)體工商戶6579.4萬(wàn)戶，私營(yíng)企業(yè)2726.3萬(wàn)戶，廣義民營(yíng)企業(yè)合計(jì)占全部市場(chǎng)主體的94.8%。而且，民營(yíng)經(jīng)濟(jì)解決

17、了絕大部分就業(yè)，是技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新的巨大驅(qū)動(dòng)力：創(chuàng)造了60%以上GDP，貢獻(xiàn)了70%以上的技術(shù)創(chuàng)新和新產(chǎn)品開發(fā)，提供了80%以上的就業(yè)崗位。十九大報(bào)告提出，毫不動(dòng)搖鞏固和發(fā)展公有制經(jīng)濟(jì)，毫不動(dòng)搖鼓勵(lì)、支持、引導(dǎo)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展。在我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展中，制造業(yè)領(lǐng)域民營(yíng)企業(yè)數(shù)量占比已達(dá)90%以上，民間投資的比重超過(guò)85%，成為推動(dòng)制造業(yè)發(fā)展的重要力量。近年來(lái)，受多重因素影響，制造業(yè)民間投資增速明顯放緩，2015年首次低于10%，2016年繼續(xù)下滑至3.6%。黨中央、國(guó)務(wù)院高度重視民間投資工作，近年來(lái)部署出臺(tái)了一系列有針對(duì)性的政策措施并開展了專項(xiàng)督查，民間投資增速企穩(wěn)回升，今年1-10月，制造業(yè)民

18、間投資增長(zhǎng)4.1%，高于去年同期1.5個(gè)百分點(diǎn)。引導(dǎo)民間投資參與制造業(yè)重大項(xiàng)目建設(shè)，國(guó)務(wù)院辦公廳轉(zhuǎn)發(fā)財(cái)政部發(fā)展改革委人民銀行關(guān)于在公共服務(wù)領(lǐng)域推廣政府和社會(huì)資本合作模式指導(dǎo)意見(jiàn)，要求廣泛采用政府和社會(huì)資本合作（PPP）模式。為推動(dòng)中國(guó)制造2025國(guó)家戰(zhàn)略實(shí)施，中央財(cái)政在工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)資金基礎(chǔ)上整合設(shè)立了工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)（中國(guó)制造2025）資金。圍繞中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，重點(diǎn)解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)、共性問(wèn)題，充分發(fā)揮政府資金的引導(dǎo)作用，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)向縱深發(fā)展。重點(diǎn)支持制造業(yè)關(guān)鍵領(lǐng)域和薄弱環(huán)節(jié)發(fā)展，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)支持力度，為各類企業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)提供產(chǎn)業(yè)和技術(shù)支撐。綜上所述，項(xiàng)目的建設(shè)和實(shí)施無(wú)論是經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)

19、效益還是環(huán)境保護(hù)、清潔生產(chǎn)都是積極可行的。五、主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號(hào)項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積平方米29608.1344.39畝1.1容積率1.481.2建筑系數(shù)79.49%1.3投資強(qiáng)度萬(wàn)元/畝173.351.4基底面積平方米23535.501.5總建筑面積平方米43820.031.6綠化面積平方米2576.57綠化率5.88%2總投資萬(wàn)元10791.372.1固定資產(chǎn)投資萬(wàn)元7695.012.1.1土建工程投資萬(wàn)元3914.152.1.1.1土建工程投資占比萬(wàn)元36.27%2.1.2設(shè)備投資萬(wàn)元2288.462.1.2.1設(shè)備投資占比21.21%2.1.3其它投資萬(wàn)元1492.

20、402.1.3.1其它投資占比13.83%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比71.31%2.2流動(dòng)資金萬(wàn)元3096.362.2.1流動(dòng)資金占比28.69%3收入萬(wàn)元26954.004總成本萬(wàn)元20471.135利潤(rùn)總額萬(wàn)元6482.876凈利潤(rùn)萬(wàn)元4862.157所得稅萬(wàn)元1.488增值稅萬(wàn)元894.199稅金及附加萬(wàn)元225.7410納稅總額萬(wàn)元2740.6511利稅總額萬(wàn)元7602.8012投資利潤(rùn)率60.07%13投資利稅率70.45%14投資回報(bào)率45.06%15回收期年3.7216設(shè)備數(shù)量臺(tái)（套）13117年用電量千瓦時(shí)746777.1518年用水量立方米19459.4919總能耗噸標(biāo)準(zhǔn)煤9

21、3.4420節(jié)能率20.85%21節(jié)能量噸標(biāo)準(zhǔn)煤24.8422員工數(shù)量人448第二章 項(xiàng)目建設(shè)背景一、靶材項(xiàng)目背景分析濺射靶材是利用物理氣相沉積技術(shù)制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、太陽(yáng)能電池、平板顯示、信息存儲(chǔ)等領(lǐng)域，其中半導(dǎo)芯片用濺射靶材技術(shù)要求最高，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對(duì)較少，主要分布在美國(guó)、日本等國(guó)家和地區(qū)。中國(guó)濺射靶材行業(yè)起步較晚，目前仍然屬于一個(gè)較新的行業(yè)，受益于國(guó)家戰(zhàn)略的支持，已經(jīng)開始出現(xiàn)少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)(如江豐電子，有研新材等)，并成功開發(fā)出一批高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場(chǎng)化條

22、件。靶材全球市場(chǎng)預(yù)計(jì)16-19復(fù)合增速13%。2016年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)容量達(dá)113.6億美元，相比于2015年的94.8億美元增長(zhǎng)20%。預(yù)測(cè)2016-2019年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)13%，到2019年全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)163億美元。2016年全球靶材市場(chǎng)的下游結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體占比10%、平板顯示占34%、太陽(yáng)能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。市場(chǎng)集中度高，日、美占據(jù)80%高端靶材市場(chǎng)。濺射靶材由于其高技術(shù)、高投資、高客戶壁壘，具有規(guī)?；a(chǎn)能力企業(yè)較少，以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等為代表的靶材龍頭企業(yè)2017年占據(jù)全球約80%靶材市場(chǎng)。美、日等跨國(guó)企業(yè)產(chǎn)

23、業(yè)鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)，主導(dǎo)高端的半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)；韓國(guó)、新加坡及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)擅長(zhǎng)磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域，原料多從國(guó)外進(jìn)口；中國(guó)靶材產(chǎn)業(yè)正處于起步階段，逐步切入以原料以進(jìn)口為主的全球主流半導(dǎo)體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶。預(yù)計(jì)2018-2020年國(guó)內(nèi)顯示靶材需求增速維持20-25%增速。中國(guó)大陸從上世紀(jì)80年代開始進(jìn)入液晶顯示領(lǐng)域，在政府政策導(dǎo)向和產(chǎn)業(yè)扶植下，我國(guó)大陸液晶顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的地區(qū)。2016年中國(guó)平板顯示器件產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)到1500億元，同比增長(zhǎng)25.99%；2012-2016年國(guó)內(nèi)平板顯示增速基本保持在25%以上。

24、此外考慮到國(guó)內(nèi)LCD國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速、再加上OLED滲透率有望快速提升，預(yù)計(jì)2018-2020年國(guó)內(nèi)平板顯示產(chǎn)業(yè)增速將至少維持在20-25%；對(duì)應(yīng)到國(guó)內(nèi)顯示靶材的需求也將相應(yīng)增加。靶材應(yīng)用的戰(zhàn)略高地17-20年全球半導(dǎo)體增速有望超預(yù)期，17年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體增速24.81%。半導(dǎo)體靶材性能要求位居各類應(yīng)用之首。半導(dǎo)體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測(cè)試材料。芯片制造對(duì)濺射靶材純度要求很高，通常需達(dá)99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超預(yù)期增速21.62%，從下游需求結(jié)構(gòu)看，17年增長(zhǎng)主要源于半導(dǎo)體的主要應(yīng)用是集成電路中的存儲(chǔ)器，增速達(dá)到61.4

25、9%，增量來(lái)源于人工智能、大數(shù)據(jù)、汽車電子等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒枨罂焖偬嵘?。?5年開始國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維持20%左右增速，漸成常態(tài)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從臺(tái)灣向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)比較確定，國(guó)內(nèi)政策、資金、稅收等各方面也在扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金第一期規(guī)模1,387億元。，至少帶動(dòng)省市地方基金共4,651億元，拉動(dòng)國(guó)內(nèi)企業(yè)內(nèi)生增長(zhǎng)和海外并購(gòu)。未來(lái)第二期基金計(jì)劃啟動(dòng)，也將持續(xù)拉動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。2011-2016全球半導(dǎo)體用靶材年復(fù)合增長(zhǎng)率3.17%，預(yù)計(jì)2018-2020國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求增速在20%左右。國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)全球半導(dǎo)體用濺射靶材銷售額從2011年的10.1億美元到20

26、16年為11.7億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為3.17%，其中晶圓制造用濺射靶材年均復(fù)合增長(zhǎng)率為2.07%，封裝測(cè)試用濺射靶材年均復(fù)合增長(zhǎng)率為4.65%。2016年我國(guó)集成電路用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模約14億元，年增速達(dá)20%。供給端，隨著國(guó)產(chǎn)濺射靶材技術(shù)成熟，尤其是國(guó)產(chǎn)濺射靶材具備一定性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，并且符合濺射靶材國(guó)產(chǎn)化的政策導(dǎo)向；需求端，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)已基本確立，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起將推動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求的提升。預(yù)計(jì)2018-2020年我國(guó)濺射靶材的市場(chǎng)規(guī)模有望持續(xù)擴(kuò)大，復(fù)合增速將維持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太陽(yáng)能用靶材增速保持20%以上。太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)

27、展給太陽(yáng)能電池用濺射靶材市場(chǎng)帶來(lái)了可觀的成長(zhǎng)空間，2016年全球太陽(yáng)能電池用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模23.4億美元，在全球靶材市場(chǎng)中占比約21%。2011-2016年全球太陽(yáng)能靶材規(guī)模增速一直保持在20%以上。國(guó)內(nèi)靶材需求和供給反差懸殊，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速。2015國(guó)內(nèi)靶材需求全球占比近25%，年速約20%；但國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)市場(chǎng)份額不到2%，供需比例反差明顯。隨著國(guó)內(nèi)濺射靶材技術(shù)的成熟和高純鋁生產(chǎn)技術(shù)的提高，我國(guó)靶材生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)明顯，靶材原料之一高純鋁的國(guó)內(nèi)進(jìn)出口量差距也在逐步縮小。隨著2019年國(guó)家進(jìn)口靶材免稅期結(jié)束，國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)優(yōu)勢(shì)更加突出。預(yù)計(jì)2018-2020年國(guó)內(nèi)靶材需求將維持20%以上高速增長(zhǎng)

28、，市場(chǎng)份額有望進(jìn)一步擴(kuò)大。二、靶材項(xiàng)目建設(shè)必要性分析超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來(lái)說(shuō)，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電

29、子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。在濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品，因此，半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的要求是最高的，價(jià)格也最為昂貴；相較于半導(dǎo)體芯片，平面顯示器、太陽(yáng)能電池對(duì)于濺射靶材的純度和技術(shù)要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對(duì)濺射靶材的焊接結(jié)合率、平整度等

30、指標(biāo)提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，濺射機(jī)臺(tái)專用性強(qiáng)，對(duì)濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設(shè)定了諸多限制。高純度乃至超高純度的金屬材料是生產(chǎn)高純?yōu)R射靶材的基礎(chǔ)，以半導(dǎo)體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質(zhì)含量過(guò)高，則形成的薄膜無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能，并且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，最大限度地去除雜質(zhì)，需要將化學(xué)提純和物理提純結(jié)合使用。在將金屬提純到相當(dāng)高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個(gè)過(guò)程中，需要經(jīng)過(guò)熔煉、合金化和鑄造等步驟

31、：通過(guò)精煉高純金屬，去除氧氣、氮?dú)獾榷嘤鄽怏w；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結(jié)合并均勻分布；最后將其鑄造成沒(méi)有缺陷的錠材，滿足生產(chǎn)加工過(guò)程中對(duì)金屬成份、尺寸大小的要求。濺射靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進(jìn)行工藝設(shè)計(jì)，然后進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過(guò)焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細(xì)且繁多，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時(shí)，被濺射飛散出，因被濺射飛散的物體附著于目標(biāo)基板上而制成薄膜的過(guò)程，濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料。此環(huán)節(jié)是在

32、濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈條中對(duì)生產(chǎn)設(shè)備及技術(shù)工藝要求最高的環(huán)節(jié)，濺射薄膜的品質(zhì)對(duì)下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要影響。在濺射鍍膜過(guò)程中，濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)中完成濺射反應(yīng)，濺射機(jī)臺(tái)專用性強(qiáng)、精密度高，市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)壟斷，主要設(shè)備提供商包括AMAT（美國(guó)）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美國(guó)）等行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)。終端應(yīng)用是針對(duì)各類市場(chǎng)需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶的產(chǎn)品，包括汽車電子、智能手機(jī)、平板電腦、家用電器等終端消費(fèi)電子產(chǎn)品。通常情況下，在半導(dǎo)體靶材濺射鍍膜后，需要將鍍膜硅片切割并進(jìn)行芯片封裝。封裝是指將電路用導(dǎo)線連接到外部接頭處，以便與其他器件連接的工序，不僅

33、能夠起到保護(hù)芯片的作用，還將芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路造成腐蝕而損害導(dǎo)電性能。此外，終端應(yīng)用也包括制備太陽(yáng)能電池、光學(xué)鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品等，此環(huán)節(jié)技術(shù)面較寬，呈現(xiàn)多樣化特征。全球范圍內(nèi)，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數(shù)量基本呈金字塔型分布，高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，主要分布在美國(guó)、日本等國(guó)家和地區(qū)，其中，部分企業(yè)同時(shí)開展金屬提純業(yè)務(wù)，將產(chǎn)業(yè)鏈延伸到上游領(lǐng)域；部分企業(yè)只擁有濺射靶材生產(chǎn)能力，高純度金屬需要上游企業(yè)供應(yīng)。濺射靶材最高端的應(yīng)用是在超大規(guī)模集成電路芯片制造領(lǐng)域，這個(gè)領(lǐng)域只有美國(guó)和日本的少數(shù)公司（日礦金屬、霍

34、尼韋爾、東曹、普萊克斯等）從事相關(guān)業(yè)務(wù)，是一個(gè)被跨國(guó)公司壟斷的行業(yè)。作為濺射靶材客戶端的濺射鍍膜環(huán)節(jié)具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較多，但質(zhì)量參差不齊，美國(guó)、歐洲、日本、韓國(guó)等知名企業(yè)居于技術(shù)領(lǐng)先地位，品牌知名度高、市場(chǎng)影響力大，通常會(huì)將產(chǎn)業(yè)鏈擴(kuò)展至下游應(yīng)用領(lǐng)域，利用技術(shù)先導(dǎo)優(yōu)勢(shì)和高端品牌迅速占領(lǐng)終端消費(fèi)市場(chǎng)，如IBM、飛利浦、東芝、三星等。終端應(yīng)用環(huán)節(jié)是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中規(guī)模最大的領(lǐng)域，其產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn)分散在各個(gè)行業(yè)領(lǐng)域，同時(shí)，此環(huán)節(jié)具有突出的勞動(dòng)密集性特點(diǎn)，參與企業(yè)數(shù)量最多，機(jī)器設(shè)備投資一般，主要分布在日本、中國(guó)臺(tái)灣和中國(guó)大陸等，并逐漸將生產(chǎn)工廠向人力成本低的國(guó)家和地區(qū)轉(zhuǎn)移。濺射靶材產(chǎn)業(yè)分布

35、具有一定的區(qū)域性特征，美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)產(chǎn)業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實(shí)施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展；韓國(guó)、新加坡及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域有所特長(zhǎng)。另外由于上述地區(qū)芯片及液晶面板產(chǎn)業(yè)發(fā)展較早，促使服務(wù)分工明確，可以為產(chǎn)業(yè)鏈下游的品牌企業(yè)提供如焊接、清洗、包裝等專業(yè)代工服務(wù)，將上游基礎(chǔ)材料和下游終端應(yīng)用對(duì)接，起到承上啟下的作用，并在一定程度上推動(dòng)上游濺射靶材的產(chǎn)品開發(fā)和市場(chǎng)擴(kuò)展。但是上述地區(qū)的靶材服務(wù)廠商缺少核心技術(shù)及裝備，不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術(shù)領(lǐng)域形成競(jìng)爭(zhēng)力濺射靶材的材料即靶坯依然依

36、賴美國(guó)和日本的進(jìn)口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國(guó)還屬于較新的行業(yè)，以芯片制造廠商、液晶面板制造企業(yè)為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶正在加大力度擴(kuò)展產(chǎn)能。從全球來(lái)看，芯片及液晶面板行業(yè)制造向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移趨勢(shì)愈演愈烈，中國(guó)正在迎來(lái)這一領(lǐng)域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應(yīng)用市場(chǎng)需求正在快速增長(zhǎng)。由于濺射鍍膜工藝起源于國(guó)外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高、專業(yè)應(yīng)用性強(qiáng)，因此，長(zhǎng)期以來(lái)全球?yàn)R射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國(guó)、日本少數(shù)幾家公司，產(chǎn)業(yè)集中度相當(dāng)高。以霍尼韋爾（美國(guó)）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國(guó)集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)幾十年的技術(shù)積淀，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的

37、生產(chǎn)控制和過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，占據(jù)絕大部分市場(chǎng)份額。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴(kuò)散，同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴(kuò)張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴(kuò)展到濺射鍍膜的各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，牢牢把握著全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主動(dòng)權(quán)，并引領(lǐng)著全球?yàn)R射靶材行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。受到發(fā)展歷史和技術(shù)限制的影響，濺射靶材行業(yè)在我國(guó)起步較晚，目前仍然屬于一個(gè)較新的行業(yè)。與國(guó)際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比，我國(guó)濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距，市場(chǎng)影響力相對(duì)有限，尤其在半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)依然被美國(guó)、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠商所控制或壟斷

38、。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展，我國(guó)濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)只有不斷進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新，具備較強(qiáng)的產(chǎn)品開發(fā)能力，研制出適用不同應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)中占得一席之地。半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等下游工業(yè)對(duì)產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定性等方面有較高的要求，為了嚴(yán)格控制產(chǎn)品質(zhì)量，下游客戶尤其是全球知名廠商在選擇供應(yīng)商時(shí)，供應(yīng)商資格認(rèn)證壁壘較高，且認(rèn)證周期較長(zhǎng)。我國(guó)高純?yōu)R射靶材企業(yè)要進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)，首先要通過(guò)部分國(guó)際組織和行業(yè)協(xié)會(huì)為高純?yōu)R射靶材設(shè)置的行業(yè)性質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)，例如，應(yīng)用于汽車電子的半導(dǎo)體廠商普遍要求上游濺射靶材供應(yīng)商能夠通過(guò)ISO/TS16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證，應(yīng)用

39、于電器設(shè)備的濺射靶材生產(chǎn)商需要滿足歐盟制定的RoHS強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)；其次，半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等下游知名客戶均建立了十分完善的客戶認(rèn)證體系，在高純?yōu)R射靶材供應(yīng)商滿足行業(yè)性質(zhì)量管理體系認(rèn)證的基礎(chǔ)上，下游客戶往往還會(huì)根據(jù)自身的質(zhì)量管理要求再對(duì)供應(yīng)商進(jìn)行合格供應(yīng)商認(rèn)證。認(rèn)證過(guò)程主要包括技術(shù)評(píng)審、產(chǎn)品報(bào)價(jià)、樣品檢測(cè)、小批量試用、批量生產(chǎn)等幾個(gè)階段，認(rèn)證過(guò)程相當(dāng)苛刻，從新產(chǎn)品開發(fā)到實(shí)現(xiàn)大批量供貨，整個(gè)過(guò)程一般需要2-3年時(shí)間。為了降低供應(yīng)商開發(fā)與維護(hù)成本，保證產(chǎn)品質(zhì)量的持續(xù)性，濺射靶材供應(yīng)商在通過(guò)下游客戶的資格認(rèn)證后，下游客戶會(huì)與濺射靶材供應(yīng)商保持長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系，不會(huì)輕易更換供應(yīng)商，并在技

40、術(shù)合作、供貨份額等方面向優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商傾斜。近年來(lái)，受益于國(guó)家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應(yīng)用推廣，我國(guó)國(guó)內(nèi)開始出現(xiàn)不少專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，并成功開發(fā)出一批能適應(yīng)高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場(chǎng)化條件。通過(guò)將濺射靶材研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，積極參與濺射靶材的國(guó)際化市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，我國(guó)濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和市場(chǎng)方面都取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，改變了高純?yōu)R射靶材長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的不利局面。目前，包括長(zhǎng)沙鑫康在內(nèi)的一些國(guó)內(nèi)企業(yè)已經(jīng)掌握了高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，積累了較為豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擁有了一定的市場(chǎng)知名度，獲得了全球知名客戶的認(rèn)可。第三章 市場(chǎng)分析

41、一、靶材行業(yè)分析靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。高純度濺射靶材主要應(yīng)用于電子元器件制造的物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）工藝。PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發(fā)鍍膜以及離子鍍膜。為推動(dòng)國(guó)內(nèi)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，帶動(dòng)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和產(chǎn)品升級(jí)換代，我國(guó)制定了一系列靶材行業(yè)相關(guān)支持政策。靶材行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。靶材產(chǎn)業(yè)下游包括半導(dǎo)體、光伏電池、平板顯示器等等，其

42、中，半導(dǎo)體芯片行業(yè)用的金屬靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來(lái)使用。靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。其中，在靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對(duì)靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導(dǎo)體芯片對(duì)靶材的要求是最高的，價(jià)格也最為昂貴。半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是對(duì)靶材的成分、組織和性能要求最高的領(lǐng)域。目前晶圓的制造正朝著更小的制程方向發(fā)展，銅導(dǎo)線工藝的應(yīng)用量在逐步增大，因此，銅和鉭靶材的需

43、求將有望持續(xù)增長(zhǎng)。鋁靶和鈦靶通常配合起來(lái)使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領(lǐng)域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。目前，全球的靶材制造行業(yè)，特別是高純度的靶材市場(chǎng)，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業(yè)把持，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛(ài)發(fā)科，以及美國(guó)霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是全球最大的靶材供應(yīng)商，靶材銷售額約占全球市場(chǎng)的30%，霍尼韋爾在并購(gòu)JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后，占到全球市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。目前，國(guó)內(nèi)靶材廠商主要聚焦在低端產(chǎn)品領(lǐng)域，在半導(dǎo)體、平板顯示

44、器和太陽(yáng)能電池等市場(chǎng)還無(wú)法與國(guó)際巨頭全面競(jìng)爭(zhēng)。但是，依靠國(guó)內(nèi)的巨大市場(chǎng)潛力和利好的產(chǎn)業(yè)政策，以及產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢(shì)，它們已經(jīng)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有一定的市場(chǎng)份額，并逐步在個(gè)別細(xì)分領(lǐng)域搶占了部分國(guó)際大廠的市場(chǎng)空間。近年來(lái)，我國(guó)政府制定了一系列產(chǎn)業(yè)政策，如863計(jì)劃、02專項(xiàng)基金等來(lái)加速濺射靶材供應(yīng)的本土化進(jìn)程，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)靶材在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從無(wú)到有的跨越。這些都從國(guó)家戰(zhàn)略高度扶植并推動(dòng)著濺射靶材產(chǎn)業(yè)的發(fā)展壯大。二、靶材市場(chǎng)分析預(yù)測(cè)靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)

45、在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡(jiǎn)單說(shuō)的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來(lái)，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中，

46、以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計(jì)算機(jī)的顯示器制造;在信息存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對(duì)所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來(lái)越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。日本。就美國(guó)而言.約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人。不過(guò)為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會(huì)在客戶所在地設(shè)立分公司。近段時(shí)間，亞洲的一些國(guó)家和地區(qū)，如臺(tái)灣.韓國(guó)和新加坡，就建立了越來(lái)越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠，如IC、液晶

47、顯示器及光碟制造廠。對(duì)靶材廠商而言，這是相當(dāng)重要的新興市場(chǎng)。中國(guó)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴(kuò)大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術(shù)，國(guó)內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的品牌已經(jīng)達(dá)到國(guó)外最頂尖的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿足臺(tái)灣50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商業(yè)咨詢公司)最新的統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，全球靶材市場(chǎng)將以8.8%的年平均增長(zhǎng)率(AAGR)在今后的5年內(nèi)持續(xù)增長(zhǎng)，估計(jì)銷售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價(jià)值的特種電子材料，主要使用在微電子，顯示器，存儲(chǔ)器以及光學(xué)

48、鍍膜等產(chǎn)業(yè)上，用以濺射用于尖端技術(shù)的各種薄膜材料。BCC的報(bào)告顯示：全球的上述產(chǎn)業(yè)在1999年使用了2.88百萬(wàn)公斤靶材。換算為面積，則濺射了363百萬(wàn)平方米的薄膜。而若以單位靶材來(lái)計(jì)算，全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的不同，靶材的形狀與大小也有所差異，其直徑從15Gm到3m都有，而上述的統(tǒng)計(jì)資料，則是平均化后的結(jié)果。在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來(lái).而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。

49、靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過(guò)去99.995%(4N5)純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無(wú)法滿足如今0.25um的工藝要求，而未米的0.18um藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。平面顯示器(FPD)這些年來(lái)大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng)，亦將帶動(dòng)ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié)，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會(huì)氧化而影

50、響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺(tái)金靶材。如今一般采取第一種方法生產(chǎn)ITO靶材，利用LIRF反應(yīng)濺射鍍膜.靶材具有沉積速度快.且能精確控制膜厚，電導(dǎo)率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)l。但是靶材制作困難，這是因?yàn)檠趸熀脱趸a不容易燒結(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。在儲(chǔ)存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲(chǔ)容量大，壽

51、命長(zhǎng)，可反復(fù)無(wú)接觸擦寫的特點(diǎn)。如今開發(fā)出來(lái)的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強(qiáng)度?；阪N銻碲化物的相變存儲(chǔ)器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場(chǎng)的一項(xiàng)替代性存儲(chǔ)器技術(shù)，不過(guò),在實(shí)現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲(chǔ)器的耗電量,延長(zhǎng)電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對(duì)于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費(fèi)設(shè)備來(lái)說(shuō)都是很重要的

52、特征。第四章 產(chǎn)品規(guī)劃分析一、產(chǎn)品規(guī)劃項(xiàng)目主要產(chǎn)品為靶材，根據(jù)市場(chǎng)情況，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值26954.00萬(wàn)元。項(xiàng)目承辦單位應(yīng)建立良好的營(yíng)銷隊(duì)伍，利用多媒體、廣告、連鎖等模式，不斷拓展項(xiàng)目產(chǎn)品良好的營(yíng)銷渠道，提高企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益。隨著全球經(jīng)濟(jì)一體化格局的形成，相關(guān)行業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，要想在市場(chǎng)上站穩(wěn)腳跟、求得突破，就要聘請(qǐng)有營(yíng)銷經(jīng)驗(yàn)的營(yíng)銷專家領(lǐng)銜組織一定規(guī)模的營(yíng)銷隊(duì)伍，創(chuàng)新機(jī)制建立起一套行之有效的營(yíng)銷策略。二、建設(shè)規(guī)模（一）用地規(guī)模該項(xiàng)目總征地面積29608.13平方米（折合約44.39畝），其中：凈用地面積29608.13平方米（紅線范圍折合約44.39畝）。項(xiàng)目規(guī)劃總建筑面積43820.03平方

53、米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程28304.93平方米，計(jì)容建筑面積43820.03平方米；預(yù)計(jì)建筑工程投資3914.15萬(wàn)元。（二）設(shè)備購(gòu)置項(xiàng)目計(jì)劃購(gòu)置設(shè)備共計(jì)131臺(tái)（套），設(shè)備購(gòu)置費(fèi)2288.46萬(wàn)元。（三）產(chǎn)能規(guī)模項(xiàng)目計(jì)劃總投資10791.37萬(wàn)元；預(yù)計(jì)年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入26954.00萬(wàn)元。第五章 項(xiàng)目選址評(píng)價(jià)一、項(xiàng)目選址原則場(chǎng)址應(yīng)靠近交通運(yùn)輸主干道，具備便利的交通條件，有利于原料和產(chǎn)成品的運(yùn)輸，同時(shí)，通訊便捷有利于及時(shí)反饋產(chǎn)品市場(chǎng)信息。二、項(xiàng)目選址該項(xiàng)目選址位于某某新興產(chǎn)業(yè)示范基地。未來(lái)園區(qū)將依托自身優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大對(duì)外合作，建設(shè)高端裝備制造集群、民生產(chǎn)業(yè)集群以及商貿(mào)物流為主的現(xiàn)代服務(wù)業(yè)”構(gòu)成的“

54、1+3+1”的現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系，預(yù)計(jì)到2020年，園區(qū)產(chǎn)值達(dá)到1000億元以上，成為區(qū)域內(nèi)有重要影響的千億級(jí)特色園區(qū)?！笆濉睍r(shí)期，面對(duì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展新常態(tài)，全市上下堅(jiān)持科學(xué)發(fā)展，以轉(zhuǎn)型發(fā)展、可持續(xù)發(fā)展為引領(lǐng)，突出改善民生，強(qiáng)化改革創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，推進(jìn)法治政府建設(shè)，確保社會(huì)和諧穩(wěn)定，經(jīng)濟(jì)社會(huì)總體保持了平穩(wěn)發(fā)展。經(jīng)濟(jì)發(fā)展步入新常態(tài)。三、建設(shè)條件分析項(xiàng)目承辦單位已經(jīng)培養(yǎng)和集聚了一大批具有豐富經(jīng)驗(yàn)的項(xiàng)目產(chǎn)品生產(chǎn)專業(yè)技術(shù)和管理人才，通過(guò)引進(jìn)和內(nèi)部培養(yǎng)，搭建了一支研究方向多元、完整的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，形成了核心技術(shù)專家、關(guān)鍵技術(shù)骨干、一般技術(shù)人員的完整梯隊(duì)。當(dāng)?shù)叵嚓P(guān)行業(yè)的前列，具有顯著的人才優(yōu)勢(shì)；項(xiàng)目承辦單位還與多家科研

55、院所建立了長(zhǎng)期的緊密合作關(guān)系，并建立了向科研開發(fā)傾斜的獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)制，每年都拿出一定數(shù)量的專項(xiàng)資金用于對(duì)重點(diǎn)產(chǎn)品及關(guān)鍵工藝開發(fā)的獎(jiǎng)勵(lì)。隨著互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展網(wǎng)上交易給項(xiàng)目承辦單位搭建了很好的發(fā)展平臺(tái)，目前，很多公司都已經(jīng)不是以前傳統(tǒng)銷售方式，僅僅依靠一家供應(yīng)商供貨，而是充分加強(qiáng)網(wǎng)絡(luò)在市場(chǎng)營(yíng)銷的應(yīng)用，這就給公司創(chuàng)造了新的發(fā)展空間；憑著公司產(chǎn)品良好的性價(jià)比和穩(wěn)定的質(zhì)量，通過(guò)開展網(wǎng)上銷售，完善電子商務(wù)會(huì)進(jìn)一步增加企業(yè)的市場(chǎng)份額。四、用地控制指標(biāo)該項(xiàng)目均按照項(xiàng)目建設(shè)地建設(shè)用地規(guī)劃許可證及建設(shè)用地規(guī)劃設(shè)計(jì)要求進(jìn)行設(shè)計(jì)，同時(shí)，嚴(yán)格按照項(xiàng)目建設(shè)地建設(shè)規(guī)劃部門與國(guó)土資源管理部門提供的界址點(diǎn)坐標(biāo)及用地方案圖布置場(chǎng)區(qū)總平面圖。五、用地總體要求本期工程項(xiàng)目建設(shè)規(guī)劃建筑系數(shù)79.49%，建筑容積率1.48，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率5.88%，固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度173.35萬(wàn)元/畝。土建工程投資一覽表序號(hào)項(xiàng)目占地面積