VOLTE-MOS質(zhì)量提升

1、1. 試驗(yàn)背景根據(jù)volte網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量提升百日會戰(zhàn)的要求，為提升slte語音dt測試指標(biāo)， 提升用戶感知，對可能提升測試指標(biāo)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行分析研究，找出適合于網(wǎng)絡(luò) 需求的參數(shù)值，提升DT測試中各項(xiàng)指標(biāo)。目前的集團(tuán)的考核要求為:VOLTE接通 率)VOLTE掉話 率(%)呼叫建立M0S=3 占 比(幻eSRVCC成功 率(知eSRVCC切換用戶 面時(shí)延(ms)RTP丟 包率=97=1=85=97=350=98=90=98=300=ngCycle20ms (20) 10ms (40)否DRX周期驗(yàn)證參數(shù)配置如下:參數(shù)名現(xiàn)網(wǎng)配置1配置2配置3配置4配置5配置6配置7配置819 IcellSrPerio

2、d80ms40ms (3)10ms (3)40ms(3)20ms(2)20ms(2)20ms(2)5ms(0)5ins (0)5ms (0)qc訂abl/drxProfilolndox2221221221drxProfi12/drxLongCyc1e40mslOins(lO)20ms(20)不設(shè)置40ms(40)20ms(20)不設(shè)置lOms(lO)20ms(20)不設(shè)置測試路線及測試規(guī)范根據(jù)地市優(yōu)化人員意見，選取平頂山如下區(qū)域進(jìn)行參數(shù)修改試驗(yàn)。驗(yàn)證區(qū)域道路共涉及小區(qū)51個(gè)，D頻段13個(gè)，F(xiàn)頻段38個(gè)。平頂山VOLTE參數(shù)試驗(yàn)站點(diǎn)測試規(guī)范及要求：VoLTE測試，每次通話時(shí)長180秒，呼叫間隔3

3、0秒，分析 不同參數(shù)下的指標(biāo)情況。3. 參數(shù)試驗(yàn)結(jié)果cellSrPeriod參數(shù)試驗(yàn)現(xiàn)網(wǎng) drxProfile2LongCycle 主要為 40ms,本次選取 drxProfile2LongCycle 為40ms的配置1、4、7和現(xiàn)網(wǎng)配置的測試情況進(jìn)行對比分析，三次參數(shù)配置如 下：歩數(shù)名現(xiàn)網(wǎng)配置1配置4配置7cellSrPeriod80ms40ms(3)20ms (2)5ms (0)qciTabl/drxProfilelndex2222drxProfile2/drxLongCycle40ms40ms(40)40ms (40)40ms(40)Volte業(yè)務(wù)測試指標(biāo)桜數(shù)名MOS均值占比RTP丟包事

4、RTP畀動/叫建立時(shí)延接通車掉話*IMS注 冊咸功 率LTE廈菱率(RSRP = -110 and SINR = -3)平均RSRP平均SINR現(xiàn)網(wǎng)配覺%100%配置1%100%配置4%100%配置7%100%配置1和現(xiàn)網(wǎng)對比%配置4和現(xiàn)網(wǎng)對比%配置7和現(xiàn)網(wǎng)對比%測試配置1的抖動比現(xiàn)網(wǎng)配置增長的原因是：配置1有一次掉話，掉話原因是：衛(wèi)東區(qū)敬老院-L1越區(qū)覆蓋導(dǎo)致和安培中心-L1模3干擾，質(zhì)差掉話。RTP抖動呼叫建立時(shí)延nn ca353 _15.002.5 210 001.51Ann0.5K1(4O.4O)KW4(2O.4O)K ft 7(5.40)W14PO.4OI配童？|540)RIP糾功立

5、時(shí)返說明：橫軸括號中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfi 1 e2/drxLongCyc 1 e的試驗(yàn)值測試對比結(jié)論：1. 占比提升效果明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測試占比為68%, cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測試占比為, cellSrPeriod配置4為20ms 時(shí)測試占比為, cellSrPeriod配置7為5ms時(shí)測試占比為100%；相對現(xiàn)網(wǎng) 參數(shù)配置，配置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了, %, %;2. RTP丟包率提升明顯:現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測試RTP丟包率為, cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測

6、試RTP丟包率為，cellSrPeriod配置4為 20ms時(shí)測試RTP丟包率為，ce 11 SrPer iod配置7為5ms時(shí)測試RTP丟包率為； 相對現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了，；3. 呼叫建立時(shí)延提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測試呼叫建立時(shí) 延為，cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測試呼叫建立時(shí)延為，cellSrPeriod 配置4為20ms時(shí)測試呼叫建立時(shí)延為，cellSrPeriod配置7為5ms時(shí)測試 呼叫建立時(shí)延為；相對現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了，；4. RTP抖動提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80

7、ms時(shí)測試RTP抖動為， cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測試RTP抖動為（受掉話影響出現(xiàn)波動劣化）, cellSrPeriod 配置 4 為 20ms 時(shí)測試 RTP 抖動為,cellSrPeriod 配置 7 為 5ms 時(shí)測試RTP抖動為；5. 其他指標(biāo)正常無明顯異常變化：因無eSRVCC切換，eSRVCC切換成功率指標(biāo) 不做列述。其他注冊成功率、覆蓋率、平均RSRP、接通率等指標(biāo)變化不大, 都在正常范圍內(nèi)波動；6. cellSrPeriod調(diào)整建議：從驗(yàn)證對比統(tǒng)計(jì)看，cellSrPeriod調(diào)度周期越小 M0S/RTP丟包/抖動等指標(biāo)越好，但隨著網(wǎng)絡(luò)用戶的不斷增多對用戶調(diào)度會

8、有 定影響，因此cellSrPeriod參數(shù)建議調(diào)整設(shè)置為20ms。drxProf ile2drxLongCycle 參數(shù)試驗(yàn)本次選取cellSrPeriod參數(shù)試驗(yàn)設(shè)置為20ms時(shí)的Drx參數(shù)按配置4、5和6 進(jìn)行對比分析，三次參數(shù)配置如下：參數(shù)名配置4配置5配置6celISrPeriod20ms(2)20ms(2)20ms(2)qciTab1/drxProfi1eIndex221drxProfi1e2/drxLongCyc1e40ms (40)20ms(20)不設(shè)置Volte業(yè)務(wù)測試指標(biāo)套數(shù)配置MOS均值占比RTP丟包率RTP抖動呼叫睫立時(shí)延接通i話率IMS注 冊成 功率LTE覆蓋率(RS

9、RP = -110and SINR = -3)平均RSRP平均SINR配置4%100%0%100%記置5%100%0%100%配置6%100%0%100%配置5和配置4對比%配置6和配置4對比%本次測試配置5出現(xiàn)正常的波動，導(dǎo)致丟包率和RTP抖動比配置4有所劣化。說明：橫軸括號中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfi 1 e2/drxLongCyc 1 e的試驗(yàn)值測試對比結(jié)論：1. 占比/MOS均值提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2drxLongCycle配置4為40ms測 試占比為%/MOS均值為，drxProf i le2drxLongCycle配置5為20ms測試占比

10、為%/MOS均值為，drxProfile2drxLongCycle配置6為關(guān)閉drx測試占比 為/M0S均值為；2. RTP丟包率/RTP抖動略有波動效果不明顯：現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2drxLongCycle 配置 4 為 40ms 測試 RTP 丟包率為%/RTP 抖動為，drxProfile2drxLongCycle 配置 5 為 20ms 測試 RTP 丟包率為%/RTP 抖動為，drxProfile2drxLongCycle 配置6為關(guān)閉drx測試RTP丟包率為%/RTP抖動為；3. 其他指標(biāo)正常無明顯異常變化：其他注冊成功率、覆蓋率、平均RSRP、接通 率等指標(biāo)變化不大，都在正常

11、范圍內(nèi)波動；4. drxProfi 1 e2drxLongCyc 1 e 調(diào)整建議：從對比統(tǒng)計(jì)看， drxProfi 1 e2drxLongCyc 1 e越小MOS等指標(biāo)越好，但關(guān)閉drx會導(dǎo)致UE終端 的耗電量增加，因此drxProfi 1 e2drxLongCycle參數(shù)建議調(diào)整設(shè)置為20ms。參數(shù)組合指標(biāo)情況對本次修改的參數(shù)組合進(jìn)行總體的指標(biāo)對比，指標(biāo)如下：RTP丟包率RTP抖動呼叫理立時(shí)麺接通率100%100%100%100%100%100%100%100%100%100%掉話率%IMS注疥成功率100%100%100%100%100%100%100%100%100%100%LTEM

12、蓋率(RSRP = -110and SINR = -3)%99%平均RSRP平均SIR下面按照cellSrPeriod參數(shù)的設(shè)置劃分為4個(gè)區(qū)間，區(qū)間內(nèi)cellSrPeriod 參數(shù)一致，drxProfile2/drxLongCycle參數(shù)分別為40,20和關(guān)閉,橫軸括號中 的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的值，對比分析如下：9種配置下M0S均值和M0S占比變化趨勢：說明：橫軸括號中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfi 1 e2/drxLx）ngCyc 1 e的試驗(yàn)值由上圖可知：隨著cellSrPeriod的減小，每區(qū)間的M

13、0S均值分別為：八、，M0S占比分別為：%、%（配置1指標(biāo)異常）、%、%, M0S和占比均呈提升趨勢；在 區(qū)間內(nèi)，隨著drxProfile2drxLongCycle的減小或關(guān)閉，M0S和占比也基本呈提 升趨勢；另外，配置7、8、9經(jīng)過多次驗(yàn)證測試，會有波動的情況。9種配置下RTP丟包率和抖動變化趨勢:RTP丟包率和抖幼說明：橫軸括號中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的試驗(yàn)值2081S.00iaoo5.002S.OO由上圖可知：隨著cellSrPeriod的減小，每區(qū)間的RTP丟包率均值分別 為：%, %、%,抖動分別為：八、，丟包率和抖動值

14、呈降低趨勢；在區(qū)間內(nèi)，隨 著drxProfile2drxLongCycle的減小或關(guān)閉，丟包率和抖動值也基本呈降低趨勢; 另外，配置7、8、9經(jīng)過多次驗(yàn)證測試，會有波動情況。9種配置下呼叫建立時(shí)延變化趨勢：呼叫建立時(shí)延說明：橫軸括號中的敗值分別為cellSrPeriod和drxProfi 1 e2/drxLongCyc 1 e的試驗(yàn)值由上圖可知：隨著cellSrPeriod的減小，每區(qū)間的呼叫建立時(shí)延分別為：，、， 呼叫建立時(shí)延呈減小趨勢；在區(qū)間內(nèi)，隨著drxProfile2drxLongCycle的減小或 關(guān)閉，呼叫建立時(shí)延也基本呈減小趨勢；另外，配置7、8、9經(jīng)過多次驗(yàn)證測試， 會有波動。

15、4. 參數(shù)調(diào)整試驗(yàn)總結(jié)及建議試驗(yàn)總結(jié)1. 隨著cellSrPeriod參數(shù)的減小，M0S均值、占比、丟包率、抖動、呼叫建立 時(shí)延等指標(biāo)呈改善提升趨勢。各種參數(shù)設(shè)置測試指標(biāo)對比：20ms對比40ms, 5ms對比20ms, MOS占比分別提升, %,呼叫建立時(shí)延分別提升0%, %, RTP 丟包率分別提升妝,參數(shù)設(shè)置為5ms每次指標(biāo)會有波動。2. 隨著drxProfile2drxLongCycle參數(shù)的減小或關(guān)閉，M0S均值、占比、丟包 率、抖動、呼叫建立時(shí)延呈改善提升趨勢。各種參數(shù)設(shè)置測試指標(biāo)對比：20ms 對比40ms,關(guān)閉drx對比20ms, MOS占比分別提升, %，丟包率分別提升, %, 呼叫建立時(shí)延分