模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)期末復(fù)習(xí)資料

1、該復(fù)習(xí)資料，不一定適用于本校，但有比沒有要好。 第一章半導(dǎo)體二極管 一. 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 1. 半導(dǎo)體一導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)（如硅Si、銬Ge）。 2. 特性一光敏、熱敏和摻雜特性。 3. 本征半導(dǎo)體一一純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 4. 兩種載流子一帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為救流子。 5. 雜質(zhì)半導(dǎo)體一一在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性. 桿型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。 *N型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入微啟的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。 6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度-一

2、多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 *轉(zhuǎn)型-一通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。 7. PN 結(jié) * PN結(jié)的單向?qū)щ娦?一正偏導(dǎo)通，反偏截止. 8. PN結(jié)的伏安特性 二. 半導(dǎo)體二極管 *單向?qū)щ娦哉驅(qū)ǎ聪蚪刂埂?*二極管伏安特性同P N結(jié)。 *正向?qū)▔航倒韫?. 7V,豬管0. 2V。 *開啟電壓硅0. 5V,錯(cuò)管0.1V。 分析方將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若V陽V陰（正偏），二極管導(dǎo)通（短路或壓降0.7V）; 若V陽宀陰（反偏），二極管截止（開路）。 穩(wěn)壓管的伏安特件 三、穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路 *穩(wěn)壓二極管的特性-一正常工

3、作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓 二極管在電路中要反向連接。 第二章三極管及其基本放大電路 一. 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) L類型一分為NPN和PNP兩種。 2. 特點(diǎn)-一基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 二. 三極管的工作原理 1. 三極管的三種基本組態(tài) 可復(fù)制、編制.期待你的好評(píng)與關(guān)注! (a)共發(fā)射極組態(tài) (b)共傑電極組態(tài) (c)共基極組態(tài) 2. 三極管內(nèi)各極電流的分配 *共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件) CEO =(1+0”CB。 其中Icz。是穿透電流(越小越好)，I穌是集電極反向電流。

4、 3共射電路的特性曲線 *輸入特性曲線一同二極管。 z/be/V (b)輸入特件曲線 *輸出特性曲線 (飽和管壓降，用表示) 放大區(qū)一發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 飽和區(qū)一-發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 截止區(qū)一發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 根據(jù)電位如何判斷管子是否處于放大狀態(tài):對(duì)NPN管而言，放大時(shí)VC VB VE 對(duì)PNP管而言，放大時(shí)VC VB VE 4. 溫度影響 溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。 溫度升高心、心。、2；以及尸均增加。 5. 三極管的極限參數(shù) 最大集電極電流 最大的集電極耗散功率 (BR)CEO C-E間的擊穿電壓 三. 低頻小信號(hào)等效模型 厶廠一輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻， 常用e

5、表示； h廠一輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比， 常用B表示： 微變等效模型用于分析曲體管在小信號(hào)輸入時(shí)的 動(dòng)態(tài)情況，不能用于靜態(tài)分析。 四.基本放大電路組成及其原則 1. VT、匕、朮、朮、G、G的作用。 2. 組成原則一一能放大、不失真、能傳輸。 五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態(tài)分析 *概念直流電流通的回路。 *畫法一電容視為開路。 *作用-一確定靜態(tài)工作點(diǎn) *直流負(fù)載線-一由 直線。 *電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 確定的 1)改變水：q點(diǎn)在人所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。 2)改變Kc：直流負(fù)載線平移，J點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。 + T 2. 交流通路與動(dòng)態(tài)分析 *概念一交流電流流通的回

6、路 *畫法一電容視為短路，理想直流電壓源視為短路。 *作用一分析信號(hào)被放大的過程。 *交流負(fù)載線-一連接Q點(diǎn)和卩2點(diǎn)V =弘我血? J的宣線。 3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真 (1) 截止失真 *產(chǎn)生原因一0點(diǎn)設(shè)置過低 *失真現(xiàn)象一NPN管削頂，PNP管削底。 *消除方法一提高G (2) 飽和失真 *產(chǎn)生原因0點(diǎn)設(shè)置過高 失真現(xiàn)象NPN管削底，PNP管削頂。 *消除方法增大朮、減小來、增大農(nóng)，降低Q點(diǎn)。 六. 阻容耦合共射放大電路的等效電路法 &CEQ = 1 CC CQC 1. 靜態(tài)分析 2. 放大電路的動(dòng)態(tài)分析 ic io (a)交流通路 )微變等效電路 *放大倍數(shù) 。一 & 兒 I 血+尺

7、* 血+丹rbe *輸入電阻R=Rb/rbc 輸出電阻R嚴(yán)& 七. 穩(wěn)定工作點(diǎn)共射放大電路的等效電路法 1.靜態(tài)分析 心2 傀丄+傀2 CZCEQ acc cq （“ + 斤e） 2.動(dòng)態(tài)分析 有旁路電容 尺=bi/Ab2/rbe 八.共集電極基本放大電路 1.靜態(tài)分析 *無旁路電容 A - 0 - M U S 5e+(l + 0)凡 尺=Abl/2/rbe +(1 + 0)( | I = %B _ UreQ BQ 一凡+ (1 + 0)& ，EQ =(1 + 0)/bQ Uceq = CC -，EQ& 2. 動(dòng)態(tài)分析 人 _(1 + 0R “懇+儀+(1+0)& 尺=凡+心+(1+0)(&/

8、血) c 1+0 3. 電路特點(diǎn) *電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1,稱為射極跟隨器。 *輸入電阻高，輸出電阻低（帶載能力強(qiáng)）。 *有電流放大能力。 八. 共基電極基本放大電路（商頻特性好，展寬頻帶） 九.復(fù)合管的判定：不同類型的管子復(fù)合后，其類型取決于第一個(gè)管子。 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路 （q） N-JFET結(jié)構(gòu)及電路符號(hào) （b） P-JFET結(jié)構(gòu)及電路符號(hào) 2. 輸出特性曲線 （可變電阻區(qū).放大區(qū)、截止區(qū).擊穿區(qū)） 二絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） 分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。 結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào) r /例和區(qū)-2V上區(qū) h -4V 預(yù)夾斷軌跡 U 絃止X wDs=D

9、S! 輸出特性 s （a） EMOS結(jié)構(gòu)及電路符號(hào) J VI N-DMOS P J Pj b VI 1 P-EMOS b b VT P-DMOS （b） DMOS結(jié)構(gòu)及電路符號(hào) 2.特性曲線 N-EMOS的輸出特性曲線 第三章 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET ） 1結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào) * N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線話）。管（MGS（ T） 式中，幾是婦2從時(shí)所對(duì)應(yīng)的心值。 三. 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1. 漏極飽和電流2DSS 2. 夾斷電壓U 3. 開啟電壓 4. 直流輸入電阻屆 5. 低頻跨導(dǎo)弘（表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件） c）uGS “咗=常數(shù) 四.場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型 五.共源基本放

10、大電路 分壓式偏置放大電路 動(dòng)態(tài)分析 力滬譜1】1扯 &=&+&/ Rj 場(chǎng)效應(yīng)管微變等效電路 R = Rq 第四章多級(jí)放大電路 級(jí)間耦合方式 1. 阻容耦合一各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳輸交流借號(hào)；體積小，成本低。但不便 于集成，低頻特性差。 2. 變壓器耦合一各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無法采用 集成工藝：不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。 3. 直接耦合-一-低頻特性好，便于集成。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有彩響。存在“寒點(diǎn)漂 移”現(xiàn)象. *零點(diǎn)漂移一一當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始 值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動(dòng)。 uUUU 1.

11、電壓放大倍數(shù)A = 77 = 7F-7r# = riA. UiUiUi2UinJ-l 通常，層較小，且恥很小，“筆嚴(yán)/BQ= 三. 長(zhǎng)尾差放電路（抑制直接耦合電路中的溫漂）的原理與特點(diǎn) 1. 靜態(tài)分析 =仏忌 + Ubeq + 2/EQ& ”CEQ = UCQ -Ueq 2 一 ICqRc +beq 2. 動(dòng)態(tài)分析 可復(fù)制、編制.期待你的好評(píng)與R,=R 0(& 牛) 雙端輸出：Ad = Rh+E 4 =0 KcMR =o 單端輸出:4 = 0（& 心） 2（&+心） 0(& 坨) Rb +rt)c + 2(l + 0)& Kcmr = R& + 氐 + 2(1 + 0)人 2(/?b+rbc)

12、- 四. 共模信號(hào)與差模信號(hào)的計(jì)算 共模信號(hào)：兩輸入信號(hào)的平均值 差棋信號(hào)：兩輸入信號(hào)的差 比o=Add + 4c 五. 差分放大電路的改進(jìn) 盡,+心+（1+0）于 K = 2（& +心）+ （1 + ）心 可復(fù)制、編制.期待你的好評(píng)與關(guān)注! 第五章集成運(yùn)算放大電路 集成運(yùn)放電路的基本組成 1輸入級(jí)采用差放電路，以減小零漂。 2. 中間級(jí)多采用共射（或共源）放大電路，以提奇放大倍數(shù)。 3. 輸出級(jí)多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。 4. 偏置電路一一多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。 二.集成運(yùn)放的電壓傳輸特性 當(dāng)5在+弘與弘之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)域： o=odi=od（w+- “

13、） 三.理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法 1. 理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征 *開環(huán)電壓放大倍數(shù)戲odf ； 差模輸入電阻用d-8； *輸出電阻/to-O； 共模抑制比ACMRf 8； 集成運(yùn)放的電床傳輸特件 2. 理想集成運(yùn)放的分析方法 1）運(yùn)放工作在線性區(qū)： *電路待征一一引入負(fù)反饋 *電路轄點(diǎn)一一 “虛短”和“虛斷”: “虛短” i+=i=O “虛斷” 2）運(yùn)放工作在非線性區(qū) 電路特征一一開環(huán)或引入正反饋 *電路特點(diǎn)一一 輸出電壓的兩種飽和狀態(tài)： 當(dāng) 時(shí)，u=+K 當(dāng)以4時(shí)， 四集成運(yùn)放的讀圖 第六章放大電路中的反饋 A l + AF 反績(jī)放大器組成方框圖 一. 反饋概念的建立 *開環(huán)放大倍數(shù) *

14、閉環(huán)放大倍數(shù)A f *反饋深度1 +AF 環(huán)路增益AF： 1. 當(dāng)AF 0時(shí)，/下降，這種反餓稱為負(fù)反饋。 2. 當(dāng)AF= 0時(shí)，表明反饋效果為零。 3. 當(dāng)AFZCmax 心礦 cEO “CEmax 心 CM 片max 衛(wèi)化m|cES=。 第十章直流電源 一直流電源的組成框圖 直流電源的組成框圖 電網(wǎng) 4 電源1 J整流 穩(wěn)壓 負(fù)我 電圧 F 變K器 |電路 電路 電路 戶 電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。 整流電路：將正負(fù)交替的交流電壓整流成為單方向的脈動(dòng)電壓。 濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。 穩(wěn)壓電路：自動(dòng)保持負(fù)載電壓的穩(wěn)定。 二.單相半波整流電路 1.輸出電壓的平均值弘剛 o(av)=三斤血!= 2.正向平均電流厶剛 _ o(AV) 0.45C yD(AV) =(O(AV)二a 3.最大反向電壓以i “RM =返&2 三.單相橋式