SPICE的器件模型教材

1、SPICE的器件模型在介紹SPICE基礎(chǔ)知識(shí)時(shí)介紹了最復(fù)雜和重要的電路描述語句， 其中就包括元器 件描述語句。許多元器件（如二極管、晶體管等）的描述語句中都有模型關(guān)鍵字， 而電阻、電容、電源等的描述語句中也有模型名可選項(xiàng)，這些都要求后面配 以.MODE起始的模型描述語句，對(duì)這些特殊器件的參數(shù)做詳細(xì)描述。電阻、電 容、電源等的模型描述語句語句比較簡(jiǎn)單， 也比較容易理解，在SPICE基礎(chǔ)中已 介紹，就不再重復(fù)了；二極管、雙極型晶體管的模型雖也做了些介紹，但不夠詳 細(xì)，是本文介紹的重點(diǎn)，以便可以自己制作器件模型；場(chǎng)效應(yīng)管、數(shù)字器件的模 型過于復(fù)雜，太專業(yè)，一般用戶自己難以制作模型，只做簡(jiǎn)單介紹。元器

2、件的模型非常重要，是影響分析精度的重要因素之一。但模型中涉及太多圖 表，特別是很多數(shù)學(xué)公式，都是在WOR下編輯后再轉(zhuǎn)為JEPG圖像文件的，很繁 瑣和耗時(shí)，所以只能介紹重點(diǎn)。、二極管模型:1.1理想二極管的I-V特性:R =- 1）瓦中：絕對(duì)溫度T=3ffi）K其中：Aj対二極管的截面積叫為本征我流子濃度。沖宵電子擴(kuò)散系數(shù)Dp為空穴擴(kuò)散系數(shù)L?為空穴平均擴(kuò)矽檢離L曲自由電子擴(kuò)散長(zhǎng)度N滬總斷為自由電子詼度N區(qū)的熱平衝值NfPp。対空穴噥度P區(qū)的熱平衡值1.2 實(shí)際硅二極管的I-V特性曲線：折線匝鹹貯生、嘔戕電聽(4S)eg尢電濾入?yún)^(qū)d釋電脫齟反旅電昶 他產(chǎn)仁H.表耐U等醯辦)FE擊翹qVd直硫電流

3、Id = 1$ (g百 - 1)Id = f(Vd) =va厶0與-1) +打品血 _? +Kjgmin_ I1 BVBVWd-5-ES* t0-BV Vd -旳毎Vd-BVBV、呻炸T +診)Vd -H牝）-砲72）a = 7.01x10硅 PN 結(jié)： = 1108(0)= 1 i6erQ(72) = CjCT1 1 + 400x10_d (72-71)- 一 %(直中盡數(shù)：T1盅默認(rèn)工作溫度值（27P ）T2対新設(shè)迓的工作溫度1.7二極管模型參數(shù)表:代夸名裔蛇值她值單位IsIS幗和電麗IxW141X10-14AES寄主串聯(lián)電阻010QnN撥討系數(shù)1sTT渡越時(shí)間00 111SQ（o）CJO

4、零偏結(jié)電容0旳F%町PK結(jié)內(nèi)建電勢(shì)10(5VmntH1結(jié)梯度因子0.50.5EgEG禁帶寬度(&1.11 SBD 0. B9 G 0. 57 )1.111 11eVPt3CT1IS溫度系數(shù)（PH結(jié)二極管3 0 SBD 2 1 J3 03FcFC正偏耗懇層電容系數(shù)0.5BVBY反向擊穿電壓叭【膝點(diǎn)）0050Vf &vIBV反向擊穿電疣膝點(diǎn)）0.001AKfKF閔爍噪聲系數(shù)0幻AF閃爍噪苣捋數(shù)1二、雙極型晶體管BJT模型：2.1 Ebers-Moll靜態(tài)模型：電流注入模式和傳輸模式兩種f涉艮的覇SHk 馮鳥女應(yīng)砒 忌 N 相關(guān)說明見殆后的參數(shù)表）2.1.1電流注入模式:扳射結(jié)正向倍輸電琉厶r =k

5、T -1）集電結(jié)反向傳輸電流耳 =kT -1）極電疣 2e = dpZF-15二f +時(shí)&厶=（1 -昕）卩+1 -務(wù)）厘其中：穿f為共基極大信號(hào)正向電疣増益 為共基極大信號(hào)反向電說増益Cj g 4)也電流注入模型2.1.2傳輸模式:【C亡 4e kT -1he -F肓一 1 丿 )%OJ hr 二 G可kT扱電毓7C = /cr_ _*_cc_ 7s 復(fù)+1 A、jdIcQ fflt_ JfCI 二兀 J$F A?苴中：盡為共射根大信導(dǎo)正向電療増益 角肖共射根大信號(hào)反向電疣増益I咗 傳輸模型2.1.3在不同的工作區(qū)域，極電流Ic Ie的工作范圍不同，電流方程也各不相同:正向敢犬區(qū)：卩騒f g

6、卩3匕蘭/反向區(qū)： 5kT! qt8和區(qū)：N -5上77q卩尿 -5kTI q裁止區(qū)：-5kTfqq亡二十iniiL iniiLPf ekT -12.1.5帶Rc、Re Rb的傳輸靜態(tài)模型:I6 Ez帶Rc Rb毗釣傳輸靜態(tài)嘆型正向參數(shù)和反向參數(shù)是相對(duì)的，基極接法不變，而發(fā)射極和集電極互換所對(duì)應(yīng)的 兩種狀態(tài)，分別稱為正向狀態(tài)和反向狀態(tài)，與此對(duì)應(yīng)的參數(shù)就分別定義為正向參 數(shù)和反向參數(shù)。2.2 Ebers-Moll大信號(hào)模型:I涉尺的萃敷：C連C兀 Uje % 亦 % 稱朋C ws G 口 FCCYL -5nTkT!q-SnkT/q -魚Pf區(qū)：缶 蘭一如叢丁8-5nT/qtmi : Va -知

7、77? VK -b*Tfq2.4Gummel-Pool大信號(hào)模型：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與Ebers-Moll大信號(hào)模型相同,非線性存儲(chǔ)元件電壓控制電容的方程也相同涉廉的覇a：禺f 忌疔毎 陽皿 相關(guān)說明見附后的參數(shù)表基極集電極分配電容：集電踣電容分為兩部分Cjq為在內(nèi)部基極節(jié)査與集電極之間的電容（1- X3 cJC丸在外部基極節(jié)點(diǎn)與集電極之間的電容區(qū)皿在01間變化，CJc基極-集電極間總電容，是直頻時(shí)的重要參數(shù)fU疋（0）（1 工“）1一C疋（1一畑）Ic為犬電疣時(shí)廠ff =F1+上5%1 44吩如俎二1+1沁吋IceIcc + ITF在Ic低電流或Vce高電壓時(shí)4f = 12.5BJT晶體管模型總參數(shù)表

8、:代號(hào)名稱則信畑值單垃IsIS鋼和電疣10*A昂BF理想垠丈正向電涼放犬采數(shù)100100BR反向盤犬電流放大系數(shù)10.1NF正向電猛發(fā)射系數(shù)11NR反向電諒發(fā)射果數(shù)1C2ISE (C2)基極發(fā)射極漏說和電瞳01000AC4ISC (C4)基極-集電根漏鍛和電痣01AIKF(IK)正向膝點(diǎn)電疣OS0.01AIKR茲向膝點(diǎn)電硫co0.1AnllNE基極-發(fā)射根漏垸射系數(shù)152kclNC基扱-集電極漏發(fā)射系數(shù)22NVAF(VA)正向EARiy電壓CO100VVAR (VB)反向ER直LY電壓DO100V先RC集電極電阻010QRE發(fā)肘極電陰01GQRB霎偏基極電阻0100GgRBM大電硫時(shí)杲小基極電

9、袒RB100Q1俺IRB基極電沮下降為U2時(shí)的電流gATyIF理想正向渡越時(shí)間0O.ln3抵TR理想反向樓越時(shí)間0lOnsXTFTF隨偏置變化系數(shù)0TFVTFTF陡偏置Vh;變優(yōu)的電壓參數(shù)ooVITF影響TF的大電謊參數(shù)0APTF在i/C2PITF) Hz時(shí)的超前相移0n/6RadCjgCJE零偏B-E結(jié)耕盡電容02pF如VJEE-E結(jié)內(nèi)建克勢(shì)0.750.7VMJE (ME)E-E結(jié)梯捏因子0 330.33JCJC零偏集電極PN結(jié)耕盡電容0lpF4VJC (PQB-C結(jié)內(nèi)建電勢(shì)0.750.5V%MJC(MQB-C結(jié)梯度因子0.330.33JCJS (CCS)零偏集電極-軸底PN結(jié)電容02pFV

10、JS (PS)襯廐結(jié)內(nèi)連電勢(shì)0.75V叫MJS (MS)襯底潔傭嗟因子0cscXCJCB-C結(jié)耗盡電客連到基極內(nèi)節(jié)點(diǎn)的百分?jǐn)?shù)iFcFC正偏耕盡電容系數(shù)0 5産血XTBBR. EF的溫度粟數(shù)0NfiXT1 (PT)1S的溫度效應(yīng)指數(shù)3EgEG禁帶寬度1 111.11eVKF師閃爍蠅蘆乘數(shù)QAF證閔爍噪聲指數(shù)11TT工作蠱度2727r金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管MOSFE模型:%叫9 0氏 _ * _ 財(cái)熒 thL：比S A TH 且卩焚 （N - Th）恥 卡l 2 X 搭-TH）仆+丸廠氐）其中：金=+ F（ 伽-險(xiǎn)-2佻） 襯底結(jié)的複掘方程與二扱管相似：（如/, 肪 一13.2 二級(jí)靜態(tài)模型（大信

11、號(hào)模型）：Meyer模型（涉及的券Cjsw Mj Mjsw Fc PD 相其說明見附后的參數(shù)表）G Q3.2.1電荷存儲(chǔ)效應(yīng):積異區(qū)：% % - 2如耗:（乙-2伽） 比占 （卩曲+卩焚）C* 能Cq 1 +3.2.2PN結(jié)電容:% （屁）時(shí):1_魚外丿屁訥）時(shí):經(jīng)驗(yàn)公式羋鴛 亡皿鼻窄溝道效應(yīng)影響Fn =彎乳4紜娥打-2有效遷移率涼_而1+ ；JfttSW 4 密抵Z-J卩H蹄卡3.3三級(jí)靜態(tài)模型:銭性區(qū)電流Acs = 0比s 1 一心3式中理=j強(qiáng)+ F總2）/衛(wèi)悅一護(hù)芻短溝道效應(yīng)的影響U箱=礦崩+ 2如皿么+憾$2% -卩置+尸旳（20戶-叫S）X, （XiY 4- Wc 石1 一 r$卜

12、E?x21 2丿+儲(chǔ)血-）溝道長(zhǎng)度飽和醫(yī)變化L我_!： =3.2MOSFE模型參數(shù)表：一級(jí)模型理論上復(fù)雜，有效參數(shù)少，用于精度不高場(chǎng)合，迅速粗略估計(jì)電路二級(jí)模型可使用復(fù)雜程度不同的模型，計(jì)算較多，常常不能收斂三級(jí)模型精度與二級(jí)模型相同，計(jì)算時(shí)間和重復(fù)次數(shù)少，某些參數(shù)計(jì)算比較復(fù)雜四級(jí)模型BSIM適用于短溝道（3um的分析，Berkley在1987年提出楠代號(hào)級(jí)名稱歡認(rèn)值典型值單位LL溝道長(zhǎng)度DEFLmWW溝道寬度DEFWm$VTO1-3零偏閑值電壓11VKpKP1-3蹲導(dǎo)系數(shù)20u30uA/72YGAMMA1-3體效應(yīng)系數(shù)00.35円22外PHI1-3表面電勢(shì)0.60.65VALAMBDA12溝

13、道長(zhǎng)度調(diào)制系數(shù)00.02V-1toxTOX1-3氧化層厚度O.luO.lumNbNSUB1-3襯底摻雜濃度01x10*2-3 cmNssNSS23表面態(tài)譽(yù)度0lxl0+wcm2gNFS23快表面態(tài)密度0lxl0+1C加2NeffNEFF2總溝道電荷系數(shù)15XjXJ23（金屬的）結(jié)深0lum為1LD1-3搆向擴(kuò)散長(zhǎng)度（憑和帰）00.8umTysTPG23冊(cè)材料類型+1 0 -111AoUO1-3載流子表面遷移率600700cm1 IV sAcUCRJT2遷移率下降時(shí)臨界電場(chǎng)1000010000V/cm人UEXP2遷移率下降時(shí)臨界電場(chǎng)捋數(shù)00.1AUTRA2遷移率下降時(shí)臨界電場(chǎng)系數(shù)00.5Vira

14、xVMAX23載流子最大漂移速度050000mXqcXQC23溝道電茍對(duì)漏極的分配系數(shù)00.46DELTA3罰值電壓的溝道寬度效應(yīng)系數(shù)01ETA3靜態(tài)反饋系數(shù)（闔值電壓）01eTHETA1-3遷移率調(diào)制系數(shù)00.05廠1禺AF1-31/f閃爍噪聲指數(shù)11.2KF1-31/f閃爍噪聲系數(shù)01X10-26IsIS1-3襯底PN結(jié)飽和電琉10fIfAJsJS1-3襯底PN結(jié)飽和電流密度0lOnA曾PB1-3襯底PN結(jié)內(nèi)建電勢(shì)0.80.75VCjCJ1-3襯底PN結(jié)零偏畫單位面積電 容020mF/w2MjMJ1-3襯底PN結(jié)電容梯度因子0.50.5CjswCJSW1-3客偏襯底電容/單位周邊長(zhǎng)度0In

15、F/mMjswMJSW1-3襯底周邊電容梯度因子0.330.33FcFC1-3正偏耗盡電容系數(shù)0.50.5CgboCGBO1-3GB間貴蓋電容/單位溝道寬度0200pF/m0 化Kas ： to滄殆皿00 N -與U DS0吒廠席 1- Fe(1 卡陀)N 氏 尬V屁州4.3 JFET模型參數(shù)表:代號(hào)名稱奧型值單儻VTO閾值電壓夾斷電壓）2.0-2VBETA100u加川護(hù)ALAMBDA溝道長(zhǎng)度調(diào)制泵數(shù)0ioou廠iRdRD漏極審聯(lián)電阻0LOOCRsRS源極串聯(lián)電阻0100G0PB棚PN結(jié)內(nèi)運(yùn)電勢(shì)1.00 6VIsISO PN結(jié)館和電疣10fiOfAmM棚FN結(jié)梯度因子0.5nN柵PN結(jié)發(fā)射系數(shù)

16、1CGD零偏G-D間PN結(jié)電容05pFc員CGS零偏G需間PN結(jié)電容01PFFcFC正偏耗品層電容系數(shù)0.5VTOTCVTO溫度系數(shù)0v/icBETATCEBETA溫度系數(shù)01/1001CKfKF就閃爍噪聲系數(shù)QAF冊(cè)閃爍噪聲指數(shù)0五、GaAs MESFE模型：分兩級(jí)模型（肖特基結(jié)作柵極）SGaAs MESFE模型參數(shù)表:代號(hào)名稱KU值磁值單位VTO閾値電壓夾斷電壓)Q5JOVaALPHA館和電壓步數(shù)2.0L5VxBETA0.1lOuAIV迓LAMBDA溝道長(zhǎng)度調(diào)制系數(shù)0lOOp廠iRgRG鵬極串聯(lián)電阻0IGRdRD帰極串聯(lián)電阻01GRsRS源極串聯(lián)電阻01QIsIS冊(cè)FN結(jié)詫和電流10fAm

17、MfflflPtl結(jié)梯度因孑0.5nN冊(cè)PN結(jié)挖射系數(shù)1CGD零偏G-D間PN結(jié)電容0 IpF%CGS間PN皓電瘠r卯FNVBIWIPN結(jié)內(nèi)建電勢(shì)i a0 5V%CDSas間電瘩o0.3pFrTAU辱電電磴延遲時(shí)間0lOpsFcFC正偏韓盡電容系數(shù)0.5rorcVTOTCMTO溫度系數(shù)0vrcBETATCEBETA謚度磁0i/ioorKfKFHf閃爍噪聲系數(shù)poAFIff閃爍噪聲捋數(shù)1六、數(shù)字器件模型：6.1 標(biāo)準(zhǔn)門的模型語句：.MODEL v(model)nameUGATE模型參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)門的延遲參數(shù):舞名輪鞅值單位TPLHMN伍電平上升高電乎最小時(shí)間延遲0STPLHTY低電平上升高電平標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間

18、延遲0STPLHMX低電平上升高電平，毎犬時(shí)間延遲0STPHLMN高電平下降低電平.盤小時(shí)間延遲0STPHITY高電平下降低電平，標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間延遲0STPHLMX高電平下降低電平，堀大時(shí)間延遲0SMHTYMXDLY延遲類型：0臥認(rèn)值1毎小值2典型值2攝大值06.2 三態(tài)門的模型語句：.MODEL v（model）nameUTGATE模型參數(shù)三態(tài)門的延遲參數(shù)：麺名稱KU值單垃TPLHMN低電平上升高電平.璟小時(shí)間延遲0STPLHTY低電平上升高電平標(biāo)唯時(shí)間延遲0STPLHMX低電平上升高電平，塢大時(shí)間延遲0STPHLMN高電平下降低電平盤小時(shí)間融遲0STPHLTY高電平下障低電平標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間延遲0STP

19、HLMX高電平下陣低電平.盤犬時(shí)1間延遲0STPLZMN低電平上升到高阻人杲小時(shí)伯1延遲0STPLZTY低電平上升到Z（ a阻n標(biāo)堆時(shí)間延遲0STPLZMX低電平上升至1高阻片最大時(shí)間延遲0STPHZMN高電平下降到忑1高陰兒攝小時(shí)間延遲0STPHZTY高電平下Ptijzt高阻人拆準(zhǔn)時(shí)間延遲0STPHZMX高電平下隆到高阻兒攝大時(shí)間延遲0STPZLMNZC阻）下降到俶電平，量小時(shí)間延遲0STPZLTY區(qū)（高陰）下降到低電平，標(biāo)堆時(shí)間延遲0STPZLMX區(qū)（高阻）下降到低電平，最大時(shí)間延遲0STPZHMN忑（高阻）上升到高電平，最古時(shí)閻延遲0STPZHTYzc阻）上升到高電平-標(biāo)堆時(shí)間延遲0ST

20、PZHMXZC阻）上升到高電平量大時(shí)間延遲0SMWTYMXDLY延遲類型：0默認(rèn)佰1杲小值2典型值3杲大值06.3邊沿觸發(fā)器的模型語句：.MODEL （model）nameUEFF模型參數(shù)邊沿觸發(fā)器參數(shù)：JKFF nff preb,clrb,clkb,j*,k*,g*,gb*JK 觸發(fā)器，后沿觸發(fā)D觸發(fā)器，前DFF nff preb,clrb,clk,d*,g*,gb* 沿觸發(fā)邊沿觸發(fā)器時(shí)間參數(shù):TPPCQLHMN最小延遲：prebftrlito觸發(fā)q/qb低變高0sTFPC3QLHTY典型延遲prebfcbb融發(fā)q/qj)低變高0sTPPOQLHMX堀犬延遲prebfclifa觸發(fā)q/qb低

21、變咼0sTFFCQHLMN垠小延遲preb/cbb觸發(fā)q/qb高變低03TPPOQHETY典型延遲prebfclito帥發(fā)q/qb高吏低0STFPOQHLMX最大延遲pr&b/clib融發(fā)加他高變低0STWPCLMN毎小延遲最小pttb/clib低電平脈沖竟度0STWPCUTY典型延遲最小preblxb低電平脈沖寬度0STWPCLMX堀大延遲最小pteb/clib低電平贈(zèng)沖寬度0STPCLKQLHMN最小延遲cMlkb觸發(fā)q如嚴(yán)高0sTPCLKQLHTY典型丘遲clk/clkb 發(fā)q他低變咼0sTPCLKQLHMX星大延遲cMlkb發(fā)叩申低變高0sTPCLKQHLMN蠟小延遲clk/clkb能

22、發(fā)沁 咼變低0sTFCLKQHLTY典型延遲cMlkb觸發(fā)叩訥高變低0sTPCLKQHLMX蠟大延遲clk/clkb斛炭切(莎咼變低0sTWCLKLMN攝小延遲撮小1H) 最小值0sTHDCUCTY保持：j/k/d after clk/clkbjffi ,典型值0sTHDCLKMX保持：j/Udafter clUclkb邊沿，最犬值0sMNTYMXDLY延遲類型：0我認(rèn)值1盤小值2典型值M盤大值a6.4鐘控觸發(fā)器的模型語句：.MODEL v(model)nameUGFF模型參數(shù)鐘控觸發(fā)器參數(shù)：SRFF nff preb,clrb,gate,s*,r*,q*,qb*SR 觸發(fā)器，時(shí)鐘D觸發(fā)器，時(shí)

23、鐘高電平觸發(fā)DLTCH nff preb,clrb,gate,d*,g*,gb*高電平觸發(fā)鐘控觸發(fā)器時(shí)間參數(shù):TPPCQLHMN最小延遲preb/clA鮭發(fā)曲b低孌高0STPPCQLHTY典型延遲pnbJclAt羅發(fā)qqb低喪高0STPPCQLHMX量夭延遲preb/clij鮭發(fā)q/qb低變高0STPPOQHLMN最小延遲piebclib鮭發(fā)qJqb高吏低0STPPCQHLTY典型延遲prebJclA鮭發(fā)q/qb高變低0STPPCQHLMX攝犬延遲piebclib觸發(fā)qqb高吏低03TWPCLMN最小延遲量小pieb/chb低電平脈沖寬度0STWPCLTY典型延遲垠小preb/clA低電平脈沖

24、寬度05TWPCLMX最犬延遲堀小pieb/chb低電平脈沖寬度0STPOQLHMN攝小延遲gate觸潢q/qb低變髙0STPGQLHTY奧型延忑緲亡融垸q/qb低變高0STPGQLHMX最犬延遲gate融發(fā)cjJcjh低變高0STPGQHLMH疑扌延遲緲e鮭境q/qb高變低0STPGQHLTY典型延遲gate軸發(fā)qfqb高變低0STPGQHLMX|雖去延遲緲e沁發(fā)q/qb高變低0STPDQLHMN量小延遲sWdfti發(fā)*（拒低變高0STPDQLHTY典型延遲s/r/d融發(fā)qfqb低變咼0STPDQLHMX是犬延遲sWd觸發(fā)q/qb低變高0 STPDQHLMH繪小延遲s/r/d融發(fā)qfqb貝變

25、低0STPDQHETY典型延遲sWd觸發(fā)q/qb高變低1STPDQHLMX1最大延遲sWd融發(fā)qfqb咼變低0STWGHMN攝小延遲攝小gate高電平脈沖寬度0STWGHTY典型延遲堀小勢(shì)怕高電平腌沖寬度0STWGHMX最犬延遲攝小舉tE高電平脈沖寬度0STSUDGMN建立：sM Io gte邊沿，弟小值0STSUDGTY逢立：sWd to邊沿，典型值0STSUDGMX建立：s/r/d Io gte邊沿，星丈值0STSUPCGHMN建立：pneb/clib hi to gate邊沿 棗小值0STSUPCGHTY建立：preb/clib hi to淇怯邊沿j典型值0STSUPOGHMX建立：pn

26、eb/chb hi to gate邊沿 量大值0STHDCLKMN保持：s/r/d after clk/clkb邊沿i攝小值0STHDCLKTY保持：sWd aft&r clk/clkb邊沿典型值0STHDCLKMX保持：s/r/d after clk/clkb邊沿?cái)z丈值0SMNTYMXDiy延遲類型：0默認(rèn)值1盤小值2典型值3杲大值06.5可編程邏輯陣列器件的語句：U (,v#outputs)* #+v(timing model)name FILE=v(file name) text value+DATA=$ vprogram data$MNTYMXDLY=v(delay select)va

27、lue+IOLEVEL=v(i nterface model level)value其中：vpld type列表PLAND與降列PLANDC毎乍輸入變量有同相端與反相喘的與陣列PLJOR或降列PLORC毎個(gè)輸入變呈有同相端與反相誦的或陣列異或陣列PLXORC毎個(gè)輸入吏墾有酬目瀟與履相端的異或陣列PIN 血 ND與非陣列FLNANDC毎個(gè)輸入變雖有同相端與反相端的與勻難列PLNOR或非陣列PLNORC每平輸入孌星育同相端與圧相喘的或m孵列PL1IXOR同或陣列PLNXORC每個(gè)輸入變量有同相諦與反相誦的同或陣列JEDEC 格式文件的名稱，含有陣列特定的編程數(shù)據(jù)JEDE（文件指定時(shí)，DATA語句數(shù)

28、據(jù)可忽略vradix flag是下列字母之一：B二進(jìn)制O八進(jìn)制X十六進(jìn)制vprogram data程序數(shù)據(jù)是一個(gè)數(shù)據(jù)序列，初始都為0PLD時(shí)間模型參數(shù)：TFLHMN陋電平上開離電平” 1ft小時(shí)個(gè)延遲0STPLHTY低電平上丑高電平，標(biāo)淮時(shí)何延遲0STPLHMX低電平上升高電平*燉大時(shí)間延遲0STPHLMN高電平下釋低電平攝小時(shí)何延遲0STPHETY商電平THIS電乎*標(biāo)惟時(shí)間延遲0STPHLMX高電平下輝低電平.盤大時(shí)何延遲0SOFFSETJEDEC文件的齋一輸入端地址和第一門的程序0COMPOFFSETJEDEC立件的第一輸入皮*瞞地址和第一門的程序1IHSCALEJEDEC文件對(duì)嘩一會(huì)新

29、輸入爾地址藍(lán)伽計(jì)敵1/2Std/lBWH-JS 相OUTSCALEJWEC空件對(duì)毎一4新輸岀謠地址鮭的計(jì)數(shù)Snpuis/2*(ffiinputs)Std/同相反相MNTYMXDLY菇遲選捋:0獣認(rèn)値1運(yùn)小值2典旳値3趣犬値0七、數(shù)字I/O接口子電路：數(shù)字電路與模擬電路連接的界面節(jié)點(diǎn)，SPICE自動(dòng)插入此子電路子電路名（AtoDn和DtoAn）在I/O模型中定義，實(shí)現(xiàn)邏輯狀 態(tài)與電壓、阻抗之間的轉(zhuǎn)換。7.1 N模型：數(shù)字輸入N模型將邏輯狀態(tài)（10 X Z ）轉(zhuǎn)換成相對(duì)應(yīng)的o高電平節(jié)點(diǎn)彳I-4或接口節(jié)點(diǎn)低電平節(jié)點(diǎn)電壓、阻抗。g住星隨時(shí)間變化的電限，當(dāng)戳宇信咼的鐵態(tài)變化町，電阻血是揩數(shù)芟化,電阻值的

30、變化是由新狀態(tài)的開關(guān)時(shí)間決走的.股口宓是固定電容-逆當(dāng)?shù)碗娖焦?jié)點(diǎn)和禹電平爺點(diǎn)運(yùn)接相應(yīng)的電壓源，電壓值與攝高和攝低選輯電平值相關(guān)由丘當(dāng) 邂尿和連接的兩個(gè)電壓遁，可以產(chǎn)生量離和量低觀I電平之聞的任一電壓和任T9抗的出.數(shù)字模擬器的N模型語句：N v(low level) no de +DGTLNET=v(digital net)n ame IS=(initial state)數(shù)字文件的N模型語句：N +SIGNAME=v(digital signal)name IS=(initial state)模型語句： .MODEL DINPUT (模型參數(shù))模型參數(shù)表:逐1名瑤單位CDO電容連接到low l

31、evel節(jié)點(diǎn)0FCHI電容連接到higli lev敘節(jié)點(diǎn)01FS0NAME狀態(tài)0特性縮寫S0TSW狀蠢0開關(guān)時(shí)何SSORLO狀態(tài)0電阻連接到low level節(jié)點(diǎn)GS0RH1狀蠢0電阻連接到high level節(jié)點(diǎn)QS1NAME狀態(tài)1特性縮寫S1TSW我蠢1開關(guān)時(shí)何SSIRLO狀態(tài)1電陰連level節(jié)點(diǎn)GS1RHI狀畜1電阻連接到high level節(jié)炬 ;,S19NAME狀蠢19特性縮寫S19TSW狀態(tài)19開關(guān)時(shí)間SS19RLO狀態(tài)19電阻連接到low leivel節(jié)點(diǎn)GS19RHI狀態(tài)19電阻連接到high Im 1節(jié)點(diǎn)GFILE數(shù)字籀入文件名FORMAT數(shù)字輸入立件格式1TME5TEP數(shù)

32、字輸入文件步長(zhǎng)InS7.2 O模型：將模擬電壓轉(zhuǎn)換為邏輯狀態(tài)(10 X Z )，形成邏輯器件的輸入級(jí)。LOAD 今卄r-壓定岀態(tài)電決輸狀LOAD由模型琴數(shù)決疋n毎當(dāng)時(shí)間等于時(shí)間步長(zhǎng)TIMESTEP的整數(shù)倍時(shí), 器件節(jié)點(diǎn)的狀態(tài)將被寫入立件中節(jié)點(diǎn)狀態(tài)由接口節(jié)點(diǎn)和參考節(jié)點(diǎn)之間的電壓值決定，將該電壓值與當(dāng)前電壓序列進(jìn)行比較，如果落在當(dāng)前電壓序列中，則新狀態(tài)與原狀態(tài)相同；如果不在當(dāng)前電 壓序列中，則從SONAM開始檢查，第一個(gè)含有該電壓值的電壓序列可確定為新 狀態(tài)。如果沒有電壓序列包含這個(gè)電壓值，則新狀態(tài)為？(狀態(tài)未知)。數(shù)字模擬器的0模型語句：O v(model) name+DGTLNET=v(dig

33、ital net)name 數(shù)字文件的O模型語句:O v(model) name+SIGNAME=v(digital signal)name模型語句：.MODEL DOUTPUT 模型參數(shù))模型參數(shù)表：疑鞅值單恆RLOAD電容il接劉low kvel節(jié)點(diǎn)0GCDOAD電容連接到high lev節(jié)點(diǎn)0FCHGONLZ。寫毎個(gè)時(shí)間步長(zhǎng)i寫新吏化0S0NAME狀慈0特性縮寫SOVLO狀態(tài)0 low level電壓VS0VHI鐵態(tài)0 high level電壓VS1NAME狀態(tài)1特性縮寫S1VLO狀態(tài)1 low level電壓VS1VHI狀態(tài)1 high level電壓Ve . r !r 1 9 . .

34、 r.e r r 1 ,S19NAME狀態(tài)19特性縮寫S19VLC鈦態(tài)19 low leviel電壓VS19VHI狀態(tài)19 high訟1電壓VFILE數(shù)字輸入立件名FORMAT數(shù)字輸入文件格式1TIMESTEP數(shù)字輸入立件步氏insTIMESCALE數(shù)字輸入立件刻度1八、數(shù)學(xué)宏模型：作為電路功能塊或?qū)嶒?yàn)儀器插入電路系統(tǒng)中，代替或模擬電 路系統(tǒng)的部分功能，有24種8.1電壓加法器：基本運(yùn)直方程?耳觀=耐耳就+扁眄穆+禺比3 + 等效電路方程：7(16=組廠10)+也7( 12) + 切(14) +.8.2電壓乘法器:基如方程：眄a%等效電路方程:$(14)=燦卩(10) Z(12)8.3電壓除法

35、器:等效電路方程：肚少叭)= (7 * Z(1O,12)KG丹j) = D薩(1口2) 礦(B)*(13) = RI(Gd I(GdV AC K(10J2)/l +(11,12)當(dāng) R閃時(shí)，I(Gdl)=I(GdV2)7( 3) = C 叫1Q9 卩仇8.4 電壓平方：基本運(yùn)算方程：二.-：一二鞏F2) = (Ml / N2) Z(艱沖陽 1)8.5理想變壓器:Vsence為零值電壓源，用作電流表8.6電壓求平方根：方程 8.7三角波/正弦波轉(zhuǎn)換器：三角波峰-峰值為2V,其中C=PI/228.8電壓相移:兀臣=%砍旅+ P)El=Vin/(Cl) = C!孚二 60忌 cos(購 + 旳dt也