寧夏半導(dǎo)體硅片項目建議書（模板）

1、泓域咨詢 /寧夏半導(dǎo)體硅片項目建議書寧夏半導(dǎo)體硅片項目建議書xxx有限責(zé)任公司目錄第一章 背景及必要性5一、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢5二、 半導(dǎo)體硅片需求情況8三、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況11四、 項目實施的必要性14第二章 建設(shè)單位基本情況16一、 公司基本信息16二、 公司簡介16三、 公司競爭優(yōu)勢17四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)18公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)18公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)19五、 核心人員介紹19六、 經(jīng)營宗旨21七、 公司發(fā)展規(guī)劃21第三章 行業(yè)、市場分析23一、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類23二、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類28第四章 發(fā)展規(guī)劃分析34一、 公司發(fā)展規(guī)劃34二、 保障措施35第五

2、章 原輔材料分析37一、 項目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況37二、 項目運營期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理37第六章 項目風(fēng)險評估39一、 項目風(fēng)險分析39二、 項目風(fēng)險對策41第七章 招投標(biāo)方案43一、 項目招標(biāo)依據(jù)43二、 項目招標(biāo)范圍43三、 招標(biāo)要求43四、 招標(biāo)組織方式44五、 招標(biāo)信息發(fā)布47報告說明半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)?？傮w呈波動上升趨勢，與宏觀經(jīng)濟、下游應(yīng)用需求以及自身產(chǎn)能庫存等因素密切相關(guān)。盡管半導(dǎo)體行業(yè)長期處于增長態(tài)勢，但短期需求呈現(xiàn)一定的波動性。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項目總投資20745.03萬元，其中：建設(shè)投資15707.48萬元，占項目總投資的75.72%；建設(shè)期利息436.16萬元，占

3、項目總投資的2.10%；流動資金4601.39萬元，占項目總投資的22.18%。項目正常運營每年營業(yè)收入40000.00萬元，綜合總成本費用34702.97萬元，凈利潤3852.77萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率11.32%，財務(wù)凈現(xiàn)值249.84萬元，全部投資回收期7.32年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本期項目技術(shù)上可行、經(jīng)濟上合理，投資方向正確，資本結(jié)構(gòu)合理，技術(shù)方案設(shè)計優(yōu)良。本期項目的投資建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益等方面都是積極可行的。本報告為模板參考范文，不作為投資建議，僅供參考。報告產(chǎn)業(yè)背景、市場分析、技術(shù)方案、風(fēng)險評估等內(nèi)容基于公開信息；項目建

4、設(shè)方案、投資估算、經(jīng)濟效益分析等內(nèi)容基于行業(yè)研究模型。本報告可用于學(xué)習(xí)交流或模板參考應(yīng)用。第一章 背景及必要性一、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢1、半導(dǎo)體硅片向大尺寸方向發(fā)展在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。在未來一段時間內(nèi)，300mm半導(dǎo)體硅片仍將作為主流尺寸，同時100-150mm半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能將逐步向200mm硅片轉(zhuǎn)移，而200mm硅片產(chǎn)能將逐步向300mm硅片轉(zhuǎn)移。向大尺寸方向發(fā)展是半導(dǎo)體硅片行業(yè)最基本的發(fā)展趨勢。2、行業(yè)集中度較高過去30年間，半導(dǎo)體硅片行業(yè)集中度持續(xù)提升。20世紀(jì)90年代，全球主要的半導(dǎo)體硅片企業(yè)超過20家。2016-2018年，全球前五大硅片企業(yè)的市場份額

5、已從85%提升至93%。半導(dǎo)體硅片行業(yè)兼具技術(shù)密集型、資本密集型與人才密集型的特征。行業(yè)龍頭企業(yè)通過多年的技術(shù)積累和規(guī)模效應(yīng)，已經(jīng)建立了較高的行業(yè)壁壘。半導(dǎo)體行業(yè)的周期性較強，規(guī)模較小的企業(yè)難以在行業(yè)低谷時期生存，而行業(yè)龍頭企業(yè)由于產(chǎn)品種類較為豐富、與行業(yè)上下游的談判能力更強、單位固定成本更低，更容易承受行業(yè)的周期性波動。通過并購的方式實現(xiàn)外延式擴張是一些半導(dǎo)體硅片龍頭企業(yè)發(fā)展壯大的路徑。如信越化學(xué)在1999年并購了日立的硅片業(yè)務(wù)；SUMCO為住友金屬工業(yè)的硅制造部門、聯(lián)合硅制造公司以及三菱硅材料公司合并而成；環(huán)球晶圓在2012年收購了東芝陶瓷旗下的CovalentMaterials的半導(dǎo)體晶

6、圓業(yè)務(wù)之后成為全球第六大半導(dǎo)體硅片廠，并于2016年收購了正在虧損的SunEdisonSemiconductorLimited、丹麥TopsilSemiconductorMaterialsA/S半導(dǎo)體事業(yè)部，進一步提升其市場占有率，也提高了整個行業(yè)的集中度。3、終端新興應(yīng)用涌現(xiàn)半導(dǎo)體硅片行業(yè)除了受宏觀經(jīng)濟影響，亦受到具體終端市場的影響。例如2010年，全球宏觀經(jīng)濟增速僅4%，但由于iPhone4和iPad的推出，大幅拉動了半導(dǎo)體行業(yè)的需求，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入增長達32%。2017年開始，大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能、新能源汽車、區(qū)塊鏈等新興終端應(yīng)用的出現(xiàn)，半導(dǎo)體行業(yè)進入了多種新型需求同時

7、爆發(fā)的新一輪上行周期。4、全球半導(dǎo)體行業(yè)區(qū)域轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體行業(yè)具有生產(chǎn)技術(shù)工序多、產(chǎn)品種類多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高風(fēng)險大、下游應(yīng)用廣泛等特點，疊加下游新興應(yīng)用市場的不斷涌現(xiàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈從集成化到垂直化分工的趨勢越來越明確，并經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次為20世紀(jì)70年代從美國向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀(jì)80年代向韓國與中國臺灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球半導(dǎo)體行業(yè)正在開始第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向中國大陸轉(zhuǎn)移。歷史上兩次成功的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動了目標(biāo)國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、垂直化分工進程的推進和資源優(yōu)化配置。對于產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的目標(biāo)國，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往從封裝測試向芯片制造與設(shè)計延伸，擴展至半導(dǎo)體材料與設(shè)備，最終實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)

8、鏈的整體發(fā)展。與發(fā)達國家和地區(qū)相比，目前中國大陸在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分工仍處于前期，半導(dǎo)體材料和設(shè)備行業(yè)將成為未來增長的重點。受益于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，中國大陸作為全球最大半導(dǎo)體終端產(chǎn)品消費市場，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模不斷擴大，隨著國際產(chǎn)能不斷向中國轉(zhuǎn)移，中資、外資半導(dǎo)體企業(yè)紛紛在中國投資建廠，中國大陸半導(dǎo)體硅片需求將不斷增長。5、政策推動中國半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)是中國電子信息產(chǎn)業(yè)的重要增長點、驅(qū)動力。近年來，中國政府頒布了一系列政策支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。2016年，全國人大發(fā)布中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要，明確將培育集成電路產(chǎn)業(yè)體系、大力推進先進半導(dǎo)體等新興

9、前沿領(lǐng)域創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化作為中國近期發(fā)展重點。2017年，科技部將300mm硅片大生產(chǎn)線的應(yīng)用并實現(xiàn)規(guī)?；N售列為“十三五”先進制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃。2018年，國務(wù)院將推動集成電路、新材料等產(chǎn)業(yè)發(fā)展列入2018年政府工作報告。2014年，隨著國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的設(shè)立，各地方亦紛紛設(shè)立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金。半導(dǎo)體硅片作為集成電路基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性材料，屬于國家行業(yè)政策與資金重點支持發(fā)展的領(lǐng)域。二、 半導(dǎo)體硅片需求情況90%以上的芯片需要使用半導(dǎo)體硅片制造。半導(dǎo)體硅片企業(yè)的下游客戶是芯片制造企業(yè)，包括大型綜合晶圓代工企業(yè)及專注于存儲器制造、傳感器制造與射頻芯片制造等領(lǐng)域的芯片制造企業(yè)。半導(dǎo)體硅片

10、的終端應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋智能手機、便攜式設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事、航空航天等眾多行業(yè)。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，新興終端市場還將不斷涌現(xiàn)。1、下游產(chǎn)能情況（1）芯片制造產(chǎn)能情況2017至2020年，全球芯片制造產(chǎn)能（折合成200mm）預(yù)計將從1,985萬片/月增長至2,407萬片/月，年均復(fù)合增長率6.64%；中國芯片制造產(chǎn)能從276萬片/月增長至460萬片/月，年均復(fù)合增長率18.50%。近年來，隨著中芯國際、華力微電子、長江存儲、華虹宏力等中國大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴產(chǎn)，中國大陸芯片制造產(chǎn)能增速高于全球芯片產(chǎn)能增速。隨著芯片制造產(chǎn)能的增長，對于半導(dǎo)體硅片的需求仍將持續(xù)增長。

11、目前，中國大陸企業(yè)的300mm芯片制造產(chǎn)能低于200mm芯片制造產(chǎn)能。隨著中國大陸芯片制造企業(yè)技術(shù)實力的不斷提升，預(yù)計到2020年，中國大陸企業(yè)300mm制造芯片產(chǎn)能將會超過200mm制造芯片制造產(chǎn)能。（2）半導(dǎo)體器件需求增速情況3DNAND存儲器芯片主要使用300mm拋光片。近年來，3DNAND存儲器的產(chǎn)能快速增長，其主要原因是用于大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長以及智能手機與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升。SEMI預(yù)計，2019年3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能增速將達4.01%，3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能的快速增長將拉動對300mm拋光片的需求。圖像傳感器主要

12、使用各尺寸外延片、SOI硅片。圖像傳感器用于將光學(xué)影像轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號，在智能手機、汽車電子、視頻監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)中廣泛應(yīng)用。隨著多攝像頭手機成為市場的主流產(chǎn)品，預(yù)計2019年圖像傳感器產(chǎn)能增速將達到21%，圖像傳感器將成為半導(dǎo)體行業(yè)近年增長最強勁的細分領(lǐng)域之一。功率器件主要用于電子電力的開關(guān)、功率轉(zhuǎn)換、功率放大、線路保護等，是在電力控制電路和電源開關(guān)電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光片與SOI硅片。2、全球晶圓代工市場規(guī)模2016年、2017年、2018年，全球晶圓代工市場規(guī)模分別為500.05億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復(fù)合增長率7.45%。根據(jù)ICIn

13、sights統(tǒng)計，受益于中國近年來IC設(shè)計公司數(shù)量的增長、規(guī)模的擴張，中國晶圓代工企業(yè)業(yè)務(wù)規(guī)模隨之?dāng)U大。2017年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增長30%，實現(xiàn)收入75.72億美元；2018年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增速進一步提高，高達41%，是2018年全球晶圓代工市場規(guī)模增速5%的8倍，實現(xiàn)收入106.90億美元。3、半導(dǎo)體芯片制造市場規(guī)模根據(jù)WSTS分類標(biāo)準(zhǔn)，半導(dǎo)體芯片主要可分為集成電路、分立器件、傳感器與光電子器件四種類別，其中，集成電路包括存儲器、模擬芯片、邏輯芯片與微處理器。2018年，全球半導(dǎo)體銷售額4,687.78億美元，其中，集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3

14、,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元。（1）集成電路市場規(guī)模2016年至2018年，在大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長，以及智能手機與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升的帶動下，存儲器銷售額由767.67億美元大幅增長至1,579.67億美元，年均復(fù)合增長率43.45%。（2）傳感器市場規(guī)模2016年至2018年，傳感器銷售額從108.21億美元上升至133.56億美元，年均復(fù)合增長率達11.10%。傳感器主要包括單一材料傳感器、復(fù)合材料CMOS傳感器與MEMS傳感器。隨著多攝像頭手機的普及，CMOS圖像傳感器增長迅速；

15、手機新增的指紋識別功能也增加了對于傳感器的需求；自動駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，增加了對圖像傳感器、激光雷達、超聲波傳感器多種類型傳感器的需求。三、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況1、半導(dǎo)體簡介半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的材料。常見的半導(dǎo)體包括硅、鍺等元素半導(dǎo)體及砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體。半導(dǎo)體是電子產(chǎn)品的核心，是信息產(chǎn)業(yè)的基石，亦被稱為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)難度高、投資規(guī)模大、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)長、產(chǎn)品種類多、更新迭代快、下游應(yīng)用廣泛的特點，產(chǎn)業(yè)鏈呈垂直化分工格局。半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含設(shè)計、制造和封裝測試環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材料和設(shè)備屬于芯片制造、封測的支撐性行業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移

16、動通信、計算機、汽車電子、醫(yī)療電子、工業(yè)電子、人工智能、軍工航天等行業(yè)。2、半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況2018年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額4,687.78億美元，同比增長13.72%；中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額1,581.00億美元，同比增長20.22%。2008至2018年，中國半導(dǎo)體行業(yè)在國家產(chǎn)業(yè)政策、下游終端應(yīng)用市場發(fā)展的驅(qū)動下迅速擴張，占全球半導(dǎo)體行業(yè)的比重比從18.16%上升至33.73%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)中的重要性日益上升。半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)?？傮w呈波動上升趨勢，與宏觀經(jīng)濟、下游應(yīng)用需求以及自身產(chǎn)能庫存等因素密切相關(guān)。盡管半導(dǎo)體行業(yè)長期處于增長態(tài)勢，但短期需求呈現(xiàn)一定的波動性。2009年，受全球經(jīng)濟危機

17、影響，全球GDP同比下降1.76%，半導(dǎo)體行業(yè)銷售額同比下降9.00%；2010年，宏觀經(jīng)濟回暖，全球GDP同比增長4.32%，半導(dǎo)體行業(yè)銷售額因宏觀經(jīng)濟上行與第四代iPhone、第一代iPad等終端電子產(chǎn)品的興起，同比增速高達31.80%，處于歷史增長高位；2011年至2016年，全球GDP以3%左右的增長率低速發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)銷售額增速亦在10%以下。2017年，全球GDP增速3.14%，但因半導(dǎo)體產(chǎn)品終端市場需求強勁，下游傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域計算機、移動通信、固態(tài)硬盤、工業(yè)電子市場持續(xù)增長，新興應(yīng)用領(lǐng)域如人工智能、區(qū)塊鏈、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子的快速發(fā)展，全球半導(dǎo)體銷售收入實現(xiàn)21.60%的年增長率，

18、標(biāo)志著全球半導(dǎo)體行業(yè)進入了新一輪的、受終端需求驅(qū)動的上行周期。WSTS預(yù)測2019年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為4,065.87億美元，同比下降13.30%，并預(yù)測2020年全球半導(dǎo)體市場將出現(xiàn)反彈，市場規(guī)模達4,260.75億美元，同比上升4.8%。雖然中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模持續(xù)擴張，但中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依然嚴(yán)重依賴進口。根據(jù)海關(guān)總署統(tǒng)計，2018年，中國集成電路進口金額達3,120.58億美元，連續(xù)第四年超過原油進口金額，位列中國進口商品第一位，并且貿(mào)易逆差還在不斷擴大。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進程嚴(yán)重滯后于國內(nèi)快速增長的市場需求，中國半導(dǎo)體企業(yè)進口替代空間巨大。當(dāng)前，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵階

19、段，實現(xiàn)核心技術(shù)的“自主可控”是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)階段最重要的目標(biāo)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)按產(chǎn)品類別可分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器四類。2018年，全球集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元，較2017年分別增長14.60%、9.25%、11.32%和6.24%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)占比分別為83.90%、8.11%、5.14%和2.85%。集成電路系半導(dǎo)體行業(yè)中增速最快、占比最高的行業(yè)。3、半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展情況半導(dǎo)體材料包括半導(dǎo)體制造材料與半導(dǎo)體封測材料。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2018年全球半導(dǎo)體制造材料

20、市場規(guī)模為330.18億美元，同比增長17.14%；全球半導(dǎo)體封裝測試材料市場規(guī)模預(yù)計為197.01億美元，同比增長3.02%。2009年至今，制造材料市場規(guī)模增速一直高于封測材料市場增速。2009年，制造材料市場規(guī)模與封測材料市場規(guī)模相當(dāng)，經(jīng)過近十年發(fā)展，制造材料市場規(guī)模是封測材料市場規(guī)模的1.68倍。半導(dǎo)體制造材料主要包括硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學(xué)品、拋光材料、光刻膠、濕法化學(xué)品與濺射靶材等。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2018年硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學(xué)品的銷售額分別為120.98億美元、42.73億美元、40.41億美元、22.76億美元，分別占全球半導(dǎo)體制造材料行業(yè)36

21、.64%、12.94%、12.24%、6.89%的市場份額。半導(dǎo)體硅片占比最高，為半導(dǎo)體制造的核心材料。四、 項目實施的必要性（一）提升公司核心競爭力項目的投資，引入資金的到位將改善公司的資產(chǎn)負(fù)債結(jié)構(gòu)，補充流動資金將提高公司應(yīng)對短期流動性壓力的能力，降低公司財務(wù)費用水平，提升公司盈利能力，促進公司的進一步發(fā)展。同時資金補充流動資金將為公司未來成為國際領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)服務(wù)商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅實支持，提高公司核心競爭力。第二章 建設(shè)單位基本情況一、 公司基本信息1、公司名稱：xxx有限責(zé)任公司2、法定代表人：于xx3、注冊資本：1330萬元4、統(tǒng)一社會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關(guān)：xxx

22、市場監(jiān)督管理局6、成立日期：2013-10-237、營業(yè)期限：2013-10-23至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區(qū)xx9、經(jīng)營范圍：從事半導(dǎo)體硅片相關(guān)業(yè)務(wù)（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。）二、 公司簡介企業(yè)履行社會責(zé)任，既是實現(xiàn)經(jīng)濟、環(huán)境、社會可持續(xù)發(fā)展的必由之路，也是實現(xiàn)企業(yè)自身可持續(xù)發(fā)展的必然選擇；既是順應(yīng)經(jīng)濟社會發(fā)展趨勢的外在要求，也是提升企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力的內(nèi)在需求；既是企業(yè)轉(zhuǎn)變發(fā)展方式、實現(xiàn)科學(xué)發(fā)展的重要途徑，也是企業(yè)國際化發(fā)展的戰(zhàn)略需要。遵循“奉獻能源、創(chuàng)造

23、和諧”的企業(yè)宗旨，公司積極履行社會責(zé)任，依法經(jīng)營、誠實守信，節(jié)約資源、保護環(huán)境，以人為本、構(gòu)建和諧企業(yè)，回饋社會、實現(xiàn)價值共享，致力于實現(xiàn)經(jīng)濟、環(huán)境和社會三大責(zé)任的有機統(tǒng)一。公司把建立健全社會責(zé)任管理機制作為社會責(zé)任管理推進工作的基礎(chǔ)，從制度建設(shè)、組織架構(gòu)和能力建設(shè)等方面著手，建立了一套較為完善的社會責(zé)任管理機制。公司滿懷信心，發(fā)揚“正直、誠信、務(wù)實、創(chuàng)新”的企業(yè)精神和“追求卓越，回報社會” 的企業(yè)宗旨，以優(yōu)良的產(chǎn)品服務(wù)、可靠的質(zhì)量、一流的服務(wù)為客戶提供更多更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品及服務(wù)。三、 公司競爭優(yōu)勢（一）公司具有技術(shù)研發(fā)優(yōu)勢，創(chuàng)新能力突出公司在研發(fā)方面投入較高，持續(xù)進行研究開發(fā)與技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，形

24、成企業(yè)核心的自主知識產(chǎn)權(quán)。公司產(chǎn)品在行業(yè)中的始終保持良好的技術(shù)與質(zhì)量優(yōu)勢。此外，公司目前主要生產(chǎn)線為使用自有技術(shù)開發(fā)而成。（二）公司擁有技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品應(yīng)用與市場開拓并進的核心團隊公司的核心團隊由多名具備行業(yè)多年研發(fā)、經(jīng)營管理與市場經(jīng)驗的資深人士組成，與公司利益捆綁一致。公司穩(wěn)定的核心團隊促使公司形成了高效務(wù)實、團結(jié)協(xié)作的企業(yè)文化和穩(wěn)定的干部隊伍，為公司保持持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和不斷擴張?zhí)峁┝吮匾娜肆Y源保障。（三）公司具有優(yōu)質(zhì)的行業(yè)頭部客戶群體公司憑借出色的技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)，樹立了良好的品牌形象，獲得了較高的客戶認(rèn)可度。公司通過與優(yōu)質(zhì)客戶保持穩(wěn)定的合作關(guān)系，對于行業(yè)的核心需求、產(chǎn)品變化趨勢、

25、最新技術(shù)要求的理解更為深刻，有利于研發(fā)生產(chǎn)更符合市場需求產(chǎn)品，提高公司的核心競爭力。（四）公司在行業(yè)中占據(jù)較為有利的競爭地位公司經(jīng)過多年深耕，已在技術(shù)、品牌、運營效率等多方面形成競爭優(yōu)勢；同時隨著行業(yè)的深度整合，行業(yè)集中度提升，下游客戶為保障其自身原材料供應(yīng)的安全與穩(wěn)定，在現(xiàn)有競爭格局下對于公司產(chǎn)品的需求亦不斷提升。公司較為有利的競爭地位是長期可持續(xù)發(fā)展的有力支撐。四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額8291.526633.226218.64負(fù)債總額2918.522334.822188.89股東權(quán)益合計5373.00429

26、8.404029.75公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入20386.2616309.0115289.69營業(yè)利潤3636.912909.532727.68利潤總額3111.212488.972333.41凈利潤2333.411820.061680.06歸屬于母公司所有者的凈利潤2333.411820.061680.06五、 核心人員介紹1、于xx，1974年出生，研究生學(xué)歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責(zé)任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責(zé)任公司銷售部副經(jīng)理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長、部長；2019年8

27、月至今任公司監(jiān)事會主席。2、金xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1961年出生，本科學(xué)歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經(jīng)理。2017年8月至今任公司獨立董事。3、邱xx，1957年出生，大專學(xué)歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2018年3月至今任公司董事。4、史xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1970年出生，碩士研究生學(xué)歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨立董事。5、戴xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1971年出生，本科學(xué)歷，中級會計師職稱。2002年6月至2011

28、年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司財務(wù)經(jīng)理。2017年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、財務(wù)總監(jiān)。6、薛xx，中國國籍，1976年出生，本科學(xué)歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長、總經(jīng)理。7、方xx，中國國籍，1978年出生，本科學(xué)歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至

29、今任公司獨立董事。8、任xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1959年出生，大專學(xué)歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術(shù)顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、總工程師。六、 經(jīng)營宗旨公司通過整合資源，實現(xiàn)產(chǎn)品化、智能化和平臺化。七、 公司發(fā)展規(guī)劃（一）戰(zhàn)略目標(biāo)與發(fā)展規(guī)劃公司致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供高質(zhì)量產(chǎn)品、技術(shù)服務(wù)與整體解決方案，為成為百億級產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。（二）措施及實施效果公司立足于本行業(yè)，以先進的技術(shù)和高品質(zhì)的產(chǎn)品滿足產(chǎn)品日益提升的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)進步要求，為國內(nèi)外生產(chǎn)

30、商率先提供多種產(chǎn)品，為提升轉(zhuǎn)換率和品質(zhì)保證以及成本降低持續(xù)做出貢獻，同時通過與產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)客戶緊密合作，為公司帶來穩(wěn)定的業(yè)務(wù)增長和持續(xù)的收益。公司通過產(chǎn)品和商業(yè)模式的不斷創(chuàng)新以及與產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)深度融合，建立創(chuàng)新引領(lǐng)、合作共贏的模式，再造行業(yè)新格局。（三）未來規(guī)劃采取的措施公司始終秉持提供性價比最優(yōu)的產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)的理念，充分發(fā)揮公司在技術(shù)以及膜工藝技術(shù)的扎實基礎(chǔ)及創(chuàng)新能力，為成為百億級產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。在近期的三至五年，公司聚焦于產(chǎn)業(yè)的研發(fā)、智能制造和銷售，在消費升級帶來的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整所需的領(lǐng)域積極布局。致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供中高端技術(shù)服務(wù)與整體解決方案。在未來的五至十年，以蓬勃發(fā)展

31、的中國市場為核心，利用中國“一帶一路”發(fā)展機遇，利用獨立創(chuàng)新、聯(lián)合開發(fā)、并購和收購等多種方法，掌握國際領(lǐng)先的技術(shù)，使得公司真正成為國際領(lǐng)先的創(chuàng)新型企業(yè)。第三章 行業(yè)、市場分析一、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點為1,415，高于鍺的熔點937，較高的熔點使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這

32、會導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制

33、成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個月就提升一倍，相應(yīng)的集

34、成電路性能增強一倍，成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低

35、。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配?？紤]到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時間較早，絕大部分設(shè)

36、備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲器、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲器、MEMS、顯示驅(qū)動芯片與指紋識別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要

37、為移動通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機、計算機、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會使集成電路布線圖發(fā)生

38、變形、錯位，這對硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器

39、芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層

40、實現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強等優(yōu)點。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。二、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點為1,415，高于鍺的熔點937，較高的熔點使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制

41、作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這會導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999

42、999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成

43、電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強一倍，成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向

44、發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直

45、徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配。考慮到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲器、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特

46、殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲器、MEMS、顯示驅(qū)動芯片與指紋識別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機、計算機、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化

47、、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯位，這對硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要

48、求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使

49、用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強等優(yōu)點。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。第四章 發(fā)展規(guī)劃分析一、 公司發(fā)展規(guī)劃（一）戰(zhàn)略目標(biāo)與發(fā)展規(guī)劃公司致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供高質(zhì)量產(chǎn)品、技術(shù)服務(wù)與整體解決方案，為

50、成為百億級產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。（二）措施及實施效果公司立足于本行業(yè)，以先進的技術(shù)和高品質(zhì)的產(chǎn)品滿足產(chǎn)品日益提升的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)進步要求，為國內(nèi)外生產(chǎn)商率先提供多種產(chǎn)品，為提升轉(zhuǎn)換率和品質(zhì)保證以及成本降低持續(xù)做出貢獻，同時通過與產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)客戶緊密合作，為公司帶來穩(wěn)定的業(yè)務(wù)增長和持續(xù)的收益。公司通過產(chǎn)品和商業(yè)模式的不斷創(chuàng)新以及與產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)深度融合，建立創(chuàng)新引領(lǐng)、合作共贏的模式，再造行業(yè)新格局。（三）未來規(guī)劃采取的措施公司始終秉持提供性價比最優(yōu)的產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)的理念，充分發(fā)揮公司在技術(shù)以及膜工藝技術(shù)的扎實基礎(chǔ)及創(chuàng)新能力，為成為百億級產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。在近期的三至五年，公司聚焦于產(chǎn)業(yè)的研發(fā)、

51、智能制造和銷售，在消費升級帶來的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整所需的領(lǐng)域積極布局。致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供中高端技術(shù)服務(wù)與整體解決方案。在未來的五至十年，以蓬勃發(fā)展的中國市場為核心，利用中國“一帶一路”發(fā)展機遇，利用獨立創(chuàng)新、聯(lián)合開發(fā)、并購和收購等多種方法，掌握國際領(lǐng)先的技術(shù)，使得公司真正成為國際領(lǐng)先的創(chuàng)新型企業(yè)。二、 保障措施(一)加大科研力度，推動產(chǎn)業(yè)配套加強關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)和成果轉(zhuǎn)化，加快技術(shù)研發(fā)推廣，對符合條件的項目，優(yōu)先列入各級科技專項計劃，優(yōu)先給予成果獎勵。積極開展新技術(shù)、新產(chǎn)品、新材料和新工藝的研發(fā)。(二)加大資金投入根據(jù)實際需求調(diào)整產(chǎn)業(yè)資金規(guī)模，設(shè)立產(chǎn)業(yè)工作專項資金。加大產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略實施資金投入，

52、重點用于實施轉(zhuǎn)化、構(gòu)建支撐體系、加強宣傳培訓(xùn)、加大獎勵力度等方面。引導(dǎo)企業(yè)增加產(chǎn)業(yè)投入。大力發(fā)展產(chǎn)業(yè)質(zhì)押融資、產(chǎn)業(yè)保險等金融創(chuàng)新，形成多渠道的產(chǎn)業(yè)投入體系。吸引社會資本參與產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資、風(fēng)險投資等。(三)加強人才智力支撐打造新型企業(yè)家培養(yǎng)工程升級版，探索建立與國際接軌的專業(yè)人才聘用和激勵機制，重點引進并支持海外高層次人才和團隊來本地創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。深入推進國家現(xiàn)代職業(yè)教育改革創(chuàng)新示范區(qū)建設(shè)，加快發(fā)展現(xiàn)代職業(yè)教育，大力培育高素質(zhì)勞動大軍，全面提升技術(shù)技能人才質(zhì)量，切實為發(fā)展先進產(chǎn)業(yè)提供智力和人才保障。(四)強化監(jiān)測評估加強對規(guī)劃實施的監(jiān)測評估，建立和完善與經(jīng)濟發(fā)展?fàn)顩r相適應(yīng)的產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計與監(jiān)測指標(biāo)體系。加

53、強產(chǎn)業(yè)調(diào)查統(tǒng)計，監(jiān)督評估主要目標(biāo)和任務(wù)的實施狀況，開展產(chǎn)業(yè)對經(jīng)濟增長貢獻度研究評估，定期編制發(fā)布與區(qū)域重點產(chǎn)業(yè)等有關(guān)的產(chǎn)業(yè)報告及產(chǎn)業(yè)密集型產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告，形成常態(tài)化、制度化、規(guī)范化的產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計體系。(五)改善行業(yè)管理完善運行監(jiān)測體系，加強運行監(jiān)測，定期發(fā)布行業(yè)信息，促進行業(yè)平穩(wěn)運行。加強行業(yè)管理，注重發(fā)揮行業(yè)協(xié)會等中介組織在加強信息交流、行業(yè)自律、企業(yè)維權(quán)等方面的積極作用。(六)深化管理體制改革加快轉(zhuǎn)變部門職能，積極推進行業(yè)領(lǐng)域事項改革，完善市場準(zhǔn)入制度，加強誠信體系建設(shè)，營造公平競爭的市場環(huán)境。第五章 原輔材料分析一、 項目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況本期項目在施工期間所需的原輔材料主要是：混凝土、水

54、泥、砂石等建筑材料，建設(shè)地周邊市場均有供貨廠家（商戶），完全能夠滿足項目建設(shè)的需求。二、 項目運營期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理（一）主要原材料供應(yīng)本期工程項目原材料及輔助材料均在國內(nèi)市場采購，主要原材料及輔助材料是：脂肪酸聚氧、乙烯醚水、脂肪醇聚氧、乙烯醚、脂肪酸聚氧、仲烷基磺酸鈉、脂肪醇聚氧、脂肪酸聚氧、滲透劑、水、消泡劑、天然氣、氨基改性硅油、非離子乳化劑、冰醋酸、多元嵌段硅油、非離子乳化劑、氨基改性硅油、多元嵌段硅油等若干，xxx有限責(zé)任公司擁有穩(wěn)定的供應(yīng)渠道并且和這些供應(yīng)商建立了比較密切的上下游客戶關(guān)系。（二）主要原材料及輔助材料管理1、本期工程項目原料采購后應(yīng)按質(zhì)量（等級）要求貯存在原料

55、倉庫內(nèi)，同時，對輔助材料購置的要求均為事先檢驗以保證輔助材料的質(zhì)量和生產(chǎn)需要，不合格原材料不得進入公司倉庫，應(yīng)嚴(yán)把原材料質(zhì)量關(guān)，確保產(chǎn)品生產(chǎn)質(zhì)量。2、按目前市場的需求情況，原料存儲時間約為20天至30天，存放在原料倉庫內(nèi)；本期工程項目將建設(shè)原料倉庫和輔助材料倉庫，以滿足本期工程項目生產(chǎn)的需要。3、原材料倉庫按品種分類存儲；庫內(nèi)原輔材料的保管應(yīng)按批號分存，建立嚴(yán)格的入庫、分發(fā)制度，堅決杜絕分發(fā)差錯，堅決杜絕因混批錯號、混用原材料而造成的質(zhì)量事故。第六章 項目風(fēng)險評估一、 項目風(fēng)險分析（一）政策風(fēng)險分析項目所處區(qū)域其自然環(huán)境、經(jīng)濟環(huán)境、社會環(huán)境和投資環(huán)境較好，改革開放以來，國內(nèi)政局穩(wěn)定，法律法規(guī)日

56、臻完善，因此，該項目政策風(fēng)險較小。（二）市場風(fēng)險分析該項目雖然暫時擁有領(lǐng)先的競爭地位和優(yōu)勢，但仍需密切關(guān)注市場，加快產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化進程并盡早達到規(guī)?；a(chǎn)，確保性價比優(yōu)勢，真正占據(jù)國內(nèi)較大比例市場份額，同時力爭出口。因此，產(chǎn)業(yè)化進程的速度與質(zhì)量是本項目必須迎接的挑戰(zhàn)與風(fēng)險。雖然今后幾年該項目應(yīng)用產(chǎn)品需求將會持續(xù)一波增長趨勢，但目前劇烈的市場競爭局面使得本項目存在一定的市場風(fēng)險。（三）技術(shù)風(fēng)險分析技術(shù)風(fēng)險的規(guī)避措施是采用先進的生產(chǎn)管理理念、先進的制造工藝技術(shù)、完善的質(zhì)量檢測體系，使產(chǎn)品達到國內(nèi)外領(lǐng)先水平。要進一步加大技術(shù)開發(fā)的投入，積極研究吸收國際先進技術(shù)，完善并固化加工制造工藝，挖掘自身潛力，打造

57、自己核心競爭力。目前技術(shù)飛速發(fā)展，設(shè)備更新和產(chǎn)品技術(shù)升級換代迅速。要使產(chǎn)品和技術(shù)在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先地位，就要不斷加大科研開發(fā)投入，加強科研開發(fā)力量，致力技術(shù)創(chuàng)造，保持技術(shù)領(lǐng)先。同時，重視人才競爭，學(xué)習(xí)國外人才資料管理先進經(jīng)驗，形成積極進取的企業(yè)文化，建立吸引和穩(wěn)定人才的內(nèi)部激勵和約束機制。（四）產(chǎn)品風(fēng)險分析該項目的幾種產(chǎn)品都是比較成熟的產(chǎn)品，但仍要根據(jù)市場不斷改進。（五）價格風(fēng)險分析本項目產(chǎn)品的市場定價均比目前市場價要低，但隨著競爭對手的增加，不可避免地會遭遇到最終的價格競爭，面臨調(diào)低售價的壓力；同時，市場原材料價格的波動也將直接影響產(chǎn)品成本，對產(chǎn)品價格帶來不確定影響。因此，應(yīng)從形成規(guī)模化生產(chǎn)、降低生產(chǎn)成本、加強內(nèi)部管理、改進生產(chǎn)工藝水平、提高產(chǎn)品質(zhì)量、實施品牌計劃生產(chǎn)方面采取措施，削減產(chǎn)品價格風(fēng)險。（六）經(jīng)營管理風(fēng)險分析項目面臨的經(jīng)營風(fēng)險主要是指企業(yè)運營不當(dāng)造成大量存貨、營運資金短缺、產(chǎn)品生產(chǎn)安排失調(diào)等問題。對于經(jīng)營管理風(fēng)險，建議企業(yè)吸引人才加快機制及科技創(chuàng)新，盡快建立健全各項規(guī)章制度，全面提高管理人員和廣大職工的素質(zhì)，制定嚴(yán)格的成本控制措施和責(zé)任制；穩(wěn)定原料供應(yīng)渠道；加速新品種的開發(fā)，及時根據(jù)形勢調(diào)節(jié)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品質(zhì)量；完善產(chǎn)、供、銷網(wǎng)絡(luò)管理系統(tǒng)，積極開拓市場渠道，搶占市場先機；避免行業(yè)風(fēng)險，走可持續(xù)發(fā)展道