半導(dǎo)體芯片項目融資報告【范文】_第1頁
半導(dǎo)體芯片項目融資報告【范文】_第2頁
半導(dǎo)體芯片項目融資報告【范文】_第3頁
半導(dǎo)體芯片項目融資報告【范文】_第4頁
半導(dǎo)體芯片項目融資報告【范文】_第5頁
已閱讀5頁,還剩94頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、泓域咨詢 /半導(dǎo)體芯片項目融資報告半導(dǎo)體芯片項目融資報告xx投資管理公司目錄第一章 項目緒論6一、 項目名稱及項目單位6二、 項目建設(shè)地點(diǎn)6三、 可行性研究范圍6四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則7五、 建設(shè)背景、規(guī)模8六、 項目建設(shè)進(jìn)度9七、 原輔材料及設(shè)備9八、 環(huán)境影響10九、 建設(shè)投資估算10十、 項目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)11十一、 主要結(jié)論及建議12第二章 行業(yè)、市場分析13一、 半導(dǎo)體硅片行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展前景13二、 半導(dǎo)體硅片行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展前景17三、 半導(dǎo)體硅片行業(yè)技術(shù)水平及技術(shù)特點(diǎn)21第三章 建筑技術(shù)分析23一、 項目工程設(shè)計總體要求23二、 建設(shè)方案23三、 建筑工程建設(shè)指標(biāo)26第四章 建

2、設(shè)內(nèi)容與產(chǎn)品方案28一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容28二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)28第五章 法人治理30一、 股東權(quán)利及義務(wù)30二、 董事33三、 高級管理人員38四、 監(jiān)事40第六章 SWOT分析說明43一、 優(yōu)勢分析(S)43二、 劣勢分析(W)45三、 機(jī)會分析(O)45四、 威脅分析(T)46第七章 進(jìn)度計劃方案52一、 項目進(jìn)度安排52二、 項目實(shí)施保障措施52第八章 環(huán)境保護(hù)分析54一、 編制依據(jù)54二、 建設(shè)期大氣環(huán)境影響分析55三、 建設(shè)期水環(huán)境影響分析58四、 建設(shè)期固體廢棄物環(huán)境影響分析59五、 建設(shè)期聲環(huán)境影響分析59六、 營運(yùn)期環(huán)境影響60七、 環(huán)境管理分析62八、 結(jié)

3、論65九、 建議65第九章 投資估算67一、 投資估算的依據(jù)和說明67二、 建設(shè)投資估算68三、 建設(shè)期利息70四、 流動資金71五、 總投資72六、 資金籌措與投資計劃73第十章 項目經(jīng)濟(jì)效益評價75一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取75二、 經(jīng)濟(jì)評價財務(wù)測算75三、 項目盈利能力分析79四、 財務(wù)生存能力分析82五、 償債能力分析82六、 經(jīng)濟(jì)評價結(jié)論84第十一章 總結(jié)分析85第十二章 附表附件87第一章 項目緒論一、 項目名稱及項目單位項目名稱:半導(dǎo)體芯片項目項目單位:xx投資管理公司二、 項目建設(shè)地點(diǎn)本期項目選址位于xx(以選址意見書為準(zhǔn)),占地面積約16.00畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)

4、越,交通便利,規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備,非常適宜本期項目建設(shè)。三、 可行性研究范圍1、項目背景及市場預(yù)測分析;2、建設(shè)規(guī)模的確定;3、建設(shè)場地及建設(shè)條件;4、工程設(shè)計方案;5、節(jié)能;6、環(huán)境保護(hù)、勞動安全、衛(wèi)生與消防;7、組織機(jī)構(gòu)與人力資源配置;8、項目招標(biāo)方案;9、投資估算和資金籌措;10、財務(wù)分析。四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則(一)編制依據(jù)1、中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展“十三五”規(guī)劃綱要;2、建設(shè)項目經(jīng)濟(jì)評價方法與參數(shù)及使用手冊(第三版);3、工業(yè)可行性研究編制手冊;4、現(xiàn)代財務(wù)會計;5、工業(yè)投資項目評價與決策;6、國家及地方有關(guān)政策、法規(guī)、規(guī)劃;7、項目建設(shè)地總體規(guī)劃及

5、控制性詳規(guī);8、項目建設(shè)單位提供的有關(guān)材料及相關(guān)數(shù)據(jù);9、國家公布的相關(guān)設(shè)備及施工標(biāo)準(zhǔn)。(二)技術(shù)原則1、政策符合性原則:報告的內(nèi)容應(yīng)符合國家產(chǎn)業(yè)政策、技術(shù)政策和行業(yè)規(guī)劃。2、循環(huán)經(jīng)濟(jì)原則:樹立和落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀、構(gòu)建節(jié)約型社會。以當(dāng)?shù)氐馁Y源優(yōu)勢為基礎(chǔ),通過對本項目的工藝技術(shù)方案、產(chǎn)品方案、建設(shè)規(guī)模進(jìn)行合理規(guī)劃,提高資源利用率,減少生產(chǎn)過程的資源和能源消耗延長生產(chǎn)技術(shù)鏈,減少生產(chǎn)過程的污染排放,走出一條有市場、科技含量高、經(jīng)濟(jì)效益好、資源消耗低、環(huán)境污染少、資源優(yōu)勢得到充分發(fā)揮的新型工業(yè)化路子,實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。3、工藝先進(jìn)性原則:按照“工藝先進(jìn)、技術(shù)成熟、裝置可靠、經(jīng)濟(jì)運(yùn)行合理”的原則,積極應(yīng)用

6、當(dāng)今的各項先進(jìn)工藝技術(shù)、環(huán)境技術(shù)和安全技術(shù),能耗低、三廢排放少、產(chǎn)品質(zhì)量好、經(jīng)濟(jì)效益明顯。4、提高勞動生產(chǎn)率原則:近一步提高信息化水平,切實(shí)達(dá)到提高產(chǎn)品的質(zhì)量、降低成本、減輕工人勞動強(qiáng)度、降低工廠定員、保證安全生產(chǎn)、提高勞動生產(chǎn)率的目的。5、產(chǎn)品差異化原則:認(rèn)真分析市場需求、了解市場的區(qū)域性差別、針對產(chǎn)品的差異化要求、區(qū)異化的特點(diǎn),來設(shè)計不同品種、不同的規(guī)格、不同質(zhì)量的產(chǎn)品以滿足不同用戶的不同要求,以此來擴(kuò)大市場占有率,尋求經(jīng)濟(jì)效益最大化,提高企業(yè)在國內(nèi)外的知名度。五、 建設(shè)背景、規(guī)模(一)項目背景隨著集成電路集成度的不斷提高,其加工線寬逐步縮小,從而對半導(dǎo)體硅片的晶體缺陷控制,以及半導(dǎo)體硅片

7、的加工、清洗、包裝、儲運(yùn)工作提出了更高的要求,特別是對表面附著顆粒和鐵、銅、鉻、鎳、鋁、鈉等微量金屬雜質(zhì)都要求控制在目前分析技術(shù)的檢測極限以下,難度較大。(二)建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案該項目總占地面積10667.00(折合約16.00畝),預(yù)計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積16077.66。其中:生產(chǎn)工程11959.00,倉儲工程1675.57,行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施1480.92,公共工程962.17。項目建成后,形成年產(chǎn)xx萬片半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。六、 項目建設(shè)進(jìn)度結(jié)合該項目建設(shè)的實(shí)際工作情況,xx投資管理公司將項目工程的建設(shè)周期確定為24個月,其工作內(nèi)容包括:項目前期準(zhǔn)備、工程勘察與設(shè)計、土建工程施工、

8、設(shè)備采購、設(shè)備安裝調(diào)試、試車投產(chǎn)等。七、 原輔材料及設(shè)備(一)項目主要原輔材料該項目主要原輔材料包括藍(lán)寶石襯底、三甲基鎵、三乙基鎵、三甲基鋁、三甲基銦、二茂基鎂、二氧化鈦、鉑、鋁、氧化銦錫、緩沖氧化蝕、刻劑、丙酮、異丙醇、光刻膠、顯影劑、去膠液、銀膠、硝酸。(二)主要設(shè)備主要設(shè)備包括:光刻機(jī)、勻膠機(jī)、打膠機(jī)、顯影設(shè)備、金相顯微鏡、拍照顯微鏡、清洗機(jī)、氮化、甩干機(jī)、金屬蒸發(fā)臺、快速退火爐、電感耦合等離子刻蝕機(jī)、退火爐、NANO膜厚儀、四探針。八、 環(huán)境影響本項目生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的“三廢”和產(chǎn)生的噪聲均可得到有效治理和控制,各種污染物排放均滿足國家有關(guān)環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。因此在設(shè)計和建設(shè)中認(rèn)真按“三同時”落實(shí)

9、、執(zhí)行,嚴(yán)格遵守國家關(guān)于基本建設(shè)項目中有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法規(guī)、法令,投產(chǎn)后,在生產(chǎn)中加強(qiáng)管理,不會給周圍生態(tài)環(huán)境帶來顯著影響。九、 建設(shè)投資估算(一)項目總投資構(gòu)成分析本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算,項目總投資6658.69萬元,其中:建設(shè)投資5323.30萬元,占項目總投資的79.95%;建設(shè)期利息105.00萬元,占項目總投資的1.58%;流動資金1230.39萬元,占項目總投資的18.48%。(二)建設(shè)投資構(gòu)成本期項目建設(shè)投資5323.30萬元,包括工程費(fèi)用、工程建設(shè)其他費(fèi)用和預(yù)備費(fèi),其中:工程費(fèi)用4643.14萬元,工程建設(shè)其他費(fèi)用530.50萬元,預(yù)備

10、費(fèi)149.66萬元。十、 項目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)(一)財務(wù)效益分析根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)測算,項目達(dá)產(chǎn)后每年營業(yè)收入11200.00萬元,綜合總成本費(fèi)用9361.81萬元,納稅總額917.97萬元,凈利潤1340.79萬元,財務(wù)內(nèi)部收益率12.84%,財務(wù)凈現(xiàn)值207.89萬元,全部投資回收期7.01年。(二)主要數(shù)據(jù)及技術(shù)指標(biāo)表表格題目主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積10667.00約16.00畝1.1總建筑面積16077.66容積率1.511.2基底面積5866.85建筑系數(shù)55.00%1.3投資強(qiáng)度萬元/畝325.052總投資萬元6658.692.1建設(shè)投資萬元5323.302.1.

11、1工程費(fèi)用萬元4643.142.1.2工程建設(shè)其他費(fèi)用萬元530.502.1.3預(yù)備費(fèi)萬元149.662.2建設(shè)期利息萬元105.002.3流動資金萬元1230.393資金籌措萬元6658.693.1自籌資金萬元4515.853.2銀行貸款萬元2142.844營業(yè)收入萬元11200.00正常運(yùn)營年份5總成本費(fèi)用萬元9361.816利潤總額萬元1787.727凈利潤萬元1340.798所得稅萬元446.939增值稅萬元420.5710稅金及附加萬元50.4711納稅總額萬元917.9712工業(yè)增加值萬元3324.0613盈虧平衡點(diǎn)萬元4757.32產(chǎn)值14回收期年7.01含建設(shè)期24個月15財務(wù)

12、內(nèi)部收益率12.84%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元207.89所得稅后十一、 主要結(jié)論及建議該項目的建設(shè)符合國家產(chǎn)業(yè)政策;同時項目的技術(shù)含量較高,其建設(shè)是必要的;該項目市場前景較好;該項目外部配套條件齊備,可以滿足生產(chǎn)要求;財務(wù)分析表明,該項目具有一定盈利能力。綜上,該項目建設(shè)條件具備,經(jīng)濟(jì)效益較好,其建設(shè)是可行的。第二章 行業(yè)、市場分析一、 半導(dǎo)體硅片行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展前景1、半導(dǎo)體硅片簡介目前,全球半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展到第三代,包括以硅(Si)、鍺(Ge)等為代表的第一代元素半導(dǎo)體材料,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等為代表的第二代化合物半導(dǎo)體材料,以及以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)

13、等為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料。硅材料因其具有單方向?qū)щ娞匦?、熱敏特性、光電特性、摻雜特性等優(yōu)良性能,可以生長為大尺寸高純度晶體,且儲量豐富、價格低廉,故而成為全球應(yīng)用最廣泛、最重要的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。目前全球半導(dǎo)體市場中,90%以上的芯片和傳感器都是基于硅材料制造而成。在自然界中,硅主要以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在于礦物、巖石中。二氧化硅經(jīng)過化學(xué)提純,成為多晶硅。多晶硅根據(jù)其純度由低到高,一般可以分為冶金級、太陽能級和電子級。其中,電子級多晶硅的硅含量最高,一般要求達(dá)到99.9999999%至99.999999999%(9-11個9),也是生產(chǎn)半導(dǎo)體硅片的基礎(chǔ)原料。電子級多晶硅通過在單晶爐內(nèi)

14、的培育生長,生成硅單晶錠,這個過程稱為晶體生長。半導(dǎo)體硅片則是指由硅單晶錠切割而成的薄片,又稱硅晶圓(SiliconWafer)。通過在半導(dǎo)體硅片上進(jìn)行加工制作,從而形成各種電路元件結(jié)構(gòu),可以使其成為有特定功能的集成電路或分立器件產(chǎn)品。作為生產(chǎn)制造各類半導(dǎo)體產(chǎn)品的載體,半導(dǎo)體硅片是半導(dǎo)體行業(yè)最核心的基礎(chǔ)產(chǎn)品??傮w而言,半導(dǎo)體硅片可以按照尺寸、工藝等方式進(jìn)行劃分。按照尺寸劃分,一般可分為12英寸(300mm)、8英寸(200mm)、6英寸(150mm)、5英寸(125mm)、4英寸(100mm)等規(guī)格;按照工藝劃分,一般可分為硅研磨片、硅拋光片、硅外延片等,其中以硅拋光片和硅外延片為主。硅研磨片

15、是指對硅單晶錠進(jìn)行切割、研磨等加工得到的厚度小于1mm的圓形晶片,是制作硅拋光片及硅外延片的中間產(chǎn)品,也可以用于制作分立器件芯片。硅拋光片由硅研磨片經(jīng)過后續(xù)拋光、清洗等精密加工而成,主要應(yīng)用于集成電路和分立器件制造。硅拋光片按照摻雜程度不同分為輕摻硅拋光片和重?fù)焦钂伖馄?,摻雜元素的摻入量越大,硅拋光片的電阻率越低。輕摻硅拋光片廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路的制造,也有部分用作硅外延片的襯底材料。重?fù)焦钂伖馄话阌米鞴柰庋悠囊r底材料。硅外延片是指在硅單晶襯底上外延生長一層或多層硅單晶薄膜的材料,用于制造半導(dǎo)體分立器件和集成電路。根據(jù)襯底片的摻雜濃度不同,分為輕摻雜襯底外延片和重?fù)诫s襯底外延片。前者通

16、過生長高質(zhì)量的外延層,可以提高CMOS柵氧化層完整性、改善溝道漏電、提高集成電路可靠性,后者結(jié)合了重?fù)诫s襯底片和外延層的特點(diǎn),在保證器件反向擊穿電壓的同時又能有效降低器件的正向功耗。2、全球半導(dǎo)體硅片市場現(xiàn)狀及前景近年來,全球半導(dǎo)體硅片市場存在一定的波動。2009年,受經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響,全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模急劇下滑,出貨量下降;2010至2013年,半導(dǎo)體硅片市場隨全球經(jīng)濟(jì)逐漸復(fù)蘇而反彈,同時12英寸大尺寸半導(dǎo)體硅片技術(shù)逐漸普及;2014年至今,受益于通信、計算機(jī)、汽車產(chǎn)業(yè)、消費(fèi)電子、光伏產(chǎn)業(yè)、智能電網(wǎng)、醫(yī)療電子等應(yīng)用領(lǐng)域需求帶動以及人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的崛起,全球半導(dǎo)體硅片出貨量呈現(xiàn)上

17、升趨勢,直至2019年度出現(xiàn)小幅回落。根據(jù)SEMI統(tǒng)計,全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模在2018年大幅增長至113.8億美元后出現(xiàn)小幅回調(diào),2019年為111.5億美元,預(yù)期2020年將達(dá)到114.6億美元。從行業(yè)整體來看,根據(jù)WSTS統(tǒng)計,2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到4,687.78億美元,同比增長13.7%;在2019年回落至與2017年相當(dāng)水平,為4,123.07億美元,同比下降12.0%。根據(jù)WSTS預(yù)測,2020年至2021年,全球半導(dǎo)體規(guī)模仍將保持增長趨勢,預(yù)計增速分別為3.3%和6.2%。從2009年起,12英寸(300mm)半導(dǎo)體硅片逐漸成為全球硅片市場的主流產(chǎn)品,產(chǎn)量明顯呈增長趨

18、勢,預(yù)計到2020年將占市場的75%以上。到2018年,邏輯電路和存儲器占據(jù)了全球半導(dǎo)體市場規(guī)模的一半以上,存儲器連續(xù)兩年貢獻(xiàn)了全球半導(dǎo)體市場規(guī)模的主要增量,該等部分應(yīng)用領(lǐng)域已主要采用12英寸半導(dǎo)體硅片進(jìn)行生產(chǎn)。考慮到在模擬芯片、傳感器及功率器件等領(lǐng)域,用8英寸硅片制作成本最低,2011年以來,8英寸(200mm)半導(dǎo)體硅片出貨量逐年穩(wěn)定上升。6英寸(150mm)及以下尺寸半導(dǎo)體硅片的出貨量相對穩(wěn)定,但占全球硅片出貨量的比例不斷下降。3、我國半導(dǎo)體硅片市場現(xiàn)狀及前景自2014年以來,我國半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模呈穩(wěn)定上升趨勢。根據(jù)ICMtia統(tǒng)計,2018年中國半導(dǎo)體硅片市場需求為172.1億元,預(yù)

19、計2019、2020年的市場需求將分別達(dá)到176.3億元、201.8億元,2014年至2019年的復(fù)合增長率為13.74%。根據(jù)ICMtia統(tǒng)計,2018年我國半導(dǎo)體硅片年產(chǎn)能達(dá)到2,393百萬平方英寸,其中12英寸硅片產(chǎn)能約201百萬平方英寸,8英寸硅片產(chǎn)能約870百萬平方英寸,6英寸硅片產(chǎn)能約886百萬平方英寸,5英寸及以下硅片產(chǎn)能約436百萬平方英寸。6英寸及以下尺寸硅片產(chǎn)能占總產(chǎn)能比重為55.24%,仍是目前國內(nèi)市場的主要產(chǎn)品。未來隨著我國半導(dǎo)體硅片制造企業(yè)研發(fā)及生產(chǎn)能力不斷提升、國際化程度不斷提高,預(yù)計我國8英寸及以上半導(dǎo)體硅片的產(chǎn)能將會有較大的提升。二、 半導(dǎo)體硅片行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展前

20、景1、半導(dǎo)體硅片簡介目前,全球半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展到第三代,包括以硅(Si)、鍺(Ge)等為代表的第一代元素半導(dǎo)體材料,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等為代表的第二代化合物半導(dǎo)體材料,以及以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料。硅材料因其具有單方向?qū)щ娞匦?、熱敏特性、光電特性、摻雜特性等優(yōu)良性能,可以生長為大尺寸高純度晶體,且儲量豐富、價格低廉,故而成為全球應(yīng)用最廣泛、最重要的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。目前全球半導(dǎo)體市場中,90%以上的芯片和傳感器都是基于硅材料制造而成。在自然界中,硅主要以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在于礦物、巖石中。二氧化硅經(jīng)過化學(xué)提純,成為多晶硅。多

21、晶硅根據(jù)其純度由低到高,一般可以分為冶金級、太陽能級和電子級。其中,電子級多晶硅的硅含量最高,一般要求達(dá)到99.9999999%至99.999999999%(9-11個9),也是生產(chǎn)半導(dǎo)體硅片的基礎(chǔ)原料。電子級多晶硅通過在單晶爐內(nèi)的培育生長,生成硅單晶錠,這個過程稱為晶體生長。半導(dǎo)體硅片則是指由硅單晶錠切割而成的薄片,又稱硅晶圓(SiliconWafer)。通過在半導(dǎo)體硅片上進(jìn)行加工制作,從而形成各種電路元件結(jié)構(gòu),可以使其成為有特定功能的集成電路或分立器件產(chǎn)品。作為生產(chǎn)制造各類半導(dǎo)體產(chǎn)品的載體,半導(dǎo)體硅片是半導(dǎo)體行業(yè)最核心的基礎(chǔ)產(chǎn)品。總體而言,半導(dǎo)體硅片可以按照尺寸、工藝等方式進(jìn)行劃分。按照尺

22、寸劃分,一般可分為12英寸(300mm)、8英寸(200mm)、6英寸(150mm)、5英寸(125mm)、4英寸(100mm)等規(guī)格;按照工藝劃分,一般可分為硅研磨片、硅拋光片、硅外延片等,其中以硅拋光片和硅外延片為主。硅研磨片是指對硅單晶錠進(jìn)行切割、研磨等加工得到的厚度小于1mm的圓形晶片,是制作硅拋光片及硅外延片的中間產(chǎn)品,也可以用于制作分立器件芯片。硅拋光片由硅研磨片經(jīng)過后續(xù)拋光、清洗等精密加工而成,主要應(yīng)用于集成電路和分立器件制造。硅拋光片按照摻雜程度不同分為輕摻硅拋光片和重?fù)焦钂伖馄?,摻雜元素的摻入量越大,硅拋光片的電阻率越低。輕摻硅拋光片廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路的制造,也有部分用

23、作硅外延片的襯底材料。重?fù)焦钂伖馄话阌米鞴柰庋悠囊r底材料。硅外延片是指在硅單晶襯底上外延生長一層或多層硅單晶薄膜的材料,用于制造半導(dǎo)體分立器件和集成電路。根據(jù)襯底片的摻雜濃度不同,分為輕摻雜襯底外延片和重?fù)诫s襯底外延片。前者通過生長高質(zhì)量的外延層,可以提高CMOS柵氧化層完整性、改善溝道漏電、提高集成電路可靠性,后者結(jié)合了重?fù)诫s襯底片和外延層的特點(diǎn),在保證器件反向擊穿電壓的同時又能有效降低器件的正向功耗。2、全球半導(dǎo)體硅片市場現(xiàn)狀及前景近年來,全球半導(dǎo)體硅片市場存在一定的波動。2009年,受經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響,全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模急劇下滑,出貨量下降;2010至2013年,半導(dǎo)體硅片市場隨全

24、球經(jīng)濟(jì)逐漸復(fù)蘇而反彈,同時12英寸大尺寸半導(dǎo)體硅片技術(shù)逐漸普及;2014年至今,受益于通信、計算機(jī)、汽車產(chǎn)業(yè)、消費(fèi)電子、光伏產(chǎn)業(yè)、智能電網(wǎng)、醫(yī)療電子等應(yīng)用領(lǐng)域需求帶動以及人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的崛起,全球半導(dǎo)體硅片出貨量呈現(xiàn)上升趨勢,直至2019年度出現(xiàn)小幅回落。根據(jù)SEMI統(tǒng)計,全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模在2018年大幅增長至113.8億美元后出現(xiàn)小幅回調(diào),2019年為111.5億美元,預(yù)期2020年將達(dá)到114.6億美元。從行業(yè)整體來看,根據(jù)WSTS統(tǒng)計,2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到4,687.78億美元,同比增長13.7%;在2019年回落至與2017年相當(dāng)水平,為4,123.07億

25、美元,同比下降12.0%。根據(jù)WSTS預(yù)測,2020年至2021年,全球半導(dǎo)體規(guī)模仍將保持增長趨勢,預(yù)計增速分別為3.3%和6.2%。從2009年起,12英寸(300mm)半導(dǎo)體硅片逐漸成為全球硅片市場的主流產(chǎn)品,產(chǎn)量明顯呈增長趨勢,預(yù)計到2020年將占市場的75%以上。到2018年,邏輯電路和存儲器占據(jù)了全球半導(dǎo)體市場規(guī)模的一半以上,存儲器連續(xù)兩年貢獻(xiàn)了全球半導(dǎo)體市場規(guī)模的主要增量,該等部分應(yīng)用領(lǐng)域已主要采用12英寸半導(dǎo)體硅片進(jìn)行生產(chǎn)??紤]到在模擬芯片、傳感器及功率器件等領(lǐng)域,用8英寸硅片制作成本最低,2011年以來,8英寸(200mm)半導(dǎo)體硅片出貨量逐年穩(wěn)定上升。6英寸(150mm)及以

26、下尺寸半導(dǎo)體硅片的出貨量相對穩(wěn)定,但占全球硅片出貨量的比例不斷下降。3、我國半導(dǎo)體硅片市場現(xiàn)狀及前景自2014年以來,我國半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模呈穩(wěn)定上升趨勢。根據(jù)ICMtia統(tǒng)計,2018年中國半導(dǎo)體硅片市場需求為172.1億元,預(yù)計2019、2020年的市場需求將分別達(dá)到176.3億元、201.8億元,2014年至2019年的復(fù)合增長率為13.74%。根據(jù)ICMtia統(tǒng)計,2018年我國半導(dǎo)體硅片年產(chǎn)能達(dá)到2,393百萬平方英寸,其中12英寸硅片產(chǎn)能約201百萬平方英寸,8英寸硅片產(chǎn)能約870百萬平方英寸,6英寸硅片產(chǎn)能約886百萬平方英寸,5英寸及以下硅片產(chǎn)能約436百萬平方英寸。6英寸及以

27、下尺寸硅片產(chǎn)能占總產(chǎn)能比重為55.24%,仍是目前國內(nèi)市場的主要產(chǎn)品。未來隨著我國半導(dǎo)體硅片制造企業(yè)研發(fā)及生產(chǎn)能力不斷提升、國際化程度不斷提高,預(yù)計我國8英寸及以上半導(dǎo)體硅片的產(chǎn)能將會有較大的提升。三、 半導(dǎo)體硅片行業(yè)技術(shù)水平及技術(shù)特點(diǎn)半導(dǎo)體硅片的核心工藝包括單晶工藝、成型工藝、拋光工藝、外延工藝等,技術(shù)專業(yè)化程度頗高。其中,單晶工藝是指原材料多晶硅通過單晶爐中的晶體生長后形成硅單晶錠的過程,技術(shù)難度較大;成型工藝是指切割、倒角、磨片、酸堿腐蝕后形成硅單晶片的過程;拋光工藝和外延工藝分別指通過拋光工序和外延生長工序最終形成硅拋光片、硅外延片的過程。1、增大半導(dǎo)體硅片的尺寸半導(dǎo)體硅片的大尺寸化是

28、集成電路廠商降低生產(chǎn)成本、提高芯片收得率和提升芯片性能的主要手段,但大尺寸硅片的工藝路線和機(jī)器設(shè)備均有所不同,因而帶來了更高的技術(shù)難度。日本、美國、德國等國家的先進(jìn)半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)企業(yè)對于12英寸半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)已較為成熟。在此基礎(chǔ)上,上述國際先進(jìn)半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)企業(yè)正在積極研發(fā)12英寸以上更大尺寸的半導(dǎo)體硅片,目前研發(fā)水平已經(jīng)達(dá)到18英寸。2、減少半導(dǎo)體硅片晶體缺陷、表面顆粒和雜質(zhì)隨著集成電路集成度的不斷提高,其加工線寬逐步縮小,從而對半導(dǎo)體硅片的晶體缺陷控制,以及半導(dǎo)體硅片的加工、清洗、包裝、儲運(yùn)工作提出了更高的要求,特別是對表面附著顆粒和鐵、銅、鉻、鎳、鋁、鈉等微量金屬雜質(zhì)都要求控制在目

29、前分析技術(shù)的檢測極限以下,難度較大。3、提高半導(dǎo)體硅片表面平整度、應(yīng)力和機(jī)械強(qiáng)度等硅片的局部平整度一般要求為設(shè)計線寬的三分之二,目前的后續(xù)加工工藝要求半導(dǎo)體硅片表面達(dá)到更大的平整度,并且半導(dǎo)體硅片應(yīng)力不能過分集中、機(jī)械強(qiáng)度需達(dá)到更高標(biāo)準(zhǔn),從而使得半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性得到保證。此外,根據(jù)器件工藝的需要,半導(dǎo)體器件廠商也會對半導(dǎo)體硅片表面和內(nèi)部結(jié)晶特性以及氧含量提出特殊的要求。第三章 建筑技術(shù)分析一、 項目工程設(shè)計總體要求1、建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計力求貫徹“經(jīng)濟(jì)、實(shí)用和兼顧美觀”的原則,根據(jù)工藝需要,結(jié)合當(dāng)?shù)氐刭|(zhì)條件及地需條件綜合考慮。2、為滿足工藝生產(chǎn)的需要,方便操作、檢修和管理,盡量采取廠房一體化

30、,充分考慮豎向組合,立求縮短管線,降低能耗,節(jié)約用地,減少投資。3、為加快建設(shè)速度并為今后的技術(shù)改造留下發(fā)展空間,主廠房設(shè)計成輕鋼結(jié)構(gòu),各層主要設(shè)備的懸掛、支撐均采用鋼結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)輕型化,并滿足防腐防爆規(guī)范及有關(guān)規(guī)定。二、 建設(shè)方案(一)建筑結(jié)構(gòu)及基礎(chǔ)設(shè)計本期工程項目主體工程結(jié)構(gòu)采用全現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板,框架結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)采用樁基基礎(chǔ),鋼筋混凝土條形基礎(chǔ)。基礎(chǔ)工程設(shè)計:根據(jù)工程地質(zhì)條件,荷載較小的建(構(gòu))筑物采用天然地基,荷載較大的建(構(gòu))筑物采用人工挖孔現(xiàn)灌澆柱樁。(二)車間廠房、辦公及其它用房設(shè)計1、車間廠房設(shè)計:采用鋼屋架結(jié)構(gòu),屋面采用彩鋼板,墻體采用彩鋼夾芯板,基礎(chǔ)采用鋼筋混凝土基礎(chǔ)。2、辦公

31、用房設(shè)計:采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu),多孔磚非承重墻體,屋面為現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu),基礎(chǔ)為鋼筋混凝土基礎(chǔ)。3、其它用房設(shè)計:采用磚混結(jié)構(gòu),承重型墻體,基礎(chǔ)采用墻下條形基礎(chǔ)。(三)墻體及墻面設(shè)計1、墻體設(shè)計:外墻體均用標(biāo)準(zhǔn)多孔粘土磚實(shí)砌,內(nèi)墻均用巖棉彩鋼板。2、墻面設(shè)計:生產(chǎn)車間的外墻墻面采用水泥砂漿抹面,刷外墻涂料,內(nèi)墻面為乳膠漆墻面。辦公樓等根據(jù)使用要求適當(dāng)提高裝飾標(biāo)準(zhǔn)。腐蝕性樓地面、地坪以及有防火要求的樓地面采用特殊地面做法。依據(jù)建設(shè)部、國家建材局關(guān)于建筑采用使用的規(guī)定,框架填充墻采用加氣混凝土空心砌塊墻體,磚混結(jié)構(gòu)承重墻地上及地下部分采用燒結(jié)實(shí)心頁巖磚。(四)屋面防水及門窗設(shè)計1、屋面

32、設(shè)計:屋面采用大跨度輕鋼屋面,高分子卷材防水面層,上人屋面加裝保護(hù)層。2、屋面防水設(shè)計:現(xiàn)澆鋼筋混凝土屋面均采用剛性防水。3、門窗設(shè)計:一般建筑物門窗,采用鋁合金門窗,對于變壓器室、配電室等特殊場所應(yīng)采用特種門窗,具體做法可參見國家標(biāo)準(zhǔn)圖集。有防爆或者防火要求的生產(chǎn)車間,門窗設(shè)置應(yīng)滿足防爆泄壓的要求,玻璃應(yīng)采用安全玻璃,凡防火墻上門窗均為防火門窗,參見國標(biāo)圖集。(五)樓房地面及頂棚設(shè)計1、樓房地面設(shè)計:一般生產(chǎn)用房為水泥砂漿面層,局部為水磨石面層。2、頂棚及吊頂設(shè)計:一般房間白色涂料面層。(六)內(nèi)墻及外墻設(shè)計1、內(nèi)墻面設(shè)計:一般房間為彩鋼板,控制室采用水性涂料面層,衛(wèi)生間采用衛(wèi)生磁板面層。2、

33、外墻面設(shè)計:均涂裝高級彈性外墻防水涂料。(七)樓梯及欄桿設(shè)計1、樓梯設(shè)計:現(xiàn)澆鋼筋混凝土樓梯。2、欄桿設(shè)計:車間內(nèi)部采用鋼管欄桿,其它采用不銹鋼欄桿。(八)防火、防爆設(shè)計嚴(yán)格遵守建筑設(shè)計防火規(guī)范(GB50016-2014)中相關(guān)規(guī)定,滿足設(shè)備區(qū)內(nèi)相關(guān)生產(chǎn)車間及輔助用房的防火間距、安全疏散、及防爆設(shè)計的相關(guān)要求。從全局出發(fā)統(tǒng)籌兼顧,做到安全適用、技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟(jì)合理。(九)防腐設(shè)計防腐設(shè)計以預(yù)防為主,根據(jù)生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的介質(zhì)的腐蝕性、環(huán)境條件、生產(chǎn)、操作、管理水平和維修條件等,因地制宜區(qū)別對待,綜合考慮防腐蝕措施。對生產(chǎn)影響較大的部位,危機(jī)人身安全、維修困難的部位,以及重要的承重構(gòu)件等加強(qiáng)防護(hù)。(

34、十)建筑物混凝土屋面防雷保護(hù)車間、生活間等建筑的混凝土屋面采用10鍍鋅圓鋼做避雷帶,利用鋼柱或柱內(nèi)兩根主筋作引下線,引下線的平均間距不大于十八米(第類防雷建筑物)或25.00米(第類防雷建筑物)。(十一)防雷保護(hù)措施利用基礎(chǔ)內(nèi)鋼筋作接地體,并利用地下圈梁將建筑物的四周的柱子基礎(chǔ)接通,構(gòu)成環(huán)形接地網(wǎng),實(shí)測接地電阻R1.00(共用接地系統(tǒng))。三、 建筑工程建設(shè)指標(biāo)本期項目建筑面積16077.66,其中:生產(chǎn)工程11959.00,倉儲工程1675.57,行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施1480.92,公共工程962.17。表格題目建筑工程投資一覽表單位:、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產(chǎn)工程

35、3285.4411959.001598.871.11#生產(chǎn)車間985.633587.70479.661.22#生產(chǎn)車間821.362989.75399.721.33#生產(chǎn)車間788.512870.16383.731.44#生產(chǎn)車間689.942511.39335.762倉儲工程1642.721675.57174.142.11#倉庫492.82502.6752.242.22#倉庫410.68418.8943.532.33#倉庫394.25402.1441.792.44#倉庫344.97351.8736.573行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施337.341480.92213.013.1行政辦公樓219.27

36、962.60138.463.2宿舍及食堂118.07518.3274.554公共工程586.69962.17113.83輔助用房等5綠化工程1657.6530.34綠化率15.54%6其他工程3142.5013.68場地、道路、景觀亮化等7合計10667.0016077.662143.87第四章 建設(shè)內(nèi)容與產(chǎn)品方案一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容(一)項目場地規(guī)模該項目總占地面積10667.00(折合約16.00畝),預(yù)計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積16077.66。(二)產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xx投資管理公司建設(shè)能力分析,建設(shè)規(guī)模確定達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)xx萬片半導(dǎo)體芯片,預(yù)計年營業(yè)收入11200.00萬元。二

37、、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應(yīng)情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進(jìn)程度、項目經(jīng)濟(jì)效益及投資風(fēng)險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進(jìn)行必要的調(diào)整,各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平,并參考市場需求預(yù)測情況確定,同時,把產(chǎn)量和銷量視為一致,本報告將按照初步產(chǎn)品方案進(jìn)行測算。表格題目產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號產(chǎn)品(服務(wù))名稱單位單價(元)年設(shè)計產(chǎn)量產(chǎn)值1半導(dǎo)體芯片萬片xx2半導(dǎo)體芯片萬片xx3半導(dǎo)體芯片萬片xx4.萬片5.萬片6.萬片合計xx11200.00半導(dǎo)體硅片的大尺寸化是集成電路廠商降低生產(chǎn)成本、提高芯片收

38、得率和提升芯片性能的主要手段,但大尺寸硅片的工藝路線和機(jī)器設(shè)備均有所不同,因而帶來了更高的技術(shù)難度。日本、美國、德國等國家的先進(jìn)半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)企業(yè)對于12英寸半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)已較為成熟。在此基礎(chǔ)上,上述國際先進(jìn)半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)企業(yè)正在積極研發(fā)12英寸以上更大尺寸的半導(dǎo)體硅片,目前研發(fā)水平已經(jīng)達(dá)到18英寸。第五章 法人治理一、 股東權(quán)利及義務(wù)1、公司召開股東大會、分配股利、清算及從事其他需要確認(rèn)股東身份的行為時,由董事會或股東大會召集人確定股權(quán)登記日,股權(quán)登記日收市后登記在冊的股東為享有相關(guān)權(quán)益的股東。2、公司股東享有下列權(quán)利:(1)依照其所持有的股份份額獲得股利和其他形式的利益分配;(2)依

39、法請求、召集、主持、參加或者委派股東代理人參加股東大會,并行使相應(yīng)的表決權(quán);(3)依法請求人民法院撤銷董事會、股東大會的決議內(nèi)容;(4)對公司的經(jīng)營進(jìn)行監(jiān)督,提出建議或者質(zhì)詢;(5)依照法律、行政法規(guī)及本章程的規(guī)定轉(zhuǎn)讓、贈與或質(zhì)押其所持有的股份;(6)查閱本章程、股東名冊、公司債券存根、股東大會會議記錄、董事會會議決議、監(jiān)事會會議決議、財務(wù)會計報告;(7)公司終止或者清算時,按其所持有的股份份額參加公司剩余財產(chǎn)的分配;(8)對股東大會作出的公司合并、分立決議持異議的股東,要求公司收購其股份;(9)單獨(dú)或者合計持有公司百分之10以上股份的股東,有向股東大會行使提案的權(quán)利;(10)法律、行政法規(guī)、

40、部門規(guī)章或本章程規(guī)定的其他權(quán)利。3、股東提出查閱前條所述有關(guān)信息或者索取資料的,應(yīng)當(dāng)向公司提供證明其持有公司股份的種類以及持股數(shù)量的書面文件,公司經(jīng)核實(shí)股東身份后按照股東的要求予以提供。4、公司股東大會、董事會決議內(nèi)容違反法律、行政法規(guī)的,股東有權(quán)請求人民法院認(rèn)定無效。股東大會、董事會的會議召集程序、表決方式違反法律、行政法規(guī)或者本章程,或者決議內(nèi)容違反本章程的,股東有權(quán)自決議作出之日起_日內(nèi),請求人民法院撤銷。5、董事、高級管理人員執(zhí)行公司職務(wù)時違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定,給公司造成損失的,連續(xù)180日以上單獨(dú)或合并持有公司1%以上股份的股東有權(quán)書面請求監(jiān)事會向人民法院提起訴訟;監(jiān)事

41、會執(zhí)行公司職務(wù)時違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定,給公司造成損失的,股東可以書面請求董事會向人民法院提起訴訟。監(jiān)事會、董事會收到前款規(guī)定的股東書面請求后拒絕提起訴訟,或者自收到請求之日起30日內(nèi)未提起訴訟,或者情況緊急、不立即提起訴訟將會使公司利益受到難以彌補(bǔ)的損害的,前款規(guī)定的股東有權(quán)為了公司的利益以自己的名義直接向人民法院提起訴訟。他人侵犯公司合法權(quán)益,給公司造成損失的,本條第一款規(guī)定的股東可以依照前兩款的規(guī)定向人民法院提起訴訟。6、董事、高級管理人員違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定,損害股東利益的,股東可以向人民法院提起訴訟。7、公司股東承擔(dān)下列義務(wù):(1)遵守法律、行政法規(guī)和本章程

42、;(2)依其所認(rèn)購的股份和入股方式繳納股金;(3)除法律、法規(guī)規(guī)定的情形外,不得退股;(4)不得濫用股東權(quán)利損害公司或者其他股東的利益;不得濫用公司法人獨(dú)立地位和股東有限責(zé)任損害公司債權(quán)人的利益;公司股東濫用股東權(quán)利給公司或者其他股東造成損失的,應(yīng)當(dāng)依法承擔(dān)賠償責(zé)任。公司股東濫用公司法人獨(dú)立地位和股東有限責(zé)任,逃避債務(wù),嚴(yán)重?fù)p害公司債權(quán)人利益的,應(yīng)當(dāng)對公司債務(wù)承擔(dān)連帶責(zé)任。(5)法律、行政法規(guī)及本章程規(guī)定應(yīng)當(dāng)承擔(dān)的其他義務(wù)。8、持有公司_%以上有表決權(quán)股份的股東,將其持有的股份進(jìn)行質(zhì)押的,應(yīng)當(dāng)自該事實(shí)發(fā)生當(dāng)日,向公司作出書面報告。9、公司的控股股東、實(shí)際控制人員不得利用其關(guān)聯(lián)關(guān)系損害公司利益。

43、違反規(guī)定的,給公司造成損失的,應(yīng)當(dāng)承擔(dān)賠償責(zé)任。公司控股股東及實(shí)際控制人對公司和公司社會公眾股股東負(fù)有誠信義務(wù)??毓晒蓶|應(yīng)嚴(yán)格依法行使出資人的權(quán)利,控股股東不得利用利潤分配、資產(chǎn)重組、對外投資、資金占用、借款擔(dān)保等方式損害公司和社會公眾股股東的合法權(quán)益,不得利用其控制地位損害公司和社會公眾股股東的利益。二、 董事1、公司設(shè)董事會,對股東大會負(fù)責(zé)。董事會由5名董事組成。公司不設(shè)獨(dú)立董事,設(shè)董事長1名,由董事會選舉產(chǎn)生。2、董事會行使下列職權(quán):(1)召集股東大會,并向股東大會報告工作;(2)執(zhí)行股東大會的決議;(3)決定公司的經(jīng)營計劃和投資方案;(4)制訂公司的年度財務(wù)預(yù)算方案、決算方案;(5)制

44、訂公司的利潤分配方案和彌補(bǔ)虧損方案;(6)決定公司內(nèi)部管理機(jī)構(gòu)的設(shè)置;(7)根據(jù)董事長的提名,聘任或者解聘公司總經(jīng)理、董事會秘書,根據(jù)總經(jīng)理的提名,聘任或者解聘公司副總經(jīng)理、財務(wù)總監(jiān)等高級管理人員,并決定其報酬事項和獎懲事項;(8)制訂公司的基本管理制度;(9)制訂本章程的修改方案;(10)管理公司信息披露事項;3、董事會應(yīng)當(dāng)就注冊會計師對公司財務(wù)報告出具的非標(biāo)準(zhǔn)審計意見向股東大會作出說明。董事會須及時對公司治理機(jī)制是否給所有的股東提供合適的保護(hù)和平等權(quán)利,以及公司治理結(jié)構(gòu)是否合理、有效等情況進(jìn)行討論、評估,并在其年度工作報告中作出說明。4、董事會制定董事會議事規(guī)則,以確保董事會落實(shí)股東大會決

45、議,提高工作效率,保證科學(xué)決策。董事會議事規(guī)則作為本章程的附件,由董事會擬定,股東大會批準(zhǔn)。5、董事長和副董事長由董事會以全體董事的過半數(shù)選舉產(chǎn)生。6、董事長行使下列職權(quán):(1)主持股東大會和召集、主持董事會會議;(2)督促、檢查董事會決議的執(zhí)行;(3)簽署董事會重要文件和其他應(yīng)由公司法定代表人簽署的文件;(4)行使法定代表人的職權(quán);(5)在發(fā)生特大自然災(zāi)害等不可抗力的緊急情況下,對公司事務(wù)行使符合法律法規(guī)規(guī)定和公司利益的特別處置權(quán),并在事后向公司董事會或股東大會報告;(6)董事會授予的其他職權(quán)。7、董事會可以授權(quán)董事長在董事會閉會期間行使董事會的其他職權(quán),該授權(quán)需經(jīng)由全體董事的二分之一以上同

46、意,并以董事會決議的形式作出。董事會對董事長的授權(quán)內(nèi)容應(yīng)明確、具體。除非董事會對董事長的授權(quán)有明確期限或董事會再次授權(quán),該授權(quán)至該董事會任期屆滿或董事長不能履行職責(zé)時應(yīng)自動終止。董事長應(yīng)及時將執(zhí)行授權(quán)的情況向董事會匯報。8、公司副董事長協(xié)助董事長工作,董事長不能履行職務(wù)或者不履行職務(wù)的,由副董事長履行職務(wù);副董事長不能履行職務(wù)或者不履行職務(wù)的,由半數(shù)以上董事共同推舉一名董事履行職務(wù)。9、董事會每年至少召開兩次會議,由董事長召集,于會議召開10日以前書面通知全體董事和監(jiān)事。10、代表1/10以上表決權(quán)的股東、1/3以上董事或者監(jiān)事會,可以提議召開董事會臨時會議。董事長應(yīng)當(dāng)自接到提議后10日內(nèi),召

47、集和主持董事會會議。11、召開臨時董事會會議,董事會應(yīng)當(dāng)于會議召開3日前以電話通知或以專人送出、郵遞、傳真、電子郵件或本章程規(guī)定的其他方式通知全體董事和監(jiān)事。12、董事會會議通知包括以下內(nèi)容:(1)會議日期和地點(diǎn);(2)會議期限;(3)事由及議題;(4)發(fā)出通知的日期。13、董事會會議應(yīng)有過半數(shù)的董事出席方可舉行。董事會作出決議,必須經(jīng)全體董事的過半數(shù)通過。董事會決議的表決,實(shí)行1人1票。14、董事與董事會會議決議事項所涉及的企業(yè)有關(guān)聯(lián)關(guān)系的,不得對該項決議行使表決權(quán),也不得代理其他董事行使表決權(quán)。該董事會會議由過半數(shù)的無關(guān)聯(lián)關(guān)系董事出席即可舉行,董事會會議所作決議須經(jīng)無關(guān)聯(lián)關(guān)系董事過半數(shù)通過

48、。出席董事會的無關(guān)聯(lián)董事人數(shù)不足3人的,應(yīng)將該事項提交股東大會審議。15、董事會決議以記名表決方式進(jìn)行表決。董事會臨時會議在保障董事充分表達(dá)意見的前提下,可以用傳真或電子郵件或其它通訊方式進(jìn)行并作出決議,并由參會董事簽字。但涉及關(guān)聯(lián)交易的決議仍需董事會臨時會議采用記名投票表決的方式,而不得采用其他方式。16、董事會會議,應(yīng)由董事本人出席;董事因故不能出席,可以書面委托其他董事代為出席,委托書中應(yīng)載明代理人的姓名,代理事項、授權(quán)范圍和有效期限,并由委托人簽名或蓋章。代為出席會議的董事應(yīng)當(dāng)在授權(quán)范圍內(nèi)行使董事的權(quán)利。董事未出席董事會會議,亦未委托代表出席的,視為放棄在該次會議上的投票權(quán)。17、董事

49、會應(yīng)當(dāng)對會議所議事項的決定做成會議記錄,董事會會議記錄應(yīng)當(dāng)真實(shí)、準(zhǔn)確、完整。出席會議的董事、信息披露事務(wù)負(fù)責(zé)人和記錄人應(yīng)當(dāng)在會議記錄上簽名。董事會會議記錄作為公司檔案保存,保存期限為10年。18、董事會會議記錄包括以下內(nèi)容:(1)會議召開的日期、地點(diǎn)和召集人姓名;(2)出席董事的姓名以及受他人委托出席董事會的董事(代理人)姓名;(3)會議議程;(4)董事發(fā)言要點(diǎn);(5)每一決議事項的表決方式和結(jié)果(表決結(jié)果應(yīng)載明贊成、反對或棄權(quán)的票數(shù))。19、董事應(yīng)當(dāng)在董事會決議上簽字并對董事會的決議承擔(dān)責(zé)任。董事會決議違反法律、法規(guī)或者公司章程、股東大會決議,致使公司遭受損失的,參與決議的董事對公司負(fù)賠償責(zé)

50、任。但經(jīng)證明在表決時曾表明異議并記載于會議記錄的,該董事可以免除責(zé)任。三、 高級管理人員1、公司設(shè)總裁一名,由董事會聘任或解聘。公司設(shè)副總裁若干名、財務(wù)總監(jiān)一名,由董事會聘任或解聘。公司總裁、副總裁、財務(wù)負(fù)責(zé)人、董事會秘書為公司高級管理人員。2、本章程關(guān)于不得擔(dān)任董事的情形、同時適用于高級管理人員。本章程關(guān)于勤勉義務(wù)的規(guī)定,同時適用于高級管理人員。3、在公司控股股東、實(shí)際控制人單位擔(dān)任除董事、監(jiān)事以外其他職務(wù)的人員,不得擔(dān)任公司的高級管理人員。4、總裁每屆任期3年,總裁連聘可以連任。5、總裁對董事會負(fù)責(zé),行使下列職權(quán):(1)主持公司的生產(chǎn)經(jīng)營管理工作,組織實(shí)施董事會決議,并向董事會報告工作;(

51、2)組織實(shí)施公司年度經(jīng)營計劃和投資方案;(3)擬訂公司內(nèi)部管理機(jī)構(gòu)設(shè)置方案;(4)擬訂公司的基本管理制度;(5)制定公司的具體規(guī)章;(6)提請董事會聘任或者解聘公司副總裁、財務(wù)負(fù)責(zé)人;(7)決定聘任或者解聘除應(yīng)由董事會決定聘任或者解聘以外的負(fù)責(zé)管理人員;(8)本章程或董事會授予的其他職權(quán)??偛昧邢聲h。6、總裁應(yīng)制訂總裁工作細(xì)則,報董事會批準(zhǔn)后實(shí)施。7、總裁工作細(xì)則包括下列內(nèi)容:(1)總裁會議召開的條件、程序和參加的人員;(2)總裁及其他高級管理人員各自具體的職責(zé)及其分工;(3)公司資金、資產(chǎn)運(yùn)用,簽訂重大合同的權(quán)限,以及向董事會、監(jiān)事會的報告制度;(4)董事會認(rèn)為必要的其他事項。8、總

52、裁可以在任期屆滿以前提出辭職。有關(guān)總裁辭職的具體程序和辦法由總裁與公司之間的勞動合同規(guī)定。副總裁協(xié)助總裁工作,負(fù)責(zé)公司某一方面的生產(chǎn)經(jīng)營管理工作。9、公司設(shè)董事會秘書,負(fù)責(zé)公司股東大會和董事會會議、監(jiān)事會會議的籌備、文件保管以及公司股東資料管理,辦理信息披露事務(wù)等事宜。董事會秘書應(yīng)遵守法律、行政法規(guī)、部門規(guī)章及本章程的有關(guān)規(guī)定。董事會秘書應(yīng)制定董事會秘書工作細(xì)則,報董事會批準(zhǔn)后實(shí)施。董事會秘書工作細(xì)則應(yīng)包括董事會秘書任職資格、聘任程序、權(quán)力職責(zé)以及董事會認(rèn)為必要的其他事項。10、高級管理人員執(zhí)行公司職務(wù)時違反法律、行政法規(guī)、部門規(guī)章或本章程的規(guī)定,給公司造成損失的,應(yīng)當(dāng)承擔(dān)賠償責(zé)任。四、 監(jiān)事

53、1、公司設(shè)監(jiān)事會,監(jiān)事會應(yīng)對公司全體股東負(fù)責(zé),維護(hù)公司及股東的合法權(quán)益。監(jiān)事會由3名監(jiān)事組成,其中職工代表監(jiān)事1名。監(jiān)事會設(shè)主席1名。監(jiān)事會主席由全體監(jiān)事過半數(shù)選舉產(chǎn)生。監(jiān)事會主席召集和主持監(jiān)事會會議;監(jiān)事會主席不能履行職務(wù)或者不履行職務(wù)的,由半數(shù)以上監(jiān)事共同推舉一名監(jiān)事召集和主持監(jiān)事會會議。2、監(jiān)事會每6個月至少召開一次會議。監(jiān)事可以提議召開臨時監(jiān)事會會議。召開監(jiān)事會會議定期會議或臨時會議應(yīng)分別至少提前10日和2日將監(jiān)事會會議的通知以傳真、郵件方式或由專人送達(dá)全體監(jiān)事。因公司遭遇危機(jī)等特殊或緊急情況,可以不提前通知的情況下召開監(jiān)事會臨時會議,但召集人應(yīng)當(dāng)在會議上做出說明。監(jiān)事會會議對所議事項

54、的表決,可采用書面、舉手、傳簽監(jiān)事會決議等方式,每名監(jiān)事有一票表決權(quán)。監(jiān)事會決議應(yīng)當(dāng)經(jīng)半數(shù)以上監(jiān)事通過。3、監(jiān)事會制定監(jiān)事會議事規(guī)則,明確監(jiān)事會的議事方式和表決程序,以確保監(jiān)事會的工作效率和科學(xué)決策。監(jiān)事會議事規(guī)則規(guī)定監(jiān)事會的召開和表決程序。監(jiān)事會議事規(guī)則應(yīng)列入本章程或作為章程的附件,由監(jiān)事會擬定,股東大會批準(zhǔn)。4、監(jiān)事會應(yīng)當(dāng)將所議事項的決定做成會議記錄,出席會議的監(jiān)事應(yīng)當(dāng)在會議記錄上簽名。監(jiān)事有權(quán)要求在記錄上對其在會議上的發(fā)言作出某種說明性記載。監(jiān)事會會議記錄作為公司檔案由董事會秘書保存,保管期限為10年。第六章 SWOT分析說明一、 優(yōu)勢分析(S)(一)自主研發(fā)優(yōu)勢公司在各個細(xì)分領(lǐng)域深入研

55、究的同時,通過整合各平臺優(yōu)勢,構(gòu)建全產(chǎn)品系列,并不斷進(jìn)行產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級,順應(yīng)行業(yè)一體化、集成創(chuàng)新的發(fā)展趨勢。通過多年積累,公司產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。公司多年來堅持技術(shù)創(chuàng)新,不斷改進(jìn)和優(yōu)化產(chǎn)品性能,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級。公司結(jié)合國內(nèi)市場客戶的個性化需求,不斷升級技術(shù),充分體現(xiàn)了公司的持續(xù)創(chuàng)新能力。在不斷開發(fā)新產(chǎn)品的過程中,公司已有多項產(chǎn)品均為國內(nèi)領(lǐng)先水平。在注重新產(chǎn)品、新技術(shù)研發(fā)的同時,公司還十分重視自主知識產(chǎn)權(quán)的保護(hù)。(二)工藝和質(zhì)量控制優(yōu)勢公司進(jìn)口大量設(shè)備和檢測設(shè)備,有效提高了精度、生產(chǎn)效率,為產(chǎn)品研發(fā)與確保產(chǎn)品質(zhì)量奠定了堅實(shí)的基礎(chǔ)。此外,公司是行業(yè)內(nèi)較早通過ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證的企業(yè)之一,公司產(chǎn)品根據(jù)市場及客戶需要通過了產(chǎn)品認(rèn)證,表明公司產(chǎn)品不僅滿足國內(nèi)高端客戶的要求,而且部分產(chǎn)品能夠與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌,能夠躋身于國際市場競爭中。在日常生產(chǎn)中,公司嚴(yán)格按照質(zhì)量體系管理要求,不斷完善產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、檢驗、客

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論