2 半導(dǎo)體理論

1、2 半導(dǎo)體導(dǎo)電理論半導(dǎo)體導(dǎo)電理論一一. 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體（semiconductor） 本征半導(dǎo)體是指本征半導(dǎo)體是指純凈的純凈的半導(dǎo)體。半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能在導(dǎo)體與絕緣體本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能在導(dǎo)體與絕緣體之間。之間。電子導(dǎo)電電子導(dǎo)電：導(dǎo)帶中的電子在外磁場(chǎng)中的定向運(yùn)動(dòng)：導(dǎo)帶中的電子在外磁場(chǎng)中的定向運(yùn)動(dòng). .空穴導(dǎo)電空穴導(dǎo)電：滿(mǎn)帶中存在空穴的情況下，電子在滿(mǎn)：滿(mǎn)帶中存在空穴的情況下，電子在滿(mǎn)帶內(nèi)的遷移，相當(dāng)于空穴沿相反方向運(yùn)動(dòng)帶內(nèi)的遷移，相當(dāng)于空穴沿相反方向運(yùn)動(dòng). .空穴空穴相當(dāng)于帶正電的粒子相當(dāng)于帶正電的粒子. . 滿(mǎn)帶上的一個(gè)電躍遷到導(dǎo)帶后滿(mǎn)帶上的一個(gè)電躍遷到導(dǎo)帶后, ,滿(mǎn)帶中出現(xiàn)

2、滿(mǎn)帶中出現(xiàn)一個(gè)空位，稱(chēng)為一個(gè)空位，稱(chēng)為空穴空穴. .例例. 半導(dǎo)體半導(dǎo)體 Cd S滿(mǎn)滿(mǎn) 帶帶空 帶h Eg=2.42eV這相當(dāng)于產(chǎn)生了一個(gè)帶正電的粒子這相當(dāng)于產(chǎn)生了一個(gè)帶正電的粒子(稱(chēng)為稱(chēng)為“空穴空穴”) , 把電子抵消了。把電子抵消了。電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)的。電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)的?？諑Э諑M(mǎn)帶滿(mǎn)帶空穴下面能級(jí)上空穴下面能級(jí)上的電子可以躍遷的電子可以躍遷到空穴上來(lái)到空穴上來(lái),這相當(dāng)于空穴這相當(dāng)于空穴向下躍遷。向下躍遷。滿(mǎn)帶上帶正電的滿(mǎn)帶上帶正電的空穴向下躍遷也空穴向下躍遷也是形成電流是形成電流,這稱(chēng)為空穴導(dǎo)電。這稱(chēng)為空穴導(dǎo)電。 Eg在外電場(chǎng)作用下在外電場(chǎng)作用下, 本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)本

3、征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)束縛電子束縛電子+4+4+4+4+4+4+4+4+4在絕對(duì)溫度在絕對(duì)溫度T=0K時(shí)，時(shí)，所有的價(jià)電子都被共價(jià)鍵所有的價(jià)電子都被共價(jià)鍵緊緊束縛在共價(jià)鍵中，不緊緊束縛在共價(jià)鍵中，不會(huì)成為會(huì)成為自由電子自由電子，因此本因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，接近絕緣體。，接近絕緣體。本征半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體。化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體。制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%，常，常稱(chēng)為稱(chēng)為“九個(gè)九個(gè)9”。 這一現(xiàn)象稱(chēng)為這一現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)本征激發(fā)，也稱(chēng)也稱(chēng)熱激發(fā)熱激發(fā)。 當(dāng)溫度升

4、高或受到當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，束縛光的照射時(shí)，束縛電子能量增高，有電子能量增高，有的電子可以?huà)昝撛碾娮涌梢話(huà)昝撛雍说氖`，而參子核的束縛，而參與導(dǎo)電，成為與導(dǎo)電，成為自由自由電子電子。自由電子自由電子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴 自由電子產(chǎn)生的自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來(lái)的共同時(shí)，在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，稱(chēng)為空位，稱(chēng)為空穴空穴。 可見(jiàn)本征激發(fā)同時(shí)產(chǎn)生可見(jiàn)本征激發(fā)同時(shí)產(chǎn)生電子空穴對(duì)。電子空穴對(duì)。 外加能量越高（外加能量越高（溫度溫度越高），產(chǎn)生的電子空越高），產(chǎn)生的電子空穴對(duì)越多。穴對(duì)越多。與本征激發(fā)相反的與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象現(xiàn)象復(fù)合復(fù)合在

5、一定溫度下，本征激在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。電子空穴到動(dòng)態(tài)平衡。電子空穴對(duì)的濃度一定。對(duì)的濃度一定。常溫常溫300K時(shí)：時(shí)：電子空穴對(duì)的濃度電子空穴對(duì)的濃度硅：硅：310cm104 . 1鍺：鍺：313cm105 . 2自由電子自由電子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴電子空穴對(duì)電子空穴對(duì)自由電子自由電子 帶負(fù)電荷帶負(fù)電荷 電子流電子流+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由電子自由電子E總電流總電流載流子載流子空穴空穴 帶正電荷帶正電荷 空穴流空穴流本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于外加能量：本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于外加能量：溫度變化，導(dǎo)電性變化

6、；光照變化，導(dǎo)電性變化。溫度變化，導(dǎo)電性變化；光照變化，導(dǎo)電性變化。導(dǎo)電機(jī)制導(dǎo)電機(jī)制本征本征Si 原子鍵合與導(dǎo)電機(jī)制：原子鍵合與導(dǎo)電機(jī)制：電場(chǎng)電場(chǎng)Si每當(dāng)一個(gè)電子從價(jià)帶被激發(fā)到導(dǎo)帶，每當(dāng)一個(gè)電子從價(jià)帶被激發(fā)到導(dǎo)帶，便在價(jià)帶中留下一個(gè)電子空位，便在價(jià)帶中留下一個(gè)電子空位， 空穴空穴導(dǎo)帶電子和價(jià)帶導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴成對(duì)出現(xiàn)空穴成對(duì)出現(xiàn):導(dǎo)帶電子導(dǎo)帶電子:準(zhǔn)自由電子、可在電場(chǎng)的作準(zhǔn)自由電子、可在電場(chǎng)的作用下定向運(yùn)動(dòng)、形成電流用下定向運(yùn)動(dòng)、形成電流導(dǎo)帶電子導(dǎo)帶電子價(jià)帶空穴價(jià)帶空穴:電場(chǎng)電場(chǎng)Si等效載流子等效載流子其導(dǎo)電過(guò)程實(shí)質(zhì)其導(dǎo)電過(guò)程實(shí)質(zhì)上是電場(chǎng)的作用上是電場(chǎng)的作用下價(jià)電子向空穴下價(jià)電子向空穴的跳躍

7、過(guò)程的跳躍過(guò)程等效于帶正電的空穴沿與價(jià)電子相反方向的運(yùn)動(dòng)等效于帶正電的空穴沿與價(jià)電子相反方向的運(yùn)動(dòng)空穴帶正電量：空穴帶正電量：e本征半導(dǎo)體導(dǎo)電：本征半導(dǎo)體導(dǎo)電： 導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴的共同貢獻(xiàn)導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴的共同貢獻(xiàn)電導(dǎo)率電導(dǎo)率：hemene,:n m導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴的數(shù)密度。導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴的數(shù)密度。導(dǎo)帶電子導(dǎo)帶電子二二. 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中，以擴(kuò)散的方式摻入微量其它元素的原子，這樣的半導(dǎo)體稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。例如，在半導(dǎo)體鍺（Ge）中摻入百萬(wàn)分之一的砷（As），它的導(dǎo)電率將提高數(shù)萬(wàn)倍。 雜質(zhì)半導(dǎo)體，由于所摻雜質(zhì)的類(lèi)型不同，又可分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。. n型半導(dǎo)體型

8、半導(dǎo)體四價(jià)的本征半導(dǎo)體四價(jià)的本征半導(dǎo)體 Si、等，摻入少量、等，摻入少量五價(jià)的五價(jià)的雜質(zhì)雜質(zhì)（impurity）元素（如元素（如P、As等）形成電子型半導(dǎo)體等）形成電子型半導(dǎo)體,稱(chēng)稱(chēng) n 型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。施主能級(jí)的形成施主能級(jí)的形成 常用作參雜的半導(dǎo)體基體多為常用作參雜的半導(dǎo)體基體多為量子力學(xué)表明，這種摻雜后多余的電子的能量子力學(xué)表明，這種摻雜后多余的電子的能級(jí)在禁帶中緊靠空帶處級(jí)在禁帶中緊靠空帶處, ED10-2eV，極易，極易形成電子導(dǎo)電。形成電子導(dǎo)電。 計(jì)算表明，此時(shí)的雜質(zhì)即稱(chēng)為施主雜質(zhì)施主雜質(zhì)。 n 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在在n型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中 電子電子多數(shù)載流子多數(shù)載流子EDSi

9、SiSiSiSiSiSiP空穴空穴少數(shù)載流子少數(shù)載流子空空 帶帶滿(mǎn)滿(mǎn) 帶帶施主能級(jí)施主能級(jí)Eg兩點(diǎn)說(shuō)明：兩點(diǎn)說(shuō)明： 第一，施主雜質(zhì)中多余的價(jià)電子，當(dāng)其處于施主能級(jí)上時(shí)是不參與導(dǎo)電的。只是在其受激（不論何種原因）后遷入導(dǎo)帶后才能參與導(dǎo)電。 第二，在N型半導(dǎo)體中，除了躍入導(dǎo)帶中的施主雜質(zhì)中的多余價(jià)電子外，還有基體半導(dǎo)體中的電子空穴對(duì)，即還有本征載流子。但這時(shí)導(dǎo)帶中的電子主要是來(lái)自施主雜質(zhì)中的價(jià)電子。.型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體四價(jià)的本征半導(dǎo)體四價(jià)的本征半導(dǎo)體Si、e等，摻入少量等，摻入少量三價(jià)的三價(jià)的雜質(zhì)雜質(zhì)元素（如、元素（如、Ga、n等）等）形成空穴型半導(dǎo)體，稱(chēng)形成空穴型半導(dǎo)體，稱(chēng) p 型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體

10、。受主能級(jí)的形成受主能級(jí)的形成 在此時(shí)的雜質(zhì)即稱(chēng)為受主雜質(zhì)受主雜質(zhì)?？湛?帶帶Ea滿(mǎn)滿(mǎn) 帶帶受主能級(jí)受主能級(jí) P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體SiSiSiSiSiSiSi+BEg在在p型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中 空穴空穴多數(shù)載流子多數(shù)載流子電子電子少數(shù)載流子少數(shù)載流子兩點(diǎn)說(shuō)明：兩點(diǎn)說(shuō)明： （1）受主能級(jí)中的空穴并不參與導(dǎo)電，參與導(dǎo)電的是：滿(mǎn)價(jià)能帶中電子躍遷到受主能級(jí)后遺留下的空穴。 （2）同樣，在P型半電體中也有兩種載流子，但主要是空穴載流子。雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意圖雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意圖+N型半導(dǎo)體多子多子電子電子少子少子空穴空穴P型半導(dǎo)體多子多子空穴空穴少子少子電子電子少子濃度少子濃度與溫度有關(guān)與溫度有關(guān)多子濃度多子濃

11、度與溫度無(wú)關(guān)與溫度無(wú)關(guān)3. n型化合物半導(dǎo)體型化合物半導(dǎo)體 例如，化合物例如，化合物GaAs中摻，六價(jià)的中摻，六價(jià)的Te替代五價(jià)的替代五價(jià)的As可形成施主能級(jí)，可形成施主能級(jí)，成為成為n型型GaAs雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體。4.型化合物半導(dǎo)體型化合物半導(dǎo)體例如，化合物例如，化合物 GaAs中摻中摻Zn，二價(jià)的，二價(jià)的Zn替代三價(jià)的替代三價(jià)的Ga可形成受主能級(jí)，可形成受主能級(jí)，成為成為p型型GaAs雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體。三三. 雜質(zhì)補(bǔ)償作用雜質(zhì)補(bǔ)償作用實(shí)際的半導(dǎo)體中既有施主雜質(zhì)（濃度實(shí)際的半導(dǎo)體中既有施主雜質(zhì)（濃度nd），），又有受主雜質(zhì)（濃度又有受主雜質(zhì)（濃度na），），兩種雜質(zhì)有補(bǔ)償作用：兩

12、種雜質(zhì)有補(bǔ)償作用： 若若nd na為為n型（施主）型（施主） 若若nd na為為p型（受主）型（受主）利用雜質(zhì)的補(bǔ)償作用，利用雜質(zhì)的補(bǔ)償作用，可以制成可以制成P-結(jié)。結(jié)。4 -結(jié)結(jié)一一.-結(jié)的形成結(jié)的形成在一塊在一塊 n 型半導(dǎo)體基片的一側(cè)摻入型半導(dǎo)體基片的一側(cè)摻入較高濃度的受主雜質(zhì)，由于雜質(zhì)的較高濃度的受主雜質(zhì)，由于雜質(zhì)的補(bǔ)償作用，該區(qū)就成為型半導(dǎo)體。補(bǔ)償作用，該區(qū)就成為型半導(dǎo)體。由于區(qū)的電子向區(qū)擴(kuò)散，區(qū)的由于區(qū)的電子向區(qū)擴(kuò)散，區(qū)的空穴向區(qū)擴(kuò)散，空穴向區(qū)擴(kuò)散，在型半導(dǎo)體和在型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體的交界面附近產(chǎn)生了一個(gè)電型半導(dǎo)體的交界面附近產(chǎn)生了一個(gè)電場(chǎng)場(chǎng),稱(chēng)為內(nèi)稱(chēng)為內(nèi)建場(chǎng)建場(chǎng)。內(nèi)建場(chǎng)大到一定內(nèi)建

13、場(chǎng)大到一定程度程度,不再有凈電不再有凈電荷的流動(dòng)，達(dá)到荷的流動(dòng)，達(dá)到了新的平衡。了新的平衡。在型在型 n型交界面型交界面附近形成的這種特附近形成的這種特殊結(jié)構(gòu)稱(chēng)為殊結(jié)構(gòu)稱(chēng)為P-N結(jié)，結(jié)，約約0.1 m厚。厚。P-N結(jié)結(jié)阻阻En型型p型型內(nèi)建場(chǎng)阻止電子內(nèi)建場(chǎng)阻止電子和空穴進(jìn)一步擴(kuò)和空穴進(jìn)一步擴(kuò)散，記作散，記作 。阻阻EP-N結(jié)處存在電勢(shì)差結(jié)處存在電勢(shì)差Uo。 也阻止也阻止 N區(qū)區(qū)帶負(fù)電的電子進(jìn)帶負(fù)電的電子進(jìn)一步向一步向P區(qū)擴(kuò)散。區(qū)擴(kuò)散。它阻止它阻止 P區(qū)區(qū)帶正電的空穴進(jìn)帶正電的空穴進(jìn)一步向一步向N區(qū)擴(kuò)散；區(qū)擴(kuò)散；U00eU 電子能級(jí)電子能級(jí)電勢(shì)曲線(xiàn)電勢(shì)曲線(xiàn)電子電勢(shì)能曲線(xiàn)電子電勢(shì)能曲線(xiàn)P-N結(jié)結(jié)考

14、慮到考慮到P-結(jié)的存在，半導(dǎo)體中電子結(jié)的存在，半導(dǎo)體中電子的能量應(yīng)考慮進(jìn)這內(nèi)建場(chǎng)帶來(lái)的電子的能量應(yīng)考慮進(jìn)這內(nèi)建場(chǎng)帶來(lái)的電子附加勢(shì)能。附加勢(shì)能。 電子的能帶電子的能帶出現(xiàn)彎曲現(xiàn)象。出現(xiàn)彎曲現(xiàn)象。空帶空帶空帶空帶P-N結(jié)結(jié)0eU 施主能級(jí)施主能級(jí)受主能級(jí)受主能級(jí)滿(mǎn)帶滿(mǎn)帶滿(mǎn)帶滿(mǎn)帶二二 . -結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦? 正向偏壓正向偏壓在在-結(jié)結(jié)的的p型區(qū)接型區(qū)接電源正極，電源正極，叫正向偏壓。叫正向偏壓。阻擋層勢(shì)壘被削弱、變窄，阻擋層勢(shì)壘被削弱、變窄，有利于空穴有利于空穴向向N區(qū)運(yùn)動(dòng)，電子向區(qū)運(yùn)動(dòng)，電子向P區(qū)運(yùn)動(dòng)，區(qū)運(yùn)動(dòng)， 形成正向電流（形成正向電流（m級(jí)）。級(jí)）。Ep型型n型型I阻阻E外加正向

15、電壓越大，外加正向電壓越大，正向電流也越大，正向電流也越大，而且是呈非線(xiàn)性的而且是呈非線(xiàn)性的伏安特性伏安特性(圖為鍺管圖為鍺管)。V（伏）（伏）（毫安）（毫安）正向正向00.21.0I. 反向偏壓反向偏壓在在-結(jié)的型區(qū)接電源負(fù)極結(jié)的型區(qū)接電源負(fù)極,叫反向偏壓。叫反向偏壓。阻擋層勢(shì)壘增阻擋層勢(shì)壘增大、變寬，大、變寬，不不利于空穴向利于空穴向區(qū)運(yùn)動(dòng)，也不區(qū)運(yùn)動(dòng)，也不利于電子向利于電子向P區(qū)運(yùn)動(dòng)區(qū)運(yùn)動(dòng),沒(méi)有正沒(méi)有正向電流。向電流。Ep型型n型型I阻阻E但是，由于少數(shù)但是，由于少數(shù)載流子的存在，載流子的存在，會(huì)形成很弱的反會(huì)形成很弱的反向電流，向電流，當(dāng)外電場(chǎng)很強(qiáng)當(dāng)外電場(chǎng)很強(qiáng),反向電壓超過(guò)某一數(shù)值后，

16、反向電壓超過(guò)某一數(shù)值后，反向電流會(huì)急劇增大反向電流會(huì)急劇增大-反向擊穿。反向擊穿。稱(chēng)為漏電流稱(chēng)為漏電流（ 級(jí)）。級(jí)）。擊穿電壓擊穿電壓V(伏伏)I-（微安）（微安）反向反向-20-30利用利用P-N結(jié)結(jié) 可以作成具有整流、開(kāi)關(guān)等可以作成具有整流、開(kāi)關(guān)等作用的晶體二極管作用的晶體二極管（diode）。）。 半導(dǎo)體的其他特性和應(yīng)用半導(dǎo)體的其他特性和應(yīng)用 熱敏電阻熱敏電阻（自學(xué)）（自學(xué)） 光敏電阻（光敏電阻（自學(xué)）自學(xué)） 溫差電偶溫差電偶（自學(xué)）（自學(xué)） P-N結(jié)的適當(dāng)組合可以作成具有放大結(jié)的適當(dāng)組合可以作成具有放大作用的晶體三極管作用的晶體三極管（trasistor），），以以及其他一些晶體管。及

17、其他一些晶體管。 集成電路：集成電路：1947年年12月月23日，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室日，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的半導(dǎo)體小組做出了世界上第一只的半導(dǎo)體小組做出了世界上第一只具有放大作用的具有放大作用的點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型晶體三極管晶體三極管。固定針固定針B探針探針固定針固定針AGe晶片晶片1956年小組的三位成員獲諾貝爾物理獎(jiǎng)。年小組的三位成員獲諾貝爾物理獎(jiǎng)。pnp電信號(hào)電信號(hào)cbVebVcbRe后來(lái)，晶體管又從點(diǎn)接觸型發(fā)展到后來(lái)，晶體管又從點(diǎn)接觸型發(fā)展到面接觸型。面接觸型。晶體管比真空電子管體積小，重量輕，晶體管比真空電子管體積小，重量輕，成本低，可靠性高，壽命長(zhǎng)，很快成為成本低，可靠性高，壽命長(zhǎng)，很快成為第

18、二代電子器件。第二代電子器件。集成電路集成電路 大規(guī)模集成電路大規(guī)模集成電路 超大規(guī)模集成電路超大規(guī)模集成電路 下圖為下圖為INMOS T900 微處理器微處理器:每一個(gè)集成塊（圖中一個(gè)長(zhǎng)方形部分）每一個(gè)集成塊（圖中一個(gè)長(zhǎng)方形部分）約為手指甲大小，約為手指甲大小，它有它有300多萬(wàn)個(gè)三極管。多萬(wàn)個(gè)三極管。 半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是光纖通訊中的重半導(dǎo)體激光器是光纖通訊中的重要光源，在創(chuàng)建信息高速公路的要光源，在創(chuàng)建信息高速公路的工程中起著極重要的作用。工程中起著極重要的作用。核心部分是核心部分是p型型 GaAs 和和 n型型 GaAs構(gòu)成的構(gòu)成的 P-N結(jié)結(jié)（通過(guò)摻雜補(bǔ)償工藝制得）。（通過(guò)摻雜補(bǔ)償工藝制得）。最簡(jiǎn)單的最簡(jiǎn)單的GaAs同質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器，同質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器， 典型尺寸：典型尺寸： 長(zhǎng)長(zhǎng) L = 250500 m 寬寬 = 510 m 厚厚 d = 0.10.2 m它的它的激勵(lì)能源激勵(lì)能源是外加電壓是外加電壓(電泵電泵)在正向在正向偏壓下工作。偏壓下工作。解理面解理面P-N結(jié)結(jié)P-N結(jié)結(jié)當(dāng)正向電壓大到一定程度時(shí)，在某些特當(dāng)正向電壓大到一定程度時(shí)，在某些特定的能級(jí)之間造成定的能級(jí)之間造成粒子數(shù)反轉(zhuǎn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的狀態(tài)，的狀態(tài)，形成電子與空穴復(fù)合發(fā)光。