電子陶瓷材料緒論PPT學習教案

1、會計學1電子陶瓷材料緒論電子陶瓷材料緒論陶瓷的特點：陶瓷的特點：優(yōu)點：硬度大，機械強度高，化學穩(wěn)優(yōu)點：硬度大，機械強度高，化學穩(wěn)定性好（耐腐蝕），熔點高，絕緣性能好，定性好（耐腐蝕），熔點高，絕緣性能好，抗電強度高（抗電強度高（10kv/mm),10kv/mm),導電性能可變導電性能可變（半導體、超導體、絕緣體）及成本低。（半導體、超導體、絕緣體）及成本低。缺點：脆性大，分散性大。缺點：脆性大，分散性大。第1頁/共116頁電子陶瓷電子陶瓷結構陶瓷和陶瓷和功能陶瓷。陶瓷。陶瓷的微觀結構與性能的關系陶瓷的微觀結構與性能的關系陶瓷是一個復雜的多晶多相系統(tǒng)，一般由結晶相、陶瓷是一個復雜的多晶多相系統(tǒng)，

2、一般由結晶相、玻璃相、氣相和相界交織而成。玻璃相、氣相和相界交織而成。結晶相：大小不同，形狀不一，取向隨機的晶粒。結晶相：大小不同，形狀不一，取向隨機的晶粒。直徑幾微米到幾十微米。小晶粒內部原子或離子點直徑幾微米到幾十微米。小晶粒內部原子或離子點陣規(guī)則排列，是單晶。陣規(guī)則排列，是單晶。主晶相決定了材料的性能：介電常數(shù)，電導率，損主晶相決定了材料的性能：介電常數(shù)，電導率，損耗和熱膨脹系數(shù)。電子陶瓷大都選用氧化物為主晶耗和熱膨脹系數(shù)。電子陶瓷大都選用氧化物為主晶相。相。第2頁/共116頁玻璃相玻璃相一種低溫可以熔融的化合物。作用是填充晶粒之間一種低溫可以熔融的化合物。作用是填充晶粒之間的空隙，將晶

3、粒緊密聯(lián)結成一個整體，降低坯體燒的空隙，將晶粒緊密聯(lián)結成一個整體，降低坯體燒成溫度，阻止晶型轉變，在一定條件下，可以抑制成溫度，阻止晶型轉變，在一定條件下，可以抑制晶粒生長，促使晶粒細微化。廣義上和晶粒之間的晶粒生長，促使晶粒細微化。廣義上和晶粒之間的過渡晶界相一起統(tǒng)稱為晶粒間界。過渡晶界相一起統(tǒng)稱為晶粒間界。晶粒之間的固晶粒之間的固體物質，原子不規(guī)則排列。體物質，原子不規(guī)則排列。第3頁/共116頁氣相氣相晶粒之間玻璃相填充不到的部分，是氣體占晶粒之間玻璃相填充不到的部分，是氣體占據(jù)的部分。據(jù)的部分。開口氣孔和閉口氣孔。開口氣孔和閉口氣孔。功能陶瓷的主要物理性能與效應直接效應直接效應電學、力學

4、、磁學、熱力學、化學、生物電學、力學、磁學、熱力學、化學、生物耦合效應耦合效應 機電、熱電、光電、磁電耦合機電、熱電、光電、磁電耦合第4頁/共116頁物理學的研究核心直接效應直接效應第5頁/共116頁直接效應直接效應第6頁/共116頁耦合效應第7頁/共116頁 特點：成分可控性、結構寬容性、性能多樣性、應用 廣泛性。 據(jù)功能陶瓷組成、結構的易調性和可靠性：可制備超高絕緣性、半導性、導電性和超導電性陶瓷。 據(jù)功能陶瓷的能量轉換和耦合特性：可制備壓電、光電、熱電、磁電和鐵電等陶瓷。 據(jù)對外場的敏感效應：可制備熱敏、氣敏、濕敏、壓敏、磁敏、電壓敏和光敏等敏感陶瓷。應用特點應用特點第8頁/共116頁主

5、要分類主要分類電介質陶瓷絕緣陶瓷(結構陶瓷)、電容器介質陶瓷、微波介質陶瓷、低溫共燒陶瓷鐵電陶瓷高介介電陶瓷、熱釋電陶瓷、電光陶瓷、弛豫鐵電陶瓷、反鐵電陶瓷等壓電陶瓷一元系、二元系、三元系壓電陶瓷，無鉛壓電陶瓷、電致伸縮陶瓷等半導體陶瓷PTCPTC熱敏陶瓷、NTCNTC熱敏陶瓷、氣敏陶瓷、壓敏陶瓷、濕敏陶瓷、光敏陶瓷等導電陶瓷電子導電陶瓷、離子導電陶瓷、質子導電陶瓷、混合導電陶瓷超導陶瓷高溫超導陶瓷磁性陶瓷鐵氧體陶瓷軟磁、硬磁、旋磁鐵氧體等生物陶瓷生物惰性陶瓷、生物活性陶瓷等第9頁/共116頁按形態(tài)可分為： 粉體、塊體、厚膜、薄膜、纖維、復合等按結晶態(tài)可分為： 非晶、多晶、單晶體第10頁/共1

6、16頁結構陶瓷：結構陶瓷： 在電子元件，器件，部件和電路中作基體、外殼，在電子元件，器件，部件和電路中作基體、外殼，固定件和絕緣部件。固定件和絕緣部件。滑石瓷：滑石瓷：MO-AlMO-Al2 2O O3 3-SiO-SiO2 2體系體系氧化鋁陶瓷：氧化鋁陶瓷：AlAl2 2O O3 3，9999瓷（剛玉瓷），瓷（剛玉瓷），9595瓷，瓷，9090瓷，瓷，高鋁瓷，著色氧化鋁陶瓷。高鋁瓷，著色氧化鋁陶瓷。高熱導率瓷：高熱導率瓷：BeOBeO瓷，瓷，BNBN瓷，瓷，AlNAlN瓷，瓷，SiCSiC瓷。瓷。應用：結構陶瓷應用：結構陶瓷第11頁/共116頁功能陶瓷的發(fā)展趨勢功能陶瓷的發(fā)展趨勢(1) (1

7、) 表面組裝技術表面組裝技術(SMT) (SMT) 推動功能陶瓷元件片式化推動功能陶瓷元件片式化 (2) (2) 功能陶瓷的多功能化、復合化功能陶瓷的多功能化、復合化(3) (3) 功能陶瓷的機敏化和智能化功能陶瓷的機敏化和智能化(4) (4) 功能陶瓷的高頻化功能陶瓷的高頻化- -微波介質陶瓷與現(xiàn)代通信技術微波介質陶瓷與現(xiàn)代通信技術(5) (5) 低維化，集成化低維化，集成化第12頁/共116頁 塊體材料的常規(guī)制作工藝：制粉成型燒結。塊體材料的常規(guī)制作工藝：制粉成型燒結。 制粉工藝多樣化：固相法、液相法、氣相法。制粉工藝多樣化：固相法、液相法、氣相法。 成型工藝：干式模壓成型、等靜壓成型成型

8、工藝：干式模壓成型、等靜壓成型 燒結工藝：常壓燒結、熱壓燒結、填充燒結、氣燒結工藝：常壓燒結、熱壓燒結、填充燒結、氣氛燒結。氛燒結。功能陶瓷的制備工藝功能陶瓷的制備工藝第13頁/共116頁2 功能陶瓷的基本性能功能陶瓷的基本性能第14頁/共116頁2.1 2.1 電學性能電學性能基本電學性能：基本電學性能： （1 1）在電場下傳導電流）在電場下傳導電流, ,電導率電導率 （2 2）被電場感應，介電常數(shù)）被電場感應，介電常數(shù)第15頁/共116頁 為電導率為張量。為電導率為張量。EJ第16頁/共116頁基本的電學參數(shù)?；镜碾妼W參數(shù)。ED第17頁/共116頁2.1.1 2.1.1 電導率電導率JE

9、電導率：樣品的導電能力，越大則導電能力越強/1/RUIGRS h載流子：離子電導(陶瓷的主要方式) 和 電子電導本質區(qū)別： 1.質量變化 2. 霍爾效應 3. 遷移率低壓下，高低壓下，高壓不符合壓不符合EVnqnqVEJU, I, E ,J ?單位：歐姆單位：歐姆厘米（厘米（ cm cm）第18頁/共116頁第19頁/共116頁SdG第20頁/共116頁第21頁/共116頁第22頁/共116頁電能力的重要因素。電能力的重要因素。第23頁/共116頁電介質瓷主要是離子電導電介質瓷主要是離子電導；半導體瓷和導電陶瓷主要是電半導體瓷和導電陶瓷主要是電子電導子電導。第24頁/共116頁電子電導電子電導

10、沒有這一效應。沒有這一效應。第25頁/共116頁第26頁/共116頁第27頁/共116頁為表面電阻為體積電阻SSVVSVIVRIVRIII第28頁/共116頁SVRRR111SLRVV第29頁/共116頁IV截面積SL第30頁/共116頁VISLVIl2l1l3第31頁/共116頁)1111(2322121llllllVIVlI2第32頁/共116頁2.1.2 2.1.2 介電常數(shù)介電常數(shù)DE物質被電場感應的性質，衡量電介質存儲電荷能力的常數(shù)0Q Q設真空時介電常數(shù)為1，0hCS 表示相同電場和電極系統(tǒng)，有介質存在比真空情況下電荷增加的倍數(shù)。功能陶瓷的介電系數(shù)范圍很大。第33頁/共116頁+

11、+ + +- - - -VC0Q0靜電場中介質的極化+-VC Q-+-+-+-+-+-+-+-+-+Q-Q0第34頁/共116頁真空時：Q0，C0插入電介質陶瓷時：Q，C增加的感應電荷為：Q-Q0相對介電常數(shù)相對介電常數(shù)（relative dielectric constant）00CCQQ第35頁/共116頁系統(tǒng)，有介質存在時比真空情況系統(tǒng)，有介質存在時比真空情況下電極上電荷增加的倍數(shù)等于介下電極上電荷增加的倍數(shù)等于介質的介電常數(shù)。質的介電常數(shù)。0QQ第36頁/共116頁. .0r令：第37頁/共116頁ShChSCrr00第38頁/共116頁壓電陶瓷：壓電陶瓷：5020000第39頁/共1

12、16頁 介電常數(shù)是衡量電介質儲存電荷能力的參數(shù)，介電常數(shù)是衡量電介質儲存電荷能力的參數(shù)，通常又叫介電系數(shù)（通常又叫介電系數(shù)（Dielectric ConstantDielectric Constant）或電）或電容率容率(permittivity)(permittivity)，也是電子陶瓷材料最重要的，也是電子陶瓷材料最重要的電學特征參數(shù)之一。電學特征參數(shù)之一。 電介質極化的現(xiàn)象，歸根結底是電介質中的微觀帶電粒子在電場的作用下，電荷分布發(fā)生變化而導致的一種宏觀統(tǒng)計平均效應。電子和離子以多種形式參加極化過程。按照微觀機制，可歸納為以下幾種基本形式：第40頁/共116頁極化機制：極化機制： (1)

13、(1)位移式極化：電子，離子位移式極化：電子，離子 在電場作用下，離子（或原子）中的電子向電場相反方向移動一個小距離，帶正電的原子核將沿電場方向移動一個更小的距離，造成正負電荷中心分離，當外加電場取消后又恢復原狀。在電場作用下，離子（或原子）中的電子向電場相反方向移動一個小距離，帶正電的原子核將沿電場方向移動一個更小的距離，造成正負電荷中心分離，當外加電場取消后又恢復原狀。 離子（或原子）的這種極化稱電子位移極化，是在離子（或原子）內部發(fā)生的可逆變化，不以熱的形式損耗能量，不導致介質損耗。離子（或原子）的這種極化稱電子位移極化，是在離子（或原子）內部發(fā)生的可逆變化，不以熱的形式損耗能量，不導致

14、介質損耗。第41頁/共116頁(2) (2) 松弛式極化：電子，離子松弛式極化：電子，離子松弛質點：材料中存在著弱聯(lián)系的電子、離子和偶松弛質點：材料中存在著弱聯(lián)系的電子、離子和偶極子。極子。松弛極化：松弛質點由于熱運動使之分布混松弛極化：松弛質點由于熱運動使之分布混亂，亂， 電場力使之按電場規(guī)律分布，在一定溫度下發(fā)電場力使之按電場規(guī)律分布，在一定溫度下發(fā)生極化。生極化。松弛極化的特點：比位移極化移動較大距松弛極化的特點：比位移極化移動較大距離，移動時需克服一定的勢壘，極化建立時間長，離，移動時需克服一定的勢壘，極化建立時間長，需吸收一定的能量，是一種非可逆過程。需吸收一定的能量，是一種非可逆過

15、程。 這些弱聯(lián)系離子，受熱運動起伏的影響，從一這些弱聯(lián)系離子，受熱運動起伏的影響，從一個平衡位置遷移到另一個平衡位置。在正常狀個平衡位置遷移到另一個平衡位置。在正常狀態(tài)下，離子向各個方向遷移的幾率相等，整個態(tài)下，離子向各個方向遷移的幾率相等，整個介質不呈現(xiàn)電極性。在電場作用下，離子向一介質不呈現(xiàn)電極性。在電場作用下，離子向一個方向遷移的幾率增大，使介質呈現(xiàn)極化。個方向遷移的幾率增大，使介質呈現(xiàn)極化。第42頁/共116頁 （3 3）偶極子轉向極化）偶極子轉向極化 極性電介質的分子，由于熱運動，在無電場極性電介質的分子，由于熱運動，在無電場時，偶極矩的取向是任意的，對外宏觀電矩為零時，偶極矩的取向

16、是任意的，對外宏觀電矩為零。 有外電場時，偶極子會沿與外電場方向平行有外電場時，偶極子會沿與外電場方向平行的方向排列，出現(xiàn)了與外電場同向的電矩。的方向排列，出現(xiàn)了與外電場同向的電矩。 偶極子的轉向極化由于受到電場力的轉矩作偶極子的轉向極化由于受到電場力的轉矩作用、分子熱運動的阻礙作用以及分子間的相互作用、分子熱運動的阻礙作用以及分子間的相互作用，所需時間較長，為用，所需時間較長，為1010-2-210106 6 秒或更長。秒或更長。第43頁/共116頁 界面極化是和陶瓷體內電荷分布狀況有關的極界面極化是和陶瓷體內電荷分布狀況有關的極化。陶瓷體內的電荷又稱空間電荷或容積電荷。它化。陶瓷體內的電荷

17、又稱空間電荷或容積電荷。它的形成原因是陶瓷體內存在不均勻性和界面。晶界、的形成原因是陶瓷體內存在不均勻性和界面。晶界、相界是陶瓷中普遍存在的。相界是陶瓷中普遍存在的。 （4 4） 界面極化界面極化 由于界面兩邊各相的電性質（電導率、介電常數(shù)等）不同，在界面處會積聚起電荷。不均勻的化學組成、夾層、氣泡是宏觀不均勻性，由于界面兩邊各相的電性質（電導率、介電常數(shù)等）不同，在界面處會積聚起電荷。不均勻的化學組成、夾層、氣泡是宏觀不均勻性，在界面上也有電荷積聚。在界面上也有電荷積聚。 某些陶瓷材料在直流電壓作用下發(fā)生電化學反應，在一個電極或兩個電極附近形成新的物質。稱為某些陶瓷材料在直流電壓作用下發(fā)生電

18、化學反應，在一個電極或兩個電極附近形成新的物質。稱為形成層作用。形成層作用。陶瓷變成兩層或三層電性質不同的介質。這些層間界面上也會積聚電荷。陶瓷變成兩層或三層電性質不同的介質。這些層間界面上也會積聚電荷。 第44頁/共116頁 上述各種界面上積聚電荷的結果，使電極附近電荷上述各種界面上積聚電荷的結果，使電極附近電荷增加，呈現(xiàn)了宏觀極化。增加，呈現(xiàn)了宏觀極化。 這種極化可以形成很高的與外加電場方向相反的這種極化可以形成很高的與外加電場方向相反的電動勢電動勢反電勢，因此這種宏觀極化也稱為高壓式反電勢，因此這種宏觀極化也稱為高壓式極化。由夾層、氣泡等形成的極化則稱夾層式極化。極化。由夾層、氣泡等形成

19、的極化則稱夾層式極化。 高壓式和夾層式極化可以統(tǒng)稱為界面極化。高壓式和夾層式極化可以統(tǒng)稱為界面極化。 由于空間電荷積聚的過程是一個緩慢的過程，所由于空間電荷積聚的過程是一個緩慢的過程，所以這種極化建立的時間較長，大約從幾秒至幾十小時。以這種極化建立的時間較長，大約從幾秒至幾十小時。界面極化只對直流和低頻下的介電性質有影響。界面極化只對直流和低頻下的介電性質有影響。 第45頁/共116頁（5）諧振式極化諧振式極化 陶瓷中的電子、離子都處于周期性的振動，陶瓷中的電子、離子都處于周期性的振動，其固有振動頻率為其固有振動頻率為1010121210101313HzHz，即紅外線、可見，即紅外線、可見光和

20、紫外線的頻段。光和紫外線的頻段。 當外加電場的頻率接近此固有振動頻率時，當外加電場的頻率接近此固有振動頻率時，將發(fā)生諧振。電子或離子吸收電場能，使振幅加將發(fā)生諧振。電子或離子吸收電場能，使振幅加大呈現(xiàn)極化現(xiàn)象。電子或離子振幅增大后將與周大呈現(xiàn)極化現(xiàn)象。電子或離子振幅增大后將與周圍質點互作用，振動能轉變成熱量，或發(fā)生輻射，圍質點互作用，振動能轉變成熱量，或發(fā)生輻射，形成能量損耗。形成能量損耗。 這種極化僅發(fā)生在光頻段。這種極化僅發(fā)生在光頻段。第46頁/共116頁（6 6）自發(fā)極化）自發(fā)極化 在鐵電陶瓷中有自發(fā)存在的小電疇，當外加在鐵電陶瓷中有自發(fā)存在的小電疇，當外加電場后，這些小電疇會沿外場方向

21、取向。由于這電場后，這些小電疇會沿外場方向取向。由于這些小電疇隨電場的變化不能太快，因而這種極化些小電疇隨電場的變化不能太快，因而這種極化對低頻下和中頻的介電性質有較大的影響。自發(fā)對低頻下和中頻的介電性質有較大的影響。自發(fā)極化于溫度的關系也很密切。在某個溫度之上，極化于溫度的關系也很密切。在某個溫度之上，自發(fā)極化可能會消失，該溫度通常稱為居里溫度。自發(fā)極化可能會消失，該溫度通常稱為居里溫度。在居里溫度附近，鐵電陶瓷的介電常數(shù)會出現(xiàn)很在居里溫度附近，鐵電陶瓷的介電常數(shù)會出現(xiàn)很大的變化。大的變化。 第47頁/共116頁總結：總結：與晶格粒子有關與晶格粒子有關- - 強結合強結合 位移極化；弱結合位

22、移極化；弱結合 松弛極化松弛極化 與缺陷有關與缺陷有關- -界面極化界面極化 與外界條件有關與外界條件有關- -諧振式極化諧振式極化 與晶格結構有關與晶格結構有關：自發(fā)極化：自發(fā)極化第48頁/共116頁極化形式極化形式極化的電介極化的電介質種類質種類極化的頻率范極化的頻率范圍圍與溫度的關與溫度的關系系能量消耗能量消耗電子位移極電子位移極化化一切陶瓷一切陶瓷直流直流光頻光頻無關無關無無離子位移極離子位移極化化離子結構離子結構直流直流紅外紅外溫度升高極溫度升高極化增強化增強很弱很弱離子松弛極離子松弛極化化離子不緊密離子不緊密的材料的材料直流直流超高頻超高頻隨溫度變化隨溫度變化有極大值有極大值有有電

23、子位移松電子位移松弛極化弛極化高價金屬氧高價金屬氧化物化物直流直流超高頻超高頻隨溫度變化隨溫度變化有極大值有極大值有有轉向極化轉向極化有機有機直流直流超高頻超高頻隨溫度變化隨溫度變化有極大值有極大值有有空間電荷極空間電荷極化化結構不均勻結構不均勻的材料的材料直流直流高頻高頻隨溫度升高隨溫度升高而減小而減小有有各種極化方式對各種極化方式對比比第49頁/共116頁2.1.3 介質損耗介質損耗 陶瓷介質在電導和極化過程中都有能量陶瓷介質在電導和極化過程中都有能量損耗，一部分電能轉化為熱能。單位時間單損耗，一部分電能轉化為熱能。單位時間單位體積內所消耗的電能為介質損耗。位體積內所消耗的電能為介質損耗。

24、2pE直流電場下，僅來源于電導：直流電場下，僅來源于電導： 交流電場下，來源于電導和極化交流電場下，來源于電導和極化 將實際陶瓷電容器等效為一個理想電容將實際陶瓷電容器等效為一個理想電容器器(無耗電容器無耗電容器)和純電阻的并聯(lián)或串聯(lián)。和純電阻的并聯(lián)或串聯(lián)。第50頁/共116頁介電損耗：任何電介質在電場作用下，總會或多或少地把部分電能轉變成熱能使介質發(fā)熱，在單位時間內因發(fā)熱而損耗的能量稱為損耗功率或簡稱為介電損耗。任何電介質在電場作用下，總會或多或少地把部分電能轉變成熱能使介質發(fā)熱，在單位時間內因發(fā)熱而損耗的能量稱為損耗功率或簡稱為介電損耗。介電損耗包括：漏電損耗和極化損耗（漏電損耗和極化損耗

25、（polarization losspolarization loss）漏電損耗漏電損耗： 漏電電流流經(jīng)介質時使介質發(fā)熱而損耗了電能，這種由電導而引起的介質損耗稱為漏電電流流經(jīng)介質時使介質發(fā)熱而損耗了電能，這種由電導而引起的介質損耗稱為“漏電損耗漏電損耗”。極化損耗極化損耗：介質在電場中均會呈現(xiàn)出極化現(xiàn)象，除電子、離子彈性位移極化基本上不消耗能量外，其他緩慢極化建立的過程中都會因克服阻力而引起能量的損耗，這種損耗稱為極化損耗（介質在電場中均會呈現(xiàn)出極化現(xiàn)象，除電子、離子彈性位移極化基本上不消耗能量外，其他緩慢極化建立的過程中都會因克服阻力而引起能量的損耗，這種損耗稱為極化損耗（polariza

26、tion losspolarization loss） 。第51頁/共116頁EPED00r)exp(0tiEE )(exp0tiDD第52頁/共116頁 icosrsinr 介電常數(shù)的實部反映了電介質儲存電荷的能力，虛部反映了電介質在電荷移動過程中引起的電場能量損耗，它們均與電場頻率有關。 電介質的損耗多來自漏電損耗,極化損耗。 漏電損耗是因為電介質的直流電導損耗以及由于離子遷移受阻和偶極子弛豫損耗而引起能量的損失。極化損耗是因為材料中電子和離子的非彈性位移引起的。第53頁/共116頁相同。22)()( m tg第54頁/共116頁2.1.4 絕緣強度絕緣強度介質的擊穿：介質的擊穿：當電場超

27、過某一臨界值時，介質當電場超過某一臨界值時，介質有介電態(tài)變?yōu)閷щ姞顟B(tài)有介電態(tài)變?yōu)閷щ姞顟B(tài)擊穿時的電壓為擊穿電壓，相應的電場強度稱擊擊穿時的電壓為擊穿電壓，相應的電場強度稱擊穿電場強度、絕緣強度、介電強度、抗電強度穿電場強度、絕緣強度、介電強度、抗電強度包括包括電擊穿，熱擊穿電擊穿，熱擊穿第55頁/共116頁第56頁/共116頁質溫度急劇升高。擊穿電場強度較低，104105V/cm。第57頁/共116頁第58頁/共116頁熱擊穿時，Ej則隨周圍媒質溫度的增加而降低，與媒質散熱情況密切關系。第59頁/共116頁2.2 力學性能力學性能2. 2.1 彈性模量彈性模量 可按各向同性分析可按各向同性分析

28、2. 2.2 機械強度機械強度 Griffith的微裂紋理論的微裂紋理論2. 2.3 斷裂韌性斷裂韌性 應力強度因子應力強度因子第60頁/共116頁zzyyxxxxxxEEE)(第61頁/共116頁tllAA00第62頁/共116頁體得出的。體得出的。)21(3)1(2EKEG第63頁/共116頁第64頁/共116頁第65頁/共116頁第66頁/共116頁第67頁/共116頁第68頁/共116頁2211VEVEEH第69頁/共116頁22111EVEVEL第70頁/共116頁)9 . 09 . 11 (20PPEE第71頁/共116頁量。量。E E為為彈性模量，彈性模量，a為原子間距。為原子間

29、距。aEth第72頁/共116頁抗拉強度。陶瓷材料抗壓強度抗拉強度。陶瓷材料抗壓強度約為抗拉強度的約為抗拉強度的10倍。倍。第73頁/共116頁N/m2，但實測強度但實測強度=2.=2.66108 N/m2只有只有th的的1/277。第74頁/共116頁第75頁/共116頁第76頁/共116頁度，增加韌性。度，增加韌性。第77頁/共116頁第78頁/共116頁第79頁/共116頁第80頁/共116頁能力；能力；第81頁/共116頁配位數(shù)越小、結合能越大，材配位數(shù)越小、結合能越大，材料的硬度越大。料的硬度越大。第82頁/共116頁2.3 熱學性能熱學性能2. 3.1 比熱容比熱容2. 3.2 膨脹系數(shù)膨脹系數(shù)2. 2.3 熱導率熱導率2. 2.4 抗熱沖擊性抗熱沖擊性第83頁/共116頁表征。表征。第84頁/共116頁PPPTHTQC)()(第85頁/