ASM固晶培訓(xùn)資料

1、高良率生產(chǎn)的固晶工藝主講:張偉源先生ASM2006器回翹 i涌龜i ss一般製程回顧銀漿固晶(Epoxy Die Bonding)共晶焊接(Eutectic Die Bonding)覆晶焊接(Hip Chip Bonding)熱超聲覆晶焊接(Thermosonic Flip Chip Bonding)銀漿固晶9OCM/固晶、巧匚_9銀漿固化焊線共晶焊接直接共晶基板共晶>焊丿,>l r * 1卜1Z線X.Z點(diǎn)印助焊劑固晶助焊劑加熱ASM m覆晶焊接9OCM利用覆晶器拾晶焊頭上視監(jiān)測(cè)180°覆晶點(diǎn)印針助焊劑點(diǎn)印碟旋轉(zhuǎn)對(duì)位及點(diǎn)印助焊劑ASM9O熱超聲覆晶焊接CM） 焊墊q/熱超

2、聲覆晶焊接金球焊製金球一超聲波 震動(dòng)（£=LED*金球焊接於散熱基座丿加熱ASM不同製程的比較銀漿固晶共晶焊接覆晶焊接熱超聲覆晶焊接不同製程的比較的不已要 焊熟有漿需 重成藝選銀付 可已口可同應(yīng)工藝簡(jiǎn)易 更佳發(fā)光 及導(dǎo)電性更高焊接密 度更高焊接精 度更高焊接密度 更佳發(fā)光及導(dǎo) 電性不同製程的比較不同製程的比較略遜一籌需要固化 工藝較複 雜高焊接溫 度特別晶片/ 引線框架難於監(jiān)測(cè)焊 接良率需於次襯墊上焊製金球不同製程的比較塗層cooCM物料選擇ICM吸嘴頂針 點(diǎn)印針簡(jiǎn)介9OCXI吸嘴ASM9OCM吸嘴不同吸嘴的物料-橡膠吸嘴-咼溫吸嘴-碳化錦吸嘴不同吸嘴的設(shè)計(jì)-面貼式吸嘴-2邊/4邊吸

3、嘴9OCM高溫吸嘴例子：-由一種廣受應(yīng)用的纖維製成特性a）硬度25 - 48 Rockwell "E級(jí)”b）最高溫®/預(yù)。C -連續(xù)式加蒲、 超。C -間歇式加Qc）抗張強(qiáng)度最耐30.3 MPa 23°CASTM D-1708 方法d）接長(zhǎng)最耐5.% 32°CASTM D-1708 方法e）傳熱能力0.46 W/m. °C 40°CASTM F-433 方法f）抗壓縮力 1%K緊 10%拉緊22.8 MPa 23°C104.8 MPa 23°CASTM D-695 方法g）抗衝擊力，槽口42.7 J/m 23

4、76;CASTM D-256 方法吸嘴尖尺寸：一外徑:020mm一向徑:0.10mm最高可承受舷一 480°CASM岀9OCM碳化鴿平面吸嘴持性鉛含量（wt） 結(jié)晶體大?。╱m）密度(g/cmA3)硬度吸嘴尖尺寸：一外徑：0.30mm-內(nèi)徑：010mm 較硬物質(zhì)150.613.95HRA 89.9390050005309.2楊氏模數(shù)（GPa）防斷裂（MPa）抗破裂（MPa） 抗壓力（MPa）膨脹系數(shù)（20-800OC MKA-1傳熱能力（W/EK）6.185.0ASM O吸嘴撰擇橡膠吸嘴-應(yīng)用於大晶片(eg >40mil)-不適用於共晶焊接高溫吸嘴-應(yīng)用於一般固晶製程與共晶焊接

5、-應(yīng)用於小晶片(eg <40mil)碳化鎬吸嘴-應(yīng)用於一般固晶製程與共晶焊接_更長(zhǎng)使用期-應(yīng)用於小晶片(e.g. <20mil)面貼式吸嘴及晶片的關(guān)係-吸嘴大小約爲(wèi)晶片的80%90%兩邊/四邊吸嘴-晶片表面有特別塗層-減少因接觸而損害晶片表面g頂針ASM9i頂針_鋒利式ASM田9OCM頂針-圓頭式頂針ASM頂針-圓頭式頂針ASM頂針工具的選擇鋒利式頂針-晶片與頂針接觸面較圓頭式頂針細(xì)-防止拾晶失敗頭式頂針頂針工具的選擇頂針工具的選擇-可防止晶片破損頂針頭是在晶片底部較小壓力ASM點(diǎn)印針9§點(diǎn)印針印尖的直徑與固晶所需之銀漿大小有關(guān) 槽口大小控制銀漿尾_愈長(zhǎng)的槽口，會(huì)有愈長(zhǎng)的

6、銀漿尾基板選擇CM簡(jiǎn)介銀漿固晶-成熟工藝-對(duì)基板要求不多共晶焊接_基板設(shè)計(jì)-表面粗糙度-物料CM 一步式/兩步式製程-物料的要求 AuSn預(yù)附於晶片底部及基本預(yù)設(shè)銀(Ag)層 Sn預(yù)附於晶片底部及基板預(yù)設(shè)銀(Ag)層製程溫度-Au (80%) /Sn (20%)於塗銀基板焊接溫度3209-Au (10%) /Sn (90%)於塗銀基板焊接溫度260吃-Sn (100%)於塗銀基板焊接溫度25099I基板/引線框架的設(shè)計(jì)引線框架的設(shè)計(jì)-堅(jiān)固及表面平滑度-傳熱性9i設(shè)備ASM9OCM設(shè)備位置精度-機(jī)械式對(duì)位VS.圖像識(shí)別對(duì)位 PR系統(tǒng)-圓圖配置-特別照明系統(tǒng)工藝分享-GaP黃綠LED的處理-銅基質(zhì)的共晶片的處理ASM9OASM9OASM晶片破損i工藝分享I - GaP黃綠LED的處理L. 銅基質(zhì)的共晶片的處理晶片的邊角破爛:破晶經(jīng)常性於E-pole發(fā)現(xiàn)破損9O解決破晶CMASM9OCM總結(jié)要達(dá)致高良率的固晶生產(chǎn)，物料選擇是關(guān)鍵，如吸 嘴材料與大小，頂針尖銳度，點(diǎn)