北理工微電子器件實(shí)驗(yàn)報(bào)告(共13頁(yè))

1、 本科實(shí)驗(yàn)報(bào)告實(shí)驗(yàn)名稱(chēng)： 微電子器件實(shí)驗(yàn) 課程名稱(chēng)：微電子器件實(shí)驗(yàn)時(shí)間：任課教師：實(shí)驗(yàn)地點(diǎn)：實(shí)驗(yàn)教師：實(shí)驗(yàn)類(lèi)型： 原理驗(yàn)證 綜合設(shè)計(jì) 自主創(chuàng)新學(xué)生姓名：學(xué)號(hào)/班級(jí)：組 號(hào)：學(xué) 院：信息與電子學(xué)院同組搭檔：專(zhuān) 業(yè)：電子科學(xué)與技術(shù)成 績(jī)：實(shí)驗(yàn)一PN結(jié)的電學(xué)特性一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.熟悉Cadence 軟件的基本使用方法，視頻A、B、D、E、F。2.熟悉二極管（PN 結(jié)）的電學(xué)特性：（1）正向直流特性，（2）正向直流增量電導(dǎo)（交流等效電阻），（3）開(kāi)關(guān)瞬態(tài)特性。二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容使用工藝庫(kù)：smic18mmrf，1.8V實(shí)驗(yàn)步驟如下：（1）正向直流特性1.如圖連接電路，選取npn18 作為測(cè)試元件，選取vdc

2、作為直流電源。2.在environment 中的analyses 中選擇DC 仿真。3.在Outputs 中選擇To Be Plotted 的select on schematic，然后選擇PN 結(jié)的左端電流。4.選擇NETLIST AND RUN，查看結(jié)果。（2）正向直流增量電導(dǎo)（交流等效電阻）5.在得到上圖結(jié)果后，調(diào)用計(jì)算器功能。6.選擇右側(cè) deriv 功能，并將結(jié)果plot。7.得到二極管的電流關(guān)于輸入電壓的偏導(dǎo)。（3）開(kāi)關(guān)瞬態(tài)特性8.如圖搭建電路，輸入電壓選擇 vpulse，低電壓0V，高電壓2V。pulse with 設(shè)10ns，周期20ns。9.測(cè)量?jī)蓚?cè)電壓，設(shè)置瞬態(tài)掃描。10.

3、在p 秒量級(jí)，可以看到二極管由斷開(kāi)到導(dǎo)通的建立過(guò)程。實(shí)驗(yàn)二BJT 和MOSFET 的伏安特性曲線一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.熟悉軟件的基本使用方法；2.熟悉BJT 和MOSFET 的電特性。二、BJT實(shí)驗(yàn)內(nèi)容使用工藝庫(kù)：smic18mmrf。本實(shí)驗(yàn)主要完成如下內(nèi)容。（1）BJT 的輸出特性曲線。（2）BJT 共射放大電路的直流工作點(diǎn)計(jì)算、電路仿真驗(yàn)證；交流AC 仿真結(jié)果。實(shí)驗(yàn)步驟如下：1.如圖連接電路，選取npn18 作為測(cè)試元件，選取vdc 作為直流電源。為了實(shí)現(xiàn)兩個(gè)變量同時(shí)掃描，需要對(duì)UBE 和UCE 設(shè)置直流掃描（掃描范圍和掃描步長(zhǎng)可自行修改）。2.在environment 中的analyses 中

4、選擇DC 仿真3.在Outputs 中選擇To Be Plotted 的select on schematic，然后選擇BJT 的C 端電流。4.在Tools 中選擇Parametric Analys，設(shè)置如下選擇此窗口中的analysis 中的Start。5.特性曲線6.將信號(hào)源更換為直流疊加交流小信號(hào)，并添加集電極電阻，構(gòu)成共射極放大電路。7.進(jìn)行瞬態(tài)仿真和ac仿真的參數(shù)設(shè)置，運(yùn)行仿真，在dB20標(biāo)度下標(biāo)注3dB帶寬。三、MOSFET實(shí)驗(yàn)內(nèi)容使用工藝庫(kù)：smic18mmrf。本實(shí)驗(yàn)主要完成如下內(nèi)容。（1）MOSFET 的輸出特性曲線。（2）MOSFET 共源放大電路的直流工作點(diǎn)計(jì)算、電路仿真驗(yàn)證；交流AC 仿真結(jié)果。實(shí)驗(yàn)步驟如下：1.如圖連接電路，選取n18 作為測(cè)試元件，選取vdc 作為直流電源。2.同理BJT進(jìn)行相關(guān)設(shè)置，仿真得