半導(dǎo)體二極管的構(gòu)及特性_第1頁(yè)
半導(dǎo)體二極管的構(gòu)及特性_第2頁(yè)
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1、1.2.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型構(gòu)成：構(gòu)成：pn結(jié)結(jié) + 引線引線 + 管殼管殼 = 二極管二極管 (diode)符號(hào)：符號(hào)：a(anode)c(cathode)分類：分類：按材料分按材料分硅二極管硅二極管鍺二極管鍺二極管按結(jié)構(gòu)分按結(jié)構(gòu)分點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型面接觸型面接觸型點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型正極正極引線引線觸絲觸絲n型鍺片型鍺片外殼外殼負(fù)極負(fù)極引線引線負(fù)極引線負(fù)極引線 面接觸型面接觸型n型鍺型鍺pn結(jié)結(jié) 正極引線正極引線鋁合金鋁合金小球小球底座底座金銻金銻合金合金平面型平面型正極正極引線引線負(fù)極負(fù)極引線引線集成電路中平面型集成電路中平面型pnp型支持襯底型支持襯底1.2.

2、2 二極管的伏安特性二極管的伏安特性oud /vid /ma正向特性正向特性u(píng)th死區(qū)死區(qū)電壓電壓id = 0uth = 0.5 v 0.2 v(硅管硅管)(鍺管鍺管)u uthid 急劇上升急劇上升0 u uth ud(on) = 0.6 0.7 v硅管硅管0.7 v0.2 0.3 v鍺管鍺管0.2 v反向特性反向特性isu (br)反向擊穿反向擊穿u（br) u 0 id = is 0.1 a(硅硅) 幾十幾十 a (鍺鍺)u u（br）反向電流急劇增大反向電流急劇增大 (反向擊穿反向擊穿)反向擊穿類型：反向擊穿類型：電擊穿電擊穿熱擊穿熱擊穿反向擊穿原因反向擊穿原因： 齊納擊穿齊納擊穿：（zener)反向電場(chǎng)太強(qiáng)，將電子強(qiáng)行拉出共價(jià)鍵。反向電場(chǎng)太強(qiáng)，將電子強(qiáng)行拉出共價(jià)鍵。 (擊穿電壓擊穿電壓 6v, 正正溫度系數(shù)溫度系數(shù))擊穿電壓在擊穿電壓在 6 v左右時(shí)，溫度系數(shù)趨近零。左右時(shí)，溫度系數(shù)趨近零。id / maud / v0.20.4 25 50510150.010.02鍺管的鍺管的伏安特性伏安特性0604020 0.02 0.0400.4 0.82550id / maud / v硅管的硅管的伏安特性伏安特性1.2.3 溫度對(duì)二極管特性的影響溫度對(duì)二極管特性的影響604020 0.02o 0.42550id / mau

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