內存顆粒和模組編號知識

1、.內存顆粒和模組編號知識老頭兒 的 內存顆粒和模組編號知識60問 （ ，李謙 2009-04-24發(fā)表）在內存的顆粒和模組的編號中濃縮著內存的主要技術信息，但是，除了JEDEC對模組的標注方法有一個原則規(guī)定外，顆粒和模組的編號規(guī)則都是由各個生產廠自行設定的，編號方法很不一致。因此，網上有關編號的問題的討論也很多，我認為，有許多理解是不準確的。為此，我花了一些時間到境外生產廠的英文官方網站去尋求答案。力求收集得全面一些。還真的有不少斬獲。現(xiàn)將它們整理出來，供網友們參考。當然，所涉及的內存種類主要是個人電腦用戶接觸到的UDIMM （Unbuffered non-ECC DIMM也稱UBD

2、IMM）內存和SO-DIMM(Small Outline DIMM )內存。服務器內存和其他專用內存都沒有涉及。為了便于讀者朋友查詢，我編了一個內存顆粒編號速查表和內存模組編號速查表（見問題3問題4）。當您要查詢一個未知內存編號的含義時，可以首先跟這個速查表比對，了解了生產這種內存的廠商后，再根據本目錄查詢具體含義。目錄一.關于內存的編號1.目前的主要內存廠商有哪些？2.內存是怎樣編號的？3.請給出常用內存顆粒編號速查表！4.請給出常用內存模組編號速查表！二.關于內存的編號方法5.顆粒編號中的術語有哪些？說明其含義。6.當表示顆粒結構時用“128M×8”是什么意思？7.怎樣根據顆粒編

3、號求出BANK深度？8.怎樣根據顆粒編號求出顆粒深度？9.如何根據顆粒的編號計算模組容量？10.怎樣從內存編號中知道內存的速度？11.內存模組編號的術語有那些？說明其含義。12.當表示模組結構時用256M×64是什么意思？13.什么是RANK?14.如何根據模組的編號計算模組的容量？15.如何根據模組和顆粒的編號推算模組的顆粒數(shù)？16.JEDEC對內存編號內容是如何規(guī)定的？17.請解釋JEDEC標準中有關內存名詞及其含義18.如何根據模組的編號計算模組的RANK數(shù)？19.模組的RANK數(shù)跟模組的面數(shù)有什么關系？20.內存標簽上的2R×8就表明內存是雙面8個顆粒嗎？21.內存

4、標簽上的Warranty Void是什么意思？22.內存標簽上的UNB和SOD是什么意思？23.在內存標簽上寫的RoHS是什么意思？24.有害物質是指哪些？25.內存標簽上的“0820”是什么意思？26.內存標簽上的P/N和S/N是什么意思？27.我的內存是2GB的，為什么顆粒編號說是1GB的? 三.幾個主要內存廠商編號方法介紹28.三星內存的顆粒是怎樣編號的？29.三星內存的模組是怎樣編號的？30.海力士內存以“HY5”為前綴的顆粒是怎樣編號的？31.海力士內存以“H5”為前綴的顆粒是怎樣編號的？32.海力士SDRAM內存模組是怎樣編號的？33.海力士DDR內存模組是怎樣編號的？3

5、4.海力士DDR2內存模組是怎樣編號的？35.海力士DDR3內存模組是怎樣編號的？36.現(xiàn)代的樂金內存是怎樣編號的？37.美光內存的顆粒是怎樣編號的？38.美光內存的模組是怎樣編號的？39.日立、日電和東芝舊內存顆粒是怎樣編號的？40.爾必達內存的顆粒是怎樣編號的？41.爾必達內存的模組是怎樣編號的？42.英飛凌和奇夢達內存的顆粒是怎樣編號的？43.英飛凌和奇夢達內存的模組是怎樣編號的？44.南亞內存的顆粒是怎樣編號的？45.南亞內存的模組是怎樣編號的？46.易勝的顆粒是怎樣編號的？47.易勝的模組是怎樣編號的？48.力晶的內存是怎樣編號的？49.茂矽和茂德的顆粒是如何編號的？50.茂矽和茂德

6、的模組是如何編號的？51.金士頓Avardram內存是如何編號的?52.金士頓HyperX內存是如何編號的?53.世邁內存的模組是如何編號的？54.海盜船內存是怎樣編號的？55.瑞士軍刀內存模組是怎樣編號的？56.勝創(chuàng)的內存是怎樣編號的?57.威剛內存模組是怎樣編號的？58.宇瞻內存模組是怎樣編號的？59.金邦內存模組是怎樣編號的？60.超勝內存是怎樣編號的？一.關于內存的編號1.目前的主要內存廠商有哪些？答：內存生產廠商很多，顆粒的生產廠商主要是韓國的三星、海力士；日本的爾必達；美國的美光；德國的奇夢達和我國臺灣的南亞、力晶和茂德等。據報導，2006年，以上幾個廠商生產的內存顆粒占世界總產量

7、的98%以上。因此，弄清楚這幾個大廠顆粒編號規(guī)則就是十分重要的。模組生產廠商，則要分散得多，著名的有金士頓、世邁、金邦、威剛、勝創(chuàng)、瑞士軍刀等。這些廠商大都是用以上顆粒廠生產的顆粒組裝模組的，模組的編號基本上都符合JEDEC的規(guī)定，因此，認識這些模組生產廠的產品的主要參數(shù)和性能沒有什么困難。但是，因為這些廠大都有自己的模組編號方法，因此，我也盡可能地對模組編號進行了收集整理?，F(xiàn)將幾個主要生產廠商的官方網站介紹如下：Samsung（三星，也用SEC的標志，韓國）：http:/。Hynix(海力士，原HyunDai現(xiàn)代，后來又合并了樂金LGS，韓國）：ttp:/。Micron（美光，又稱鎂光、麥康

8、，邁克龍，美國）：ttp:/或/SDRAMElpida(爾必達,是NEC和日立合組的專業(yè)DRAM生產廠，日本)：Qimonda(奇曼達，是從英飛凌和西門子分離出來的，德國)：Powerchip（力晶PSC，臺灣）：Mosel（茂矽及茂德,臺灣）:和KingMax（勝創(chuàng),臺灣）：http:/.cn/productsNanya(南亞,臺灣)：Elixir（南亞易勝,臺灣）：. E.twKingston(金士頓，臺灣)：SMART(世邁，美國)：Adata(威剛,臺灣)：Apacer(宇瞻，臺灣):Corsair（海盜船，美國）Leadmax（超勝,香港）Geil(金邦,中國) 2.內存是怎樣編號的

9、？答：內存的主要參數(shù)都可以從編號上得到答案。廠家對內存編號的方法有兩類，第一類是對顆粒的編號；第二類是對內存模組的編號。在一個內存模組上，這兩類編號是同時存在的，而且是密切相關的。另外，JEDEC（電子元件工業(yè)聯(lián)合會，Joint Electron Device Engineering Council）也規(guī)定了一個編號方法，在近年出廠的內存標簽上也都有這個編號。其實，這是對模組的簡單明了的編號。以上幾種編號的樣式見下圖。  顆粒的編號都是刻嵌在內存顆粒上面的，例如，上圖中三星內存顆粒上的編號是“K4T1G084QD-ZCF7”（未全部顯示出來）。模組的編號是用紙貼在內存顆粒上的，如上圖

10、的“M378T5663DZ3-CF7”就是； JEDEC的編號則是寫在模組標簽的上方，如圖中的“2GB 2R×8 PC2-6400U-666-12-E3”就是。搞清這些編號的含義是十分重要的，因為在這些編號中包含了內存的結構和使用信息。3.請給出各種內存顆粒編號速查表！答：因為各種內存的編號方法很不統(tǒng)一，樣式也太多，為了使讀者查閱方便，我把主要內存廠商的內存編號各擇其一兩個樣子，以便迅速查出該內存是哪個廠商生產的。欲知詳細，還要查閱后面的分廠介紹。 4.請給出內存模組編號速查表！答：下表中的編號只是舉例，供檢索生產廠用。欲查清您手頭的內存編號的含義，還需參看下面的有關問答題

11、。 二.關于內存的編號方法 5.顆粒編號中的術語有哪些？說明其含義。答：內存顆粒編號所表達的內容較多，但是，主要是關于內存結構的內容。在進行尋址時就要先確定是哪個L-Bank，然后再在這個選定的L-Bank中選擇相應的行與列進行尋址。對內存的訪問，一次只能是一個L-Bank工作，而每次與北橋交換的數(shù)據就是L-Bank存儲陣列中一個“存儲單元”的容量。在某些廠商的表述中，將L-Bank中的存儲單元稱為Word（此處代表位的集合而不是字節(jié)的集合）。作為一般用戶，不可能把內存結構的物理作用了解得很透徹。為了使“菜鳥”網友大概了解一下內存結構的名稱及其含義，首先讓我用一個比喻作介紹：假如，有

12、32張方格紙，每張方格紙上有1200個小方格。把這32張完全相同的方格紙分成四摞放到一張桌子上，因此，每摞就有8張方格紙了。好了，我們就可以用這些條件來說明什么是單元、什么是位寬、什么是L-BANK了。見下表： 放到桌子上的方格紙內存顆粒的組織結構在內存中的名稱    條件和名稱對比一張桌子一顆芯片或一個顆粒顆?；蛐酒–hip或Die）一張方格紙一個（邏輯）BANK，一般簡稱BANKBANK或L-BANK（Internal bank）每張方格紙中的小方格一個BANK中的存儲單元（每個cell存儲1bit，0或1）單元（cell）一張方格紙的小

13、方格數(shù)一個BANK包含的單元格（cell）數(shù)BANK深度（BANK depth）各摞方格紙表面的那一層的小方格總數(shù)BANK數(shù)與BANK深度的乘積,沒有單位，只是cell個數(shù)顆粒深度（Chip depth）或顆粒長度（Chip length）一摞紙包含的張數(shù)(層數(shù))BANK的位寬，也是顆粒的位寬，以b為單位顆粒位寬（bit organization）一張桌子上全部方格紙包含的小方格數(shù)顆粒深度W與顆粒位寬M的乘積，如64M×8其乘積就是顆粒密度（Chip Density），單位是Mb或Gb全部方格紙的小方格數(shù)除以8后的數(shù)顆粒密度除以8b/B后，以MB或GB為單位顆粒的容量（Density

14、或Chip capacity） 說明：1.一個邏輯Bank的顆粒深度已知的有1M、2M、4M、8M、16M和32M等。目前的DDR2內存，大都是8M、16M和32M的；2.一個顆粒的位寬有過4bit、8bit、16bit和32bit的。目前，內存的位寬大都是8b和16b的；3.一個顆粒中的BANK數(shù)有4、8和16個的，DDR內存的位寬多是4BANK的；目前DDR2和DDR3內存大都是采用8個Bank的;4.BANK的深度與BANK的乘積稱為顆粒深度（Chip  depth）,也稱顆粒長度或地址空間。5.顆粒密度有64Mb、128Mb、256Mb、512Mb、1Gb和2Gb多

15、種。DDR內存的顆粒密度最大為512Mb;目前DDR3內存的顆粒密度可以達到4Gb。6.顆粒密度除以8b/B才是以字節(jié)表示的每個顆粒的容量(Capacity)。6.當表示顆粒結構時用“128M×8”是什么意思？答：在電腦業(yè)界，經常把顆的結構用M×W來表示。M就是顆粒深度；W就是顆粒位寬。例如，當用128M×8表示，這個128M就是顆粒深度，單位為1；8是顆粒位寬，單位為bit。二者的乘積就是顆粒密度。顆粒密度的單位是Mb或Gb。7.怎樣根據顆粒編號求出BANK深度？答：因為在顆粒編號中給出的參數(shù)都有顆粒密度、BANK數(shù)和位寬，而顆粒密度=BANK深度×B

16、ANK數(shù)×顆粒位寬所以，BANK深度=顆粒密度÷BANK數(shù)÷位寬例如，當三星的顆粒編號是K4T1G084QD時，我們知道顆粒密度=1G=1024Mb;BANK數(shù)是8個；顆粒位寬是8bit,因此，就有BANK深度=1024Mb÷8÷8b=16M8.怎樣根據顆粒編號求出顆粒深度？答：顆粒深度又稱顆粒長度，因為在顆粒編號中給出的有顆粒密度、BANK數(shù)和位寬，而顆粒密度=顆粒深度×顆粒位寬所以，            

17、60;     顆粒深度=顆粒密度÷顆粒位寬例如，當三星的顆粒編號是K4T1G084QD時，我們知道顆粒密度=1G=1024Mb;顆粒位寬是8bit,因此，就有顆粒深度=1024Mb÷8b=128M9.如何根據顆粒的編號計算模組容量？答：把顆粒密度乘以顆粒數(shù)就可以得到以Mb表示的內存的容量了。如果用8個顆粒，模組容量就是1024Mb×8=8192Mb。如果把它換算成我們熟悉的字節(jié)表示，除以8b/B后，就可以得到1GB了。這種情況往往給人造成錯覺，以為顆粒編號中的“1G”就表示內存容量是1GB的。其實這是錯誤的，因為你不能根據

18、一個顆粒的密度就判定模組的容量。因為容量的大小跟顆粒數(shù)有關。對于顆粒密度是1Gb的顆粒來說，如果你用的是8個顆粒，容量就是1GB：如果是用16個顆粒的話，容量就是2GB了。10.怎樣根據內存編號查出內存的速度？答：內存的速度是內存的一個重要的技術指標。所以，在顆粒和模組的編號上都必須給以標注。標注方法基本上是用數(shù)字或英文字符表示的。但是，在一般情況下，從這些字符上是看不出具體速度值的。而且各個廠家的表示方法也不盡一致，必須根據廠家給出的說明予以認定。不過，這個標志的位置通常都是置于編號后部的短字符“-”的后面。例如，三星內存模組的編號是M378T5663DZ3-CF7時，“-”后的“F7”就表

19、示DDR2-800。11.內存模組編號的術語有那些？說明其含義。答：內存模組編號的內容除了反映所采用的顆粒的特性外，還反映了模組的參數(shù)。例如插槽的類型、模組的數(shù)據深度、數(shù)據位寬等。有的內存編號還直接反映內存的容量。為了使“菜鳥”網友大致了解模組編號中所使用的技術術語，還是想利用在桌子上擺方格紙的例子做對比說明。  方格紙的擺放方法模組的組成方法在內存中的名稱 用擺方格紙做比喻把幾張桌子上的方格紙合并,按原摞數(shù)疊成每摞64張把幾個顆粒并聯(lián)成64bit的集合64bit是一個RANK或一個物理BANK（P-BANK）幾張桌面上的方格紙合并成64張為一摞后，第一層方格紙包

20、含的小方格數(shù)組成位寬為64b的模組后，整個模組的數(shù)據深度?？赡苁穷w粒深度的一倍或2倍模組的數(shù)據深度Module depth。是顆粒深度的兩倍時，就是2RANK各張桌面上的方格紙合并成64張為一摞后，全部方格紙包含的小方格數(shù)內存模組數(shù)據深度×64b。單位是Mb或Gb模組密度Module sensity全部小方格數(shù)除以8模組密度除以8b/B，以MB或GB為單位模組容量Module Capacity或sensity注：如果模組的深度和顆粒深度相同，稱為1個RANK的內存；如果模組的深度是顆粒深度的2倍，稱為2RANK的內存。12.當表示模組結構時用256M×64是什么意思？答：其

21、中的“256M”表示模組的深度是256M；“64”表示 模組的數(shù)據寬度是64b。普通用戶使用的電腦都是用”64”表示。二者的乘積就是模組的密度。模組密度除以8b/B就可以求出模組的容量。例如，對于標有256M×64的模組，其容量就是256M×64b÷8b/B=2048MB=2GB為了簡化估算，將模組深度乘以8b/B，就可以得出模組容量了。13.什么是RANK?答：CPU與內存之間的接口位寬是64bit，也就意味著CPU在一個時鐘周期內會向內存發(fā)送或從內存讀取64bit的數(shù)據?？墒?，單個內存顆粒的位寬僅有4bit、8bit或16bit，個別也有32bit的。因此，必

22、須把多個顆粒并聯(lián)起來，組成一個位寬為64bit的數(shù)據集合，才可以和CPU互連。生產商把64bit集合稱為一個物理BANK（Physical BANK），簡寫為P-BANK。為了和邏輯BANK相區(qū)分，也經常把P-BANK稱為RANK或Physical RANK,把L-BANK則簡稱為BANK。如果每個內存顆粒的位寬是8bit，應該由8個顆粒并聯(lián)起來，組成一個RANK（64bit）；同理，如果顆粒的位寬是16bit，應該由4個顆粒組成一個RANK。由此可知：Rank其實就是一組內存顆粒位寬的集合。具體說，當顆粒位寬×顆粒數(shù)=64bits時，這個模組就是有一個RANK。為了保證和CPU的溝

23、通，一個模組至少要有一個RANK。但是，為了保證有一定的內存容量，目前，DDR2內存，經常是采用一個模組兩個RANK的架構。（過去也有用幾個模組組成一個RANK的情況）。 14.如何根據模組的編號計算模組的容量？答：模組的深度與模組的數(shù)據寬度的乘積就是模組密度（Module Density）。此密度除以8b/B就是模組的容量(Memory capacity)。例如，當三星模組編號是M378B5673DZ1-CH9時，模組的深度是256M，數(shù)據寬度是64b，則模組容量就是256M×64b÷8b/B=256M×8B=2048MB=2GB如果不考慮單位，簡單的

24、換算方法是將模組深度數(shù)乘以8B就是內存的容量數(shù)。即256M×8B=2048MB=2GB。有些品牌內存（如宇瞻和奇夢達）的模組編號中也直接顯示出內存的容量。15.如何根據模組和顆粒的編號推算模組的顆粒數(shù)？答：因為模組的編號上可以知道模組深度和數(shù)據寬度，因此，二者相乘就是模組的密度。另外，從顆粒編號中可以知道顆粒的密度，因此有顆粒數(shù)=模組密度÷顆粒密度例如，當三星模組編號是M378B5673DZ1-CH9時，模組數(shù)據深度是256M。數(shù)據寬度是64b，因此，模組密度=256M×64b=16384Mb。另外，已知所用的顆粒編號是K4T1G084QD-ZCF7，顆粒密度是1

25、024Mb因此，顆粒數(shù)=16384Mb÷1024Mb=16顆。16.JEDEC對內存編號是如何規(guī)定的？答：在JEDEC第21C號標準第8條中，對DDR2內存產品的標簽（Product lable）的格式和內容有具體的規(guī)定。下表的標簽就是按JEDEC的標準設置的。 其中的：“模組總容量”（Module total capacity）有256MB,512MB,1GB,2GB,4GB等；“模組構成”中的“R”是“RANK”的意思?！?R”是說組成模組的RANK數(shù)（Number of ranks of memory installed）是2個。有“1R”和“2R”兩種；“模組構成”

26、中的“×8”是顆粒的位寬(bit width)，有×4、×8和×16三種；“模組名稱”的“PC2-6400”中的“6400”是以MB/s表示的模組帶寬（Module bandwidth），有“PC2-5300”(DDR2-667)和“PC2-6400”(DDR2-800)等（DDR2-1066并不是JEDEC標準）“插槽類型”即是模組類型（Module Type），有F （ Fully Buffered DIMM ("FB-DIMM")）、M （ Micro-DIMM）、N( Mini-Registered DIMM)、P( Regi

27、stered DIMM)、R( RDIMM)、S( Small Outline DIMM)和U( Unbuffered DIMM ("UDIMM")等多種標識。但是，對普通電腦用戶來說，使用的是“U”型（Unbuffered non-ECC DIMM），即桌式普通內存和“S”型(SO-DIMM),即筆記本型內存。有的廠家還把“插槽類別”（模組類型）中的“U”用“UNB”（Unbuffered DIMM）單獨表示；把“S”用“SOD”(SO-DIMM)單獨表示?！皶r序”中的“666”分別表示表示“CL”、“tRCD”和“tRP”的延遲值,這里都是6。也有的廠家還把時序的第4個

28、延遲tRAS也表示出來，例如：6-6-6-18。“SPD版次”的原文是JEDEC SPD Revision Encoding and Additions level used on this DIMM，其中的“12”表示JEDEC SPD是1.2版；最后的參考項是生產廠商設計時采用JEDEC標準情況的有關標記和版本。17.請解釋JEDEC標準中有關內存名詞及其含義！答：JEDEC標準中對內存名詞的含義如下：Unbuffered DIMM無緩存的普通桌式內存，一般表示為UDIMM、 DIMM或UNB;DIMM Capacity內存的總容量，以MB為單位表示。在有的廠家也把模組容量稱為DIMM D

29、ensity。DIMM Organization內存模組的結構。以整個模組的數(shù)據深度跟數(shù)據位寬的形式表示。例如：“128Meg×64”表示模組的數(shù)據深度是128Meg，模組的數(shù)據寬度是64bit。由此可以推出模組的總容量是128M×64b÷8b/B=1024MB=1GB；SDRAM Density顆粒的密度，即每個顆粒的總位（bit）數(shù)。例如，當SDRAM Density是512Mb時，由16個顆粒組成的模組容量就是512Mb×16÷8b/B=1024MB=1GB；由8個顆粒組成時，模組容量就是512MB。SDRAM Organization顆

30、粒結構。是顆粒深度（SDRAM depth）與顆粒位寬的乘積。例如，當SDRAM Organization是64Meg×8時，顆粒密度就是64M×8b=512Mb。在內存業(yè)界也把顆粒深度稱為顆粒長度，以跟BANK深度相區(qū)別；Number of SDRAM顆粒數(shù)；Number of Physical Rank物理RANK數(shù)，即P-BANK數(shù)。在本文中簡稱RANK數(shù)；Number of Bank in SDRAM一個顆粒的邏輯BANK數(shù)；SDRAM Packge Type顆粒的封裝類型。18.如何根據模組的編號計算模組的RANK數(shù)？答：根據模組組成原理可以知道：如果模組的深度等

31、于顆粒的深度，就是一個RANK；如果模組的深度等于兩倍顆粒深度，就是兩個RANK。例如，編號為M378B5673DZ1的三星模組的模組深度是256M。又因為這種模組采用的是K4T1G084QD顆粒。這種顆粒的密度是1024Mb；位寬是8b，因此，顆粒深度是1024Mb÷8b=128M。即模組深度是顆粒深度的兩倍，因此，是兩個RANK。此外，從模組編號或顆粒編號給出的顆粒位寬和實際顆理粒數(shù)也可以計算出RANK數(shù)。例如，當顆粒位寬是8b時，模組用了8個顆粒，8×8b=64b，就是一個RANK；如果用了16顆顆粒，16×8b=128b，就是兩個RANK。19.模組的RA

32、NK數(shù)跟模組的面數(shù)有什么關系？答：模組的面（side）數(shù)跟RANK數(shù)是兩個不同的概念。而且在內存的編號中也都沒有反映面數(shù)。但是，模組的面，不是一個，就是兩個；而目前的RANK數(shù)也是這樣。因此，用符號表示它們時，很容易混淆。但是，可以很明確地說：內存標簽中的“R”是表示RANK,不是表示面數(shù)，內存“面”的英文字是Side，如果表示兩個面的話面，應該是“2S”才是呀！20.內存標簽上的2R×8就表明內存是雙面8個顆粒嗎？答：不是的。“R”表示RANK，這在上面已經解釋過了。“×8”就是顆粒位寬是8bit的意思。因為1個RANK是64bit，兩個RANK就是128bit，因此，符

33、號“2R×8”就表示這個模組有2個RANK,顆粒的位寬是8b。因此，這個模組用的顆粒是128b÷8b/顆=16顆，而不是8顆。同理，當內存條上的標簽標明是“1R×16”時，就表明這個模組是1個RANK；顆粒位寬是16bit。其顆粒數(shù)是64b÷16b/顆=4顆。絕不是16顆。21.內存標簽上的Warranty Void是什么意思？答：Warranty Void if label Removed的含義是：如果此標簽破壞了，將不予保修保換的意思。22.內存標簽上的UNB和SOD是什么意思？答：UNB是Unbuffered DIMM的意思，就是沒有緩沖、沒有EC

34、C的普通桌式內存；SOD是SO-DIMM的意思，就是普通的筆記本電腦內存。在JEDEC的標志中，UNB用“U”表示；SOD用“S”表示。見第16問。23.在內存標簽上寫的RoHS是什么意思？答：RoHS是歐盟電氣、電子設備中限制使用某些有害物質指令（the Restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment）的英文縮寫。其發(fā)布的標準稱為RoHS認證，RoHS認證是目前最嚴格的環(huán)境認證之一。歐盟已經在2006年7月1日實施RoHS，屆時使用或含有重金屬以及多溴二

35、苯醚PBDE、多溴聯(lián)苯PBB等阻燃劑的電氣電子產品將不允許進入歐盟市場。24. 有害物質是指哪些？答：RoHS一共列出六種有害物質，包括：鉛Pb，鎘Cd，汞Hg，六價鉻Cr6+，多溴二苯醚PBDE，多溴聯(lián)苯PBB。 25.內存標簽上的“0820”是什么意思？答：說明該產品是2008年第20周生產的。26.內存標簽上的P/N和S/N是什么意思？答：P/N是產品編號的意思，主要是說明產品的技術特性。本文就是探討這個編號的含義的；S/N是該產品系列號的意思,主要是說明該產品的生產時間和序列號。27.我的內存是2GB的，為什么顆粒編號說是1GB的?答：你說你的內存顆粒編號是：HYB18T1G802AF

36、-3S，這是英飛凌DDR2-667的顆粒，它的顆粒密度的確是1Gb(不是1GB)，如果有8個顆粒的話，模組的容量是1GB的，如果是16個顆粒就是2GB的了。在一般情況下，在顆粒的編號中標注的是顆粒的密度，單位為Mb或Gb。在模組編號中只標注模組的深度（是M數(shù)或G數(shù)）和模組的數(shù)據寬度（64b）。模組的容量通過計算才能求出來。計算方法上見第9和第12問。 三各種常用內存的編號方法28.三星內存顆粒是如何編號的？答：三星內存的顆粒（單個芯片）編號是直接嵌刻在顆粒上的，其編號規(guī)則和符號的意義見下圖（是我根據廠家官方網站的說明整理的）： 在上表中只給出了DDR2的速度（Speed）表

37、示方法。DDR速度的表示方法是：CC:DDR400(200MHzCL=3,tRCD=3,tRP=3)B3:DDR333(166MHzCL=2.5,tRCD=3,tRP=3)A2:DDR266(133MHzCL=2,tRCD=3,tRP=3)B0:DDR266(133MHzCL=2.5,tRCD=3,tRP=3)DDR3的速度（Speed）表示方法是：F7:DDR3-800(400MHzCL=6,tRCD=6,tRP=6)F8:DDR3-1066(533MHzCL=7,tRCD=7,tRP=7)H9:DDR3-1333(667MHzCL=9,tRCD=9,tRP=9)K0:DDR3-1600(8

38、00MHzCL=11,tRCD=11,tRP=11)。此外，顆粒密度（Density）還有非8的整數(shù)倍的表示方法。有33、65、29、57、52、和1K的標記。其意義如下：33:32M(for128Mb/512Mb)；65:64M(for128Mb/512Mb)；29:128M(for128Mb/512Mb)；57:256M(for512Mb/2Gb)；52:512M(for512Mb/2Gb)；1K:1G(for2Gb)三星DDR內存顆粒編號舉例三星內存顆粒的編號是K4H560838H-UCB3時，“K4H”說明這是一個DDR內存;“56”說明其顆粒密度是256Mb；“08”說明顆粒位寬是8

39、bit;后面的“3”說明是4個BANK;“3”后的“8”說明是SSTL接口,2.5V；“H”說明版本較新。編號最后的“B3”說明這是一個DDR333內存顆粒。三星DDR2內存顆粒編號舉例三星內存顆粒的編號是K4T1G084QD-ZCF7時，“K4T”說明這是一個DDR2內存;“1G”說明其顆粒密度是1Gb；“08”說明顆粒位寬是8bit;后面的“4”說明是8個BANK;“4”后的“Q”說明是SSTL接口,1.8V；“D”說明版本是第5版。編號最后的“F7”說明這是一個DDR2-800內存顆粒，CL=6,質量不如“E7”的。三星DDR3內存顆粒編號舉例三星內存顆粒的編號是K4B2G1646B-Z

40、CH9時，“K4B”說明這是一個DDR3內存;“2G”說明其顆粒密度是2Gb；“16”說明顆粒位寬是16bit;后面的“4”說明是8個BANK;“4”后的“6”說明是SSTL接口,1.5V；“B”說明版是第3阪。編號最后的“H9”說明這是一個DDR3-1333內存顆粒。29.三星內存的模組是怎樣編號的？答：三星（Samsung）內存的模組（內存條）編號規(guī)則和符號見下圖，該圖是我根據廠家官方網站的說明歸納的： 三星DDR內存模組編號舉例：M368L6423HUN-CB3中的“M368L”表示這是三星DDR普通桌用電腦內存,其中的“68”表示模組數(shù)據位寬是64bit、184針的UDIMM

41、內存；之后的“64”表示模組的數(shù)據深度是64Meg；再往后的“2”表示顆粒有4個BANK；后面的“3”表示顆粒位寬是8位；“HUN”分別表示版次和封裝等；最后的“B3”表示這是一個DDR333內存。這種內存的總容量需要通過計算才能知道，容量為64M×64b÷8b/B=512MB。因為UDIMM內存的數(shù)據寬度是64b，因此，直接把數(shù)據深度乘以8b/B就可以得到總容量。即有64b×8b/B=512MB。下同。三星DDR2內存模組編號舉例：M378T5663DZ3-CF7中的“M378T”表示這是三星DDR2普通桌用電腦內存，其中的“78”表示傳輸?shù)臄?shù)據位是64bit的

42、UDIMM內存；之后的“56”表示模組的數(shù)據深度是256Meg；再往后的“6”表示顆粒有8個BANK；“3”表示顆粒位寬是8bit；“DZ3”分別表示版次和封裝等；最后的“F7”說明這是一個DDR2-800內存。因此，容量是256M×64b÷8b/B=2048MB=2GB。DDR3內存模組舉例：M378B5673DZ1-CH9中的“M378B”表示這是三星DDR3普通桌用電腦內存，其中的“78”表示傳輸?shù)臄?shù)據位是64bit、240針的UDIMM內存；之后的“56”表示模組的數(shù)據深度是256Meg；再往后的“7”表示顆粒有8個BANK3；“3”表示顆粒位寬是8bit；“DZ1

43、”分別表示版次和封裝等；最后的“H9”說明這是一個DDR3-1333內存。因此，模組的總容量是256M×64÷8b/B=2GB。30.海力士內存以“HY5”為前綴的顆粒是怎樣編號的？答：韓國Hynix（海力士）原來是現(xiàn)代（Hyundai）公司所屬的一個內存生產廠，當時生產的內存顆粒編號都是以“HY”為前綴的。后來Hynix成了一個獨立的內存生產廠，其顆粒編號也改為以“H”為前綴了。因此，一般把以“HY”為前綴的內存顆粒稱為“現(xiàn)代”內存；而把以“H”為前綴的顆粒成為“海力士”內存。其實都是Hynix的產品。以“HY5”為前綴的內存顆粒都是比較早期的內存，在計算機用的內存中，D

44、DR2和DDR3內存沒有再使用“HY”為前綴為編號。但是，在Consumer Memory(用于電視機機頂盒或攝像機等用的內存)中，仍然繼續(xù)使用了一段時間。2007年決定所有海力士內存的前綴都用“H”代換“HY”?，F(xiàn)在舉例說明以“HY5”為前綴的內存的命名方法，見下表所示（根據廠家網站資料，按我的理解歸類的）。以“HY5”為前綴的海力士內存顆粒的編號規(guī)律含義類型電壓密度位寬BANK接口版本功耗封裝-速度溫度SDRAMHY57V56820F TP-10s SDRAMHY57V651620A TC-75 DDR1HY5DU56822D TP-D43

45、 DDR1HY5DU12422BLT-M 注；其中的速度，對SDRAM來說：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)； K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)；15: 15ns(66MHz)。對DDR來說：有過變動，“D4”代表DDR400，時序為3-4-4；“D43”代表DDR400，時序為3-3-3；“J”代表DDR333；“M”、“K”和“H”都代表DDR266，只是時序不同；“L”代表DDR200；“4”代表2

46、50MHz；“5”代表200MHz。其他項的解釋：類型：“HY”現(xiàn)代的意思；“5”和“57”都代表SDRAM內存；“5D”代表DDR1內存；電壓：是指處理工藝和供電電壓（PROCESS & POWER SUPPLY）：對SDRAM和DDR1：空白是5V;“V”代表CMOS,3.3V；“U”代表CMOS,2.5V；密度：是指顆粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）：對SDRAM來說，“64”和“65”都是64Mb;“26”和“28”都是128Mb；“56”和“52”都是256Mb。對DDR1來說，“28”是128Mb；“56”是256Mb;“12”是512Mb 。

47、根據密度和模組顆粒數(shù)就可以知道模組的容量。例如，密度標以“12”時，如果有8個顆粒，模組容量就是512MB；如果有16個顆粒，容量就是1GB。位寬：是指顆粒的位寬（datawidth）：“4”代表“×4”；“8”代表“×8”;“16”代表“×16”；“32”代表“×32”。BANK：是指每個顆粒的邏輯BANK數(shù)。“1”代表2BANK；“2”代表4BANK；“3”代表8BANK。接口：是指顆粒的電氣接口（Interface）?！?”代表LVTTL;“1”代表SSTL;“2”代表SSTL_2；版本：是指顆粒出廠的版本。空白代表第1版；二版后依次用A、B、C、

48、D等表示；功耗：是指功率消耗（Power consumption）?？瞻妆硎菊：碾姡弧癓”表示低功耗；封裝：芯片發(fā)封裝方法（Package）。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP；速度；速度（speed）是指顆粒的頻率，說明見表注。溫度：溫度（Temperature），“I”是工業(yè)溫度；“E”是擴展溫度。但是，在編號中經常沒有這一項。31.海力士內存以“H5”為前綴的顆粒是怎樣編號的？答：以“H5”為前綴的內存顆粒命名方法是Hynix（海力士）完全從現(xiàn)代（Hyundai）獨離出來以后的命名方法，比較規(guī)范。因為編號的位數(shù)相同，就不致引起誤解,下表是2008年的編號舉例

49、：在表中各個符號的含義:前綴中的“H”代表Hynix；“5”代表SDRAM；但是，應該注意的是“位寬”中的“6”是代表16位的。密度中的“64”是64M / 4K REF / 64ms；“12”是 128M / 4K REF / 64ms；“25”是 256M / 8K REF / 64ms；“51”是 512M / 8K REF / 64ms 。電壓和處理工藝中的“Q”代表VDD=1.5V&VDDQ=1.5V。封裝類型中的“F”代表FBGA。封材中的“P”代表鉛；“R”代表鹵素類。能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；FFBGA；FCFBGA（

50、UTC:8xmm）封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J其它；M=MCP（Hynix）；MUMCP（UTC）封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H鹵素；R=鉛+鹵素）速度：（D4DDR4-；D4=DDR4-4-4；JDDR；MDDR-；KDDR66A；HDDR66B；LDDR）4工作溫度：（I=工業(yè)常溫（-4-85度）；E=擴展溫度。其他可參看前表。32.海力士SDRAM內存模組是怎樣編號的？答：此類模組類型很多，現(xiàn)將普通用戶常用的兩種DIMM168針內存介紹如下：以HYM7為前綴的內存 前綴數(shù)據寬度深度刷新BANK-速度說明HYM7V64801  64

51、MB，PC66，168pinHYM7V65801  64MB，PC100，168pinHYM7V631601  128MB，PC133，168pinHYM7V65400 1032MB，PC100，168pin“HYM7V”是海力士早期的SDRAM內存模組；“64”、“65”和“63”都表示數(shù)據位寬是64bit，但是，頻率不同；“深度”是指模組的深度，有“1”、“2”、“4”、“8”和“16”等，是Meg數(shù)；“刷新”是指刷新速度?！?”、“1”、“2”和“3”分別代表1K、2K、4K和8K；“BANK”代表每個顆粒的邏輯BANK數(shù)?！?”是2BA

52、NK；“1”是4BANK；模組容量=數(shù)據位寬（b）×深度÷8b/B以“MYM71”為前綴的海力士模組前綴數(shù)據寬度型深度刷新BANK-說明HYM71V64 801-64MB，PC66，168pinHYM71V65M1601-128MB，PC100，SODIMMHYM71V63 3201-256MB，PC133，168pinHYM71V65 400-32MB，PC100，168pin注：因為當時有幾個廠生產SDRAM內存，編號不很統(tǒng)一，不再一一列舉。33.海力士DDR內存模組是怎樣編號的？答：海力士（Hynix）DDR內存模組2001年有一個以“H

53、YD”為前綴的編號法，2002年又修改為以“HYMD”為前綴的編號法。除了前綴有所不同外，二者的差別不大，而且后者也涵蓋了前者。因此，我把它們列成了一個表。 34.海力士DDR2內存模組是怎樣編號的？答：海力士（Hynix）DDR2內存模組2007年有一個以“HYMD”為前綴的編號法，2008年又修改為以“HMD”為前綴的編號法。除了前綴有所不同外，二者的差別不大，而且后者也涵蓋了前者。因此，為了簡化，我把它們列成了一個表,供一般電腦愛好者使用已足夠用。 模組的容量可以用數(shù)寬×模深÷8或用顆粒數(shù)×顆粒密度的方法得到。例如對于第1行的編號為“HY

54、MP532U64CP6-Y5”的模組來說，容量是64b×32M÷8b/B=256MB?；蛴?12Mb/顆×4顆÷8b/B=256MB。后綴為“Y5”，說明這個模組是容量為256MB的DDR2-667內存。35.海力士DDR3內存模組是怎樣編號的？答：2007年發(fā)布了一個以“HYMT”為前綴的編號方法，2008年又改為以“HMT”為前綴的編號方法。二者的差別不大。為了簡化，我把它們歸結為一個表表示。見下表： 36.現(xiàn)代以“GM”搞和“GMM”為前綴的內存是怎樣編號的？答：以GM開頭內存內存原是LGS公司（樂金）生產的內存，由于Hyundai（現(xiàn)代

55、）公司收購了LG的內存制造部門，并繼續(xù)以這個牌子生產了一段時間，所以，也可以認為以“GM”為前綴的內存也是現(xiàn)代內存。又因為現(xiàn)代公司的內存生產廠是Hynix（海力士），因此也可以說這種內存是海力士內存的早期產品。一.以“GM”為前綴的顆粒編號方法見下表：含義類型電壓密度位寬BANK接口版本功率封裝-速度SDRAMGM72V16821C T-10KSDRAMGM72V281621B T-75其中：密度：顆粒密度和刷新速度，有16(16M,4K);17(16M,2K)；28（128M，4K）；64（64M，16K）；65(64M，18K)；66（64M，14K）；位寬：4(

56、15;4)；8（×8）；16（×16）；32（×32）；BANK：有1、2、4、8，分別代表1、2、4、8個BANK；接口：有“1”，代表LVTTL；版本：空白代表原始版；“A”、“B”和“C”依次為修訂第1、第2和第3版；功耗：空白則為普通的；“L”表示是低功耗；封裝：有“T”、“R”、“I”和“S”；速度；有6（166MHz）；65（153MHz）；7（143MHz）；75（133MHz）；8（125MHz）；7K（PC100，2-2-2）；7J（PC100，3-3-3）；10K（PC66）;10J(PC66)；12（83MHz）；15（66MHz）。二.以“

57、GMM”為前綴的模組編號方法見下表：公司廠名類型位寬深度刷新模式結構芯版模版封裝-速度GMM 76416163 NT-6 其中：公司（HYNIXC-Site）：符號“GMM”代表海力士公司；廠名（MANUFACTURE）：是指該內存的具體生產工廠，有LGS工廠，符號是空白；SMART用“S”表示；Tanisys用“T”表示；家族（FAMILY）：表示顆粒的類型，“7”或“2”表示SDRAM；位寬（ORGANIZATION）：是表示模組的位寬（ORGANIZATION）:8:x8；9:x9；32:x32；33:x32(2CAS)；34:x32(2WE)；36:x36

58、；64:x64；65:x64(2CAS)；66:x64(2WE)；67:x64(4CAS)；72:x72；73:x72,ECC；14:x144。深度（DEPTH）：是模組的數(shù)據深度。有1:1M；2:2M；4:4M;8:8M；16:16M；32:32M;64:64M;刷新（REFRESH）：有0:1KRefresh；1:2KRefresh；2:4KRefresh；3:8KRefresh；模式（ACCESS/VOLTAGEMODE）：是存儲/電壓模式。有:5FastPageMode,5V；6:EDOMode,5V；7:FastPageMode,3.3V；8:EDOMode,3.3V構件（COMPOSITIONCOMPONENT）：有0:168pinBufferedSIMM/DIMM；1:200pinBufferedDIMM；3: