HDMI設(shè)計(jì)終極解決方案

1、.HDMI 設(shè)計(jì)終極解決方案！針對(duì)使用 HDMI 多路復(fù)用中繼器的用戶，本文提供了如何通過精心設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 來實(shí)現(xiàn)器件全部性能最優(yōu)化的設(shè)計(jì)指導(dǎo)。我們將對(duì)高速 PCB 設(shè)計(jì)的一些主要方面的重要概念進(jìn)行解釋，并給出一些建議。本文涵蓋了層堆棧、差動(dòng)線跡、受控阻抗傳輸線、非連續(xù)性、布線指南、參考平面、過孔以及去耦電容器等內(nèi)容。1 層疊HDMI 多路復(fù)用中繼器的外引腳是專門針對(duì)HDTV 接收機(jī)電路中的設(shè)計(jì) （見圖 1 ）而量身定制的。封裝的每一側(cè)都提供了一個(gè) HDMI 端口，具有四個(gè)差動(dòng)TMDS信號(hào)對(duì)，從而實(shí)現(xiàn)三個(gè)輸入端口和一個(gè)輸出端口。 剩余信號(hào)由電源軌、 Vcc 和接地以及低速信號(hào)（例

2、如： I2C 接口、熱插拔和多路復(fù)用選擇器引腳）組成。word 教育資料.完成一個(gè)低 EMI PCB 設(shè)計(jì)最少需要四層堆棧（見圖 2 ）。層堆棧應(yīng)按照下列順序（自上而下）： TMDS信號(hào)層，接線層，電源層和控制信號(hào)層。圖 2建議在一個(gè)接收機(jī)PCB 設(shè)計(jì)中使用 4或 6層疊。在頂層上對(duì)高速 TMDS 線跡布線可以避免使用過孔 （及其電感） ，并且允許從 HDMI 連接器至中繼器輸入以及從中繼器輸出至后續(xù)接收機(jī)電路的干凈互聯(lián) (clean interconnect)。在高速信號(hào)層的下面放置一個(gè)堅(jiān)實(shí)的接地層，這樣就可以為傳輸線路互聯(lián)建立一個(gè)受控阻抗，并為返回電流提供一個(gè)優(yōu)異的低電感通路。在緊挨接地層

3、的下方放置電源層可以創(chuàng)建額外的高頻旁路電容。在底層布線低速控制信號(hào)可實(shí)現(xiàn)更大的靈活性，因?yàn)檫@些信號(hào)鏈通常擁有允許非連續(xù)性（如過孔）的裕度。如果需要一個(gè)額外電源電壓層或信號(hào)層，那么就應(yīng)添加一個(gè)二級(jí)電源層/ 接地層系統(tǒng)至該堆棧， 以使其保持對(duì)稱。 這樣就可以使堆棧保持機(jī)械穩(wěn)定，并防止其變word 教育資料.形。每個(gè)電源系統(tǒng)的電源層和接地層均可以被緊密地放置在一起， 從而大大增加高頻旁路電容。2 差分線跡HDMI 使用轉(zhuǎn)換最小化差分信令(TMDS)，用于傳輸高速串行數(shù)據(jù)。差分信令為單端信令帶來了極大的好處。在單端系統(tǒng)中， 電流通過一個(gè)電感從電源流至負(fù)載， 并經(jīng)由一個(gè)接地層或線路返回。該電流引起的橫向

4、電磁 (TEM) 波會(huì)自由地向外部環(huán)境輻射，從而引起嚴(yán)重的電磁干擾 (EMI) （見圖 3 ）。而且，電感中的外部源噪聲不可避免地被接收機(jī)放大，從而破壞信號(hào)完整性。替代差分信令要使用兩個(gè)電感， 一個(gè)用于正向電流，另一個(gè)用于電流返回。 因此，當(dāng)緊密耦合時(shí)， 該兩個(gè)電感中的電流為等量， 但是極性卻相反， 并且其電磁場(chǎng)消失?，F(xiàn)在，電磁場(chǎng)被“搶走”的兩個(gè)電感的 TEM 波均不能向環(huán)境中輻射。只有在電感環(huán)路外部有極小的邊緣磁場(chǎng)時(shí)才會(huì)發(fā)生輻射， 從而產(chǎn)生極低的 EMI（見圖3）。word 教育資料.圖 3 來自單個(gè)電感周圍大散射磁場(chǎng)和差動(dòng)信號(hào)對(duì)緊密耦合電感環(huán)路的外部小散射磁場(chǎng)的 TEM 波輻射緊密電耦合的

5、另一個(gè)好處是， 感應(yīng)至兩個(gè)電感的外部噪聲均以等量共模噪聲的形式出現(xiàn)在接收機(jī)輸入端上。 具有差動(dòng)輸入的接收機(jī)均只對(duì)信號(hào)差異敏感， 而對(duì)共模信號(hào)不敏感。因此，該接收機(jī)抑制了共模噪聲，并保持了信號(hào)完整性。為了使差分信令可以工作在一個(gè) PCB 上，一個(gè)差動(dòng)信號(hào)對(duì)的兩個(gè)線跡間距必須在整個(gè)線跡長度上保持一致。 否則，間距變化就會(huì)引起磁場(chǎng)耦合不平衡， 從而降低磁場(chǎng)消除的效果，造成 EMI 增加。除了更大的 EMI 以外，電感間距的變化也會(huì)引起信號(hào)對(duì)差動(dòng)阻抗的變化，從而造成阻抗控制傳輸系統(tǒng)的中斷，進(jìn)而造成破壞信號(hào)完整性的信號(hào)反射。除了間距一致以外， 兩個(gè)電感均必須為相等的電氣長度， 以確保其信號(hào)在相同時(shí)間到達(dá)

6、接收機(jī)輸入端。圖 4 顯示了相等及不同長度線跡的邏輯狀態(tài)改變期間一個(gè)差動(dòng)對(duì)的“ +”和“ " ”信號(hào)。圖 4不同電氣長度的線跡會(huì)引起信號(hào)間的相移，從而產(chǎn)生導(dǎo)致嚴(yán)重EMI 問題的差動(dòng)信號(hào)對(duì)于相同長度的線跡而言， 兩個(gè)信號(hào)相等且極性相反。 因此，它們的和必須為零。如果這些線跡的電氣長度不同， 那么較短線跡上的信號(hào)就會(huì)比較長線跡上的信號(hào)較早地改變狀態(tài)。 在此期間，兩個(gè)線跡均驅(qū)動(dòng)電流至相同方向。 由于往往會(huì)作為返回通路的長線跡繼續(xù)驅(qū)動(dòng)電流（“早”驅(qū)動(dòng)電流），因此短線跡必須找到其經(jīng)由一個(gè)參考層（電源層或接地層）的返回通路。當(dāng)將兩個(gè)信號(hào)相加時(shí)， 該總信號(hào)在過渡相期間從零電平轉(zhuǎn)移。 在高頻條件下，

7、 這些差動(dòng)信號(hào)以大幅急劇瞬態(tài)的形式出現(xiàn)，其顯示在接地層上，從而引起嚴(yán)重的EMI 問題。需要注意的是， “噪聲”脈沖的寬度同兩個(gè)信號(hào)間的相移相等，并可以被轉(zhuǎn)換成一個(gè)給定頻率的時(shí)間差。該時(shí)間差（也稱為對(duì)內(nèi)時(shí)滯）由HDMI 規(guī)定，用于 225word 教育資料.MHz TMDS時(shí)鐘速率 0.4 TBIT的接收機(jī)，其將轉(zhuǎn)換為178 ps最大值。對(duì)于一個(gè) HDMI 發(fā)送器而言，該規(guī)范要求 0.15 TBIT ，以用于 225 MHz 的 TMDS 時(shí)鐘速率，其將轉(zhuǎn)換為 66 ps 最大值。由于像素生成需要四個(gè)差動(dòng) TMDS 信號(hào)對(duì)（ 3 個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào) +1 個(gè)時(shí)鐘信號(hào)）的同步傳輸，因此其必須在相同時(shí)間到達(dá)

8、接收機(jī)。 理想情況下， 所有四個(gè)信號(hào)對(duì)應(yīng)該為相等的電氣長度，以保證零時(shí)間差。但是，對(duì)一個(gè) 0.2 TCHARACTER+1.78 ns 的接收機(jī)而言， HDMI 允許一個(gè)最大的對(duì)間時(shí)滯 ( 信號(hào)對(duì)之間的時(shí)間差 ) ，從而會(huì)產(chǎn)生總計(jì) 2.67 ns 的時(shí)間，以用于 225 MHz 的 TMDS 時(shí)鐘。對(duì)一個(gè) HDMI 發(fā)送器而言，該規(guī)范要求產(chǎn)生 888ps 的 0.2 TCHARACTER。3 受控阻抗傳輸線受控阻抗線跡可用于匹配傳輸介質(zhì)的差動(dòng)阻抗（例如：線纜）和端接電阻。差動(dòng)阻抗由信號(hào)對(duì)線跡的物理幾何、它們同鄰近接地層的關(guān)系以及PCB 電介質(zhì)決定。這些幾何形狀必須在整個(gè)線跡長度上保持一致。圖

9、5 描述了微波傳輸帶 (Microtrip) 線跡（外層線跡） 及帶狀線線跡 （通常是被兩個(gè)接地層夾在中間的層堆棧內(nèi)線跡）阻抗計(jì)算相關(guān)的參數(shù)。圖 5差動(dòng)線跡的物理幾何為了計(jì)算出圖 5中 100 差動(dòng)阻抗 TMDS 信號(hào)對(duì)的線跡幾何， 可以使用閉式方程1"6 。1、對(duì)于松散耦合帶狀線而言，s > 12 mils，數(shù)字 0.748可能被 0.374替換。2、W < 2h 時(shí)，最大誤差為3%3、為了獲得最佳精確度，使b " t > 2W及 b > 4t ，其中， b 為接地層之間的電介質(zhì)厚度。word 教育資料.考慮到差動(dòng)信號(hào)對(duì)及其環(huán)境之間的距離，圖 5

10、顯示了一個(gè)線跡 X ，其未與鄰近的“+”和“ " ”導(dǎo)體中的電流關(guān)聯(lián)。 X 可以為另一信號(hào)對(duì)線跡、一個(gè)接地屏蔽線跡或一個(gè) TTL/CMOS線跡。對(duì)于鄰近信號(hào)對(duì)和屏蔽線跡而言， 使距離地更為適宜），可能會(huì)創(chuàng)建一個(gè)增加 EMI 地層有一個(gè)過孔散射。d 等于 3 s。在一側(cè)運(yùn)行屏蔽線跡 （接的失衡。接地線跡屏蔽應(yīng)該對(duì)下層接請(qǐng)注意！乍一看上面的方程式， 其呈現(xiàn)出一種可獲得線跡幾何的比較便宜的方法。但是，這些函數(shù)均基于經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)， 并代表最佳情況下的近似值。 實(shí)際精確度可能會(huì)有非常大的不同，各種原因甚至?xí)鸶哌_(dá) 10% 的可能誤差。從長遠(yuǎn)來看，一種更精確、成本更低的方法是使用一個(gè) 2D 或更好

11、的場(chǎng)求解器。它是一種可對(duì)麥克斯韋 (Maxwell) 方程式求解并計(jì)算出任意橫截面?zhèn)鬏斁€電場(chǎng)和磁場(chǎng)的軟件工具。它還可以由以上這些計(jì)算出電氣性能項(xiàng)，例如：特性阻抗、信號(hào)速度、串?dāng)_和差動(dòng)阻抗。一些場(chǎng)求解器還可以計(jì)算出導(dǎo)體內(nèi)的電流分布情況。相對(duì)于近似法而言， 一個(gè) 2D 場(chǎng)求解器的優(yōu)勢(shì)在于其考慮了幾乎所有任意橫截面幾何的靈活性。除了第一階項(xiàng)（例如：線寬、電介質(zhì)厚度和電解介質(zhì)常量） 以外，第二階項(xiàng)（例如：線跡厚度、阻焊和線跡蝕刻背面）均可以被考慮到。4 非連續(xù)性非連續(xù)性就是信號(hào)路徑中差動(dòng)線跡阻抗偏離于其規(guī)定值（100，即 15%HDMI）的地方，并假定更高或更低的阻抗值。 非連續(xù)性可以引起由阻抗不匹配

12、帶來的信號(hào)反射， 進(jìn)而破壞信號(hào)完整性。 這些主要是有效線跡寬度或線間間距變化的結(jié)果，而這些變化又是由不可避免的沿信號(hào)路徑線跡幾何傳輸， 或由較差的信號(hào)線跡布線引起的?？赡馨l(fā)生非連續(xù)性的位置為：HDMI 連接器焊盤同信號(hào)線跡相遇處信號(hào)線跡碰到過孔、電阻器組件盤或IC引腳處信號(hào)線跡 90o 彎曲處信號(hào)對(duì)被分離以圍繞一個(gè)物體布線的地方在差動(dòng)阻抗、 TDR、和測(cè)試期間將非連續(xù)性探測(cè)出來。 一個(gè) TDR（時(shí)間域反射計(jì)）是一種用來描繪和定位金屬導(dǎo)體中故障的電子儀器。一個(gè) TDR 沿導(dǎo)體傳輸一個(gè)快速上升時(shí)間脈沖。如果該導(dǎo)體為統(tǒng)一阻抗，并被正確地封端 (terminated) ，那么整個(gè)發(fā)射脈沖將在遠(yuǎn)端終端被

13、吸收，且沒信號(hào)會(huì)被反射回 TDR。但是， 存在阻抗非連續(xù)性的情況下， 所有非連續(xù)性都將構(gòu)成一個(gè)被反射回反射計(jì)（ reflectometer ）的回波。阻抗增加會(huì)產(chǎn)生一個(gè)增強(qiáng)原始脈沖的回波，與此同時(shí)，阻抗減少會(huì)產(chǎn)生一個(gè)同原始脈沖相對(duì)的回波。word 教育資料.在輸出 / 輸入端測(cè)量出產(chǎn)生的 TDR 反射脈沖，其將以時(shí)間函數(shù)的形式顯示或繪制出來，因?yàn)榻o定傳輸介質(zhì)中信號(hào)傳播的速度相對(duì)不變， 并且可以以線跡長度函數(shù)的形式被讀取出來。圖 6 TDR 顯示表明了非連續(xù)性的位置PCB 設(shè)計(jì)的目的在于盡可能將非連續(xù)性最小化，從而消除反射并保持信號(hào)完整。遵循一組布線指南， 有助于避免不必要的非連續(xù)性。 剩下的不

14、可避免的非連續(xù)性應(yīng)集中在一起，也就是說將這一區(qū)域的面積應(yīng)保持較小，并盡可能的緊密放置。這一想法就是將各個(gè)反射點(diǎn)集中在某個(gè)區(qū)域，而不是將其分布在整個(gè)信號(hào)路徑里。利用 TDR 看到的大量非連續(xù)性直接受到 TDR 使用的脈沖邊緣速率的影響。 TDR 邊緣速率越快， 出現(xiàn)的非連續(xù)性就會(huì)越多， 并且阻抗峰值就越大。 通過 HDMI 規(guī)范，他們定義了邊緣速率（通常為 200ps ）。圖 6 對(duì)該點(diǎn)進(jìn)行了描述。圖中的低線壓采用 30ps 邊緣速率，高線壓采用 200pf 濾波器。當(dāng)使用 200ps 邊緣速率濾波器時(shí)，由出現(xiàn)在低線壓上的 TPA 電路板 SMA 產(chǎn)生的非連續(xù)性均為完全不可見5 布線指南當(dāng)試圖保

15、持信號(hào)完整性和低EMI 時(shí)，具有 PCB 布線的一些指南是必不可少的。盡管似乎有無數(shù)的預(yù)防方法可以采用， 但是本章節(jié)僅僅推薦使用一些主要的布局指南。1、在不匹配點(diǎn)上采用小彎曲度修正，可減少差動(dòng)對(duì)內(nèi)的時(shí)滯。word 教育資料.2、減少由組件放置和IC外腳引線以及信號(hào)路徑上較大角度修正所引起的對(duì)間時(shí)滯。采用斜切式彎曲(chamferedcorner) ，其長度和線寬之比為3比 5 。彎曲之間的距離應(yīng)最少為線寬的8到 10 倍左右。3、使用 45 o 彎曲（斜切式彎曲）替代直角（90o）彎曲。直角彎曲會(huì)增加有效線寬，改變差動(dòng)線跡阻抗，從而出現(xiàn)一個(gè)較短的中斷點(diǎn)。一個(gè)45o 彎曲可以看作是一個(gè)時(shí)間更短的

16、中斷點(diǎn)。圖 7采用斜切式拐角彎曲方法的時(shí)滯降低4、當(dāng)在一個(gè)物體周圍進(jìn)行布線時(shí)，應(yīng)對(duì)并聯(lián)的一對(duì)線跡進(jìn)行布線。將線跡分離開來布線會(huì)改變線與線之間的間距， 從而引起差動(dòng)阻抗的改變以及非連續(xù)現(xiàn)象的出現(xiàn)。圖 8在一個(gè)物體周圍的布線5、在信號(hào)路徑內(nèi)一個(gè)接一個(gè)地放置一些無源組件，例如：源匹配電阻或 ac 耦合電容。與案例 b ）相比，案例 a ）中的布線的確引起了更寬的線跡間距， 但是，由此產(chǎn)生的非連續(xù)性現(xiàn)象卻被限定在了一個(gè)更短的電氣長度內(nèi)。圖 9各種非連續(xù)性6、當(dāng)在一個(gè)過孔周圍，或一排過孔之間進(jìn)行布線時(shí)，確保過孔間隙沒有阻塞下方的接地層上的電流回路。word 教育資料.圖 10 避免出現(xiàn)過孔間隙7、為了更

17、好的阻抗匹配，在 HDMI 連接器焊盤下方，或焊盤之間避免使用金屬層或線跡。否則可能會(huì)導(dǎo)致差動(dòng)阻抗降至 75 以下，并且在 TDR 測(cè)試期間燒壞你的電路板。圖 11 各個(gè)層與邊緣指針之間保持一定距離8、盡可能使用尺寸最小的信號(hào)線過孔和HDMI 連接器焊盤，因?yàn)槠鋵?duì) 100 差動(dòng)阻抗產(chǎn)生的影響較小。較大的過孔和焊盤可能會(huì)導(dǎo)致阻抗降至85 以下。9、使用堅(jiān)實(shí)的電源層和接地層來實(shí)現(xiàn)100 阻抗控制，以及電源噪聲最小化。10、對(duì)于 100 差動(dòng)阻抗而言，應(yīng)盡可能采用最小的線跡間隔，您的PCB 廠商一般都會(huì)對(duì)其做出規(guī)定。確保圖5中幾何結(jié)構(gòu)為： s < h 、s < W、W < 2h 和

18、 d >2s。能使用一個(gè) 2D 場(chǎng)求解器更精確地確定線跡的幾何結(jié)構(gòu)就更好了。11、盡可能的使 HDMI 連接器和器件之間的電氣長度保持最短， 從而使衰減最小化。12、使用較好的 HDMI 連接器，其阻抗符合各項(xiàng)規(guī)格。13、在靠近如穩(wěn)壓器，或?yàn)?PCB 提供電力的區(qū)域等電源處放置大型電容器 （如 10 ?F）。14、在器件中放置0.1?F，或 0.01?F 的較小型電容器。6 參考層word 教育資料.高速 PCB 設(shè)計(jì)的電源層及接地層一般都必須滿足種種要求。在DC 及低頻情況下，這些層必須為集成電路及端接電阻器的終端提供性能穩(wěn)定的電壓， 如 Vcc 和接地電壓等。對(duì)于高頻參考電路層， 尤

19、其接地層而言， 需要滿足更多的要求。 就受控阻抗傳輸系統(tǒng)的設(shè)計(jì)而言， 接地層應(yīng)能實(shí)現(xiàn)與一個(gè)臨近信號(hào)層差動(dòng)線跡的電氣耦合。 正如此前提及一樣，緊密耦合會(huì)使磁場(chǎng)消失，從而通過已減少的余下散射場(chǎng)的 TEM 波輻射將 EMI 最小化。為了實(shí)現(xiàn)緊密耦合， 應(yīng)在靠近一個(gè)高速信號(hào)層的地方放置接地層。圖 12 微波傳輸帶結(jié)構(gòu)內(nèi)的場(chǎng)偶合盡管理論上差動(dòng)信號(hào)發(fā)射不需要單獨(dú)的電流回路， 但是總有某一形式的共模噪聲電流與最近的參考層（理論上一般指接地層）發(fā)生電容性耦合。為這些電流提供一個(gè)連續(xù)的低阻抗回路要求參考層為堅(jiān)實(shí)的銅片，密實(shí)無裂縫。具有多個(gè)電源系統(tǒng)的層堆?？梢允芤嬗谟蛇^孔組成的參考層。 此處不同層面的接地層通過大

20、量的過孔相連接， 這些過孔以等距的間隔放置在整個(gè)電路板上。 相類似的連接也適用于電源層。對(duì)于連接的參考層而言， 這一點(diǎn)是很重要的， 即過孔間隙 （或接地過孔情況下的反焊盤）不會(huì)干擾電流回路。 在出現(xiàn)障礙物情況下， 回流電流將會(huì)找到繞過障礙物的通道。但是，如果這樣的話， 電流的電磁場(chǎng)將很有可能干擾到出現(xiàn)串?dāng)_的其他信號(hào)線跡。此外，該障礙物將對(duì)通過其的線跡阻抗產(chǎn)生不利的影響。圖 13 密實(shí)與槽形接地層上的電流回路word 教育資料.7 過孔過孔這一術(shù)語一般指的是印刷電路板上的電鍍孔。一些應(yīng)用要求直通的過孔足夠?qū)?，從而能放置穿孔組件的導(dǎo)線， 而高速電路板設(shè)計(jì)一般是在對(duì)信號(hào)層進(jìn)行更改時(shí)將其作為線跡過孔使

21、用，或?qū)⑵渥鳛檫B接過孔使用，以將 SMT 組件與所需的參考層相連接， 同時(shí)也將同一電位的參考層相互連接 （見上一章節(jié)中提及的過孔連接接地層）。與一個(gè)過孔連接的各個(gè)層與一個(gè)過孔周圍焊盤 （過孔焊盤） 直接相連接。 不必連接的各個(gè)層由一個(gè)間隙環(huán)將其與過孔相隔開。 每個(gè)過孔與接地之間都有電容， 電容量可以使用如下的方程式計(jì)算出近似值：其中， D2=接地層間隙孔的直徑（內(nèi)徑）D1=過孔周圍焊盤的直徑（內(nèi)徑）T=印刷電路板的厚度（內(nèi)厚）1=電路板介電常數(shù)C=寄生過孔電容 (pF)由于電容與尺寸成一定比例增加，因此，高速設(shè)計(jì)中的線跡過孔應(yīng)盡可能的小，以避免較大的容性負(fù)載導(dǎo)致的信號(hào)衰減。當(dāng)把一個(gè)去耦電容器連

22、接至接地層，或?qū)⒏鱾€(gè)接地層相連接時(shí)，與其電容相比，過孔電感更為重要。該電感的數(shù)值大約為：其中， L=過孔電感 (nH)h=過孔長度（內(nèi)長）d=過孔直徑（內(nèi)徑）word 教育資料.由于該方程式涉及到一個(gè)對(duì)數(shù)， 所以改變過孔的直徑并不會(huì)對(duì)電感產(chǎn)生任何影響。改變過孔長度， 或多個(gè)過孔并聯(lián)可能會(huì)使電感發(fā)生較大的變化。 因此，應(yīng)在每個(gè)器件的終端放置兩個(gè)并聯(lián)的過孔， 將耦合電容器與接地連接。 對(duì)于接地層之間的低電感連接而言，應(yīng)在電路板上以相等的間隔放置多個(gè)過孔。盡管強(qiáng)烈建議不要對(duì)高速線跡的電路層進(jìn)行更改， 但是如果有必要更改的話， 應(yīng)確保有一條連續(xù)的電流回路。 圖 14 的左邊部分顯示了用于單個(gè)電路層更改

23、的電流回流流向，右邊部分顯示了用于多個(gè)電路層更改的電流回流流向。圖 14 單個(gè)及多個(gè)電路層更改的電流回路內(nèi)部間隙環(huán)的一層金屬層片實(shí)現(xiàn)了對(duì)接地層從底層到頂層的電流流向的更改。 因此，當(dāng)一個(gè)信號(hào)通過一個(gè)過孔， 并延續(xù)至同一層的另一側(cè)時(shí)， 不存在電流回流非連續(xù)性的問題。 通過交叉多個(gè)參考層實(shí)現(xiàn)了從一個(gè)層至另一個(gè)層的信號(hào)線跡更改，這樣使電流回路的設(shè)計(jì)復(fù)雜化。 在兩個(gè)接地層的情況下， 一個(gè)接地到接地的過孔必須放置在信號(hào)過孔的附近， 以確保獲得一個(gè)連續(xù)的電流回路 （見圖 14 右邊的圖表）。如果參考層為不同電壓電位，如圖 15 中所示的電源層和接地層，電流回路的設(shè)計(jì)將變得較凌亂， 這是由于需要第三個(gè)過孔和

24、一個(gè)去耦電容器。 電流回流開始于其最接近信號(hào)電流的電源層底部。 之后流經(jīng)電源過孔， 通過去耦電容器流向接地過孔，最后回到接地層的頂部。圖 15 單個(gè)及多個(gè)電路層更改的電流回路word 教育資料.放置有多個(gè)過孔和去耦電容器的電流回路具有較高的電感， 因此不利于信號(hào)完整性，并增加了 EMI 。如果可能的話，在進(jìn)行高速布線時(shí)，避免更改各個(gè)層，這是因?yàn)檫@樣會(huì)降低電路板性能，使設(shè)計(jì)復(fù)雜化并增加生產(chǎn)成本。8 去耦電容器去耦電容器為 IC的充電提供了部分資源，該IC在對(duì)內(nèi)部切換響應(yīng)時(shí)需要大量的電源電流。 不足量的去耦會(huì)導(dǎo)致所需電源電流不足， 阻止 IC 的正常運(yùn)作，從而導(dǎo)致信號(hào)完整性數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的發(fā)生。 這就要求其在相關(guān)的頻率范圍內(nèi)提供較低的阻抗。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的， 通常的做法是均勻地分布電路板上的一組去耦電容器。除了保持信號(hào)的完整性以外，去耦電容器還充當(dāng)了一個(gè) EMC 濾波器，以阻止高頻 RF 信號(hào)在整個(gè) PCB 上進(jìn)行傳播。當(dāng)在電源層與接地層之間連接一個(gè)電容器時(shí)， 我們實(shí)際上是在對(duì)配置有一個(gè)串聯(lián)諧振電路的電源進(jìn)行加載， 該電路的頻率取決于代表了一個(gè)真實(shí)電容器等效電路的 R-L-C 組件。圖 16 顯示了一個(gè)初始等效電路的寄生組件，以及其向一個(gè)串聯(lián)