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1、!單元數(shù)龐大!輸入/輸出引腳數(shù)目有限EPROMROMROM可擦除的可編程可編程掩模RAMRAM動態(tài)靜態(tài)A0An-1W0W(2n-1)D0Dm寫是一次性編程,不能改!編程時將不用的熔斷有出廠時,每個結(jié)點(diǎn)上都熔絲由易熔合金制成寫入時,要使用編程器管疊柵注入MOSMOSInjuctiongateStackedSIMOS)(浮置柵控制柵:fcGG通處正常邏輯高電平下導(dǎo)上未充負(fù)電荷,則若導(dǎo)通處正常邏輯高電平下不上充以負(fù)電荷,則若工作原理:cfcfGGGG年)光燈下分鐘(陽光下一周,熒紫外線照射空穴對,提供泄放通道生電子“擦除”:通過照射產(chǎn)形成注入電荷到達(dá)吸引高速電子穿過寬的正脈沖,上加同時在發(fā)生雪崩擊穿
2、)間加高壓(“寫入”:雪崩注入33020502525202,fcGSiOmsVGVSD)(管浮柵隧道氧化層采用點(diǎn)擦除慢,操作不便的缺為克服MOSFLOTOXUVEPROM“隧道效應(yīng)”電子會穿越隧道)當(dāng)場強(qiáng)達(dá)到一定大?。ê穸戎g有小的隧道區(qū),與,/ cmVmSiODGf78210102導(dǎo)通)下,電壓(未充電荷時,正常讀出截止)下,電壓(充電荷后,正常讀出工作原理:TVGTVGGCCf33fjCiGBmsVGW電子隧道區(qū)接的正脈沖,加充電:01020 ,上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電加正脈沖,接放電:fjiCGBWG,0(隧道區(qū))區(qū)有極小的重疊區(qū)與)更?。ㄅc襯底間SGnmOSGfif15102的正脈沖,加接)
3、,加正壓(,充電利用雪崩注入方式向工作原理:usVGVVSDGcssf101206*上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電的正脈沖加放電,利用隧道效應(yīng)fsscfGnsVVGG100120,作存儲單元觸發(fā)器,為基本RSTT41相通、與、導(dǎo)通,行中被選中,時,能在jjiBBQQTTX6511,單元與緩沖器相連列第行第導(dǎo)通,這時時,所在列被選中,jiTTYj871,,讀操作截止,與導(dǎo)通,則若時,當(dāng)OIQAAAWRSC32110,,寫操作導(dǎo)通,與截止,則若QOIAAAWR3210,六管N溝道增強(qiáng)型MOS管SCWRAAOIOI片選信號:寫信號:讀地址線:數(shù)據(jù)線:/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI寫信號:讀地址線:數(shù)據(jù)線:/987070,):(110025625670A個地址個字,需要每一片提供SCYYAAAA分別接四片的譯成即將兩位代碼區(qū)分四片用,308989102376876751251125625501110010007070707,AAAAAAAA四片的地址分配就是:89AA4321SCSCSCSC1110010029292929AAAAAAAA,四片的地址分配就是:01AA4321SCSCSCSC01AA912AAAA0An-1W0W(2n-1)ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDC
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