PSS高亮度發(fā)光二極體先進技術(shù)應用

1、高亮度發(fā)光二極體先進技術(shù)應用近幾年來高亮度的LED成為趨勢，市面上有許多技術(shù)可提高亮度，我們選擇的是圖案化藍寶石基板，因為圖案化過後的藍寶石基板可以同時提高內(nèi)部及外部的量子效率，基本上GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方式生長在藍寶石基板(Sapphire Substrate)上，由於磊晶GaN與底部藍寶石基板的晶格常數(shù)及熱膨脹係數(shù)相差極大，導致會產(chǎn)生高密度線差排(Thread Dislocation)，此高密度線差排則會限制了GaN LED的發(fā)光效率。因在LED結(jié)構(gòu)中，除了主動層(Active Region)及其他層會吸收光之外，另外特別留意的就是半導體的高折射係數(shù)(High Re

2、fractive Index)，這將使得LED所產(chǎn)生的光受到侷限(Trapped Light)。掌握此要點可從半導體之主動區(qū)萃取光源，進而增加光萃取效率(Light Extraction Efficiency)。藍寶石基板的蝕刻圖案化PSS(Pattern Sapphire Substrate)圖案化藍寶石基板（PSS）的高品質(zhì)氮化鎵LED向外延生長我們使用感應式耦合電漿系統(tǒng)(ICP)會提高蝕刻速率，且有效改善wafer表面粗糙度。藍寶石基板的圖案藉由乾式蝕刻形成圖案的陣列。我們研發(fā)團隊進行乾蝕刻比較方案的基礎上，使用BCl3/He氣體有效提高圖案化藍寶石基板提取效率。這是由於不斷改變?nèi)肷浣牵?/p>

3、因為藍寶石基板是散射模式。概述圖Outline Diagrams提升LED發(fā)光效率之製程方法乾式蝕刻是一種非等向性蝕刻，乾式蝕刻與溼式蝕刻皆可朔造出不同形狀的圖案。溼式蝕刻關(guān)鍵在於溫度會影響蝕刻速率，時間則會影響圖案的高度、頭寬和底寬；乾式蝕刻關(guān)鍵在於氣體比例會影響圖案的高度和底部寬度，時間則會影響圖案的高度。概述圖Outline Diagrams檢驗標準 Inspection序檢查項目檢驗位置檢驗條件1Break(破片) 1. 檢視晶片時，如有發(fā)現(xiàn)左邊各項缺點時，皆為不良片2. 外觀檢驗標準：2.1: Effective Area: 晶片邊緣內(nèi)2.0mm以外區(qū)域，為有效區(qū)域2.2:

4、 Edge EXclusion: 晶片邊緣內(nèi)2.0mm，不計算缺陷，即允許可出現(xiàn)圖案相連、Particle、不符合規(guī)格的圖案、無圖案的空白區(qū)域及刮痕2.3: 有效區(qū)域內(nèi)扣除不符合規(guī)格的圖案及雷射碼，可用面積為90%2Chip(缺口)正面/背面3Crack(裂紋)正面/背面4Laser Mark NG(雷射碼異常) 正面/背面5Scratch(刮傷)正面/背面6Defocus (Shot 色差) 正面7Pattern loss(亮點) 正面8PSS backside NG(PSS背面污染) 背面9Square Defect(shots接合線明顯) 正面10Stain(髒汙)正面11Pit hole(小坑) 正面12Dark Spot(黑點) 正面藍寶石基板產(chǎn)品說明【2inch Qty】 圖案化藍寶石基板【4in