說明下列圖中實用教案

1、思考題2. 在I-V平面分別繪出隨正向偏壓增加時，二極管的暗電流與太陽電池的光生電流的變化曲線，說明兩者的關(guān)系。寫出用短路電流與飽和暗電流及正向偏壓表示(biosh)的太陽電池光生電流方程。3. 根據(jù)太陽電池輸出外特性，描述電池轉(zhuǎn)換效率的定義，并用公式給出理論定義。結(jié)合理論公式說明電池外特性的哪些特征將影響電池的效率。4. 當(dāng)電池溫度為300K時，面積為100cm2的硅電池在100mW/cm2的光照下，開路電壓為600mV，短路電流為3.3A。假設(shè)電池工作在理想狀態(tài)，為在最大功率點它的能量轉(zhuǎn)換效率是多少。第1頁/共8頁第一頁，共8頁。思考題5. 計算(j sun)太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。設(shè)Si太陽

2、電池，在AM1日照條件下Jsc=35m A/cm2，J0=10-11 mA/cm2。注：5 . 0qEVgoc)1ln(0IIqkTVscoc第2頁/共8頁第二頁，共8頁。思考題6.硅太陽電池的典型開路電壓為0.6V，而GaAs電池的約為1.0V。在絕對與相對兩種情況下，試比較兩種電池在300K時的開路電壓與溫度的理論關(guān)系（零度時的禁帶寬度(kund)分別為1.2和1.57eV）。第3頁/共8頁第三頁，共8頁。思考題7.右圖為溫度對太陽電池(dinch)轉(zhuǎn)換效率的影響。請對Si與GaAs以溫度為橫坐標(biāo)繪出其對電池(dinch)效率的影響。并根據(jù)理論關(guān)系討論所繪結(jié)果。第4頁/共8頁第四頁，共8頁

3、。思考題8. 分別分析下列10因素如何影響太陽電池(dinch)的轉(zhuǎn)換效率：溫度T、復(fù)合壽命、禁帶寬度Eg、表面復(fù)合壽命S、聚光率、受主濃度Na、施主濃度Nd、電池(dinch)厚度、串聯(lián)電阻與電池(dinch)表面反射率。第5頁/共8頁第五頁，共8頁。思考題9. （a）光子通量為每秒、單位面積N個光子的單色光入射到半導(dǎo)體表面(biomin)，其反射率為R。如果半導(dǎo)體在該波長的吸收系數(shù)為，試給出光子通量與進(jìn)入半導(dǎo)體的深度x之間的關(guān)系。 （b） 假設(shè)每吸收一個光子產(chǎn)生一對電子空穴對，根據(jù)上述參數(shù)求出電子-空穴對的產(chǎn)生率G與光穿透半導(dǎo)體的深度的關(guān)系。并用圖表示光生載流子率隨深度變化的關(guān)系。第6頁/共8頁第六頁，共8頁。思考題10. 地面陽光的光子通量約在700nm波長達(dá)到最大。利用圖示結(jié)果，試比較在此波長下光子通量在Si和GaAs中減小到它剛進(jìn)入半導(dǎo)體時的數(shù)目(shm)的