半導體專題實驗

1、1會計學半導體專題實驗半導體專題實驗步驟步驟 chemical比例比例 浸泡時間浸泡時間 溫度溫度 LIFE TIME NOTE 1H2SO4：H2O2 （SPM）3：1 1020min 7585 23次 去金屬雜質(zhì)有機物及光阻 2DI water 5min 3HF：H2O （DHF）1：100 不沾水 去native oxide及金屬雜質(zhì) 4DI water 5min5NH4OH：H2O2：H2O （APM）1：4：20 1020min 7585 1次 去微粒及有機物污染 步驟步驟 chemical比例比例 浸泡時間浸泡時間 溫度溫度 LIFE TIME NOTE 6DI water5min

2、7HCl：H2O2：H2O （HPM）1：1：6 1020min 7585 1次 去無機金屬離子 8DI water5min9HF：H2（DHF）1：100 不沾水 去native oxide 10DI water5min11N2 DRY 晶格座標minor flat與major flat 相差 (degrees)18090450N-type P-type N-type P-type VI ISSS1234IIttSIVtIVttIAIrArtISdAVVVASASAVASASAVrAJrAVrAErArrrrrrr53236. 42ln2)(2)(JconditionBoundary 2ln

3、22lnln2ln2ln2lnln,ln,lnSolution 01coordinate lcylindricaIn 032322)ln(21200rVVErE 2ln2)Sln()2S(ln(2)2Sln()S(ln(20210201 WQVVVWQVWQV 而那部份電荷對周圍電場的影響與長直導線等效利用上式，即可求出探針2、3之間的電位差 帶入Q，整理後可得電阻與電壓電流間的關(guān)係2ln WIV當厚度遠大於電流擴散深度時:當晶片厚度非遠小於晶片直徑：將電流視為表層點電荷IQadJQadEadEadEdownup0020對點電荷而言 rQV140)2113213111(40SSSSSSQV1)

4、3212113111(2SSSSSSIVIf S1=S2=S3=S IVS2實驗步驟：熱電效應(yīng)o 右邊金屬片：加熱端；左邊金屬片：冷卻端。Sample放置在上面，取適當間距。o 將三用電表兩探針座連至sample兩端。o 電：N-Typeo 電：P-TypeThermal couple的線的線, 不可折不可折sample右邊金屬板溫度實驗步驟：四點探針o 使用游標尺量測晶片厚度o 使探針與晶片緊密接觸o 接線至V-I量測系統(tǒng)o 改變I，求Vo 求出電阻率 1.電阻率量測儀器2.放置晶片3.將四點探針對準晶片4.壓下後數(shù)據(jù)會顯示出來)ln(21200rVVErE 2ln2)Sln()2S(ln(2)2Sln()S(ln(20210201 WQVVVWQVWQV 而那部份