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1、會計學1二氧化硅薄膜材料制備技術(shù)二氧化硅薄膜材料制備技術(shù)度為度為30 時，填充密度為時，填充密度為0.9，基底溫度為基底溫度為150 時，填充密度時，填充密度為為為為0.98。二氧化硅薄膜呈現(xiàn)壓。二氧化硅薄膜呈現(xiàn)壓應力，其具有良好的化學穩(wěn)定性，應力，其具有良好的化學穩(wěn)定性，機械性能極為牢固，無吸濕性。機械性能極為牢固，無吸濕性。o薄膜可用于紫外、可見和紅薄膜可用于紫外、可見和紅外區(qū)各種多層膜，此外還可用于外區(qū)各種多層膜，此外還可用于防潮解、防腐蝕的保護膜。防潮解、防腐蝕的保護膜。第1頁/共15頁第2頁/共15頁n方法：溶膠凝膠法方法：溶膠凝膠法(SolGel)、火焰水解法火焰水解法(FHD)、

2、等離子體增、等離子體增強化學氣相沉積強化學氣相沉積(PECVD)、高、高溫熱氧化溫熱氧化(Thermal Oxidation)等等多種制備方法。多種制備方法。第3頁/共15頁第4頁/共15頁第5頁/共15頁第6頁/共15頁分子物的再放出。分子物的再放出。第7頁/共15頁熱工藝氧化法，或稱快速熱氧化熱工藝氧化法，或稱快速熱氧化法。這種方法采用快速熱工藝系法。這種方法采用快速熱工藝系統(tǒng)，精確地控制高溫短時間的氧統(tǒng)，精確地控制高溫短時間的氧化過程，獲得了牲能優(yōu)良的超薄化過程，獲得了牲能優(yōu)良的超薄SiO2薄膜。譬如硅烷低溫氧化薄膜。譬如硅烷低溫氧化沉積沉積SiO2薄膜，溫度在薄膜，溫度在400左左右，在含氧的氣氛中硅烷在襯底右，在含氧的氣氛中硅烷在襯底表面上熱分解，并與氧氣反應生表面上熱分解，并與氧氣反應生成成SiO2，其化學反應式為，其化學反應式為：第8頁/共15頁n熱氧化跟基體的界面不明顯，熱氧化跟基體的界面不明顯，幾乎不用擔心薄膜與基體之間幾乎不用擔心薄膜與基體之間的剝離問題，可以獲得優(yōu)質(zhì)、的剝離問題，可以獲得優(yōu)質(zhì)、致密、厚度可精密控制的絕緣致密、厚度可精密控制的絕緣薄膜。薄膜。第9頁/共15頁第10

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