模電總復(fù)習(xí)題

1、一、單選題 （ 每題 1 分 ）1. 半導(dǎo)體的導(dǎo)電阻率為 。A p <10-6 Q m,B p >108Q m,C p 介于 10-6 108Q m,VD p >1010 Q m2. 本征激發(fā)是指現(xiàn)象。A價(jià)電子從外界獲得足夠能量而掙脫共價(jià)鍵束縛而變?yōu)樽杂呻娮拥腣B 價(jià)電子依靠本身的運(yùn)動(dòng)能量而掙脫共價(jià)鍵束縛而變?yōu)樽杂呻娮拥腃 價(jià)電子依靠互相的碰撞增加運(yùn)動(dòng)能量而掙脫共價(jià)鍵束縛而變?yōu)樽杂呻娮拥?. P（N）型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體硅（或錯(cuò)）中摻入少量的而獲得的雜質(zhì)半導(dǎo)體。A 二價(jià)元素，B三價(jià)元素，VC 四價(jià)元素，(V)D 五價(jià)元素的信號(hào)5. 模擬信號(hào)是指A 時(shí)間連續(xù)，B 數(shù)值連續(xù)，C

2、時(shí)間和數(shù)值都連續(xù)，VD 時(shí)間和數(shù)值都不連續(xù)6. 放大電路放大倍數(shù)是指。A輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的比值，VB 輸入信號(hào)與輸出信號(hào)的比值，C 輸出電壓與輸入電流的比值，D 輸出電流與輸入電壓的比值。7. 某放大電路的電壓增益為60dB,則該電路的電壓放大倍數(shù)為倍A 10， B 102， C 103， D 1048. 放大電路中的非線性失真是有 引起的。A 電抗元件，B放大元器件的非線性，VC 非電抗元件，D 輸入信號(hào)的失真。9. PN結(jié)雪崩擊穿主要主要發(fā)生在情況下。A PN結(jié)反偏較低，B PN結(jié)正偏電壓較高，C PN結(jié)反偏較高，VD PN結(jié)正偏電壓較低。10. PN結(jié)齊納擊穿主要主要發(fā)生在情況下A P

3、N結(jié)反偏較低，VB PN結(jié)正偏電壓較高，C PN結(jié)反偏較高，D PN結(jié)正偏電壓較低。11. 鍺（硅 ）晶體二極管的正常工作電壓約為A ,( V)12. 晶體三極管工作在放大（ 飽和、截止） 狀態(tài)的外部條件為A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，V8. 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏，C.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏， （飽V ）D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 （截V）13. PNJ雪崩擊穿和齊納擊穿同時(shí)出現(xiàn)在反偏電壓為A5V 以下，B81000V，C58V,VD10500V。14. 硅（鍺） 晶體二極管的門坎電壓（又稱為死區(qū)電壓）為A,VB ，C,（V）D 。15. 對(duì)于低頻小功率晶體管的基區(qū)體電阻rb ，通常情況下為

4、A. 200 QVB. 100QC. 150QD. 300Q16. 當(dāng)溫度升高1oC時(shí)，晶體管的參數(shù) VBE將增大A. (2mV,VB. (2mV，C. (1mV，D. (1mV17. 當(dāng)溫度升高1oC時(shí)，晶體管的參數(shù)B將增大A. %，B. %VC. %，D. %18. 三極管的電流分配關(guān)系為B. IE = IC 舊C. IC = IB-IED. IB = IC IE19. 晶體三極管放大作用的實(shí)質(zhì)是。A. 把微弱的電信號(hào)加以放大，B. 以弱電流控制強(qiáng)電流，C. 以強(qiáng)電流控制弱電流，D. 以弱電流控制強(qiáng)電流，把直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能。V20. 多級(jí)放大電路總的放大倍數(shù)等于各級(jí)放大倍數(shù)A.的乘積

5、，VB. 的和，C. 的差，D. 相除的商。21. 多級(jí)放大電路的頻率特性 （ 響應(yīng) ） 隨著級(jí)數(shù)的增加而A. 變寬，22.23.24.B. 變窄，C. 變大，D. 變小。fH (fL) 稱為放大電路的A. 截止頻率，B.上限頻率，VC. 下限頻率，(D. 特征頻率。f B (fT)稱為共發(fā)射極A. 截止頻率，B. 上限頻率，C. 下限頻率，D. 特征頻率。 (BJT(FET) 又稱為 。A. 單極型晶體管，(V)B. 雙極型晶體管，VC. 電子型晶體管，D. 空穴型晶體管。VCESH26. 互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路BJT 工作在甲乙類、負(fù)載電阻為理想值，忽略的效率約為 。A. 30%，B. %V

6、C. 60%，D. 85%。27. 甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路當(dāng)工作點(diǎn)不合適時(shí)，將產(chǎn)生 。A.交越失真，VB. 線性失真，C. 頻率失真，D. 相位失真。28. 甲乙（甲、乙）類功放電路晶體管的導(dǎo)通角0為 。A. 2 幾，（甲 V ）B.（乙V）C.兀<8<2幾,D. 6九。29. 乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路實(shí)際上是。A. 由兩個(gè)不同類型晶體管構(gòu)成的共發(fā)射極放大電路組成，B. 由兩個(gè)不同類型晶體管構(gòu)成的共基極放大電路組成，C.由兩個(gè)不同類型晶體管構(gòu)成的射極輸出器組成，VD. 由兩個(gè)相同類型晶體管構(gòu)成的射極輸出器組成。30. 大規(guī)模集成電路在一個(gè)硅片上可集中制作 。A.十幾十個(gè)元

7、件，B.幾十個(gè)幾百個(gè)元件，C.幾百個(gè)幾千個(gè)元件，VD. 幾千個(gè)以上元件；31. 三點(diǎn)式振蕩電路的相位平衡條件為 。A. 基（集同 ）射反，B.射同基（集）反，VC. 基同射反，D.集同射反,32.正弦振蕩的起振（平衡）條件為VA. AF >1、B. AF <1 ,(V)C. AF =1,D. AF < 0。OTL功率放大電路輸出功率的有效方法33. 在電源電壓不變的情況下，提高是。A.加接自舉電路，VB. 改變工作狀態(tài)，C. 降低靜態(tài)工作點(diǎn)，D.提高靜態(tài)工作點(diǎn)。34. 正弦波電壓信號(hào)的數(shù)學(xué)表達(dá)式是Av(t)Vs2私(sin0t1.八-sin 3 30t - sin 5 0t

8、5Vs當(dāng)nTt (2n1)T/2時(shí)Bv(t)0當(dāng)(2n1)T/2t (n 1)T 時(shí)v(t) =Gv(t)Vm sin( t )DV35. 如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該電路AA: VAO 6V,二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。B: YAO 12V,二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài)。C : VA0 6V,二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài)。D : VA0 12V,二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。36. 如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該電路BA: YAO= 15V,二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。B: YAO 12V,二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài)。C : VA0 15V,二極管處于反偏截止?fàn)顟B(tài)。D : VA0 12V,二極管處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)

9、。37. 如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該電路CA: VAO= 12V, D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止。B: VAO= 15V, D1反偏截止，D2正偏導(dǎo)通。C : VA& 0V, D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止。D : VAO 0V,。D2正偏導(dǎo)通，D1反偏截止。38. 如圖所示，設(shè)二極管是理想二極管，該電路D 。A: YAO 12V, D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止。B: YAO 12V, D1反偏截止，D2正偏導(dǎo)通。C : VA0 -6V , D1正偏導(dǎo)通，D2反偏截止。D : VAO 6V, D1反偏截止，D2正偏導(dǎo)通。39. 有兩個(gè)BJT,其中一個(gè)管子的B = 150, ICEO=

10、200dA,另一個(gè)管子的 B =50, ICEO= 10甚A,其它參數(shù)一樣，你選B oA: B = 150, ICEO= 200 dA 的管子。B: B =50, ICEO= 10 d A 的管子。二、多選題 （ 每空 1 分，共 20 分 ）40. 橋式整流輸出電壓與電源變壓器次級(jí)電壓的關(guān)系為 A ，電容濾波電路輸出電壓與電源變壓器次級(jí)電壓的關(guān)系為 C 。A. VL=,B.VL=,C. VL=,D.VL=。41. 給乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路D ，可消除EA. 加一放大電路，B. 加一很大的集電極電流，C. 加一衰減電路，D. 加一合適的靜態(tài)工作點(diǎn)。E. 交越失真，F(xiàn).線性失真，G.頻率失真，

11、H. 相位失真。42. 晶體三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律為B 、 D 、 C 。A. 基區(qū)向發(fā)射區(qū)注入載流子B. 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入載流子C. 集電區(qū)收集載流子D. 非平衡載流子在基區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合E. 發(fā)射區(qū)收集載流子F. 載流子在發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合43. BJT 的制造工藝特點(diǎn)為:A. e區(qū)摻雜濃度最局,B. e 區(qū)摻雜濃度最低，C. c 區(qū)摻雜濃度適中，D. b 區(qū)摻雜濃度最低且最薄，E. c 區(qū)摻雜濃度最高，F(xiàn). b 區(qū)摻雜濃度最高且最薄。44. PNJ的單向?qū)щ娦员憩F(xiàn)為:B 、 C 。A PNJ反偏導(dǎo)通，B PNJ正偏導(dǎo)通，C PNJ反偏截止，D PNJ正偏截止。45. PN結(jié)又稱為A、

12、C、和 E 。A 空間電荷區(qū)，B 電阻層，C 耗盡層，D 電位區(qū)，F(xiàn) 擴(kuò)散區(qū)。E 勢(shì)壘區(qū)，46. PN結(jié)的形成過(guò)程是:B 、A、F 0A 少子的漂移運(yùn)動(dòng)， B 多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)C 多子與少子的相互作用，D少子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，E 多子的漂移運(yùn)動(dòng)，F(xiàn)多子的擴(kuò)散與少子的漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。G 多子的漂移與少子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。47. 一般情況下，當(dāng)信號(hào)源內(nèi)阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于放大電路輸入電阻 ( 即 Rs<<Ri ) 時(shí)，信號(hào)源使用 A 更為有利；當(dāng)信號(hào)源內(nèi)阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于放大電路輸入電阻 ( 即 Rs>>Ri ) 時(shí)，信號(hào)源 C 使用 更為有利。A.電壓源，B.分壓電路，C.電流源，D.

13、集成運(yùn)放。48.測(cè)得某放大電路中 BJT的三個(gè)電極 A B C的對(duì)地電壓分別為 VA= 9V, VB =6V, VO ,則 A ,該管 D 0A：A為集電極，B為發(fā)射極，C基極；B:A為發(fā)射極，B為集電極，C基極；C： A為集電極，B基極；C為發(fā)射極,D:為 PNPfE:為 NPNf49. 某放大電路中 BJT 三個(gè)電極A、 B、 C 的電流如圖所示，用萬(wàn)用表電流檔測(cè)得IA= 2mA 舊=,IC = +,該管為 B ,其中 E 。A:為 PNP#B:為 NPNtC： A為集電極，B為發(fā)射極，C基極；D ： A 為發(fā)射極， B 為集電極，C 基極；E： A為集電極，B基極；C為發(fā)射極，三、判斷題

14、（ 每題2 分，共20 分 ）50 .晶體二極管正向工作時(shí)也具有穩(wěn)壓作用。（V）51 .晶體二極管正向工作時(shí)沒(méi)有穩(wěn)壓作用。（X ）52 .圖a所示電路對(duì)正弦交流信號(hào)有放大作用。（X ）53 .圖a所示電路對(duì)正弦交流信號(hào)無(wú)放大作用。（V ）54 .圖b所示電路對(duì)正弦交流信號(hào)有放大作用。（X ）55 .圖b所示電路對(duì)正弦交流信號(hào)無(wú)放大作用。（V）56.晶體三極管發(fā)生電擊穿，當(dāng)把電源關(guān)閉后不可以恢復(fù)。（X）57 .晶體三極管發(fā)生電擊穿，當(dāng)把電源關(guān)閉后可以恢復(fù)。（V）58 .微變等效電路即可以分析放大電路的靜態(tài)，也可以分析動(dòng)態(tài)。（V）X）59 . 微變等效電路僅能分析放大電路的動(dòng)態(tài)，不可以分析靜態(tài),

15、。60 .圖1所示電路無(wú)直流負(fù)反饋。（X）61 .圖1所示電路有直流負(fù)反饋。（V）62 .圖1所示電路有交流負(fù)反饋。（X）63 .圖1所示電路無(wú)交流負(fù)反饋。（V）64 .圖2所示電路級(jí)間為交直流電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路。（X ）65 .圖2所示電路級(jí)間為交流電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路。（X ）66 .圖2所示電路級(jí)間為交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。（X ）67 .圖2所示電路級(jí)間為交流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。（V ）68 .圖3所示電路為交直流電流串聯(lián)負(fù)反饋電路。（V ）69 .圖3所示電路為交直流電流并聯(lián)負(fù)反饋電路。（X ）70 .圖3所示電路為交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。（X ）71 .圖3所示電路為交流電流串聯(lián)

16、負(fù)反饋電路。（X）72 .圖4所示電路為交直流電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路。（V ）73 .圖4所示電路為交直流電流并聯(lián)負(fù)反饋電路。（X ）74 .圖4所示電路為交直流電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。（X ）75 .圖4所示電路為交直流電流串聯(lián)負(fù)反饋電路。（X ）76 .圖5所示電路為橋式振蕩電路。X ）77 .圖5所示電路為電容三點(diǎn)式振蕩電路。（V）78 .圖5所示電路為電感三點(diǎn)式振蕩電路。（X）79 .圖5所示電路為RC振蕩電路。（X）80 .圖6所示電路為橋式振蕩電路。V ）81 .圖6所示電路為電容三點(diǎn)式振蕩電路。（X）82 .圖6所示電路為電感三點(diǎn)式振蕩電路。（X）83 .圖6所示電路為RC移相振蕩電路。

17、X ）84 .7 所示電路能產(chǎn)生正弦振蕩。（X）85 .7 所示電路不能產(chǎn)生正弦振蕩。(V)電壓。電壓。電壓。電壓。86 . 圖 8 所示電路能產(chǎn)生正弦振蕩。(V)87 . 圖 8 所示電路不能產(chǎn)生正弦振蕩。(X)88 . 集成運(yùn)放的兩個(gè)重要特征是虛短和虛斷。89 . 集成運(yùn)放的兩個(gè)重要特征是短路和斷路。90 .三 端 穩(wěn) 壓 器7812表 示 輸 出 的 是 正12V的 直(V)91 .三 端 穩(wěn) 壓 器7812表 示 輸 出 的 是 負(fù)12V的 直(X)92 .三 端 穩(wěn) 壓 器7915表 示 輸 出 的 是 正15V的 直(X)93 .三 端 穩(wěn) 壓 器7915表 示 輸 出 的 是 負(fù)

18、15V的 直(V)94 . 并聯(lián)負(fù)反饋提高輸入電阻。(X)95. 并聯(lián)負(fù)反饋降低輸入電阻。(V)96. 串聯(lián)負(fù)反饋降低輸入電阻。(X)97. 串聯(lián)負(fù)反饋提高輸入電阻。(V)98. 電壓負(fù)反饋降低輸出電阻。(V)99. 電壓負(fù)反饋提高輸出電阻。(X)100. 電流負(fù)反饋提高輸出電阻。(V)101. 電流負(fù)反饋降低輸出電阻。 (X)四、作圖題 ( 每小題 5 分，共 10 分)102. 請(qǐng)畫(huà)出圖9 所示電路的交流通路。103. 請(qǐng)畫(huà)出圖9 所示電路的直流通路。104. 請(qǐng)畫(huà)出圖 9 所示電路的 h 參數(shù)等效電路，說(shuō)明簡(jiǎn)化的條件，并畫(huà)出微變等效電路。當(dāng)hre、hoe很小時(shí)，對(duì)電路的影響可忽略不計(jì)，用

19、 rbe代替hie , B代替hfe , H參數(shù)等效電路可以簡(jiǎn)化為微變等效電路。105. 請(qǐng)畫(huà)出圖10 所示電路的交流通路。106. 請(qǐng)畫(huà)出圖10 所示電路的直流通路。107. 請(qǐng)畫(huà)出圖10 所示電路的h 參數(shù)等效電路， 說(shuō)明簡(jiǎn)化的條件， 并畫(huà)出微變等效電路。當(dāng)hre、hoe很小時(shí)，對(duì)電路的影響可忽略不計(jì)，用 rbe代替hie , B代替hfe , H參數(shù)等效電路可以簡(jiǎn)化為微變等效電路。五、計(jì)算題 （ 共 20 分 ）108. 如圖 9 所示，Rb= 500kQ, Rc= 4kQ, VCO12V, B = 80, VB上 ,試計(jì)算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。 （6 分 ）109. 假設(shè)晶體管的B= 50

20、, Rc= RL = 4kQ ,rbe =Q,計(jì)算圖10所示電路的電壓放 大 倍 數(shù) ， 輸 入 電 阻 ， 輸 出 電 阻 。（6 分 ）110. 如圖 11 所示，假設(shè) R = 85kQ , RU= 25kQ , R = 2kQ, R = R=4kQ, 5= 21V,B =50, VBe=,試計(jì)算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。 (8分)111. 假設(shè)圖 1 2 晶體管的 B = 50 , Rc=RL = 4kQ, Vx= 21V, Ic=,計(jì)算所示電路的電壓放大倍數(shù)，輸入電阻，輸出電阻。 （8分）112. 如圖13所示，假設(shè) VI = 24V, VZ= 6V, R3= R4= Rp= 300Q,試計(jì)算

21、該電路的輸出電壓調(diào)整范圍。（6分） 當(dāng) R''p =0 時(shí),Vo= VZ(R3+R4+Rp)/R 4Vo= Vomax= 6 X (300 + 300+ 300)/300=18V當(dāng) R''p = Rp =300Q 時(shí),Vo= Vomin=VZ(R3+R4+Rp)/(R 4+Rp)=6 X (300+300+300)/(300+300)=9V113. 如圖14所示，假設(shè) VI =24V, VZ= 6V, R1= R2= Rp= 200 Q,試計(jì)算該電路的施用電壓調(diào)整范圍。(6分)V"PVp10>VF = Vref= VZ,義0= VZ(R1+R2+Rp)/R2所以,Vo= Vomax= 6X (200 + 200+200)/200= 18V當(dāng) R''p =200Q 時(shí),Vo= Vomin=6 X (2