PNP型三極管PPT

1、1.1 晶體二極管晶體二極管 .晶體三極管晶體三極管 .場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管.晶閘管晶閘管 23：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，如硅導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，如硅(Si)、鍺鍺(Ge)、金屬氧化物等。硅和鍺是金屬氧化物等。硅和鍺是4價(jià)元素，原子的最外層軌道上有價(jià)元素，原子的最外層軌道上有4個(gè)價(jià)電子個(gè)價(jià)電子。4、半導(dǎo)體的特性：半導(dǎo)體的特性：摻雜性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，摻雜性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，使其導(dǎo)電能力明顯改變。使其導(dǎo)電能力明顯改變。光敏性：光敏性：當(dāng)受到光照時(shí)，其導(dǎo)電能力明顯當(dāng)受到光照時(shí)，其導(dǎo)電能力明顯變化。變化。( (可制成各種光敏元件，如光敏電阻、可制成

2、各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管、光電池等光敏二極管、光敏三極管、光電池等) )。熱敏性：熱敏性：當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，導(dǎo)電能力明顯當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，導(dǎo)電能力明顯増強(qiáng)。増強(qiáng)。5在純凈半導(dǎo)體硅或鍺（在純凈半導(dǎo)體硅或鍺（4價(jià)）中摻入價(jià)）中摻入磷、砷磷、砷等等5價(jià)元素，由于這類(lèi)元素價(jià)元素，由于這類(lèi)元素的原子最外層有的原子最外層有5個(gè)價(jià)電子，故在構(gòu)成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中，由于存在一個(gè)價(jià)電子，故在構(gòu)成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中，由于存在一個(gè)多余的價(jià)電子而產(chǎn)生大量自由電子，個(gè)多余的價(jià)電子而產(chǎn)生大量自由電子，這種半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)這種半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)電電，稱(chēng)為，稱(chēng)為電子電子半導(dǎo)體或半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體，其

3、中自由電子為多數(shù)載流子，熱型半導(dǎo)體，其中自由電子為多數(shù)載流子，熱激發(fā)形成的空穴為少數(shù)載流子。激發(fā)形成的空穴為少數(shù)載流子。自由電子自由電子 多數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)多子）多數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)多子）空空 穴穴少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)少子）少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)少子）6 在純凈半導(dǎo)體硅或鍺（在純凈半導(dǎo)體硅或鍺（4價(jià)）中摻入價(jià)）中摻入硼、鋁硼、鋁等等3價(jià)元素，由于這類(lèi)價(jià)元素，由于這類(lèi)元素的原子最外層只有元素的原子最外層只有3個(gè)價(jià)電子，故在構(gòu)成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中，由于缺個(gè)價(jià)電子，故在構(gòu)成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中，由于缺少價(jià)電子而形成大量空穴，這類(lèi)摻雜后的少價(jià)電子而形成大量空穴，這類(lèi)摻雜后的半導(dǎo)體其導(dǎo)電作用主要靠空半導(dǎo)體其導(dǎo)電作用主要靠空穴運(yùn)動(dòng)

4、，穴運(yùn)動(dòng)，稱(chēng)為空穴半導(dǎo)體或稱(chēng)為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體，其中空穴為多數(shù)載流子，熱型半導(dǎo)體，其中空穴為多數(shù)載流子，熱激發(fā)形成的自由電子是少數(shù)載流子。激發(fā)形成的自由電子是少數(shù)載流子。自由電子自由電子 多數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)多子）多數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)多子）空空 穴穴少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)少子）少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)少子）7P 型半導(dǎo)體N 型半導(dǎo)體無(wú)論是無(wú)論是P型半導(dǎo)體還是型半導(dǎo)體還是N型半導(dǎo)體都是中性的，型半導(dǎo)體都是中性的，通常對(duì)外不顯電性。通常對(duì)外不顯電性。摻入的雜質(zhì)元素的濃度越高，多數(shù)載流子的數(shù)摻入的雜質(zhì)元素的濃度越高，多數(shù)載流子的數(shù)量越多。量越多。只有將兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體做成只有將兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體做成PN結(jié)后才能成為結(jié)后才

5、能成為半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件。8半導(dǎo)體中載流子有擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)兩半導(dǎo)體中載流子有擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)兩種運(yùn)動(dòng)方式。載流子在電場(chǎng)作用下的定向種運(yùn)動(dòng)方式。載流子在電場(chǎng)作用下的定向運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為。在半導(dǎo)體中，如果載流子濃度分布不均勻，在半導(dǎo)體中，如果載流子濃度分布不均勻，因?yàn)闈舛炔睿d流子將會(huì)從濃度高的區(qū)域因?yàn)闈舛炔睿d流子將會(huì)從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，這種運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為向濃度低的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，這種運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為。將一塊半導(dǎo)體的一側(cè)摻雜成將一塊半導(dǎo)體的一側(cè)摻雜成P型半導(dǎo)體，型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成另一側(cè)摻雜成N型半導(dǎo)體，在兩種半導(dǎo)體型半導(dǎo)體，在兩種半導(dǎo)體的交界面處將形成一個(gè)特殊的薄層的交界面處將形成一個(gè)特殊

6、的薄層 結(jié)結(jié)。 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)及其單向?qū)щ娦?P 區(qū) 空間電荷區(qū) N 區(qū)PN 結(jié)及其內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)方向P 區(qū) N 區(qū)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 多子多子擴(kuò)散擴(kuò)散 形成空間電荷形成空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng) 少子少子漂移漂移 擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡形成一定寬度的形成一定寬度的PN結(jié)結(jié)10外加正向電壓（也叫正向偏置）外加正向電壓（也叫正向偏置）外加電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反，內(nèi)電場(chǎng)削弱，擴(kuò)散外加電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反，內(nèi)電場(chǎng)削弱，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大大超過(guò)漂移運(yùn)動(dòng)，運(yùn)動(dòng)大大超過(guò)漂移運(yùn)動(dòng)，N區(qū)電子不斷擴(kuò)散到區(qū)電子不斷擴(kuò)散到P區(qū)，區(qū)，P區(qū)空穴不斷擴(kuò)散到區(qū)空穴不斷擴(kuò)散到N區(qū)，形成較大的正區(qū)，形成較

7、大的正向電流，這時(shí)稱(chēng)向電流，這時(shí)稱(chēng)PN結(jié)處于低阻結(jié)處于低阻狀態(tài)。狀態(tài)。空間電荷區(qū)變窄E R內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)PNI11+12 一個(gè)一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線并用管殼封裝起來(lái)，就構(gòu)成了半導(dǎo)體結(jié)加上相應(yīng)的電極引線并用管殼封裝起來(lái)，就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管，簡(jiǎn)稱(chēng)二極管。符號(hào)用二極管，簡(jiǎn)稱(chēng)二極管。符號(hào)用VD表示。表示。 半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)不同可分為半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)不同可分為點(diǎn)點(diǎn)接觸型和接觸型和面面接觸型兩類(lèi)。接觸型兩類(lèi)。 點(diǎn)點(diǎn)接觸型二極管接觸型二極管PN結(jié)面積很小，結(jié)電容很小，多用于高頻檢波及結(jié)面積很小，結(jié)電容很小，多用于高頻檢波及脈沖數(shù)字電路中的開(kāi)關(guān)元件。脈沖數(shù)字電路中的開(kāi)關(guān)元件。 面面接觸型二極管接

8、觸型二極管PN結(jié)面積大，結(jié)電容也小，允許通過(guò)電流大，多結(jié)面積大，結(jié)電容也小，允許通過(guò)電流大，多用在低頻整流、檢波等電路中。用在低頻整流、檢波等電路中。陽(yáng) 極 陰 極5.1.2 13-60 -40 -200.4 0.8 U /V40302010I /mA0正向特性反向特性外加正向電壓小于開(kāi)啟電壓（閾值電外加正向電壓小于開(kāi)啟電壓（閾值電壓）時(shí)，外電場(chǎng)不足以克服內(nèi)電場(chǎng)對(duì)壓）時(shí)，外電場(chǎng)不足以克服內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散的阻力，多子擴(kuò)散的阻力，PN結(jié)處于截止?fàn)罱Y(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)態(tài) 。正向電壓大于閾值電壓后，正向。正向電壓大于閾值電壓后，正向電流電流 隨著正向電壓增大迅速上升。通隨著正向電壓增大迅速上升。通常閾值電壓

9、硅管約為常閾值電壓硅管約為0.5V，導(dǎo)通時(shí)電導(dǎo)通時(shí)電壓壓0.6V；鍺管閾值電壓約為鍺管閾值電壓約為0.2V，導(dǎo)導(dǎo)通時(shí)電壓通時(shí)電壓0.3V 。外加反向電壓時(shí)，外加反向電壓時(shí)， PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。1、溫升使反向電流增加很快；、溫升使反向電流增加很快；2、反向電流、反向電流 很小且穩(wěn)定。很小且穩(wěn)定。 5.1.3 晶體二極管的伏安特性晶體二極管的伏安特性反向電壓大于擊穿電壓（反向電壓大于擊穿電壓（UBR）時(shí)，反向電流急劇增加。原因?yàn)闀r(shí)，反向電流急劇增加。原因?yàn)殡姄綦姄舸┐?、強(qiáng)外電場(chǎng)破壞鍵結(jié)構(gòu)；、強(qiáng)外電場(chǎng)破壞鍵結(jié)構(gòu)；2、獲得大能量的載流子碰撞原子產(chǎn)、獲得大能量的載流子碰撞原子產(chǎn)生新

10、的電子空穴對(duì)。如無(wú)限流措施，會(huì)造成生新的電子空穴對(duì)。如無(wú)限流措施，會(huì)造成熱擊穿熱擊穿而損壞。而損壞。14（1）最大整流電流）最大整流電流IM：指管子長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，允許通過(guò)的最大正向平均指管子長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，允許通過(guò)的最大正向平均電流。電流。（2）反向擊穿電壓）反向擊穿電壓UBR：指管子反向擊穿時(shí)的電壓值。指管子反向擊穿時(shí)的電壓值。（3）最大反向工作電壓）最大反向工作電壓URM：二極管運(yùn)行時(shí)允許承受的最大反向電壓二極管運(yùn)行時(shí)允許承受的最大反向電壓（約為（約為UBR 的一半）。的一半）。（4）最大反向電流）最大反向電流IRM：指管子未擊穿時(shí)的反向電流，其值越小，則管指管子未擊穿時(shí)的反向電流，其值越小，則

11、管子的單向?qū)щ娦栽胶?。子的單向?qū)щ娦栽胶谩＃?）最高工作頻率）最高工作頻率fm：主要取決于主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。結(jié)結(jié)電容的大小。：正向?qū)〞r(shí)為正向?qū)〞r(shí)為短路短路特性，特性，正向電阻為零正向電阻為零，正向壓降忽略，正向壓降忽略不計(jì)；反向截止時(shí)為不計(jì)；反向截止時(shí)為開(kāi)路開(kāi)路特性，特性，反向電阻為無(wú)窮大反向電阻為無(wú)窮大，反向漏電流忽略，反向漏電流忽略不計(jì)。不計(jì)。5.1.4 半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)15例例1：D6V12V3k BAUAB+16穩(wěn)壓管的主要參數(shù)：穩(wěn)壓管的主要參數(shù)：（1）穩(wěn)定電壓）穩(wěn)定電壓UZ。反向擊穿后穩(wěn)定工作的電壓。反向擊穿后穩(wěn)定工作的電壓。（2）穩(wěn)定電流

12、）穩(wěn)定電流IZ。工作電壓等于穩(wěn)定電壓時(shí)的電流。工作電壓等于穩(wěn)定電壓時(shí)的電流。（3）動(dòng)態(tài)電阻）動(dòng)態(tài)電阻rZ。穩(wěn)定工作范圍內(nèi)，管子兩端電壓的變化量與相應(yīng)電流穩(wěn)定工作范圍內(nèi)，管子兩端電壓的變化量與相應(yīng)電流的變化量之比。即：的變化量之比。即：rZ=UZ/IZ（4）額定功率）額定功率PZ和最大穩(wěn)定電流和最大穩(wěn)定電流IZM。額定功率額定功率PZ是在穩(wěn)壓管允許結(jié)溫是在穩(wěn)壓管允許結(jié)溫下的最大功率損耗。最大穩(wěn)定電流下的最大功率損耗。最大穩(wěn)定電流IZM是指穩(wěn)壓管允許通過(guò)的最大電流。是指穩(wěn)壓管允許通過(guò)的最大電流。它們之間的關(guān)系是：它們之間的關(guān)系是： PZ=UZIZM 穩(wěn)壓管是一種用特殊工藝制造的半導(dǎo)體二極管，穩(wěn)壓管

13、的穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管是一種用特殊工藝制造的半導(dǎo)體二極管，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓就是就是反向擊穿電壓反向擊穿電壓。穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用在于：。穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用在于：電流增量很大，只引起很電流增量很大，只引起很小的電壓變化。穩(wěn)壓管的反向擊穿應(yīng)是可逆的，工作電流能控制在一定小的電壓變化。穩(wěn)壓管的反向擊穿應(yīng)是可逆的，工作電流能控制在一定范圍內(nèi)。范圍內(nèi)。陽(yáng)極 陰極5.1.5穩(wěn)壓管和發(fā)光二極管穩(wěn)壓管和發(fā)光二極管符號(hào)：、穩(wěn)壓管、穩(wěn)壓管17、發(fā)光二極管（發(fā)光二極管（LED）當(dāng)發(fā)光二極管的當(dāng)發(fā)光二極管的PN結(jié)加上正向電壓時(shí)，電子與空穴復(fù)合過(guò)程以光結(jié)加上正向電壓時(shí)，電子與空穴復(fù)合過(guò)程以光的形式放出能量。的形式放出能量。不同材料

14、制成的發(fā)光二極管會(huì)發(fā)出不同顏色的光。不同材料制成的發(fā)光二極管會(huì)發(fā)出不同顏色的光。發(fā)光二極管具有亮度高、清晰度高、電壓低（發(fā)光二極管具有亮度高、清晰度高、電壓低（1.53V）、）、反應(yīng)快、反應(yīng)快、體積小、可靠性高、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，是一種很有用的半導(dǎo)體器件，體積小、可靠性高、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，是一種很有用的半導(dǎo)體器件，常用于信號(hào)指示、數(shù)字和字符顯示。常用于信號(hào)指示、數(shù)字和字符顯示。陽(yáng)極 陰極 (a) (b)LEDLEDRE186.1.7 半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)半導(dǎo)體器件品種繁多，特性不一，為 了便于分類(lèi)和識(shí)別， 對(duì)不同類(lèi)型的半導(dǎo)體器件應(yīng)用不同的符號(hào)來(lái)表示。（按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB249 74規(guī)定，國(guó)產(chǎn)二極管的

15、型 號(hào)由五部分組成，見(jiàn)表5.1） 5.1.6晶體二極管的型號(hào)命名晶體二極管的型號(hào)命名19 表表5.1 晶體二極管的型號(hào)命名晶體二極管的型號(hào)命名例如：表示開(kāi)關(guān)硅二極管205.2.1 半導(dǎo)體三極管是由兩個(gè)背靠背的半導(dǎo)體三極管是由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成的。結(jié)構(gòu)成的。重重要特性是具有電流放大作用和開(kāi)關(guān)作用要特性是具有電流放大作用和開(kāi)關(guān)作用，常見(jiàn)的有，常見(jiàn)的有平面型和合金型兩類(lèi)。在工作過(guò)程中，兩種載流子平面型和合金型兩類(lèi)。在工作過(guò)程中，兩種載流子（電子和空穴）都參與導(dǎo)電，故又稱(chēng)為（電子和空穴）都參與導(dǎo)電，故又稱(chēng)為，簡(jiǎn)稱(chēng)晶體管或三極管。，簡(jiǎn)稱(chēng)晶體管或三極管。 兩個(gè)兩個(gè)PN結(jié)，把半導(dǎo)體分成三個(gè)區(qū)域（三區(qū)二結(jié)

16、，把半導(dǎo)體分成三個(gè)區(qū)域（三區(qū)二結(jié)）。這三個(gè)區(qū)域的排列，可以是結(jié)）。這三個(gè)區(qū)域的排列，可以是N-P-N，也可以也可以是是P-N-P。因此，雙極型三極管有兩種類(lèi)型：因此，雙極型三極管有兩種類(lèi)型：和和。21集電結(jié) B發(fā)射結(jié)NPN集電區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)CCEEB集電結(jié) B發(fā)射結(jié)PNPCCEEB集電區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)NPN型PNP型22235.2.2 晶體三極管三個(gè)電極間的電流關(guān)系晶體三極管三個(gè)電極間的電流關(guān)系ICIBRBUBBUCCRCVVAmA +UCE +UBE0.4 0.8 UBE /V40302010IB /mA0UCE1V測(cè)量三極管特性的實(shí)驗(yàn)電路 三極管的輸入特性曲線2425 實(shí)驗(yàn)表明實(shí)驗(yàn)表明IC比比I

17、B大數(shù)十至數(shù)百倍，因而有大數(shù)十至數(shù)百倍，因而有IC 近似等于近似等于IE。IB雖然很小，但對(duì)雖然很小，但對(duì)IC有有控制作用，控制作用，IC隨隨IB的改變而改變，即基極電流較小的變化可以引起集電極電流較的改變而改變，即基極電流較小的變化可以引起集電極電流較大的變化，表明基極電流對(duì)集電極具有小量控制大量的作用，這就是三極管的電大的變化，表明基極電流對(duì)集電極具有小量控制大量的作用，這就是三極管的電流放大作用。流放大作用。5.2.3 ICIBRBUBBUCCRCVVAmA +UCE +UBE0.4 0.8 UBE /V40302010IB /mA0UCE1V測(cè)量三極管特性的實(shí)驗(yàn)電路 三極管的輸入特性曲

18、線輸入特性曲線輸入特性曲線與二極管加正向電壓類(lèi)似與二極管加正向電壓類(lèi)似 26共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+27 4 3 2 1 IB=0 0 3 6 9 12 UCE /V 20A 40A 60A 80A 100A 飽和區(qū) 截止區(qū) 放 大 區(qū) IC /mA 輸出特性曲線輸出特性曲線（1）放大區(qū)：發(fā)射極正向偏置，集電結(jié)反向偏置）放大區(qū)：發(fā)射極正向偏置，集電結(jié)反向偏置（2）截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置）截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置 （3）飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置）飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)

19、正向偏置285.2.4 1、電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)：iC= iB 有直流和交流之分，在小功率范圍內(nèi)認(rèn)為相等。（有的用hfe表示）2、極間反向電流極間反向電流iCBO、iCEO： iCEO也叫穿透電流，也叫穿透電流，與ICBO、 及溫度有關(guān)。 iCEO=（1+ ）iCBO3、極限參數(shù)、極限參數(shù) （1）集電極最大允許電流集電極最大允許電流 ICM： 下降到額定值下降到額定值的的2/3時(shí)所允許的最大集電極電時(shí)所允許的最大集電極電流，電路不能正常工作。流，電路不能正常工作。 （2）反向擊穿電壓反向擊穿電壓U（BR）CEO：基極開(kāi)路時(shí)，集電極、發(fā)射極間的最大允許反基極開(kāi)路時(shí)，集電極、發(fā)射極間的最大允許

20、反向電壓，大了可能燒壞管子。向電壓，大了可能燒壞管子。 （3）集電極最大允許功耗集電極最大允許功耗PCM =IC UCE：決定了管子的溫升極限。在輸出特性決定了管子的溫升極限。在輸出特性曲線上是一條雙曲線，劃定了安全區(qū)。曲線上是一條雙曲線，劃定了安全區(qū)。29 場(chǎng)效應(yīng)管也是一種由場(chǎng)效應(yīng)管也是一種由PN結(jié)組成的半導(dǎo)體，因是利用電場(chǎng)效應(yīng)結(jié)組成的半導(dǎo)體，因是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的故稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管。和來(lái)控制電流的故稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管。和TTL比較，其主要特點(diǎn)是：輸入比較，其主要特點(diǎn)是：輸入電阻大；受溫度影響小，熱穩(wěn)定性好；噪聲低；易于集成化。因電阻大；受溫度影響小，熱穩(wěn)定性好；噪聲低；易于集成化。因而獲得廣泛

21、運(yùn)用。而獲得廣泛運(yùn)用。 按內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同按內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同，分為，分為結(jié)型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和和絕緣柵型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（場(chǎng)效應(yīng)管（IGFET）二大類(lèi)。二大類(lèi)。 最常用的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管是由金屬最常用的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管是由金屬-氧化物氧化物-半導(dǎo)體材料構(gòu)成，半導(dǎo)體材料構(gòu)成，簡(jiǎn)稱(chēng)簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管。由管。由P溝道、溝道、N溝道構(gòu)造的溝道構(gòu)造的PMOS和和NMOS二種類(lèi)型。二種類(lèi)型。其中每一類(lèi)型又分其中每一類(lèi)型又分增強(qiáng)型和耗盡型兩種增強(qiáng)型和耗盡型兩種。(CMOS是由是由PMOS和和NMOS管組成的互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)的集成電路）管組成的互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)的集成電路） 增強(qiáng)型：增強(qiáng)型：UGS=0，不存在導(dǎo)電溝道，

22、不存在導(dǎo)電溝道，ID=0。 耗盡型：耗盡型：UGS=0，存在導(dǎo)電溝道，存在導(dǎo)電溝道，ID=0。30耗盡型GSDGSD增強(qiáng)型N溝道P溝道GSDGSDN溝道P溝道G、S之間加一定之間加一定電壓才形成導(dǎo)電溝道電壓才形成導(dǎo)電溝道在制造時(shí)就具有在制造時(shí)就具有原始原始導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道31 N溝道P型硅襯底N+N+源極S 柵極G 漏極DSiO2絕緣層金屬鋁DSG襯底DSG襯底N溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)5.3.1 32 P 溝道N 型硅襯底P+P+源極 S柵極 G 漏極 DSiO2絕緣層金屬鋁DSG襯底DSG襯底P 溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)P 溝道耗盡型

23、場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)P 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)：UGS=0時(shí)漏、源極之間已經(jīng)存在原始導(dǎo)電溝道。時(shí)漏、源極之間已經(jīng)存在原始導(dǎo)電溝道。：UGS=0時(shí)漏、源極之間才能形成導(dǎo)電溝道。時(shí)漏、源極之間才能形成導(dǎo)電溝道。無(wú)論是無(wú)論是N溝道溝道MOS管還是管還是P溝道溝道MOS管，都只有一種載流子導(dǎo)電，均為單極管，都只有一種載流子導(dǎo)電，均為單極型電壓控制器件。型電壓控制器件。MOS管的柵極電流幾乎為零，輸入電阻管的柵極電流幾乎為零，輸入電阻RGS高達(dá)高達(dá)1015331612 8 403 6 9 12 UDS/VUGS=2V4V放 大 區(qū)ID/mA(b) 漏極特性曲線0 2 4 6 UGS/VID/mAUGS(th

24、)1612 8 4IDSS(a) 轉(zhuǎn)移特性曲線可變電阻區(qū)6VUDS=常數(shù)增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管不存在原始導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管不存在原始導(dǎo)電溝道， UGS=0時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通，時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通，ID=0 。 UGS0時(shí)會(huì)產(chǎn)生垂直于襯底表面的電場(chǎng)。時(shí)會(huì)產(chǎn)生垂直于襯底表面的電場(chǎng)。P型襯底與絕緣層的界面將感應(yīng)出負(fù)型襯底與絕緣層的界面將感應(yīng)出負(fù)電荷層，電荷層，UGS增加，負(fù)電荷數(shù)量增多，積累的負(fù)電荷足夠多時(shí)，兩個(gè)增加，負(fù)電荷數(shù)量增多，積累的負(fù)電荷足夠多時(shí)，兩個(gè)N+區(qū)溝通，區(qū)溝通，形成導(dǎo)電溝道，在一定的漏、源電壓形成導(dǎo)電溝道，在一定的漏、源電壓UDS下，漏、源極之下，漏、源極之34 按場(chǎng)效應(yīng)管的工作情況可

25、將漏極特性曲線分為兩個(gè)區(qū)域。在虛線左邊的區(qū)域按場(chǎng)效應(yīng)管的工作情況可將漏極特性曲線分為兩個(gè)區(qū)域。在虛線左邊的區(qū)域內(nèi)，漏、源電壓內(nèi)，漏、源電壓UDS相對(duì)較小，漏極電流相對(duì)較小，漏極電流ID隨隨UDS的增加而增加，輸出電阻的增加而增加，輸出電阻ro較小，較小，且可以通過(guò)改變柵、源電壓且可以通過(guò)改變柵、源電壓UGS的大小來(lái)改變輸出電阻的大小來(lái)改變輸出電阻ro的阻值，這一區(qū)域稱(chēng)為的阻值，這一區(qū)域稱(chēng)為非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）。在虛線右邊的區(qū)域內(nèi)，當(dāng)柵、源電壓非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）。在虛線右邊的區(qū)域內(nèi)，當(dāng)柵、源電壓UGS為常數(shù)時(shí)，為常數(shù)時(shí)，漏極電流漏極電流ID幾乎不隨漏、源電壓幾乎不隨漏、源電壓UDS的變化而

26、變化，輸出電阻的變化而變化，輸出電阻ro很大，很大，UGD使溝使溝道夾斷，曲線趨于與橫軸平行，在柵、源電壓道夾斷，曲線趨于與橫軸平行，在柵、源電壓UGS增大時(shí)，漏極電流增大時(shí)，漏極電流ID隨隨UGS線線性增大，這一區(qū)域稱(chēng)為飽和區(qū)（放大區(qū)）。性增大，這一區(qū)域稱(chēng)為飽和區(qū)（放大區(qū)）。 綜上所述，場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電流綜上所述，場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電流ID受柵、源電壓受柵、源電壓UGS的控制，即的控制，即ID隨隨UGS的變的變化而變化，所以場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件。場(chǎng)效應(yīng)管柵、源電壓化而變化，所以場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件。場(chǎng)效應(yīng)管柵、源電壓UGS對(duì)漏極對(duì)漏極ID控制作用的大小用跨導(dǎo)控制作用的大小用跨導(dǎo)gm表

27、示：表示：間有間有ID出現(xiàn)。使管子由不導(dǎo)通轉(zhuǎn)為導(dǎo)通的臨界柵、源電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓出現(xiàn)。使管子由不導(dǎo)通轉(zhuǎn)為導(dǎo)通的臨界柵、源電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓UGS(th)。 UGS UGS(th)時(shí)，隨時(shí)，隨UGS的增加的增加ID增大。增大。351612 8 403 6 9 12 UDS/V2VUGS=0V放 大 區(qū)ID/mA(b) 漏極特性曲線4 2 0 2 4 UGS/VID/mAUGS(off)1612 8 4IDSS(a) 轉(zhuǎn)移特性曲線可變電阻區(qū)2VUDS=常數(shù)耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管存在原始導(dǎo)電溝道，耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管存在原始導(dǎo)電溝道，UGS=0時(shí)漏、源極之間就可以導(dǎo)電。這時(shí)在時(shí)漏、源極之間就可以導(dǎo)電。這時(shí)在外加電壓外

28、加電壓UDS作用下的漏極電流稱(chēng)為漏極飽和電流作用下的漏極電流稱(chēng)為漏極飽和電流IDSS。UGS0時(shí)溝道內(nèi)感應(yīng)出的時(shí)溝道內(nèi)感應(yīng)出的負(fù)電荷增多，溝道加寬，溝道電阻減小，負(fù)電荷增多，溝道加寬，溝道電阻減小，ID增大。增大。UGS IG1 IG0 UBRIFUBOIHoUIIG0IG1IG2正向平均電流正向平均電流)(曲曲線線UfI 42UFRM:晶閘管晶閘管控制極開(kāi)路且正向阻斷情況下控制極開(kāi)路且正向阻斷情況下, ,允允許重復(fù)加在許重復(fù)加在晶閘管晶閘管兩端的正向峰值電壓。兩端的正向峰值電壓。一般取一般取UFRM = = 80% UB0 。普通普通晶閘管晶閘管 UFRM 為為100V 3000V控制極開(kāi)路

29、時(shí)控制極開(kāi)路時(shí), ,允許重復(fù)作用在允許重復(fù)作用在晶閘管晶閘管元元 件上的反向峰值電壓。件上的反向峰值電壓。一般取一般取 URRM = 80% UBR 普通普通晶閘管晶閘管 URRM為為100V3000VURRM：43)(sin21m0mFIttdII 環(huán)境溫度為環(huán)境溫度為4040 C C及及標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，晶閘晶閘管處于管處于全導(dǎo)通時(shí)全導(dǎo)通時(shí)可以連續(xù)通過(guò)的工頻正弦可以連續(xù)通過(guò)的工頻正弦半波電流的平均值。半波電流的平均值。 IF t 2 i如果正弦半波電流的最大值為如果正弦半波電流的最大值為Im, 則則普通晶閘管普通晶閘管IF為為1A 1000A。4445額定電壓額定電壓, ,用

30、百位或千位數(shù)表示用百位或千位數(shù)表示取取UFRM或或URRM較小者較小者額定正向平均電流額定正向平均電流( (IF) 晶閘管晶閘管K P普通型普通型如如KP5-7表示表示額定正向平均電流為額定正向平均電流為5A, ,額定電壓為額定電壓為700V。46 ，一旦發(fā)生過(guò)，一旦發(fā)生過(guò)電流時(shí)，溫度急劇上升，可能將電流時(shí)，溫度急劇上升，可能將PNPN結(jié)燒壞，造成元結(jié)燒壞，造成元件內(nèi)部短路或開(kāi)路。例如一只件內(nèi)部短路或開(kāi)路。例如一只100A的的晶閘管晶閘管過(guò)電流過(guò)電流為為400A400A時(shí)，僅允許持續(xù)時(shí)，僅允許持續(xù)0.020.02秒，否則將因過(guò)熱而損秒，否則將因過(guò)熱而損壞；壞； 電壓超過(guò)其反電壓超過(guò)其反向擊穿電

31、壓時(shí)，即使時(shí)間極短，也容易損壞。若正向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間極短，也容易損壞。若正向電壓超過(guò)轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，則晶閘管誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后向電壓超過(guò)轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，則晶閘管誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。的電流較大，使器件受損。47與晶閘與晶閘管串聯(lián)管串聯(lián)接在輸接在輸入端入端接在輸接在輸出端出端4849 RCRC 硒堆保護(hù)硒堆保護(hù)(硒整流片硒整流片)晶閘管元件晶閘管元件的阻容保護(hù)的阻容保護(hù)50知識(shí)鏈接知識(shí)鏈接1. 二極管、三極管的測(cè)量二極管、三極管的測(cè)量 2. 電子元件的識(shí)別電子元件的識(shí)別511.1 二極管的測(cè)量1. 二極管、三極管的測(cè)量二極管、三極管的測(cè)量 根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦钥芍?，二極管正向電阻小，

32、反向電根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦钥芍?，二極管正向電阻小，反向電阻大。利用這一特點(diǎn)，可以用萬(wàn)用表的電阻擋大致測(cè)量出二極阻大。利用這一特點(diǎn)，可以用萬(wàn)用表的電阻擋大致測(cè)量出二極管的好壞和正負(fù)極性管的好壞和正負(fù)極性 52 將萬(wàn)用表?yè)艿綄⑷f(wàn)用表?yè)艿綑n的檔的R100或或R1K檔，用萬(wàn)用表的兩個(gè)表筆分別檔，用萬(wàn)用表的兩個(gè)表筆分別接到二極管的兩個(gè)管腳，測(cè)其阻值，然后將表筆對(duì)換，再進(jìn)行測(cè)試。接到二極管的兩個(gè)管腳，測(cè)其阻值，然后將表筆對(duì)換，再進(jìn)行測(cè)試。 若前后兩次所測(cè)阻值差別較大，則說(shuō)明二極管是好的。若前后兩次所測(cè)阻值差別較大，則說(shuō)明二極管是好的。若前后兩次所測(cè)阻值為無(wú)窮大，說(shuō)明二極管內(nèi)部已斷路若前后兩次所測(cè)阻值為無(wú)

33、窮大，說(shuō)明二極管內(nèi)部已斷路若兩次所測(cè)阻值都很小或?yàn)榱?，說(shuō)明二極管內(nèi)部已短路或被擊穿若兩次所測(cè)阻值都很小或?yàn)榱?，說(shuō)明二極管內(nèi)部已短路或被擊穿 將萬(wàn)用表?yè)艿綄⑷f(wàn)用表?yè)艿綑n的檔的R100或或R1K檔，用萬(wàn)用表的兩個(gè)表筆分別檔，用萬(wàn)用表的兩個(gè)表筆分別接到二極管的兩個(gè)管腳，測(cè)其阻值，電阻較小時(shí)，黑表筆所接端是二接到二極管的兩個(gè)管腳，測(cè)其阻值，電阻較小時(shí)，黑表筆所接端是二極管正極，紅表筆所接是二極管的負(fù)極；反之，如果測(cè)的電阻較大時(shí)，極管正極，紅表筆所接是二極管的負(fù)極；反之，如果測(cè)的電阻較大時(shí)，黑表筆所接端是二極管負(fù)極，紅表筆所接是二極管的正極黑表筆所接端是二極管負(fù)極，紅表筆所接是二極管的正極53 基極及管

34、型的判別：基極及管型的判別： 具體測(cè)試方法如圖（具體測(cè)試方法如圖（a）所示。所示。 集電極和發(fā)射極的判別：集電極和發(fā)射極的判別： 具體測(cè)試方法如圖（具體測(cè)試方法如圖（b）所示，在實(shí)際測(cè)試中，常用手指代替所示，在實(shí)際測(cè)試中，常用手指代替100k的的電阻。電阻。 (a)基極的測(cè)試 (b) 集電極和發(fā)射極的測(cè)試 三極管管腳的測(cè)試1.2 三極管的測(cè)量54判別判別I ICEO的大小的大小 對(duì)于對(duì)于NPN管，將萬(wàn)用表置于電阻檔的管，將萬(wàn)用表置于電阻檔的R100或或R1K檔后，將黑表筆接檔后，將黑表筆接c極，紅表筆接極，紅表筆接e極，測(cè)量阻值，所測(cè)阻值越大，表明極，測(cè)量阻值，所測(cè)阻值越大，表明I ICEO越

35、小。越小。PNP管的接法管的接法與之相反。與之相反。()判別判別的大小的大小 將萬(wàn)用表置于將萬(wàn)用表置于hFE檔，將三極管的檔，將三極管的c、b、e管腳插入面板上相映的插孔中，管腳插入面板上相映的插孔中，利用表頭讀數(shù)即可。利用表頭讀數(shù)即可。（5） 管子好壞的粗略判別 根據(jù)三極管內(nèi)結(jié)的單向?qū)щ娦?，可以分別測(cè)量根據(jù)三極管內(nèi)結(jié)的單向?qū)щ娦?，可以分別測(cè)量極間和極間和極間結(jié)正極間結(jié)正55 2.1 電阻電阻 2.2 電容電容 2.3 電感電感 2.4 二極管二極管 2.5 三極管三極管 2.6 場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管2. 電子元件的識(shí)別電子元件的識(shí)別56 2.1 電阻電阻在電路中用電阻在電路中用“R”加數(shù)

36、字表示，如：加數(shù)字表示，如：R1表示編號(hào)為表示編號(hào)為1的電阻。電阻在電路的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。1、參數(shù)識(shí)別：、參數(shù)識(shí)別：電阻的單位為歐姆（電阻的單位為歐姆（），倍率單位有：千歐（），倍率單位有：千歐（K），），兆歐（兆歐（M）等。換算）等。換算方法是：方法是：1兆歐兆歐=1000千歐千歐=1000000歐歐電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種，即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。種，即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。a、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路，如：、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路，如：472 表示表示 47100（即

37、（即4.7K）；）； 104則表示則表示100Kb、色環(huán)標(biāo)注法使用最多，現(xiàn)舉例如下：、色環(huán)標(biāo)注法使用最多，現(xiàn)舉例如下：四色環(huán)電阻四色環(huán)電阻 五色環(huán)電阻（精密電阻）五色環(huán)電阻（精密電阻）2、電阻的色標(biāo)位置和倍率關(guān)系如下表所示：、電阻的色標(biāo)位置和倍率關(guān)系如下表所示：顏色顏色 有效數(shù)字有效數(shù)字 倍率倍率 允許偏差（允許偏差（%）銀色銀色 / x0.01 10 金色金色 / x0.1 5 黑色黑色 0 +0 棕色棕色 1 x10 1紅色紅色 2 x100 2 橙色橙色 3 x1000 黃色黃色 4 x10000 綠色綠色 5 x100000 0.5藍(lán)色藍(lán)色 6 x1000000 0.2 紫色紫色 7

38、x10000000 0.1 白色白色 9 x1000000000 /57 2. 2 電容 1、電容在電路中一般用、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示（如加數(shù)字表示（如C13表示編號(hào)為表示編號(hào)為13的電容）。電容是的電容）。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開(kāi)而組成的元件。電容的特性主要是隔直由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開(kāi)而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱(chēng)為容抗，它與交流信號(hào)的頻率和電容量有關(guān)。容抗作用稱(chēng)為容抗，它與交流信號(hào)的頻率和電容量有

39、關(guān)。容抗XC=1/2f c (f表示交流表示交流信號(hào)的頻率，信號(hào)的頻率，C表示電容容量表示電容容量)電話機(jī)中常用電容的種類(lèi)有電解電容、瓷片電容、電話機(jī)中常用電容的種類(lèi)有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。2、識(shí)別方法：電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法、識(shí)別方法：電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉（種。電容的基本單位用法拉（F）表示，其它單位還有：毫法（）表示，其它單位還有：毫法（mF）、）、微法（微法（uF）、納法（）、納法（nF）、皮法（）、

40、皮法（pF）。其中：）。其中：1法拉法拉=103毫法毫法=106微法微法=109納法納法=1012皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如10 uF/16V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示字母表示法：容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF數(shù)字表示法：一般用三位數(shù)字表示容量大小，前兩數(shù)字表示法：一般用三位數(shù)字表示容量大小，前兩位表示有效數(shù)字，第三位數(shù)字是倍率位表示有效數(shù)字，第三位數(shù)字是倍率3、電容容量誤差表、電容容量誤差表符符 號(hào)號(hào) F G J K L

41、 M允許誤差允許誤差 1% 2% 5% 10% 15% 20%如：一瓷片電容為如：一瓷片電容為104J表示容量為表示容量為0. 1 uF、誤差為、誤差為5%。581常見(jiàn)表示常見(jiàn)表示：電感在電路中常用電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，如：加數(shù)字表示，如：L6表示編號(hào)為表示編號(hào)為6的電感。的電感。 2.3 電感電感結(jié)構(gòu)電感結(jié)構(gòu)：電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。電感特點(diǎn)電感特點(diǎn)：直流可通過(guò)線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓直流可通過(guò)線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很小；當(dāng)交流信號(hào)通過(guò)線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)

42、，降很??；當(dāng)交流信號(hào)通過(guò)線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過(guò)，所以自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過(guò)，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩路中可與電容組成振蕩電路。電路。電感標(biāo)識(shí)：電感標(biāo)識(shí)：電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法，色標(biāo)法與電阻類(lèi)似。如：電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法，色標(biāo)法與電阻類(lèi)似。如：棕、黑、金、金表示棕、黑、金、金表示1uH（誤差（誤差5%）的電感。）的電感。電感的基本單位為：亨（電感的基本單位為：亨（H） 換算單位有：

43、換算單位有：1H=103mH=106uH。59晶體二極管在電路中常用晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如：加數(shù)字表示，如： D5表示編號(hào)為表示編號(hào)為5的二極管。的二極管。 2.4 二極管1、作用：二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，也就是在正向電壓的作用、作用：二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，也就是在正向電壓的作用下，?dǎo)通電阻很??；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無(wú)窮大。正因下，導(dǎo)通電阻很?。欢诜聪螂妷鹤饔孟聦?dǎo)通電阻極大或無(wú)窮大。正因?yàn)槎O管具有上述特性，無(wú)繩電話機(jī)中常把它用在整流、隔離、穩(wěn)壓、為二極管具有上述特性，無(wú)繩電話機(jī)中常把它用在整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電

44、路中。電話機(jī)里使用的晶體極性保護(hù)、編碼控制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電路中。電話機(jī)里使用的晶體二極管按作用可分為：整流二極管（如二極管按作用可分為：整流二極管（如1N4004）、隔離二極管（如）、隔離二極管（如1N4148）、肖特基二極管（如）、肖特基二極管（如BAT85）、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等）、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等。2、識(shí)別方法：二極管的識(shí)別很簡(jiǎn)單，小功率二極管的、識(shí)別方法：二極管的識(shí)別很簡(jiǎn)單，小功率二極管的N極（負(fù)極），極（負(fù)極），在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來(lái)，有些二極管也用二極管專(zhuān)在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來(lái)，有些二極管也用二極管專(zhuān)用符號(hào)來(lái)表示用符號(hào)來(lái)表示P極（正極）或極（

45、正極）或N極（負(fù)極），也有極（負(fù)極），也有采用符號(hào)標(biāo)志為采用符號(hào)標(biāo)志為“P”、“N”來(lái)確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正來(lái)確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長(zhǎng)短來(lái)識(shí)別，長(zhǎng)腳為正，短腳為負(fù)。負(fù)極可從引腳長(zhǎng)短來(lái)識(shí)別，長(zhǎng)腳為正，短腳為負(fù)。3、測(cè)試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬(wàn)用表去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極、測(cè)試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬(wàn)用表去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?，這與指針式萬(wàn)用表的表筆接法剛好相反。正向?qū)ㄗ柚担@與指針式萬(wàn)用表的表筆接法剛好相反。4、常用的、常用的1N4000

46、系列二極管耐壓比較如下：系列二極管耐壓比較如下：型號(hào)型號(hào) 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007耐壓（耐壓（V） 50 100 200 400 600 800 1000電流（電流（A） 均為均為160 2.5 三極管晶體三極管在電路中常用晶體三極管在電路中常用“Q”加數(shù)字表示，如：加數(shù)字表示，如：Q17表示編號(hào)為表示編號(hào)為17的的三極管。三極管。1、特點(diǎn)：晶體三極管（簡(jiǎn)稱(chēng)三極管）是內(nèi)部含有、特點(diǎn)：晶體三極管（簡(jiǎn)稱(chēng)三極管）是內(nèi)部含有2個(gè)個(gè)PN結(jié)，并且具有結(jié)，并且具有放大能力的特殊器件。放大能力的特殊器件。它分它分NPN型和型和PNP型兩種

47、類(lèi)型，這兩種類(lèi)型的三極管從工作特性上可型兩種類(lèi)型，這兩種類(lèi)型的三極管從工作特性上可互相彌補(bǔ)，所謂互相彌補(bǔ)，所謂OTL電路中的對(duì)管就是由電路中的對(duì)管就是由PNP型和型和NPN型配對(duì)使用。型配對(duì)使用。電話機(jī)中常用的電話機(jī)中常用的PNP型三極管有：型三極管有：A92、9015等型號(hào)；等型號(hào)；NPN型三極管型三極管有：有：A42、9014、9018、9013、9012等型號(hào)。等型號(hào)。2、晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用，在常見(jiàn)電路中有三種、晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用，在常見(jiàn)電路中有三種接法。接法。61 2.6 場(chǎng)效應(yīng)管1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于

48、各種電子、場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。性能。2、場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類(lèi)，其控制原理都是一樣的。、場(chǎng)效應(yīng)管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類(lèi)，其控制原理都是一樣的。3、場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較、場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（