微型計(jì)算機(jī)原理及接口技術(shù)電子教案_第五章_西電版

1、1微機(jī)原理及接口技術(shù)微機(jī)原理及接口技術(shù)第5章 存儲(chǔ)技術(shù)25.2 常用存儲(chǔ)器常用存儲(chǔ)器芯片芯片及及連接連接使用使用n5.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器：寫(xiě)存儲(chǔ)器：SRAMn5.2.5 80 x86及奔騰處理器上的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)及奔騰處理器上的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)36264芯片：芯片：8K8bitn 引線（引線（P189）n A12A0n D0D7n CS1、CS2n OE1. WE5.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 一、概述一、概述決定存儲(chǔ)單元的決定存儲(chǔ)單元的容量容量，一般，一般1K256M 地址總線數(shù)：地址總線數(shù)：1028決定存儲(chǔ)單元的決定存儲(chǔ)單元的寬度寬度（位數(shù)，（位數(shù)，bit）片選

2、片選 地址譯碼地址譯碼輸出允許（讀）輸出允許（讀）寫(xiě)允許寫(xiě)允許4n 工作過(guò)程、時(shí)序工作過(guò)程、時(shí)序P190、P197198n 寫(xiě)時(shí)序?qū)憰r(shí)序地址地址 片選片選 數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) 寫(xiě)信號(hào)寫(xiě)信號(hào) 撤寫(xiě)信號(hào)撤寫(xiě)信號(hào) 撤其它信號(hào)撤其它信號(hào)n 讀時(shí)序讀時(shí)序地址地址 片選片選 讀信號(hào)讀信號(hào) 數(shù)據(jù)有效數(shù)據(jù)有效 撤讀信號(hào)撤讀信號(hào) 撤其它信號(hào)撤其它信號(hào)5.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 一、概述一、概述55.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 二、連接使用二、連接使用n 全地址譯碼：全地址譯碼：高位地址譯碼高位地址譯碼片選；片選；MEMR讀；讀；MEMW寫(xiě)寫(xiě)n 部分地址譯碼：部分地址

3、譯碼：以以浪費(fèi)內(nèi)存空間浪費(fèi)內(nèi)存空間換得換得簡(jiǎn)單譯碼簡(jiǎn)單譯碼。1. 全地址譯碼全地址譯碼與與部分地址譯碼部分地址譯碼65.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 二、連接使用二、連接使用SRAM 6264全地址譯碼全地址譯碼連接：連接：8088系統(tǒng)系統(tǒng)總線總線1111000F0000HF1FFFH75.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 二、連接使用二、連接使用SRAM 6264部分地址部分地址譯碼譯碼連接：連接：8088系系統(tǒng)統(tǒng)總總線線A17A1411111xx85.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 二、連接使用二、連接使用l利用譯碼芯片、門(mén)

4、電路利用譯碼芯片、門(mén)電路74LS138：3-8譯碼器譯碼器74LS154：4-16譯碼器譯碼器l利用數(shù)字比較器芯片利用數(shù)字比較器芯片74LS688l利用利用PROM譯碼器譯碼器l利用利用PLD2. 譯碼電路譯碼電路的選擇的選擇9圖圖5.5 6116（2K8）的連接）的連接A19A18A17A16A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A010000000 x6116片內(nèi)片內(nèi)地址地址102. 利用利用ROM作譯碼器作譯碼器5.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 三、連接舉例三、連接舉例n現(xiàn)在要用現(xiàn)在要用4片片6264構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)容量為構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)

5、容量為32 KB的存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器，其地址空間為器，其地址空間為E0000HE7FFFHn用一塊用一塊5124的的PROM芯片芯片63S241作為作為ROM譯碼器譯碼器112. 利用利用ROM作譯碼器作譯碼器5.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 三、連接舉例三、連接舉例在在63S241的的070H073H單元單元分別寫(xiě)入如下內(nèi)容：分別寫(xiě)入如下內(nèi)容：在除上述在除上述4個(gè)單元外的其余單個(gè)單元外的其余單元都寫(xiě)入全元都寫(xiě)入全“1”的數(shù)據(jù)。的數(shù)據(jù)。(070H)1110B(071H)1101B(072H)1011B(073H)0111B000000111100011101001111100

6、11112ROM作譯碼器的連接電路圖作譯碼器的連接電路圖 +5v133. 利用利用數(shù)字比較器數(shù)字比較器作譯碼器作譯碼器5.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 三、連接舉例三、連接舉例n74LS68814利用數(shù)字比較器利用數(shù)字比較器作譯碼器的內(nèi)存作譯碼器的內(nèi)存連接電路連接電路101101101101尋址范圍：尋址范圍：B4000H-B7FFFH154. 利用利用PLD作譯碼器作譯碼器5.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 三、連接舉例三、連接舉例n利用利用62256（32 K8 bit）芯片構(gòu)成）芯片構(gòu)成64 KB的內(nèi)存，的內(nèi)存，其地址范圍為其地址范圍為A00

7、00HAFFFFH。n用用 PAL16L8 作譯碼器。作譯碼器。16;用用 PALASM 軟件包來(lái)編程軟件包來(lái)編程 PAL;pins 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A19 A18 A17 A16 A15 NC NC NC NC GND;pins 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 NC NC NC NC NC NC NC O1 O2 VCCEQUATIONS /O1 A19 * /A18 * A17 * /A16 * /A15 /O2 A19 * /A18 * A17 * /A16 * A15 O1:地址范圍為地址范圍為A0000HA7FFFHO2:地址范圍

8、為地址范圍為A8000HAFFFFH175.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 四、存取時(shí)間四、存取時(shí)間SRAM與與CPU之間連接需要考慮的問(wèn)題：之間連接需要考慮的問(wèn)題：l CPU總線的負(fù)載能力總線的負(fù)載能力SRAM MOS電路電路 直流負(fù)載小，考慮電容負(fù)載直流負(fù)載小，考慮電容負(fù)載 選容量大的芯片，可少用幾片選容量大的芯片，可少用幾片 電路連接簡(jiǎn)單電路連接簡(jiǎn)單 功耗低功耗低l CPU時(shí)序和存儲(chǔ)器的存取速度之間的配合時(shí)序和存儲(chǔ)器的存取速度之間的配合l 存儲(chǔ)器的地址分配和片選存儲(chǔ)器的地址分配和片選多片多片SRAM，如何產(chǎn)生片選，如何產(chǎn)生片選a) 控制信號(hào)的連接：控制信號(hào)的連接：8

9、088/8086 最小模式、最大模式最小模式、最大模式IO/M、RD、WR MEMR、MEMWREADY18n 工作過(guò)程、時(shí)序工作過(guò)程、時(shí)序P190、P1971985.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 一、概述一、概述圖圖5.11 SRAM 6264的寫(xiě)入時(shí)序的寫(xiě)入時(shí)序 19n 工作過(guò)程、時(shí)序工作過(guò)程、時(shí)序P190、P1971985.2.1 靜態(tài)讀靜態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器（寫(xiě)存儲(chǔ)器（SRAM） 一、概述一、概述圖圖5.12 SRAM 6264讀出時(shí)序讀出時(shí)序 20微機(jī)原理及接口技術(shù)第5章 存儲(chǔ)技術(shù)5.2 常用存儲(chǔ)器常用存儲(chǔ)器芯片芯片及及連接連接使用使用5.2.2 可可紫外線擦除紫外

10、線擦除的只讀存儲(chǔ)器：的只讀存儲(chǔ)器：EPROM5.2.3 可可電擦除電擦除的只讀存儲(chǔ)器：的只讀存儲(chǔ)器：E2PROM212764芯片：芯片：8K8bitn 引線引線n A12A0n D7D0n CE：片選：片選n OE：數(shù)據(jù)輸出允許：數(shù)據(jù)輸出允許1. PGM編程時(shí)：編程脈沖輸入編程時(shí)：編程脈沖輸入讀時(shí)：讀時(shí)：“1”5.2.2 EPROM石英窗口石英窗口225.2.2 EPROMEPROM的連接和使用，下面的芯片地址范圍在的連接和使用，下面的芯片地址范圍在F0000H-F1FFFH之間之間【例例】利用利用2732和和6264構(gòu)成從構(gòu)成從00000H02FFFH的的ROM存儲(chǔ)區(qū)和從存儲(chǔ)區(qū)和從03000

11、H06FFFH的的RAM存儲(chǔ)存儲(chǔ)區(qū)。畫(huà)出與區(qū)。畫(huà)出與8088系統(tǒng)總線的連接圖。（不考慮板內(nèi)系統(tǒng)總線的連接圖。（不考慮板內(nèi)總線驅(qū)動(dòng)）總線驅(qū)動(dòng)）【分析分析】nROM區(qū)：共區(qū)：共12KB 需需3片片nRAM區(qū)：共區(qū)：共16KB 需需2片片A19A18A17A16A15A14A13A1200000000000000010000001000000011000001000000010100000110ROMRAM4K8bit EPROM，A11A08K8bit SRAM，A12A0A15A14A13A120000000100100011010001010110ROMRAM25n 編程編程5.2.2 EPR

12、OM(1) 擦除：紫外線擦除：紫外線 1520min 每單元內(nèi)容均為每單元內(nèi)容均為FFH(2) EPROM編程編程n標(biāo)準(zhǔn)編程：標(biāo)準(zhǔn)編程：2764 8K8n快速編程：快速編程：27C040 512K8EPROM擦除器擦除器EPROM編程器編程器2627C04013V（Only in program mode）5VGNDChip EnableOutputEnableVpp 編程電壓編程電壓 編程：編程：13V 正常讀：正常讀：VCCG 輸出允許輸出允許E 編程：編程脈沖，編程：編程脈沖，100s 正常讀：片選正常讀：片選27n 編程編程5.2.2 EPROM(2) EPROM編程編程流程流程補(bǔ)寫(xiě)補(bǔ)

13、寫(xiě)28n 編程編程5.2.2 EPROM(2) EPROM編程編程標(biāo)準(zhǔn)編程標(biāo)準(zhǔn)編程的的缺點(diǎn)缺點(diǎn)：nEPROM容量大容量大時(shí)間長(zhǎng)。例：時(shí)間長(zhǎng)。例：1MB50ms14.56小時(shí)小時(shí)n不安全不安全編程脈沖太寬使功耗過(guò)大編程脈沖太寬使功耗過(guò)大損壞損壞EPROMn EPROM快速編程快速編程：編程脈沖減小至編程脈沖減小至1ms甚至甚至0.1ms VCC6.5V；VPP13V 用用0.1ms編程脈沖快速寫(xiě)完所有單元編程脈沖快速寫(xiě)完所有單元 從頭到尾校驗(yàn)；若某單元未寫(xiě)上，再寫(xiě)，再?gòu)念^到尾校驗(yàn)；若某單元未寫(xiě)上，再寫(xiě)，再校驗(yàn)（最多校驗(yàn)（最多10次）次） VCCVpp5V，校驗(yàn)所有單元。，校驗(yàn)所有單元。105 秒

14、秒27C040512K8P20229n 引線引線A12A0、D7D0CE 片選片選00OE 輸出允許輸出允許01WE 寫(xiě)允許寫(xiě)允許10Ready/Busy 漏極開(kāi)路，寫(xiě)入數(shù)據(jù)為低，寫(xiě)完數(shù)據(jù)漏極開(kāi)路，寫(xiě)入數(shù)據(jù)為低，寫(xiě)完數(shù)據(jù)為高為高5.2.3 E2PROM 1. 典型典型 E2PROM 芯片介紹芯片介紹98C64A：8K8（并行）（并行）讀讀寫(xiě)寫(xiě)E2PROM 電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器30n 工作過(guò)程工作過(guò)程n 讀：當(dāng)讀：當(dāng)CE=0, OE=0,WE=1n 寫(xiě)：寫(xiě)： 按字節(jié)；按字節(jié)； 按頁(yè)按頁(yè)5.2.3 E2PROM 1. 典型典型 E2PROM 芯片介紹芯片介紹n按字節(jié)編程按字

15、節(jié)編程P204，圖，圖5.20一次寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)，時(shí)序與一次寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)，時(shí)序與SRAM一樣。一樣。510 ms315.2.3 E2PROM 1. 典型典型 E2PROM 芯片介紹芯片介紹n 按頁(yè)編程按頁(yè)編程l按字節(jié)按字節(jié)每字節(jié)需要每字節(jié)需要510ms速度速度l按頁(yè)寫(xiě)入時(shí)，連續(xù)若干個(gè)單元被定義為一頁(yè)按頁(yè)寫(xiě)入時(shí)，連續(xù)若干個(gè)單元被定義為一頁(yè)（不同廠家的產(chǎn)品，頁(yè)大小不一樣），如（不同廠家的產(chǎn)品，頁(yè)大小不一樣），如1024個(gè)單元為一頁(yè)。個(gè)單元為一頁(yè)。l按頁(yè)編程：按廠家要求連續(xù)快速寫(xiě)滿一頁(yè)，等按頁(yè)編程：按廠家要求連續(xù)快速寫(xiě)滿一頁(yè)，等待芯片內(nèi)部忙待芯片內(nèi)部忙510ms。若。若1024個(gè)單元為一頁(yè)，個(gè)單元為一

16、頁(yè)，則速度提高了則速度提高了1024倍（近似值，連續(xù)快寫(xiě)也需倍（近似值，連續(xù)快寫(xiě)也需要時(shí)間）。要時(shí)間）。32連接使用連接使用 P2052065.2.3 E2PROM 1. 典型典型 E2PROM 芯片介紹芯片介紹優(yōu)點(diǎn)：可單字節(jié)隨機(jī)讀寫(xiě)（不需擦除，優(yōu)點(diǎn)：可單字節(jié)隨機(jī)讀寫(xiě)（不需擦除，可直接改寫(xiě)數(shù)據(jù)）?？芍苯痈膶?xiě)數(shù)據(jù)）。缺點(diǎn)：存儲(chǔ)密度小，單位成本高。缺點(diǎn)：存儲(chǔ)密度小，單位成本高。E2PROM譯譯碼碼狀態(tài)端口狀態(tài)端口尋址范圍？尋址范圍？容量：容量：8K * 8Bit34START: MOV AX,0E00H ;段地址段地址 MOV DS,AX MOV SI,0000H ;地址指針地址指針 MOV CX

17、,2000H ;共共2000H個(gè)字節(jié)（個(gè)字節(jié)（8KB） ;（循環(huán)次數(shù)）（循環(huán)次數(shù)）GOON: MOV AL,55H ;要寫(xiě)入的內(nèi)容要寫(xiě)入的內(nèi)容55H MOV SI,AL ;寫(xiě)入寫(xiě)入 CALL T20MS ;延時(shí)延時(shí)20ms,確保時(shí)間夠?qū)懭氪_保時(shí)間夠?qū)懭?INC SI ;地址指針加地址指針加1 LOOP GOON HLT 將將55H寫(xiě)滿整片寫(xiě)滿整片EEPROM(98C64A)35n 引線：與引線：與27C040兼容。兼容。5.2.3 E2PROM 2. 閃速閃速 E2PROM ：FlashFlash memory：快擦型存儲(chǔ)器、閃速：快擦型存儲(chǔ)器、閃速E2PROMn對(duì)于對(duì)于E2PROM，需要快寫(xiě)

18、必須一次寫(xiě)一頁(yè)，按字節(jié)，需要快寫(xiě)必須一次寫(xiě)一頁(yè)，按字節(jié)寫(xiě)速度慢。寫(xiě)速度慢。編程時(shí)間長(zhǎng)、容量小編程時(shí)間長(zhǎng)、容量小nFlash：容量大，編程速度快。：容量大，編程速度快。成本低、密度大成本低、密度大以以512KB的的Flash 28F040為例為例 內(nèi)部分成內(nèi)部分成16個(gè)個(gè)32KB的塊（頁(yè)）。的塊（頁(yè)）。36EEPROM的字節(jié)編程過(guò)程的字節(jié)編程過(guò)程37EEPROM的擦除：的擦除：(a)整片擦除整片擦除(b)塊擦除塊擦除38微機(jī)原理及接口技術(shù)第5章 存儲(chǔ)技術(shù)5.2 常用存儲(chǔ)器常用存儲(chǔ)器芯片芯片及及連接連接使用使用5.2.4 其他存儲(chǔ)器其他存儲(chǔ)器n雙端口存儲(chǔ)器雙端口存儲(chǔ)器n先進(jìn)先出存儲(chǔ)器先進(jìn)先出存儲(chǔ)器

19、 FIFOn鐵電存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器 FRAM395.2.4 其他存儲(chǔ)器其他存儲(chǔ)器 1. 雙端口存儲(chǔ)器雙端口存儲(chǔ)器1）引線）引線雙端口存儲(chǔ)器雙端口存儲(chǔ)器DS1609的引線的引線 405.2.4 其他存儲(chǔ)器其他存儲(chǔ)器 1. 雙端口存儲(chǔ)器雙端口存儲(chǔ)器2）讀）讀/寫(xiě)操作寫(xiě)操作n在在AD0AD7上加上地址信號(hào)上加上地址信號(hào)n利用利用CS的下降沿鎖存地址于芯片內(nèi)部的下降沿鎖存地址于芯片內(nèi)部n在在CS和和OE同時(shí)為低電平時(shí)將地址單元中的內(nèi)容讀出同時(shí)為低電平時(shí)將地址單元中的內(nèi)容讀出DS1609的讀出時(shí)序的讀出時(shí)序 41n競(jìng)爭(zhēng)的消除425.2.4 其他存儲(chǔ)器其他存儲(chǔ)器 1. 雙端口存儲(chǔ)器雙端口存儲(chǔ)器4）連接使用）

20、連接使用DS1609的連接框圖的連接框圖 435.2.4 其他存儲(chǔ)器其他存儲(chǔ)器 2. 先進(jìn)先出先進(jìn)先出( (FIFO) )存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器1）DS2009 引線及功能引線及功能FIFO存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器DS2009引線圖引線圖 5129bit445.2.4 其他存儲(chǔ)器其他存儲(chǔ)器 2. 先進(jìn)先出先進(jìn)先出( (FIFO) )存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器2）具體操作）具體操作n寫(xiě)操作寫(xiě)操作n讀操作讀操作n級(jí)聯(lián)操作級(jí)聯(lián)操作l字寬的擴(kuò)展。字寬的擴(kuò)展。 利用兩片級(jí)聯(lián)即可實(shí)現(xiàn)利用兩片級(jí)聯(lián)即可實(shí)現(xiàn)18位位( (兩個(gè)兩個(gè)9位位) )數(shù)據(jù)的擴(kuò)數(shù)據(jù)的擴(kuò)展，從而構(gòu)成展，從而構(gòu)成51218 bit的的FIFO存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器。l深度的擴(kuò)展。深度的

21、擴(kuò)展。例如，利用例如，利用4片片DS2009級(jí)聯(lián)即可實(shí)現(xiàn)級(jí)聯(lián)即可實(shí)現(xiàn)20489 bit的深度擴(kuò)展。的深度擴(kuò)展。455.2.5處理器上的總線設(shè)計(jì)處理器上的總線設(shè)計(jì)地址范圍：地址范圍： 70000H-73FFFH分為偶地址和奇地址：分為偶地址和奇地址：偶地址：偶地址：D0-D7傳遞傳遞奇地址：奇地址：D8-D15傳送傳送46微機(jī)原理及接口技術(shù)第5章 存儲(chǔ)技術(shù)5.3 動(dòng)態(tài)讀動(dòng)態(tài)讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器寫(xiě)存儲(chǔ)器( (DRAM) )47n SRAM 與與 DRAM5.3 DRAM 5.3.1 概述概述：Intel 2164AnSRAM基本存儲(chǔ)單元為一個(gè)基本存儲(chǔ)單元為一個(gè)RS觸發(fā)器觸發(fā)器 狀態(tài)穩(wěn)定狀態(tài)穩(wěn)定由由6個(gè)個(gè)M

22、OS管構(gòu)成管構(gòu)成 集成度集成度、成本、成本由于工藝上的問(wèn)題，容量不大：由于工藝上的問(wèn)題，容量不大：128K8bit 12nsnDRAM由一個(gè)由一個(gè)MOS管（位于柵極上的分布電容）構(gòu)成管（位于柵極上的分布電容）構(gòu)成 容量更大，比如：容量更大，比如：64M1，1Gb優(yōu)點(diǎn)：集成度高，功耗低，單位容量?jī)r(jià)格低優(yōu)點(diǎn)：集成度高，功耗低，單位容量?jī)r(jià)格低缺點(diǎn)：速度慢，需要刷新，連接復(fù)雜缺點(diǎn)：速度慢，需要刷新，連接復(fù)雜48n 64K1bit DRAM芯片芯片 Intel 2164A5.3 DRAM 5.3.1 概述概述：Intel 2164A（1）引線）引線l 地址線復(fù)用：利用地址線復(fù)用：利用A0A7分兩次輸入分

23、兩次輸入 先輸入先輸入行地址行地址，再輸入再輸入列地址列地址RAS：行地址選通，兼作片選：行地址選通，兼作片選CAS：列地址選通，兼作數(shù)據(jù)輸出允許：列地址選通，兼作數(shù)據(jù)輸出允許l WE：寫(xiě)允許。：寫(xiě)允許。0：寫(xiě)；：寫(xiě)；1：讀：讀l DIN：數(shù)據(jù)輸入：數(shù)據(jù)輸入DOUT：數(shù)據(jù)輸出：數(shù)據(jù)輸出DRAM容量大，將所有地址線全部引出不太實(shí)際容量大，將所有地址線全部引出不太實(shí)際1：DOUT 高阻高阻0：DOUT 輸出數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)49n 64K1bit DRAM芯片芯片 Intel 2164A5.3 DRAM 5.3.1 概述概述：Intel 2164A（2）工作方式與時(shí)序）工作方式與時(shí)序l 讀操作讀操作P2

24、20，圖，圖 5.37l 給行地址給行地址l RASl 給列地址給列地址l CASl 保持保持WE=1，CAS低期間數(shù)據(jù)輸出并保持低期間數(shù)據(jù)輸出并保持50n 64K1bit DRAM芯片芯片 Intel 2164A5.3 DRAM 5.3.1 概述概述：Intel 2164A（2）工作方式與時(shí)序）工作方式與時(shí)序l 讀操作讀操作RASCASWE行地址行地址列地址列地址DOUT讀出數(shù)據(jù)讀出數(shù)據(jù)A0A751n 64K1bit DRAM芯片芯片 Intel 2164A5.3 DRAM 5.3.1 概述概述：Intel 2164A（2）工作方式與時(shí)序）工作方式與時(shí)序l 寫(xiě)操作寫(xiě)操作P221，圖，圖 5.

25、38：提前寫(xiě)提前寫(xiě)l 給行地址給行地址l RASl WE ，給寫(xiě)入數(shù)據(jù)，給寫(xiě)入數(shù)據(jù)l 給列地址給列地址l CASl WEl RAS、CAS ，撤數(shù)據(jù)，撤數(shù)據(jù)讀變寫(xiě)操作讀變寫(xiě)操作52n 64K1bit DRAM芯片芯片 Intel 2164A5.3 DRAM 5.3.1 概述概述：Intel 2164A（2）工作方式與時(shí)序）工作方式與時(shí)序l 寫(xiě)操作寫(xiě)操作RASCASWEDIN行地址行地址列地址列地址有效寫(xiě)入數(shù)據(jù)有效寫(xiě)入數(shù)據(jù)A0A753n 64K1bit DRAM芯片芯片 Intel 2164A5.3 DRAM 5.3.1 概述概述：Intel 2164A（2）工作方式與時(shí)序）工作方式與時(shí)序l 寫(xiě)

26、操作寫(xiě)操作RASCASWEDIN行地址行地址列地址列地址有效寫(xiě)入數(shù)據(jù)有效寫(xiě)入數(shù)據(jù)DOUT讀出數(shù)據(jù)讀出數(shù)據(jù)讀變寫(xiě)操作讀變寫(xiě)操作A0A754n 64K1bit DRAM芯片芯片 Intel 2164A5.3 DRAM 5.3.1 概述概述：Intel 2164A（4）刷新）刷新l DRAM必須每隔必須每隔 24ms 刷新刷新一次一次（因?yàn)樾畔⒋鎯?chǔ)在電容中）（因?yàn)樾畔⒋鎯?chǔ)在電容中）將將DRAM所存放的每一所存放的每一bit信息讀出并照原樣寫(xiě)入原信息讀出并照原樣寫(xiě)入原單元的過(guò)程。單元的過(guò)程。l 刷新由刷新由DRAM內(nèi)部特殊電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，結(jié)合外部刷新內(nèi)部特殊電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，結(jié)合外部刷新時(shí)序（時(shí)序（P221，圖

27、，圖5.39），經(jīng)過(guò)），經(jīng)過(guò)128個(gè)刷新周期即可完個(gè)刷新周期即可完成整個(gè)存儲(chǔ)體的刷新。（行地址成整個(gè)存儲(chǔ)體的刷新。（行地址A7不起作用）不起作用）55圖圖5.40、圖、圖5.41：DRAM控制電路的一種實(shí)現(xiàn)方法控制電路的一種實(shí)現(xiàn)方法MEMW、MEMR有有 效效 數(shù)數(shù) 據(jù)據(jù)A15A0RASx 允許允許AddrSelCASx 允許允許D7D0100ns60ns 給行地址給行地址（A7A0） 給列地址給列地址（A15A8）56n 關(guān)于關(guān)于使用使用DRAM的建議的建議l 在設(shè)計(jì)構(gòu)成微機(jī)系統(tǒng)在設(shè)計(jì)構(gòu)成微機(jī)系統(tǒng)( (如嵌入式系統(tǒng)如嵌入式系統(tǒng)) )時(shí)，時(shí)，能不用能不用DRAM時(shí)盡量不用時(shí)盡量不用，可用，可用

28、SRAM代替代替DRAM，尤其是當(dāng)構(gòu)成的，尤其是當(dāng)構(gòu)成的內(nèi)存不是很大時(shí)，內(nèi)存不是很大時(shí)，SRAM的價(jià)格是可以接受的。的價(jià)格是可以接受的。l 采用采用系統(tǒng)集成系統(tǒng)集成的方式，用已經(jīng)做好的產(chǎn)品。例如，購(gòu)買(mǎi)的方式，用已經(jīng)做好的產(chǎn)品。例如，購(gòu)買(mǎi)PC主板或直接購(gòu)買(mǎi)主板或直接購(gòu)買(mǎi)PC。產(chǎn)品供應(yīng)商已做好了一切，無(wú)。產(chǎn)品供應(yīng)商已做好了一切，無(wú)需考慮需考慮DRAM如何讀如何讀/寫(xiě)、如何刷新。寫(xiě)、如何刷新。l 采用采用可提供可提供RAS、CAS和刷新控制的和刷新控制的處理器處理器。有一些處。有一些處理器、單片機(jī)為用戶提供了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器使用的各種信號(hào)理器、單片機(jī)為用戶提供了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器使用的各種信號(hào)和控制功能，在進(jìn)行系

29、統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)選用這樣的處理器是十和控制功能，在進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)選用這樣的處理器是十分方便的。分方便的。l 采用采用DRAM控制器控制器。5.3 DRAM 5.3.2 連接使用連接使用：Intel 2164A57微機(jī)原理及接口技術(shù)第5章 存儲(chǔ)技術(shù)5.4 外存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介、存儲(chǔ)卡外存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介、存儲(chǔ)卡585.4 外存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介、存儲(chǔ)卡外存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介、存儲(chǔ)卡595.4 外存外存/存儲(chǔ)卡存儲(chǔ)卡 三、存儲(chǔ)卡三、存儲(chǔ)卡 1. 多媒體存儲(chǔ)卡多媒體存儲(chǔ)卡MMC包括包括MMC的簡(jiǎn)化的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化的系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 605.4 外存外存/存儲(chǔ)卡存儲(chǔ)卡 三、存儲(chǔ)卡三、存儲(chǔ)卡 1. 多媒體存儲(chǔ)卡多媒體存儲(chǔ)卡MMCMMC的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu) 615

30、.4 外存外存/存儲(chǔ)卡存儲(chǔ)卡 三、存儲(chǔ)卡三、存儲(chǔ)卡 1. 多媒體存儲(chǔ)卡多媒體存儲(chǔ)卡MMC連續(xù)讀數(shù)據(jù)過(guò)程連續(xù)讀數(shù)據(jù)過(guò)程 多個(gè)數(shù)據(jù)塊寫(xiě)入過(guò)程多個(gè)數(shù)據(jù)塊寫(xiě)入過(guò)程 625.4 外存外存/存儲(chǔ)卡存儲(chǔ)卡 三、存儲(chǔ)卡三、存儲(chǔ)卡 2. 安全數(shù)字卡安全數(shù)字卡(SD卡卡)nSD卡是卡是Secure Digital Card的簡(jiǎn)稱，直譯成漢語(yǔ)就的簡(jiǎn)稱，直譯成漢語(yǔ)就是是“安全數(shù)字卡安全數(shù)字卡”。nSD存儲(chǔ)卡是一個(gè)完全開(kāi)放的標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)卡是一個(gè)完全開(kāi)放的標(biāo)準(zhǔn)( (系統(tǒng)系統(tǒng)) )，可用于，可用于MP3、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電子圖書(shū)、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電子圖書(shū)、AV器材器材等。等。nSD卡在外形上同卡在外形上同MMC卡保持一致，大小尺寸比卡保持一致，大小尺寸比MMC卡略厚，容量也大一些，并且兼容卡略厚，容量也大一些，并且兼容MMC卡接卡接口規(guī)范?？梢哉J(rèn)為口規(guī)范?？梢哉J(rèn)為SD卡是卡是MMC的升級(jí)版。的升級(jí)版。nSD卡有卡有9個(gè)引腳，目的是通過(guò)把傳輸方式由串行變個(gè)引腳，目的是通過(guò)把傳輸方式由串行變成成并行并行，來(lái)提高傳輸速度。它的，來(lái)提高傳輸速度。它的讀讀/寫(xiě)速度寫(xiě)速度比比MMC卡要快一些，同時(shí)卡要快一些，同時(shí)安全性安全性也更高。也更高。SD卡最大的特點(diǎn)卡最大的特點(diǎn)就是通過(guò)就是通過(guò)加密加密