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1、返回返回9.1 半導體的導電特性半導體的導電特性共價健共價健 Si Si Si Si價電子價電子 Si Si八八電電子子穩(wěn)穩(wěn)定定結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu) Si Si Si Si價電子價電子這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)??昭昭ㄗ杂呻娮幼杂呻娮?Si Si Si Sip+多余多余電子電子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€失去一個電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)檎x子正離子 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴+形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)PN結(jié)結(jié) P接正、接正、N接負接負 IFPN+ 少子在電場少子在電場的作用之下,的作用之下,通過通過PN結(jié)進結(jié)進入對方,但少入對方,但少
2、子數(shù)量很少,子數(shù)量很少,形成的反向電形成的反向電流很小。流很小。IR+PND反向擊穿反向擊穿電壓電壓U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+定性分析:定性分析:判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導通導通截止截止 若二極管是理想的,若二極管是理想的,例例1:D6V12V3k BAUAB+例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+V sin18tui t UZIZIZM UZ IZ + UIZZ ZIUr晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管的結(jié)構(gòu)(a)(a)平面型平面型(b)(b)合金型合金型BEP型硅型硅N型硅型硅二氧化硅保護膜二氧化硅保護膜銦球銦球N型鍺型鍺N型硅型硅CBECPP銦
3、球銦球(a)(a)(b)(b)(a)NNCEBPCETBIBIEIC(b)BECPPNETCBIBIEICCENNPBCEPPNBEEBRBRCBCEBCE靜態(tài)靜態(tài)(直流直流)電流放大系數(shù)電流放大系數(shù):10031.40031. 410023.20023. 2AmAIIAmAIIBCBC,動態(tài)動態(tài)(交流交流)電流放大系數(shù)電流放大系數(shù):100)23.2031.40()023. 2031. 4(AmAIIBCBECIBIEICBECIBIEIC+-+-+-+-BCEBCE 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線,是管子即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線,是管子內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn),反映了晶體管的性能,內(nèi)
4、部載流子運動的外部表現(xiàn),反映了晶體管的性能,是分析放大電路的依據(jù)。是分析放大電路的依據(jù)。 重點討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線重點討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+CBEIB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1V常常數(shù)數(shù) CE)(BEBUUfIIB=020 A40 A60 A80 A100 A常常數(shù)數(shù) B)(CECIUfI36IC(mA )1234UCE(V)9120放大區(qū)放大區(qū)BECIBIEIC+-+-BECIB=0IEIC+-+-BECIBIEIC+-+-U
5、B C 0BECIBIEIC+U1-RBEC = UCCRC例:例:Ucc = 6V, Rc = 3 k Ohm, RB =10k Ohm, = 25。當輸入電壓。當輸入電壓U1分別為分別為3V,1V和和-1時,時,試問晶體管處于何種工作狀態(tài)?試問晶體管處于何種工作狀態(tài)?晶體管飽和時集電極電流近似為晶體管飽和時集電極電流近似為晶體管臨界飽和時基極電流為晶體管臨界飽和時基極電流為(1)U1=3V晶體管處于飽和狀態(tài)晶體管處于飽和狀態(tài)BECIBIEIC+U1-RBEC = UCCRC例:例:Ucc = 6V, Rc = 3 k Ohm, RB =10k Ohm, = 25。當輸入電壓。當輸入電壓U1
6、分別為分別為3V,1V和和-1時,時,試問晶體管處于何種工作狀態(tài)?試問晶體管處于何種工作狀態(tài)?晶體管飽和時集電極電流近似為晶體管飽和時集電極電流近似為晶體管臨界飽和時基極電流為晶體管臨界飽和時基極電流為(2)U1=1V晶體管處于放大狀態(tài)晶體管處于放大狀態(tài)BECIBIEIC+U1-RBEC = UCCRC例:例:Ucc = 6V, Rc = 3 k Ohm, RB =10k Ohm, = 25。當輸入電壓。當輸入電壓U1分別為分別為3V,1V和和-1時,時,試問晶體管處于何種工作狀態(tài)?試問晶體管處于何種工作狀態(tài)?晶體管飽和時集電極電流近似為晶體管飽和時集電極電流近似為晶體管臨界飽和時基極電流為晶體管臨界飽和時基極電流為(3)U1= -1V晶體管發(fā)射結(jié)反偏,晶體管發(fā)射結(jié)反偏, 集電結(jié)反偏。集電結(jié)反偏。晶體管處于可靠截止狀態(tài)。晶體管處于
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