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1、1 1、構(gòu)造:、構(gòu)造:四層半導(dǎo)體N1P2N2P1J1J2J3三個(gè)PN結(jié)三個(gè)電極陽(yáng)極A:從P1引出陰極K:從N2引出控制極G:從P2引出2 2、符號(hào):、符號(hào):圖形符號(hào):KGAAKG文字符號(hào):SCR,CT,KG等P1N1N2P21 1、演示實(shí)驗(yàn):、演示實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)電路圖如下:6V3VSCRAKGSA6V3VSCRAKGSB6V3VSCRAKGSD陽(yáng)極A陰極K開(kāi)關(guān)S燈泡亮滅情況工 作 特 點(diǎn)1+-斷開(kāi)2-+3+-閉合4+-斷開(kāi)不亮不亮不亮不亮亮亮亮亮只在陽(yáng)極和陰極間加正向電壓,可控硅不導(dǎo)通在陽(yáng)極和陰極間加反向電壓,可控硅不導(dǎo)通在陽(yáng)極A和陰極K間加反向電壓,同時(shí)控制極加正向觸發(fā)電壓,可控硅導(dǎo)通可控硅導(dǎo)通
2、后,除去觸發(fā)電壓,繼續(xù)導(dǎo)通C6V3VSCRAKGS6V3VSCRAKGSA2 2、解釋:可控硅為什么具有上述四個(gè)任務(wù)特點(diǎn)?、解釋:可控硅為什么具有上述四個(gè)任務(wù)特點(diǎn)?這是由其內(nèi)部構(gòu)造決議的這是由其內(nèi)部構(gòu)造決議的N1P2N2P1J1J2J3KGAP1N1P2N2P2N1GKA沿虛線剖開(kāi)可看成由兩個(gè)三極管組成12IB1 1IB1IB1bac可控硅導(dǎo)通的條件:A、在陽(yáng)極和陰極之間加正向電壓B、同時(shí)在控制極加正觸發(fā)電壓二者缺一不可使導(dǎo)通的可控硅關(guān)斷的方法:A、減小陽(yáng)極電流至一定值維持電流B、切斷陽(yáng)極電源可控硅具有控制強(qiáng)電的作用三、單向可控硅的主要參數(shù):三、單向可控硅的主要參數(shù): 主主 要要 參參 數(shù)數(shù)
3、定定 義義額定正向平均電流維持電流控制極觸發(fā)電壓和電流正向阻斷峰值電壓反向阻斷峰值電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過(guò)陽(yáng)極和陰極之間的電流平均值在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷開(kāi)的條件下,保持可控硅處于導(dǎo)通形狀所需求的最小正向電流在規(guī)定的環(huán)境溫度及一定的正向電壓條件下,使可控硅到導(dǎo)通控制極所需求的最小電壓和電流控制極斷開(kāi)加正向電壓,可控硅截止的形狀稱正向阻斷,此時(shí)加到可控硅上的最大正向電壓控制極斷開(kāi),可控硅加反向電壓的形狀,稱為反向阻斷,此時(shí)允許加到可控硅上的最大反向電壓四、總結(jié)四、總結(jié)1、這節(jié)課我們講了三個(gè)問(wèn)題:A、可控硅的構(gòu)造與符號(hào);B、可控硅的任務(wù)原理;C、可控硅的主要參數(shù)。2、思索題:A、單向可控硅有兩種任務(wù)形狀:導(dǎo)通和截止,二極管也有二種任務(wù)形狀,導(dǎo)通和截止,那么單可控硅的任務(wù)形狀和二極管的任務(wù)形狀有什么不同?答案:可控硅的導(dǎo)通是可控的B、分析以下兩個(gè)電路,在開(kāi)關(guān)S接通后又?jǐn)嚅_(kāi)時(shí),燈泡的明暗情況有何不同?設(shè)兩個(gè)電路元件參數(shù)完全一樣SCRG1G2RS(A圖)SCRG2RSV(B圖)答案:燈亮燈亮燈滅燈滅四、作業(yè)四、作業(yè)1、畫(huà)出單向可控硅的圖形符號(hào),并指出三個(gè)電極的稱號(hào)
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