高性能FLASH存儲器在DSP電機智能保護中的應用

1、    摘要：DSP芯片以其高速、實時性等優(yōu)點逐步被用到電機保護中，利用高性能外圍器件尤其是外圍存儲器與DSP的硬件匹配是充分發(fā)揮其優(yōu)點的必要條件。文中以基于TMS320C32高速CPU為核心芯片的智能型電機保護裝置為模型，介紹了高性能FLASH芯片Am29F010B與DSP芯片的硬件接口電路、軟件編程技術以及應注意的問題和設計技巧。 關鍵詞：Flash存儲器 DSP 嵌入式算法 Am29F010B國內(nèi)的電動機保護裝置種類繁多，但隨著現(xiàn)代大中型電動機對保護要求的不斷提高和VLSI技術的不斷進步，傳統(tǒng)的基于熱敏電阻、機械式繼電器和電子式等保護模式均因可靠性

2、不高，容易出現(xiàn)誤操作等缺點已不能滿足需要；而以單片機為核心的數(shù)字或保護裝置的運算速度不高、資源有限、數(shù)據(jù)處理能力和可擴展性不好等問題日益突出。新的相關理論和技術（如小波變換、自適應保護、故障診斷、模糊整定等）的出現(xiàn)加速了高性能和綜合型微機保護的發(fā)展，但這不僅要求更高性能的CPU（如近年飛速發(fā)展的系列DSP芯片）的支持，而且還要有與之相適應的外圍存儲器的支持。鑒于此，筆者在開發(fā)基于DSP的大中型智能電動機保護裝置（系統(tǒng)結構功能如圖1）時，在外擴存儲器方面采用了AMD公司生產(chǎn)的Flash芯片Am29F010B。該Flash memory因容量大、體積小、功耗低、成本低等優(yōu)點而被廣泛應用于消費類電子

3、、軍事、航空航天等領域。它可以在線更新，并具有較高的靈活性，因而可與高性能CPU芯片TMS320C32達到良好的配合，從而可顯著提高系統(tǒng)性能和可靠性。1 硬件設計1.1 TMS320C32芯片的特點美國TI公司生產(chǎn)的TMS320系列DSP芯片以其改進的哈佛總線結構、獨立的指令系統(tǒng)、專用硬件乘法器、多種尋址方式等優(yōu)點以及高速數(shù)據(jù)處理能力廣泛應用在通訊、雷達、工業(yè)控制等領域。TMS320C32是TI的第一代浮點DSP芯片TMS320C3X系列中的一款高性能浮點芯片，是對TMS320C30、TMS320C31中的不常用資源進行簡化、并對其性能進一步改進后的高性價比處理器。它具有增強的外部存儲器接口，

4、可以靈活方便地存取8/16/24/32位數(shù)據(jù)。它支持16/32位外部程序，從而為其外圍接口電路設計提供了很大的靈活性；其硬件上增加的一個非常有用的程序引導（Bootloader）功能使其程序可以從低速EPROM、PROM或串口裝入到系統(tǒng)的高速RAM中全速運行；它所配備的C編譯器具有很高的效率，可直接用匯編語言或兩者相結合使用，因而靈活性和實時性都很強；由于中斷矢量表可重設位，因此，將其應用到電動機保護中可以大大提高整個保護裝置的各項性能。1.2 Flash Memory芯片Am29F010BAm29F010B是AMD公司生產(chǎn)的多功能閃爍內(nèi)存，它的主要技術特點如下：*可單電壓（5V）進行讀、寫操

5、作；*高性能，最大存取時間為45ns；*可靠性極高，可重復編程不小于10萬次，數(shù)據(jù)保持大于100年；*低功耗（讀操作，寫/擦除操作以及空閑狀態(tài)的電流典型值分別為12mA、30mA和1sA）;*具有扇區(qū)擦除能力，對于所分成的8個完全一樣的分扇區(qū)，既可以塊擦除，也可以整個芯片一起擦除；*嵌入式擦除算法可自動地預編程和擦除芯片，它可以將設好的扇區(qū)用嵌入式編程算法自動地編程以把數(shù)據(jù)寫到特定的地址；*帶有JEDEC標準的Flash EEPROM管腳輸出和命令集；*具有編程周期結束檢測功能，可縮短等待時間；Am29F010B存儲器采用PDIP，PLCC，TSOP封裝，圖2給出了Am29F010B的PDIP

6、封裝引腳圖，各引腳的功能如下：DQ7DQ0：雙向數(shù)據(jù)線，可用于輸出數(shù)據(jù)或寫入命令和數(shù)據(jù)。A0A16：地址線，其中A16A14為扇區(qū)地址，可用000111代表8個扇區(qū)，A13A0為扇區(qū)內(nèi)的字節(jié)地址。CE：片選線，低電平有效，高電平時芯片處于空閑狀態(tài)；OE，WE:分別為讀、寫控制線。圖3給出了對FLASH編程時，CE、OE和WE的狀態(tài)時序。其中，PD為編程數(shù)據(jù)，tch為CE持續(xù)時間，tcs為CE建立時間，tDS為數(shù)據(jù)建立時間，tDH為數(shù)據(jù)維持時間，twp為寫脈沖寬度。1.3 Am29F010B與TMS320C32的硬件接口Am29F010B與TMS320C32的硬件接口電路原理圖如圖4所示。圖中，

7、Am29F010B的17根地址線A0A16分別與TMS320C32的A0A16相連。每片Am29F010B的容量為128k×8B。在本開發(fā)系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)采用的是32位浮點數(shù)，連接方法是將四片8位數(shù)據(jù)寬的Am29F010B一起與TMS320C32連接，即將四片Am29F010B的D0D7依次與TMS320C32的D0D7、D8D15、D16D23及D24D31連接，總容量為128k×32B。TMS320C32的外擴存儲器的尋址空間范圍由三組相互獨立的控制信號STRB0、STRB1和IOSTRB來控制，可用于對相互獨立的存取空間進行操作而不會出現(xiàn)端口沖突。所不同的是，IOSTRB

8、只能用32位寬的程序或數(shù)據(jù)存儲器進行存操作；STRB0和STRB1由各自的四個控制引腳來實現(xiàn)，可以用8/16/32位寬的存儲器存取8/16/32位數(shù)據(jù)，還可以用16或32位寬的程序存儲器進行存取操作，因而比較靈活。圖4的設計中使用的是STRB0，F(xiàn)lash所占的128k×32B存取空間的地址范圍為000000H01FFFFH，外圍程序存儲器配置為32位，可由PRGW置低電平來實現(xiàn)。此時各片的片選信號CE分別由STRB0-B0、STRB0-B1、STRB0-B2、STRB0-B3控制。上電復位后，外部總線接口控制寄存器STRB0可根據(jù)PRGW引腳電平的高低來決定存儲器的寬度控制位和數(shù)據(jù)

9、位數(shù)控制位的復位值。2 Am29F010B的在系統(tǒng)編程技術2.1 Am29F010B的基本編程操作對FLASH的基本操作主要有讀、字節(jié)編程、復位、扇區(qū)擦除、片擦除等。Am29F010B閃爍存儲器的讀操作與普通的存儲器操作相同，它不需要特定的時序，在電路上電或內(nèi)部編程等操作后可自動進入讀數(shù)據(jù)狀態(tài)。而擦除和寫操作相對復雜一些，它不能簡單的直接寫入，同時，out文件不能load到FLASH中，且CCS和CSource Debugger中的load命令均不能對flash寫入，而需要專門的程序才能寫入一系列Flash Memory的命令寄存器中，然后調(diào)用嵌入式算法的內(nèi)部程序來完成相應的命令。Am29F0

10、10B編程的一般步驟是復位、擦除、字節(jié)編程等。（1）復位操作復位命令用以取消擦除或寫入操作而使存儲器復位。復位操作不影響各單元的數(shù)據(jù)。在編程、擦除或正常操作出現(xiàn)錯誤時都要使用復位命令。向FLASH存儲器的任意一個地址寫入0F0H均可使其復位并進入讀數(shù)據(jù)狀態(tài)。（2）擦除操作擦除操作的具體軟件命令序列如表1所列。該操作包括按扇區(qū)擦除和整片擦除兩種方式。二者均為6總線周期操作。使用片擦除操作則可一次清除FLASH芯片內(nèi)的所有數(shù)據(jù)。扇區(qū)擦除操作則用于清除某一個扇區(qū)的所有數(shù)據(jù)，這在僅需要改動少量數(shù)據(jù)而不是整片數(shù)據(jù)時特別方便。（3）字節(jié)編程操作該操作是一個4總線周期指令，可將任意數(shù)據(jù)寫入Am29F010B

11、獨立使用的編程，只能寫入8位寬的數(shù)據(jù)，而本開發(fā)系統(tǒng)每次可寫入32位寬數(shù)據(jù)。具體軟件命令序列如表1所列。 2.2 Am29F010B的編程注意事項及操作技巧在對Am29F010B進行編程操作時，三條關鍵控制檢測線OE、CE和WE都必須處于正確狀態(tài)，當CE或WE不是低電平或OE不是高電平時，編程操作將被禁止。由于在32位浮點芯片TMS320C32進行硬件連接時，采用的是4片數(shù)據(jù)寬度為8位的Flash來作為一片數(shù)據(jù)寬度為32位的Flash使用，所以在實際的總線操作過程中，向對應地址寫入的數(shù)據(jù)應為8位16進制數(shù)據(jù)。例如芯片復位操作時，寫入某一地址的數(shù)據(jù)應該是0xF0F0F0，而不應是單片時寫入的0xF

12、0。其軟件命令序列可同時參見表1。表1 Am29F010B編程命令序列表命令序列Flash復位扇區(qū)擦除整片擦除Flash燒錄總線寫周期1地址5555H5555H5555H5555H數(shù)據(jù)0AAAAAAAAH0AAAAAAAAH0AAAAAAAAH0AAAAAAAAH總線寫周期2地址2AAAH2AAAH2AAAH2AAAH數(shù)據(jù)55555555H55555555H55555555H55555555H總線寫周期3地址xxxx5555H5555H5555H數(shù)據(jù)0F0F0F0F0H80808080H80808080H0A0A0A0A0H總線寫周期4地址5555H5555H數(shù)據(jù)0AAAAAAAAH0AAAA

13、AAAAH總線寫周期5地址2AAAH2AAAH數(shù)據(jù)55555555H55555555H總線官周期6地址SA5555H數(shù)據(jù)30303030H10101010H在Am29F010B擦除及編程操作中使用檢測機制可確保操作的正確性和有效性。其核心代碼如下：flash_rase：check_rase:LDI *AR0,R0NOPNOPXOR *AR2,R0BNZ check_raseRETSflash_prog:check_prog:LDI * -AR1,R0NOPNOPXOR *-AR1,R0BNZ check_progRETS在將數(shù)據(jù)或程序燒寫到Am29F010B時，應先單步執(zhí)行燒寫程序，同時應觀察燒寫程序執(zhí)行過程中有無異常。筆者曾遇到過的FLASH的操作指令代碼執(zhí)行后變成.word XXH的情形，后來經(jīng)檢查發(fā)現(xiàn)是由于芯片Am29F010B的地址線引腳再現(xiàn)虛焊所致；另一方面，