瓷片電容學(xué)習(xí)資料共享

1、瓷片電容(Ceramic Capacitor )1瓷片電容（多層片式瓷介電容器MLCC）圖1.1瓷片電容內(nèi)部結(jié)構(gòu)1.1 瓷片電容命名規(guī)則Global part nu mber(preferred)CC XXXXX X X5R X BB XXX12 34 56CC XXXX X X X5R X BB XXX12 34 56p尺寸精度包腕式額蟲壓 gffin(1)、尺寸-inch (metric)0201 (0603)0402 (1005) 0603 (1608)0805 (2012) 1206 (3216)1210 (3225)1812 (4532)2220 (5750)(2) 、精度F =:&

2、#177;%G :=翌J =:交K =±0%M :=翌0%Z =：-20%80%不常用：A =±).05pFB =±).1pFC =±).25pFD =±). 5pF(3) 、包裝形式R = Paper/PE tap ing reel; Reel 7 inch(紙編帶包裝)K = Blister tap ing reel; Reel 7 inch(塑料帶包裝)P = Paper/PE taping reel; Reel 13 inchF = Blister tap ing reel; Reel 13 inchC = Bulk case(散包裝)

3、(4) 、額點(diǎn)電壓5 = 6.3 V6 = 10 V7 = 16 V8 = 25 V9 = 50 V不常用：0 = 100 VA = 200 VB = 500 VC = 1KVD = 2KVE = 3KVH = 43KV（5）、容值兩位有效數(shù)+零的個(gè)數(shù)補(bǔ)充：CG Multi-layer chip cap.多層電容器； CA-Cap. Array 陣列電容器； CL-Low. I nducta nee低電感電容器BB第一個(gè)：阻擋層成分代碼A:Pd/Ag （鈀/銀） B:Ni-Barrier （鎳） C: Ni/Au （鎳/銅）第二個(gè)：內(nèi)部代碼 A:No BME B : BME（賤金屬電極）1.2

4、 電介質(zhì)材料在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。按其用途可以分為三類：高頻熱補(bǔ)償電容器瓷（UJ、SL）； ? 高頻熱穩(wěn)定電容器瓷（NPO ； 低頻高介電容器瓷（X7R Y5V Z5U）。陶瓷介質(zhì)的代號(hào)是按陶瓷材料的溫度特性來命名的。目前通用的是美國(guó)EIA標(biāo)準(zhǔn)（ElectronicIn dustries Association電子工業(yè)協(xié)會(huì)）命名規(guī)則，電介質(zhì)材料命名規(guī)則：低溫咼溫容量變化X:-55 °C4:+65 CA: ± 1.0%Y:-2

5、5 C5:+85 CB: ± 1.5%Z:+10 C6:+105 CC: ± 2.2%7:+125 CD: ± 3.3%8:+155 CE: ± 4.7%9:+200 CF: ± 7.5%P: ± 10%R: ± 15%S: ± 22%T:+22%-33%U:+22%-56%V:+22-82%Y5V:溫度特性 Y代表25C; 5代表+ 85C ;溫度系數(shù) V弋表80%+ 30%Z5U:溫度特性Z代表+ 10C; 5代表+ 85C;溫度系數(shù)U代表 56%+ 22%X7R溫度特性X代表55C; 7代表+ 125C ;溫

6、度系數(shù)R代表土 15%NP0:溫度系數(shù)是 30ppm/C（ -55 C + 125 C）.1.2.1 NPO材質(zhì)（C0GNP健一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。精度能做到5%（ J級(jí)），但是不能做到太高的容值。NPOI容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55 C到125 C時(shí)容量變化為0±30ppm/C，電容量隨頻率的變化小于±0.3 ACo NPOI容的漂移或滯后小于 ±0.05%,相對(duì)大于±2%薄膜電容的來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±)

7、.1%。NPOI容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。1.2.2 X7R 材質(zhì)X7F電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55 C到125 C時(shí)其容量變化為15%需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7F電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每10年變化1%AC,表現(xiàn)為10年變化了約5%X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。1.2.3 X5R 材質(zhì)X5R材質(zhì)所能做出來的電容容值會(huì)更高一

8、些，與X7F同樣容值電壓的電容相比，X5R勺價(jià)格也要便宜一些。1.2.4 Y5V 材質(zhì)Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30 C到85 C范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)22%到-82%。Y5V勺高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7獷電容器。其它技術(shù)指標(biāo)如下：工作溫度范圍-30 C -+85 C溫度特性+22%-82%介質(zhì)損耗最大5%1.3 選型考慮要素(1) 、參數(shù)：電容值、容差、耐壓、使用溫度、尺寸(2) 、材質(zhì)(3) 、直流偏置效應(yīng)(4) 、價(jià)格與供貨(5) 、失效1.4 常用參數(shù)1.4.1 標(biāo)稱容值-C標(biāo)注在電容器上的電容量。142 額定電壓-V額定電壓也稱電容器的耐壓

9、值，是指電容器在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)，能夠連續(xù)正常工作時(shí)所能承受的最高電壓。該額定電壓值通常標(biāo)注在電容器上。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，電容器的工作電壓應(yīng)低于電容器上標(biāo)注的額定電壓值，否則會(huì)造成電容器因過壓而擊穿損壞。143 允許誤差電容器的標(biāo)稱容量與實(shí)際容量之間的允許最大偏差范圍。144 溫度系數(shù)溫度系數(shù)是指在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1C時(shí)，電容器容量的相對(duì)變化值。 溫度系數(shù)值越小,電容器的性能越好。損耗因數(shù)損耗因數(shù)也稱電容器的損耗角正切值，用來表示電容器能量損耗的大小。該值越小，說明電容器的質(zhì)量越好。（直觀表述在電容器上能量損耗，有功能量/無功能量）乂±10 .F fMOi IXW fewrWl

10、ftJWFtf. 3 尸匚疋 ESF m freq jenLy LidriLLeiiULi fc mJKlj.-er 二hip lapiuEori0805-106-5BB阻抗與頻率關(guān)系頻率特性（即電容量等電參數(shù)隨著電路工作頻率頻率特性是指電容器對(duì)各種不同高低的頻率所表現(xiàn)出的性能 的變化而變化的特性）。147 漏電流電容器的介質(zhì)材料不是絕艱絕緣體，在一定的工作溫度及電壓條件下，也會(huì)有電流通過，此電流即為漏電流。1.5 電容作用ESR ( ESIC:電容容值。一般是指在1kHz, 1V等效AO電壓，直流偏壓為0V 情況下測(cè)到的；ESL:電容等效串聯(lián)電感。電容的管腳是存在電感的。在低頻應(yīng) 用時(shí)感抗較

11、小，所以可以不考慮。當(dāng)頻率較高時(shí)，就要考慮這個(gè)電感了;ESR電容等效串聯(lián)電阻。無論哪種電容都會(huì)有一個(gè)等效串聯(lián)電阻，當(dāng)電容工作在諧振點(diǎn)頻率時(shí)，電容的容抗和感抗大小相等，于是等效成一個(gè)電阻，這個(gè)電阻就是ESR1.5.1 旁路（Bypass）在電路中為了改變某條支路的頻率特性，使得它在某些頻段內(nèi)存在適當(dāng)?shù)淖柚?，而在另一些頻段內(nèi)則處于近似短路的狀態(tài)。載波產(chǎn)品中應(yīng)用：電源的第一道抗噪防線是旁路電容。通過儲(chǔ)存電荷抑制電壓降并在有電壓尖峰產(chǎn)生時(shí)放電，旁路電容消除了電源電壓的波動(dòng)。旁路電容為電源建立了一個(gè)對(duì)地低阻抗通道，在很寬頻率范圍內(nèi)都可具有上述抗噪功能。低頻電路中多數(shù)旁路電容都采用電解電容原因在于陶瓷電容

12、容值難以達(dá)到所需要的大小。例：旁路電容要將流經(jīng)電阻R的頻率高于f的交流信號(hào)近似 短路。旁路電容的大?。縧r J lc “< -Lc解：旁路電容C的目的就是在頻率f以上將原本流經(jīng)R的絕SR 大多數(shù)電流短路；也即頻率為f時(shí)，容抗遠(yuǎn)小于電阻值。2 f ? C2 f ? R當(dāng)f=1khz , R=1k時(shí)，C應(yīng)該遠(yuǎn)大于0.16uf。因此取47uf已近很足夠了，再大一些也可以接受，100uf都還算能接受，電容適當(dāng)增大可以使得旁路更充分，而且在給定頻率以上支路的品質(zhì)因數(shù)更低，也就使得整個(gè)支路表現(xiàn)岀來的容性更弱，支路對(duì)信號(hào)相位的影響更?。ㄗⅲ荷鲜鲇?jì)算值的100到1000倍都可以接受，不過如果要是大于上式

13、計(jì)算出的值的5000倍就不太好了）。不過再大也不會(huì)得到多少回報(bào)，甚至有可能帶來不好的后果，因?yàn)閷?shí)際的電容永遠(yuǎn)都不是一個(gè)純粹的電 容。電容越大帶來的其分布電感也將更顯著。要選擇最合適的旁路電容，我們首先思考四個(gè)問題：1、需要多大容值的旁路電容？通常旁路電容的值都是依慣例或典型值來選取的。例如，常用的容值是1卩F和0.1卩F。簡(jiǎn)單的說，將大電容作為低頻和大電流電路的旁路，而小電容作為高頻旁路。2、如何放置旁路電容以使其產(chǎn)生最大功效？旁邊電容應(yīng)盡可能靠近每個(gè)芯片電源引腳來放置。距離電源引腳越遠(yuǎn)就等同于增加串聯(lián)電感，這樣會(huì)降低旁路電容的自諧振頻率（使有效帶寬降低）。3、要使我們所設(shè)計(jì)的電路 /系統(tǒng)要工

14、作在最佳狀態(tài)，應(yīng)選擇何種類型的旁路電容?鉭電解和電解電容等有極性電容比較適合做旁路電容，但是目前瓷片電容有寬泛的容值范圍同時(shí)能夠小型化，因此瓷片電容選擇越來越多。4、隱含的第四個(gè)問題-所用旁路電容采用什么樣的封裝最合適？這取決于電容大小、電路板空間以及所選電容的類型。等效電路會(huì)隨不同的封裝類型而改變。其中主要的是等效串聯(lián)電感（ESL）。很顯然，只要電容結(jié)構(gòu)保持不變，其電容值也會(huì)保持不變。 若同一電容采用多種不同封裝類型，那么極板間的連接和外層封裝間的連接必定改變。這會(huì)帶來額外的串聯(lián)電阻和電感。封裝越小，串聯(lián)寄生參數(shù)就越小。ESL (pH)0201巾00|040255006037D0OS05800120612500G1263表1電容封裝和其等效串聯(lián)電感1.5.2 去耦去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個(gè)作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。將旁路電容和去耦電容結(jié)合起來將更容易理解。旁路電容實(shí)際也是去