筆記本雙通道內(nèi)存相關(guān)介紹

1、筆記本雙通道內(nèi)存相關(guān)介紹內(nèi)存是計算機中重要的部件之一，它是與 CPU進行溝通的 橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的， 因此內(nèi)存的性 能對計算機的影響非常大。內(nèi)存（Memory）被稱為內(nèi)存儲器，其作用 是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換 的數(shù)據(jù)。下面是 小編給大家整理的一些有關(guān)筆記本雙通道內(nèi)存的介 紹，希望對大家有幫助！筆記本雙通道內(nèi)存相關(guān)介紹雙通道內(nèi)存技術(shù)其實是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù)， 它依賴于 芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所 提供的帶寬增長一倍。它并不是什么新技術(shù)，早就被應(yīng)用于服務(wù)器和 工作站系統(tǒng)中了，只是為了解決臺式機日益

2、窘迫的內(nèi)存帶寬瓶頸問題 它才走到了臺式機主板技術(shù)的前臺。 在幾年前，英特爾公司曾經(jīng)推出 了支持雙通道內(nèi)存?zhèn)鬏敿夹g(shù)的i820芯片組，它與RDRAM內(nèi)存構(gòu)成 了一對黃金搭檔，所發(fā)揮出來的卓絕性能使其一時成為市場的最大亮 點，但生產(chǎn)成本過高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況，最后被市場所淘汰。由于英特爾已經(jīng)放棄了對 RDRAM的支持，所以目前主流 芯片組的雙通道內(nèi)存技術(shù)均是指雙通道 DDR內(nèi)存技術(shù)，主流雙通道內(nèi)存平臺英特爾方面是英特爾865、875系列，而Axx方面則是NVIDIANforce2 系列。雙通道內(nèi)存技術(shù)是解決 CPU總線帶寬與內(nèi)存帶寬的矛盾的 低價、高性能的方案?，F(xiàn)在 CPU的FSB（前端

3、總線頻率）越來越高， 英特爾Pentium4比AxxAthlonXP 對內(nèi)存帶寬具有高得多的需求。 英特爾Pen tium4處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸采用QDR（QuadDataRate ，四次數(shù)據(jù)傳輸）技術(shù)，其FSB是外頻的4倍。 英特爾Pentium4 的FSB分別是400、533、800MHz，總線帶寬分 別 是 3.2GB/sec ，4.2GB /sec 和 6.4GB/sec ， 而DDR266/DDR333/DDR400 所能提供的內(nèi)存帶寬分別是 2.1GB/sec，2.7GB/sec 和 3.2GB/sec。在單通道內(nèi)存模式下，DDR 內(nèi)存無法提供CPU所需要的數(shù)據(jù)帶寬從而成為系

4、統(tǒng)的性能瓶頸。而 在雙通道內(nèi)存模式下，雙通道 DDR266、DDR333、DDR400所能 提供的內(nèi)存帶寬分別是 4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在這 里可以看到，雙通道 DDR400 內(nèi)存剛好可以滿足 800MHzFSBPe ntium4處理器的帶寬需求。而對 AxxAthl onXP 平臺而言，其處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)采用 DDR（DoubleDataRate ，雙倍數(shù)據(jù)傳輸）技術(shù)，F(xiàn)SB是外頻的2倍， 其對內(nèi)存帶寬的需求遠遠低于英特爾 Pentium4平臺，其FSB分別 為 266、333、400MHz，總線帶寬分別是 2.1GB/sec，2.7GB/

5、sec 和 3.2GB/sec，使用單通道的 DDR266、 DDR333、DDR400 就能 滿足其帶寬需求，所以在 AxxK7平臺上使用雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)， 可說是收效不多，性能提高并不如英特爾平臺那樣明顯， 對性能影響 最明顯的還是采用集成顯示芯片的整合型主板。NVIDIA推出的nForce芯片組是第一個把 DDR內(nèi)存接口 擴展為128-bit的芯片組，隨后英特爾在它的 E7500服務(wù)器主板芯 片組上也使用了這種雙通道 DDR內(nèi)存技術(shù)，SiS和VIA也紛紛響應(yīng)， 積極研發(fā)這項可使DDR內(nèi)存帶寬成倍增長的技術(shù)。但是，由于種種 原因，要實現(xiàn)這種雙通道 DDR（128bit的并行內(nèi)存接口）傳

6、輸對于眾 多芯片組廠商來說絕非易事。 DDRSDRAM 內(nèi)存和RDRAM內(nèi)存完 全不同，后者有著高延時的特性并且為串行傳輸方式，這些特性決定了設(shè)計一款支持雙通道RDRAM內(nèi)存芯片組的難度和成本都不算太 高。但DDRSDRAM內(nèi)存卻有著自身局限性，它本身是低延時特性 的，采用的是并行傳輸模式，還有最重要的一點：當DDRSDRAM工作頻率高于400MHz時，其信號波形往往會出現(xiàn)失真問題，這些 都為設(shè)計一款支持雙通道 DDR內(nèi)存系統(tǒng)的芯片組帶來不小的難度， 芯片組的制造成本也會相應(yīng)地提高，這些因素都制約著這項內(nèi)存控制 技術(shù)的發(fā)展。普通的單通道內(nèi)存系統(tǒng)具有一個 64位的內(nèi)存控制器，而雙 通道內(nèi)存系統(tǒng)則

7、有2個64位的內(nèi)存控制器，在雙通道模式下具有 128bit的內(nèi)存位寬，從而在理論上把內(nèi)存帶寬提高一倍。雖然雙 64 位內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個128位內(nèi)存體系所提供的帶寬， 但是二者所達到效果卻是不同的。 雙通道體系包含了兩個獨立的、 具 備互補性的智能內(nèi)存控制器，理論上來說，兩個內(nèi)存控制器都能夠在 彼此間零延遲的情況下同時運作。比如說兩個內(nèi)存控制器，一個為A、 另一個為B。當控制器B準備進行下一次存取內(nèi)存的時候，控制器A 就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補“天性” 可以讓等待時間縮減50%。雙通道DDR的兩個內(nèi)存控制器在功能 上是完全一樣的，并且兩個控制器的時序參數(shù)都

8、是可以單獨編程設(shè)定 的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構(gòu)造、容量、速度的 DIMM內(nèi)存條，此時雙通道DDR簡單地調(diào)整到最低的內(nèi)存標準來實 現(xiàn)128bit帶寬，允許不同密度/等待時間特性的DIMM內(nèi)存條可以 可靠地共同運作。支持雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)的臺式機芯片組，英特爾平臺方 面有英特爾的 865P、865G、865GV、865PE、875P 以及之后的 915、925 系列;VIA 的 PT880，ATI 的 Radeon9100IGP 系列，SIS 的 SIIS655，SIS655FX 和 SIS655TX;Axx 平臺方面則有 VIA 的 KT880，NVIDIA 的 nForce2U

9、ltra400 ，nForce2IGP ，nForce2SPP 及其以后的芯片。Axx的64位CPU，由于集成了內(nèi)存控制器，因此是否支持 內(nèi)存雙通道看CPU就可以。目前Axx的臺式機CPU，只有939接口的才支持內(nèi)存雙通道，754接口的不支持內(nèi)存雙通道。除了 Axx 的64位CPU ,其他計算機是否可以支持內(nèi)存雙通道主要取決于主板 芯片組，支持雙通道的芯片組上邊有描述， 也可以查看主板芯片組資 料。此外有些芯片組在理論上支持不同容量的內(nèi)存條實現(xiàn)雙通道，不過實際還是建議盡量使用參數(shù)一致的兩條內(nèi)存條。內(nèi)存雙通道一般要求按主板上內(nèi)存插槽的顏色成對使用，此外有些主板還要在BIOS做一下設(shè)置，一般主板說明書會有說明。當 系統(tǒng)已經(jīng)實現(xiàn)雙通道后，有些主板在開機自檢時會有提示， 可以仔細 看看。由于自檢速度比較快，所以可能看不到。因此