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1、 電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路分析與設(shè)計(jì)摘要:電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路決定整機(jī)工作頻率,是影響開關(guān)功率管逆變的重要因素。通過對(duì)脈沖變壓器及理想激勵(lì)電流波形的分析,如何提高轉(zhuǎn)換速率,阻尼振蕩予以討論,指出目前存在的設(shè)計(jì)誤區(qū),做出減少共態(tài)導(dǎo)通與開關(guān)損耗的新設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞:轉(zhuǎn)換速率;阻尼振蕩;共態(tài)導(dǎo)通;開關(guān)損耗;新設(shè)計(jì)0引言眾所周知,電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路極為重要,它直接關(guān)系到整機(jī)的工作頻率、開關(guān)損耗、轉(zhuǎn)換效率、輸出功率;同時(shí)對(duì)EMC、THD、P摘要:電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路決定整機(jī)工作頻率,是影響開關(guān)功率管逆變的重要因素。通過對(duì)脈沖變壓器及理想激勵(lì)
2、電流波形的分析,如何提高轉(zhuǎn)換速率,阻尼振蕩予以討論,指出目前存在的設(shè)計(jì)誤區(qū),做出減少共態(tài)導(dǎo)通與開關(guān)損耗的新設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞:轉(zhuǎn)換速率;阻尼振蕩;共態(tài)導(dǎo)通;開關(guān)損耗;新設(shè)計(jì)0 引言 眾所周知,電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路極為重要,它直接關(guān)系到整機(jī)的工作頻率、開關(guān)損耗、轉(zhuǎn)換效率、輸出功率;同時(shí)對(duì)EMC、THD、PF等主要技術(shù)指標(biāo)也有一定影響。目前比較實(shí)用的技術(shù)方案是雙極型晶體管作半橋聯(lián)接,由磁環(huán)構(gòu)成脈沖變壓器反饋產(chǎn)生自激振蕩,輸出高頻脈沖電流供熒光燈管作光電轉(zhuǎn)換。由于晶體管基區(qū)的存儲(chǔ)效應(yīng),延遲了關(guān)斷時(shí)間;集電結(jié)電容使輸出脈沖電流對(duì)輸入端構(gòu)成不
3、良影響;特別是輸入電路中的脈沖變壓器,當(dāng)半橋逆變電路工作時(shí),開關(guān)電流在其初級(jí)繞組中產(chǎn)生振鈴,其正峰值與基區(qū)存儲(chǔ)的正電荷合力促使開關(guān)管延遲關(guān)斷,或重復(fù)導(dǎo)通,這就造成“共態(tài)導(dǎo)通”,輕則開關(guān)損耗增大,三極管發(fā)燙,重則開機(jī)就進(jìn)入二次擊穿,而且任何保護(hù)電路對(duì)它都無能為力。 為此,研究開關(guān)管迅速導(dǎo)通、徹底關(guān)斷的理想激勵(lì)條件,設(shè)計(jì)由雙極型晶體管構(gòu)成的電子鎮(zhèn)流器半橋逆變輸入電路最佳方案很有必要。1 開關(guān)管迅速導(dǎo)通的激勵(lì)條件 雙極型晶體管的電流放大系數(shù)值并非是一個(gè)常量,而是隨信號(hào)頻率的增大而減小的。當(dāng)基極
4、注入階躍電流Ib時(shí),集電極電流ic上升隨時(shí)間的變化是非線性的,即 ic(t)=oIb(1)(1) 式中:o為低頻時(shí)的值; o=2f(f為晶體管共射電路截止頻率)。 若令 Tce=1/o, 則 ic(t)=oIb(1)(2) 式(2)表
5、明,基極注入階躍電流Ib時(shí),集電極電流ic按指數(shù)規(guī)律逐漸上升到最大值oIb。若令開啟時(shí)間tk為集電極電流ic從零上升到最大值oIb的90所需時(shí)間,上式改寫為oIb=oIb(1)(3) 解式(3)得 tkTce(4) 根據(jù)式(4)作出圖1是基極階躍電流Ib對(duì)ic的影響。(a)基極階段電流Ib (b)集電極電流ic圖1 Ib對(duì)ic
6、的影響 舉例:電子鎮(zhèn)流器常用晶體管MJE13005的o=20,fT=4MHz, 則f=fT/=4MHz/20=200kHz, Tce=1/o=1/2f0.80s, 故tkTce 工作在30kHz左右的電子鎮(zhèn)流器,單個(gè)脈寬為16.7s,開啟時(shí)間占11是比較長的。而開啟時(shí)間越長,開關(guān)損耗隨著增大。如果加大注入階躍電流ib為臨界飽和電流Ib的N倍,可以使開啟時(shí)間tk相應(yīng)縮短,即
7、 oIb=oNIb(1)(5) 解式(6)得 tk=Tceln(6) 圖2是過激勵(lì)對(duì)開啟時(shí)間的影響,從曲線圖中看出:N>2時(shí),tk的減小不太明顯了。反之,激勵(lì)過大,又引起開關(guān)管的深度飽和,并消耗太多的激勵(lì)功率。對(duì)于電子鎮(zhèn)流器逆變電路,取N=2是合適的,即 ic(7) 式中:Icp為開關(guān)管工作時(shí)集電極電流峰值。(a)激勵(lì)電流
8、; (b)倍數(shù)N的影響圖2 過激勵(lì)對(duì)開啟時(shí)間的影響 以MJE13005管為例,取過激勵(lì)倍數(shù)N=2,則tk=Tceln=0.8s×ln20.8s×0.7=0.56s,這一計(jì)算結(jié)果與圖2所示曲線相似,它僅為原開啟時(shí)間的3/10。2 開關(guān)管迅速截止的激勵(lì)條件 開關(guān)管從導(dǎo)通到截止的物理過程與開啟時(shí)基本相同。由于基區(qū)存儲(chǔ)效應(yīng)和集電結(jié)電容的影響,導(dǎo)通時(shí)的集電極電流維持在飽和值Ic=oIb,當(dāng)基極注入電
9、流Ib突然下降為零,ic不可能突變?yōu)榱?,而是按指?shù)規(guī)律下降: ic=Ic(8) 若規(guī)定下降時(shí)間tx的定義域是:當(dāng)ic降到oIb的1/10時(shí)所需的時(shí)間,即oIb=oIb(9) 解式(9)得 txTce(10) 下降時(shí)間tx越長,開關(guān)損耗也越大。當(dāng)電路工作在半橋逆變狀態(tài)時(shí),一只開關(guān)管尚未完全截止而另一只開關(guān)管已開始導(dǎo)通的瞬間,直流回路處于短路狀態(tài),所出現(xiàn)的ic峰值是驚人的,這種“共態(tài)導(dǎo)通”是引起開關(guān)管二次擊穿的重要原因。當(dāng)開
10、關(guān)管選定之后,縮短下降時(shí)間tx的最佳方案是基極注入反向電流,將基區(qū)存儲(chǔ)的大量的正電荷在極短時(shí)間內(nèi)相互完全中和,實(shí)現(xiàn)迅速關(guān)斷的目的。設(shè)基極反向激勵(lì)電流加大為NIb時(shí),電流ic降至oNIb(此式只限于解釋,因?yàn)閂ce>0,ic實(shí)際上不出現(xiàn)負(fù)值)。在反向激勵(lì)電流作用下,ic從Ic下降至零的時(shí)間為tx,則 0=oIb(1N)(11) 解式(11)得 tx=Tceln(12) 依照式(12)得圖3的反向激勵(lì)倍數(shù)N與截止時(shí)間的關(guān)系。如圖3所示,當(dāng)N>3后
11、,效果不太顯著。工程上一般取ib3Ib=。 (a)基極注入反向電流 (b)截止時(shí)間tx(N)關(guān)系曲線圖3 反向激勵(lì)倍數(shù)與截止時(shí)間的關(guān)系 以MJE13005為例,未加反向過激勵(lì)電流時(shí)的txTce1.84s,加反向過激勵(lì),取N=3時(shí) tx=Tcesln 顯然,開關(guān)管基極加上3倍的Ib反向過激勵(lì),下降時(shí)間tx可以從1.84s縮短到0.224s。由此可知,由于雙極型晶體管開關(guān)管的存儲(chǔ)效應(yīng),基極驅(qū)動(dòng)的理想激勵(lì)電流波形如
12、圖4所示。 圖4中:t1t2為開關(guān)管導(dǎo)通瞬時(shí)基極注入電流ib,峰值為2Ib,有助于迅速導(dǎo)通,縮短過渡期,減少開關(guān)損耗。 圖4 基極驅(qū)動(dòng)的理想激勵(lì)電流波形 t2t3為開關(guān)管維持導(dǎo)通時(shí)間,此時(shí)的Ib在滿足其導(dǎo)通的條件下,盡量小些,避免深度飽和,有利于減小開關(guān)管的存儲(chǔ)時(shí)間。 t3t4為開關(guān)管截止瞬間,其反向電流峰值達(dá)3倍的Ib值,增加其基極反向電流,從而減小存儲(chǔ)時(shí)間和下降時(shí)間。3 脈沖變壓器工作狀態(tài)分析
13、; 電子鎮(zhèn)流器常用鐵氧體磁芯構(gòu)成的環(huán)形脈沖變壓器作為驅(qū)動(dòng)元件。由于激勵(lì)電壓脈沖是方波,其平頂部分含低頻分量多,而脈沖前后沿高頻分量多。這樣對(duì)脈沖變壓器的要求就嚴(yán)格了,既要求足夠的互感,又要漏感小、分布電容小。因此,具有矩形磁滯回線及磁滯損耗小,飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs高,外形為10mm×6mm× 5mm的R2K材料磁環(huán)最佳。其磁路是閉合的,漏磁最小。工藝上要盡量減小其寄生參數(shù)。 圖5為脈沖變壓器結(jié)構(gòu)及等效電路。運(yùn)用拉氏變換法可得到四端網(wǎng)絡(luò)等效電路,圖5中繞組1為初級(jí),繞阻2為次級(jí)。Rs是訊號(hào)源的內(nèi)阻,LP是漏電感,LM為
14、磁化電感,C是分布電容,RL是開關(guān)管基極回路的折合到初級(jí)的電阻值。 (a)結(jié)構(gòu)示意 (b)等效電路圖5
15、; 脈沖變壓器 當(dāng)電子鎮(zhèn)流器的燈管、鎮(zhèn)流電感器和啟動(dòng)電容選定之后,其振蕩頻率主要取決于開關(guān)管的基極回路、脈沖變壓器的材料、幾何尺寸、初次級(jí)繞組匝數(shù)。工程上的振蕩頻率f可由式(13)導(dǎo)出。 f=(13) 式中:Vs為初級(jí)繞組的驅(qū)動(dòng)電壓; N為初級(jí)繞組圈數(shù); s為磁芯飽和磁通密度;
16、; S為磁環(huán)有效截面積; K為系數(shù),矩形波取4.0。 本文所述磁環(huán)的有效截面積S為 S=h=×510mm22 設(shè)Vs為2.5V,s=0.45T,N取4匝,代入式(13)得 f 上述計(jì)算值僅供工程技術(shù)人員在設(shè)計(jì)中作參考。實(shí)際調(diào)試中,其工作頻率還受開關(guān)管的ts值、基極輸入回路阻抗及與開關(guān)管并聯(lián)的補(bǔ)償電容器數(shù)值
17、的影響而稍有偏離。 圖5為脈沖變壓器結(jié)構(gòu)及等效電路。運(yùn)用拉氏變換法可得到四端網(wǎng)絡(luò)等效電路,圖5中繞組1為初級(jí),繞阻2為次級(jí)。Rs是訊號(hào)源的內(nèi)阻,LP是漏電感,LM為磁化電感,C是分布電容,RL是開關(guān)管基極回路的折合到初級(jí)的電阻值。 (a)結(jié)構(gòu)示意
18、60; (b)等效電路圖5 脈沖變壓器 當(dāng)電子鎮(zhèn)流器的燈管、鎮(zhèn)流電感器和啟動(dòng)電容選定之后,其振蕩頻率主要取決于開關(guān)管的基極回路、脈沖變壓器的材料、幾何尺寸、初次級(jí)繞組匝數(shù)。工程上的振蕩頻率f可由式(13)導(dǎo)出。 f=(13)式中:Vs為初級(jí)繞組的驅(qū)動(dòng)電壓; N為初級(jí)
19、繞組圈數(shù); s為磁芯飽和磁通密度; S為磁環(huán)有效截面積; K為系數(shù),矩形波取4.0。 本文所述磁環(huán)的有效截面積S為 S=h=×510mm22 設(shè)Vs為2.5V,s=0.45T,N取4匝,代入式(13)得
20、60;f 上述計(jì)算值僅供工程技術(shù)人員在設(shè)計(jì)中作參考。實(shí)際調(diào)試中,其工作頻率還受開關(guān)管的ts值、基極輸入回路阻抗及與開關(guān)管并聯(lián)的補(bǔ)償電容器數(shù)值的影響而稍有偏離。 應(yīng)該引起重視的是:半橋逆變電路輸出電壓波形是典型的方波,流經(jīng)脈沖變壓器繞組的電流的上升沿和下降沿會(huì)產(chǎn)生振鈴現(xiàn)象,波形發(fā)生畸變,如圖6所示。 圖6 電流的上升沿和下降沿產(chǎn)生的振鈴現(xiàn)象 對(duì)于電子鎮(zhèn)流器來說,下降沿的振鈴電流幅度大危害也大。產(chǎn)生振鈴電流的根本原因是矩形脈沖的上升沿和下降沿的過沖所造成的。由于脈沖前后
21、沿包含著豐富的高頻成份,頻率越高,LM的感抗LM值越大,當(dāng)?shù)刃ё杩棺銐虼髸r(shí),此處就會(huì)產(chǎn)生振蕩。振蕩的強(qiáng)度與基極回路的等效阻抗有關(guān)。阻尼系數(shù)可以由式(14)表示。 =(14) 根據(jù)式(14)可以繪制出圖7所示的3種阻尼曲線。圖7 不同時(shí)的阻尼特性 取臨界阻尼=1 當(dāng)>1時(shí)為過阻尼,波形上、下沿過渡緩慢,導(dǎo)致開關(guān)管進(jìn)入放大區(qū)時(shí)間拉長,損耗增大,開關(guān)管發(fā)熱。 當(dāng)<1時(shí)
22、,雖然開關(guān)管導(dǎo)通,截止加速,表現(xiàn)為開關(guān)管溫升極低。然而,下降沿振鈴電流的上沖部分與基極存儲(chǔ)電荷的雙重作用下,使開關(guān)管延遲關(guān)斷或重復(fù)導(dǎo)通,這是共態(tài)導(dǎo)通的元兇。 一些技術(shù)人員反映:當(dāng)電路損耗調(diào)到熒光燈管消耗功率的1/10以下時(shí),MJE13005散熱板上摸不出溫升感覺,一直工作正常。當(dāng)更換燈管或電源電壓稍有變化,開機(jī)瞬間就被擊穿,百思不得其解。這一現(xiàn)象從<1時(shí)的理論分析可得出答案:當(dāng)電源電壓升高或燈管老化,管壓增高時(shí),等效負(fù)載電阻RL也增大;同時(shí),開關(guān)電路的工作頻率也隨之偏離,振鈴電流驟然增大,嚴(yán)重時(shí)開機(jī)瞬間半橋逆變電路的開關(guān)管因共態(tài)導(dǎo)通迅速進(jìn)入二次擊穿區(qū)域
23、。振鈴輕微的工作頻率攀升,數(shù)分鐘后,功率猛增,開關(guān)管溫升達(dá)100左右,最終也會(huì)被燒毀。4 輸入電路的設(shè)計(jì)41 脈沖變壓器的設(shè)計(jì) 在電子鎮(zhèn)流器中,脈沖變壓器猶如人體中的心臟,它是決定電路工作效率及可靠性的關(guān)鍵。 首先是材料的選擇,為了實(shí)現(xiàn)理想的驅(qū)動(dòng)基極電流波形,要求磁芯的起始磁導(dǎo)率i和飽和磁通密度BS要高些,而剩磁Br和矯頑力HO越小,越有利于電流轉(zhuǎn)換。居里溫度TC和磁阻Rm選得高些,電路工作穩(wěn)定性好,損耗也小,這已成為工程技術(shù)人員的共識(shí)。選擇國產(chǎn)RM2
24、KD鐵氧體材料一般能滿足要求。對(duì)于10mm×6mm×5mm磁環(huán),測(cè)得i=2500,TC=220,BS=0.45T。 其次是脈沖變壓器的初次級(jí)繞組的確定。一般先計(jì)算出初級(jí)繞組的電感量LM。 LM=tuRL/(15)式中:tu為脈沖持續(xù)時(shí)間; 工程上大多取0.8為脈沖頂部下降畸變系數(shù)。 按式(16)可以估算初級(jí)繞組圈數(shù)N。
25、; N=(16)式中:l為磁環(huán)平均磁路長度; 為鐵芯磁導(dǎo)率; S為磁環(huán)截面積。 設(shè)計(jì)中,RL隨著初次級(jí)匝比、開關(guān)管基極串聯(lián)的限流電阻Rb及開關(guān)管發(fā)射極電阻的變化而變化,此等效阻抗要作適當(dāng)調(diào)整。42 基極輸入電路的設(shè)計(jì) 脈沖變壓器參數(shù)確定之后,開關(guān)管輸入電路的設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的。設(shè)計(jì)的依據(jù)是盡
26、量符合理想激勵(lì)電流波形。根據(jù)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)際情況和工藝上的要求,結(jié)合脈沖變壓器的固有特性,電路結(jié)構(gòu)要簡單,性能要穩(wěn)定,一致性好,實(shí)用性較強(qiáng)。 方案之一:反向二極管阻尼電路,如圖8所示。 圖8 反向二極管阻尼電路 圖8中快速恢復(fù)二極管D與開關(guān)管的基極限流電阻Rb反向并聯(lián),基極與地之間還并聯(lián)一只防振電容器C。對(duì)于脈沖上升沿和平頂段,因D的反接而不起作用,Rb的限流作用,使ib稍大于Ib,適當(dāng)調(diào)整次級(jí)繞組圈數(shù),開關(guān)管迅速導(dǎo)通而不進(jìn)入過飽和狀態(tài)。而當(dāng)脈沖下降沿到來,D正向偏置而導(dǎo)通,脈沖
27、變壓器輸出的負(fù)向過沖電流順利注入開關(guān)管基極,按dib/dt的速率將基區(qū)存儲(chǔ)的正電荷迅速中和,瞬間進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)。C的作用是進(jìn)一步消除脈沖上升、下降沿所產(chǎn)生的振鈴電流,使開關(guān)管安全工作。方案之二:RC并聯(lián)阻尼電路,如圖9所示。 圖9 RC并聯(lián)阻尼電路 圖9中RC并聯(lián)在開關(guān)管基極與地之間。阻尼電阻R的接入使防振電容C有一個(gè)放電回路,增強(qiáng)阻尼消振作用。同時(shí)R阻值一般與開關(guān)管的輸入阻抗相仿,約33100之間,特別是在開關(guān)管關(guān)斷時(shí),R對(duì)脈沖變壓器的阻尼作用是明顯增強(qiáng)的。再一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于R的接入使開關(guān)管耐壓Vcer值進(jìn)一步得以提高,特別是大功率電子鎮(zhèn)流器,其可靠性提高是顯著的。該電路結(jié)構(gòu)簡單,成本低,但很是實(shí)用。它與脈沖變壓器相配合,調(diào)試得當(dāng),工作穩(wěn)定可靠。設(shè)計(jì)在燈具中,即使不設(shè)燈管開路保護(hù)電路,也不會(huì)引起電子鎮(zhèn)流器的損壞。 方案之三:在上述兩種方案的基礎(chǔ)上,開關(guān)管基極回路中串接一只2050H的電感器,對(duì)高頻振鈴電流呈現(xiàn)較大的阻抗,衰減也大。該方案最大優(yōu)點(diǎn)是調(diào)試簡單,而效果達(dá)到事半功倍。 筆者就最近公告的發(fā)明專利雙重功率因數(shù)校正低波峰比電子鎮(zhèn)流器,設(shè)有雙重功率因數(shù)校正和
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