與IC有關(guān)部分筆試面試題目復(fù)習(xí)資料舉例

1、21、我們公司的產(chǎn)品是集成電路，請(qǐng)描述一下你對(duì)集成電路的認(rèn)識(shí)，列舉一些與集成電路相關(guān)的、我們公司的產(chǎn)品是集成電路，請(qǐng)描述一下你對(duì)集成電路的認(rèn)識(shí)，列舉一些與集成電路相關(guān)的內(nèi)容（如講清楚模擬、數(shù)字、雙極型、內(nèi)容（如講清楚模擬、數(shù)字、雙極型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。等的概念）。3單片微型計(jì)算機(jī)單片微型計(jì)算機(jī)(簡稱單片機(jī)簡稱單片機(jī))有時(shí)也稱為微控制器有時(shí)也稱為微控制器MCU (micro control unit) 。 當(dāng)然，與當(dāng)然，與MPU相比，相比，MCU上的上的CPU的功能比較簡單，存儲(chǔ)器的容量也很有限。的功能比較簡單，存儲(chǔ)器的容量也很有限。M

2、CU已被廣泛已被廣泛應(yīng)用于各種家用電器產(chǎn)品以及工業(yè)控制。用得最多的是應(yīng)用于各種家用電器產(chǎn)品以及工業(yè)控制。用得最多的是4位和位和8位位MCU。4MCU(Micro Controller Unit)，又稱單片微型計(jì)算機(jī)，又稱單片微型計(jì)算機(jī)(Single Chip Microcomputer)，是指隨，是指隨著大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)及其發(fā)展，將計(jì)算機(jī)的著大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)及其發(fā)展，將計(jì)算機(jī)的CPU、RAM、ROM、定時(shí)數(shù)器和多種、定時(shí)數(shù)器和多種I/O接口集成在一片芯片上，形成芯片級(jí)的計(jì)算機(jī)。接口集成在一片芯片上，形成芯片級(jí)的計(jì)算機(jī)。5通常將采用英特爾處理器的服務(wù)器稱為通常將采用英特爾處理器的服務(wù)器稱

3、為IA (Intel Architecture)架構(gòu)服務(wù)器，由于該架構(gòu)服架構(gòu)服務(wù)器，由于該架構(gòu)服務(wù)器采用了開放式體系，并且實(shí)現(xiàn)了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)和得到國內(nèi)外大量軟硬件供應(yīng)商務(wù)器采用了開放式體系，并且實(shí)現(xiàn)了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)和得到國內(nèi)外大量軟硬件供應(yīng)商的支持，在大批量生產(chǎn)的基礎(chǔ)上，以其極高的性能價(jià)格比而在全球范圍內(nèi)，尤其在我的支持，在大批量生產(chǎn)的基礎(chǔ)上，以其極高的性能價(jià)格比而在全球范圍內(nèi)，尤其在我國得到廣泛的應(yīng)用。國得到廣泛的應(yīng)用。2000年國內(nèi)年國內(nèi)IA架構(gòu)服務(wù)器供應(yīng)商前三位是惠普、架構(gòu)服務(wù)器供應(yīng)商前三位是惠普、IBM、浪潮。、浪潮。6（1）CISC指令集指令集 CISC指令集，也稱為復(fù)雜指令集，英

4、文名是指令集，也稱為復(fù)雜指令集，英文名是CISC，（，（Complex Instruction Set Computer的縮寫）。在的縮寫）。在CISC微處理器中，程序的各條指令是按順序串行執(zhí)行的，每條微處理器中，程序的各條指令是按順序串行執(zhí)行的，每條指令中的各個(gè)操作也是按順序串行執(zhí)行的。順序執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是控制簡單，但計(jì)算機(jī)各指令中的各個(gè)操作也是按順序串行執(zhí)行的。順序執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是控制簡單，但計(jì)算機(jī)各部分的利用率不高，執(zhí)行速度慢。部分的利用率不高，執(zhí)行速度慢。7lRISC是英文是英文“Reduced Instruction Set Computing ” 的縮寫，中文意思是的縮寫，中文意思是“精簡

5、指令精簡指令集集”。它是在。它是在CISC指令系統(tǒng)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，有人對(duì)指令系統(tǒng)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，有人對(duì)CISC機(jī)進(jìn)行測試表明，各種指機(jī)進(jìn)行測試表明，各種指令的使用頻度相當(dāng)懸殊，最常使用的是一些比較簡單的指令，它們僅占指令總數(shù)的令的使用頻度相當(dāng)懸殊，最常使用的是一些比較簡單的指令，它們僅占指令總數(shù)的20，但在程序中出現(xiàn)的頻度卻占但在程序中出現(xiàn)的頻度卻占80。復(fù)雜的指令系統(tǒng)必然增加微處理器的復(fù)雜性，使處理。復(fù)雜的指令系統(tǒng)必然增加微處理器的復(fù)雜性，使處理器的研制時(shí)間長，成本高。并且復(fù)雜指令需要復(fù)雜的操作，必然會(huì)降低計(jì)算機(jī)的速度。器的研制時(shí)間長，成本高。并且復(fù)雜指令需要復(fù)雜的操作，必然會(huì)降低計(jì)算機(jī)

6、的速度。8 基于上述原因，基于上述原因，20世紀(jì)世紀(jì)80年代年代RISC型型CPU誕生了，相對(duì)于誕生了，相對(duì)于CISC型型CPU ,RISC型型CPU不不僅精簡了指令系統(tǒng)，還采用了一種叫做僅精簡了指令系統(tǒng)，還采用了一種叫做“超標(biāo)量和超流水線結(jié)構(gòu)超標(biāo)量和超流水線結(jié)構(gòu)”，大大增加了并行，大大增加了并行處理能力。處理能力。RISC指令集是高性能指令集是高性能CPU的發(fā)展方向。它與傳統(tǒng)的的發(fā)展方向。它與傳統(tǒng)的CISC(復(fù)雜指令集復(fù)雜指令集)相對(duì)。相對(duì)。相比而言，相比而言，RISC的指令格式統(tǒng)一，種類比較少，尋址方式也比復(fù)雜指令集少。當(dāng)然處的指令格式統(tǒng)一，種類比較少，尋址方式也比復(fù)雜指令集少。當(dāng)然處理速

7、度就提高很多了。目前在中高檔服務(wù)器中普遍采用這一指令系統(tǒng)的理速度就提高很多了。目前在中高檔服務(wù)器中普遍采用這一指令系統(tǒng)的CPU，特別是，特別是高檔服務(wù)器全都采用高檔服務(wù)器全都采用RISC指令系統(tǒng)的指令系統(tǒng)的CPU。RISC指令系統(tǒng)更加適合高檔服務(wù)器的操作指令系統(tǒng)更加適合高檔服務(wù)器的操作系統(tǒng)系統(tǒng)UNIX，現(xiàn)在，現(xiàn)在Linux也屬于類似也屬于類似UNIX的操作系統(tǒng)。的操作系統(tǒng)。RISC型型CPU與與Intel和和AMD的的CPU在軟件和硬件上都不兼容。在軟件和硬件上都不兼容。9ASIC:專用集成電路，它是面向?qū)ｉT用途的電路，專門為一個(gè)用戶設(shè)計(jì)和制造的。根據(jù)一個(gè)專用集成電路，它是面向?qū)ｉT用途的電路，

8、專門為一個(gè)用戶設(shè)計(jì)和制造的。根據(jù)一個(gè)用戶的特定要求，能以低研制成本，短、交貨周期供貨的全定制，半定制集成電路。與門陣用戶的特定要求，能以低研制成本，短、交貨周期供貨的全定制，半定制集成電路。與門陣列等其它列等其它ASIC (Application Specific IC)相比，它們又具有設(shè)計(jì)開發(fā)周期短、設(shè)計(jì)制造成本低、相比，它們又具有設(shè)計(jì)開發(fā)周期短、設(shè)計(jì)制造成本低、開發(fā)工具先進(jìn)、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無需測試、質(zhì)量穩(wěn)定以及可實(shí)時(shí)在線檢驗(yàn)等優(yōu)點(diǎn)。開發(fā)工具先進(jìn)、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無需測試、質(zhì)量穩(wěn)定以及可實(shí)時(shí)在線檢驗(yàn)等優(yōu)點(diǎn)。10從從ASIC的發(fā)展看，它的主要特點(diǎn)不單純?cè)谄浔旧淼膶Ｓ眯?，其更深的含義在于用戶直接參的發(fā)展看，它

9、的主要特點(diǎn)不單純?cè)谄浔旧淼膶Ｓ眯?，其更深的含義在于用戶直接參與集成電路的設(shè)計(jì)。由于與集成電路的設(shè)計(jì)。由于ASIC是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一部分，它要求系統(tǒng)設(shè)計(jì)者直接參與芯片電是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一部分，它要求系統(tǒng)設(shè)計(jì)者直接參與芯片電路設(shè)計(jì)。路設(shè)計(jì)。ASIC可以是專為某一類特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的集成電路，稱為標(biāo)準(zhǔn)專用電路可以是專為某一類特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的集成電路，稱為標(biāo)準(zhǔn)專用電路(ASSP-Application Specific Standard Product)，也可以是專為某一用戶的特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的集，也可以是專為某一用戶的特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的集成電路，稱為定制專用電路。成電路，稱為定制專用電路。11 FPGA (Fie

10、ld Programmable Gate Array)是可編程是可編程ASIC 。FPGA兼顧了兼顧了PLD和門陣列兩者的優(yōu)和門陣列兩者的優(yōu)點(diǎn)：點(diǎn)： 具有門陣列電路那樣的單元陣列結(jié)構(gòu)，但單元與門陣列不同，每個(gè)單元包含了具有門陣列電路那樣的單元陣列結(jié)構(gòu)，但單元與門陣列不同，每個(gè)單元包含了PLA、若干、若干寄存器和多路開關(guān)。寄存器和多路開關(guān)。 又象又象PLD那樣，用戶可以通過編程，任意設(shè)定每個(gè)單元的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)以及單元之間的連那樣，用戶可以通過編程，任意設(shè)定每個(gè)單元的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)以及單元之間的連線線 基本特征：不需要定制式掩膜層，通過可編程實(shí)現(xiàn)組合邏輯和時(shí)序邏輯基本特征：不需要定制式掩膜層，通過可

11、編程實(shí)現(xiàn)組合邏輯和時(shí)序邏輯1213OTP（One Time Programmable）是）是MCU的一種存儲(chǔ)器類型。的一種存儲(chǔ)器類型。MCU按其存儲(chǔ)器類型可分按其存儲(chǔ)器類型可分為掩膜片為掩膜片-MASK(掩模掩模)ROM、OTP(一次性可編程一次性可編程)ROM、FLASH ROM等類型。等類型。MASK ROM的的MCU價(jià)格便宜，但程序在出廠時(shí)已經(jīng)固化，適合程序固定不變的應(yīng)用場合；價(jià)格便宜，但程序在出廠時(shí)已經(jīng)固化，適合程序固定不變的應(yīng)用場合；FALSH ROM的的MCU程序可以反復(fù)擦寫，靈活性很強(qiáng)，但價(jià)格較高，適合對(duì)價(jià)格不敏感的應(yīng)用場合或程序可以反復(fù)擦寫，靈活性很強(qiáng)，但價(jià)格較高，適合對(duì)價(jià)格不

12、敏感的應(yīng)用場合或做開發(fā)用途；做開發(fā)用途；14 OTP ROM的的MCU價(jià)格介于前兩者之間，同時(shí)又擁有一次性可編程能力，適合既要求一價(jià)格介于前兩者之間，同時(shí)又擁有一次性可編程能力，適合既要求一定靈活性，又要求低成本的應(yīng)用場合，尤其是功能不斷翻新、需要迅速量產(chǎn)的電子產(chǎn)定靈活性，又要求低成本的應(yīng)用場合，尤其是功能不斷翻新、需要迅速量產(chǎn)的電子產(chǎn)品。品。15A1A0Y1Y2Y3Y4十進(jìn)制0001101100000001010010010149 熔絲型開關(guān)熔絲型開關(guān) 反熔絲型開關(guān)反熔絲型開關(guān)000000111001用高壓將用高壓將PLICE介質(zhì)擊穿。介質(zhì)擊穿。熔絲斷開為熔絲斷開為1PLICE（可編程邏輯互

13、連電路單元）（可編程邏輯互連電路單元）16在反熔絲在反熔絲PROM中，各連接點(diǎn)放的不是熔絲，而是一種中，各連接點(diǎn)放的不是熔絲，而是一種PLICE編程單元，如圖所示。未編程時(shí)編程單元，如圖所示。未編程時(shí)縱線和橫線間是不通的，編程時(shí)對(duì)需要連接處加上高壓使其中縱線和橫線間是不通的，編程時(shí)對(duì)需要連接處加上高壓使其中PLICE（可編程邏輯互連電路（可編程邏輯互連電路單元）介質(zhì)擊穿而短路，從而達(dá)到該點(diǎn)邏輯連接的目的。單元）介質(zhì)擊穿而短路，從而達(dá)到該點(diǎn)邏輯連接的目的。反熔絲編程示意圖反熔絲編程示意圖(a)反熔絲編程陣列結(jié)構(gòu)反熔絲編程陣列結(jié)構(gòu) (b)PLICE 編程元件編程元件171819了解一家了解一家IC

14、代工公司代工公司(foundry)最直接和簡便的方法，是認(rèn)真瀏覽該代工公司的技術(shù)發(fā)展最直接和簡便的方法，是認(rèn)真瀏覽該代工公司的技術(shù)發(fā)展路線圖路線圖202122嵌入（embed）式系統(tǒng)是指操作系統(tǒng)和功能軟件集成于計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng)之中。簡單的說就是系統(tǒng)的應(yīng)用軟件與系統(tǒng)的硬件一體化，具有軟件代碼小，高度自動(dòng)化，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。特別適合于要求實(shí)時(shí)的和多任務(wù)的體系。嵌入式系統(tǒng)不一定就是單片機(jī)。嵌入式系統(tǒng)主要是將軟件系統(tǒng)固化集成到硬件系統(tǒng)（如放到FLASH）中。Page. 23和艦科技和艦科技(蘇州蘇州 )有限公司有限公司 RoadmapRtn Available Now200620070.35/0.3m

15、 3.3V/ 12V0.35/0.3m 3.3V/ 18V0.35m 3.3V/12V,18V embedded OTP0.25m 2.5V/+-16V0.35m 3.3V CIS0.15m1.5V/+-16V0.18m pixel size 3.2m0.5/0.45m 3.3V/ 5V0.35/0.3m 3.3V/ 5V0.25m 2.5V/3.3V0.18m 1.8V/3.3V0.35/0.3m 3.3V/5V0.25m 2.5V/3.3V, 5V0.18m 1.8V/3.3V0.5m OTP 5V/12V0.35m FLASH 5V/10.5V0.25m FLASH 5V/9V0.25m

16、 e-EEPROM 2.5V/ 3.3V0.15m1.2V/3.3V0.15m1.5V/3.3V0.13 m Cu 1.2V/3.3V0.18mFlash1.8V/3.3V0.13me-Flash1.2V/3.3V2008 Logic Mix Mode NVM Hi-Voltage CIS 0.35m3.3V/13.5V0.25m2.5V/5V0.18me-Flash1.8V/3.3V0.18mRF CMOS0.13mFlash 1.2V/3.3V0.13mAl0.13mAl 1.2V/+-16V0.18m1.8V/+-16V0.13m Al1.2V/3.3V0.13m Cu1.2V/3.3V

17、0.162m1.8/3.3V和艦科技和艦科技(蘇州蘇州 )有限公司有限公司 Roadmap24只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器(Read Only Memory，ROM) 它又稱固定存儲(chǔ)器。它又稱固定存儲(chǔ)器。ROM是把數(shù)據(jù)固定地存儲(chǔ)是把數(shù)據(jù)固定地存儲(chǔ)起來，然后按給定地址進(jìn)行讀出，但不象起來，然后按給定地址進(jìn)行讀出，但不象RAM那樣可以隨時(shí)快速寫入和修改，只能讀出。那樣可以隨時(shí)快速寫入和修改，只能讀出。它在停電后照樣能長期保存數(shù)據(jù)，所以又被稱為不揮發(fā)存儲(chǔ)器它在停電后照樣能長期保存數(shù)據(jù)，所以又被稱為不揮發(fā)存儲(chǔ)器(Nonvolatile Memory)。2519941997199920022005大陸大陸3m0

18、.8m0.35m0.18m0.13m臺(tái)灣臺(tái)灣0.35m0.25m0.18m0.13m0.09m26m級(jí)級(jí) 電路的設(shè)計(jì)和制造問題。生產(chǎn)工藝從電路的設(shè)計(jì)和制造問題。生產(chǎn)工藝從 微米級(jí)微米級(jí)(micro-M)（3m、2m1985年、年、1.5m、1m1989年）、年）、 亞微米級(jí)（亞微米級(jí)（submicro-SM）（）（0.7m、0.5m1993年）發(fā)展到年）發(fā)展到 深亞微米（深亞微米（deep submicro-DSM）（）（0.35m1997年、年、0.25m、0.18m2001年、年、0.13m），）， 超深亞微米或亞超深亞微米或亞0.1m2005年（年（very deep submicro-

19、VDSM ）。）。27 GDSIIGraphicalDesignSystemII二進(jìn)制格式用來備份、導(dǎo)入、導(dǎo)出版圖，以及提交給Foundry流片 CIFCaltechIntermediateFormat文本格式 EDIFElectronicDesignInterchangeFormat文本格式EDIF格式也用于描述線路圖、網(wǎng)表、符號(hào)等其他數(shù)據(jù)2829 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體管、電容器、邏輯門晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體管、電容器、邏輯門等），為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程等），為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)

20、雜且資金投入最多的過程 ，以微處理器（，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬一臺(tái)，其所需制為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵（含塵（Particle）均需控制的無塵室）均需控制的無塵室/超凈間（超凈間（Clean-Room），雖然詳），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適當(dāng)細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適當(dāng)?shù)那逑矗ǖ?/p>

21、清洗（Cleaning）之後，接著進(jìn)行氧化（）之後，接著進(jìn)行氧化（Oxidation）及沉積，最後進(jìn)行顯影、蝕刻及離子注入）及沉積，最後進(jìn)行顯影、蝕刻及離子注入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。30 晶圓處理制程（晶圓處理制程（Wafer Fabrication；簡稱；簡稱 Wafer Fab） 1.圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上 2. 摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻

22、雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等 3. 制膜：制作各種材料的薄膜制膜：制作各種材料的薄膜31圖形轉(zhuǎn)換：圖形轉(zhuǎn)換：光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕摻雜：摻雜：離子注入離子注入 退火退火擴(kuò)散擴(kuò)散制膜：制膜：氧化：干氧氧化、濕氧氧化等氧化：干氧氧化、濕氧氧化等CVD：APCVD、LPCVD、PECVDPVD：蒸發(fā)、濺射：蒸發(fā)、濺射32后部封裝、測試后部封裝、測試 （在另外廠房）（在另外廠房）（1）背面減?。┍趁鏈p?。?）劃片、掰片）劃片、掰片（3）粘片）粘片（4）壓焊：金絲球焊）壓焊：金絲

23、球焊（5）切筋）切筋（6）整形）整形（7）封裝）封裝（8）沾錫：保證管腳的電學(xué)接觸）沾錫：保證管腳的電學(xué)接觸（9）老化）老化（10）成測，篩選）成測，篩選（11）打字、包裝）打字、包裝33后工序后工序劃片劃片封裝封裝測試測試?yán)匣匣Y選篩選 輔助工序輔助工序超凈廠房技術(shù)超凈廠房技術(shù)超純水、高純氣體制備技術(shù)超純水、高純氣體制備技術(shù)光刻掩膜版制備技術(shù)光刻掩膜版制備技術(shù)材料準(zhǔn)備技術(shù)材料準(zhǔn)備技術(shù)34351.雙極集成電路的基本制造工藝2.CMOS集成電路工藝3.Bi-CMOS集成電路工藝36 1.)雙極集成電路中元件的形成過程和元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件的形成過程和元件結(jié)構(gòu) 由典型的由典型的PN結(jié)隔離的

24、摻金結(jié)隔離的摻金TTL電路工藝制作的集成電路中的晶體管的剖面圖如下圖所示，它基本上由電路工藝制作的集成電路中的晶體管的剖面圖如下圖所示，它基本上由表面圖形表面圖形(由光刻掩模決定由光刻掩模決定)和雜質(zhì)濃度分布決定。和雜質(zhì)濃度分布決定。ALSiO2BPP+P-SUBN+ECN+-BLN-epiP+典型數(shù)字集成電路中典型數(shù)字集成電路中NPN晶體管剖面圖晶體管剖面圖 37 2. )CMOS集成電路工藝集成電路工藝 體硅體硅CMOS工藝設(shè)計(jì)中阱工藝的選擇工藝設(shè)計(jì)中阱工藝的選擇 (1) p阱工藝阱工藝實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)CMOS電路的工藝技術(shù)有多種。電路的工藝技術(shù)有多種。CMOS是在是在PMOS工藝技術(shù)基礎(chǔ)上于工藝

25、技術(shù)基礎(chǔ)上于1963年年 發(fā)展起來的，因發(fā)展起來的，因此采用在此采用在n型襯底上的型襯底上的p阱制備阱制備NMOS器件是很自然的選擇。由于氧化層中正電荷的作用以及負(fù)的金器件是很自然的選擇。由于氧化層中正電荷的作用以及負(fù)的金屬屬(鋁鋁)柵與襯底的功函數(shù)差，使得在沒有溝道離子注入技術(shù)的條件下，制備低閾值電壓柵與襯底的功函數(shù)差，使得在沒有溝道離子注入技術(shù)的條件下，制備低閾值電壓(絕對(duì)值絕對(duì)值)的的PMOS器件和增強(qiáng)型器件和增強(qiáng)型NMOS器件相當(dāng)困難。于是，采用輕摻雜的器件相當(dāng)困難。于是，采用輕摻雜的n型襯底制備型襯底制備PMOS器件，采用較高器件，采用較高摻雜濃度擴(kuò)散的摻雜濃度擴(kuò)散的p阱做阱做NMO

26、S器件，在當(dāng)時(shí)成為最佳的工藝組合。器件，在當(dāng)時(shí)成為最佳的工藝組合。38考慮到空穴的遷移率比電子遷移率要低近考慮到空穴的遷移率比電子遷移率要低近2倍多，且遷移率的數(shù)值是摻雜濃度的函數(shù)倍多，且遷移率的數(shù)值是摻雜濃度的函數(shù)(輕摻雜襯底的載流子遷移率較高輕摻雜襯底的載流子遷移率較高)。因此，采用。因此，采用p阱工藝有利于阱工藝有利于CMOS電路中兩種類型電路中兩種類型器件的性能匹配，而尺寸差別較小。器件的性能匹配，而尺寸差別較小。p阱阱CMOS經(jīng)過多年的發(fā)展，已成為成熟的主要的經(jīng)過多年的發(fā)展，已成為成熟的主要的CMOS工藝。與工藝。與NMOS工藝技術(shù)一樣，它采用了硅柵、工藝技術(shù)一樣，它采用了硅柵、 等

27、平面和全離子注入技術(shù)。等平面和全離子注入技術(shù)。39 (2) n阱工藝阱工藝為了實(shí)現(xiàn)與為了實(shí)現(xiàn)與LSI的主流工藝增強(qiáng)型的主流工藝增強(qiáng)型/耗層型耗層型(E/D)的完全兼容，的完全兼容，n阱阱CMOS工藝得到了重視和發(fā)展。它工藝得到了重視和發(fā)展。它采用采用E/D NMOS的相同的的相同的p型襯底材料制備型襯底材料制備NMOS器件，采用離子注入形成的器件，采用離子注入形成的n阱制備阱制備PMOS器件，器件，采用溝道離子注入調(diào)整兩種溝遭器件的閾值電壓。采用溝道離子注入調(diào)整兩種溝遭器件的閾值電壓。 n阱阱CMOS工藝與工藝與p阱阱CMOS工藝相比有許多明顯的優(yōu)點(diǎn)。首先是與工藝相比有許多明顯的優(yōu)點(diǎn)。首先是與

28、E/D NMOS工藝完全兼容，因工藝完全兼容，因此，可以直接利用已經(jīng)高度發(fā)展的此，可以直接利用已經(jīng)高度發(fā)展的NMOS工藝技術(shù)；其次是制備在輕摻雜襯底上的工藝技術(shù)；其次是制備在輕摻雜襯底上的NMOS的性能得的性能得到了最佳化到了最佳化-保持了高的電子遷移率，低的體效應(yīng)系數(shù)，低的保持了高的電子遷移率，低的體效應(yīng)系數(shù)，低的n+結(jié)的寄生電容，降低了漏結(jié)勢壘區(qū)的結(jié)的寄生電容，降低了漏結(jié)勢壘區(qū)的電場強(qiáng)度，從而降低了電子碰撞電離所產(chǎn)生的電流等。這個(gè)優(yōu)點(diǎn)對(duì)動(dòng)態(tài)電場強(qiáng)度，從而降低了電子碰撞電離所產(chǎn)生的電流等。這個(gè)優(yōu)點(diǎn)對(duì)動(dòng)態(tài)CMOS電路，如時(shí)鐘電路，如時(shí)鐘CMOS電路，多米諾電路等的性能改進(jìn)尤其明顯。電路，多米諾

29、電路等的性能改進(jìn)尤其明顯。 40 (3) 雙阱工藝雙阱工藝雙阱雙阱CMOS采用高濃度的采用高濃度的n+襯底，在上面生長高阻襯底，在上面生長高阻r外延層，并在其上形成外延層，并在其上形成n阱和阱和p阱。它阱。它有利于每種溝道類型的器件性能最佳化，且因存在低阻的通道，使可控硅鎖閂效應(yīng)受到抑有利于每種溝道類型的器件性能最佳化，且因存在低阻的通道，使可控硅鎖閂效應(yīng)受到抑制。圖制。圖A(c)是雙阱是雙阱CMOS結(jié)構(gòu)示意圖。最為理想的結(jié)構(gòu)示意圖。最為理想的CMOS結(jié)構(gòu)應(yīng)該是絕緣襯底上的結(jié)構(gòu)應(yīng)該是絕緣襯底上的CMOS技技術(shù)術(shù)(SOI/CMOS)。它徹底消除了體硅。它徹底消除了體硅CMOS電路中的電路中的“可

30、控硅鎖閂可控硅鎖閂”效應(yīng)，提高抗輻射能力效應(yīng)，提高抗輻射能力并有利于速度和集成度的提高。并有利于速度和集成度的提高。41 SOI/CMOS電路電路利用絕緣襯底的硅薄膜利用絕緣襯底的硅薄膜(Silicon on Insulator)制作制作CMOS電路，能徹底消除體硅電路，能徹底消除體硅CMOS電電路中的寄生可控硅結(jié)構(gòu)。能大幅度減小路中的寄生可控硅結(jié)構(gòu)。能大幅度減小PN結(jié)面積，從而減小了電容效應(yīng)。這樣可以提高結(jié)面積，從而減小了電容效應(yīng)。這樣可以提高芯片的集成度和器件的速度。下圖示出理想的芯片的集成度和器件的速度。下圖示出理想的SOI/CMOS結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)。SOI結(jié)構(gòu)是針對(duì)亞微米結(jié)構(gòu)是針對(duì)亞微米CM

31、OS器件提出的，以取代不適應(yīng)要求的常規(guī)結(jié)構(gòu)和業(yè)已應(yīng)用的蘭寶石襯底外延硅結(jié)構(gòu)器件提出的，以取代不適應(yīng)要求的常規(guī)結(jié)構(gòu)和業(yè)已應(yīng)用的蘭寶石襯底外延硅結(jié)構(gòu)(SOS-Silicon on Sapphire結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu))。SOI結(jié)構(gòu)在高壓集成電路和三維集成電路中也有廣泛應(yīng)用。結(jié)構(gòu)在高壓集成電路和三維集成電路中也有廣泛應(yīng)用。42Bi-CMOS同時(shí)包括雙極和同時(shí)包括雙極和MOS晶體管的集成電路，它結(jié)合了雙極器件的高跨導(dǎo)、強(qiáng)晶體管的集成電路，它結(jié)合了雙極器件的高跨導(dǎo)、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力和驅(qū)動(dòng)能力和CMOS器件的高集成度、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，使它們互相取長補(bǔ)短、發(fā)揮各自器件的高集成度、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，使它們互相取長補(bǔ)短、發(fā)揮各自優(yōu)點(diǎn)，

32、制造高速、高集成度、好性能的優(yōu)點(diǎn)，制造高速、高集成度、好性能的VLSI。43 m、0.15 m 、0.13m工藝，工藝， Intel目前將大部分芯片生產(chǎn)制成轉(zhuǎn)換到目前將大部分芯片生產(chǎn)制成轉(zhuǎn)換到0.09 m、 0.065m 。44雙極型電路結(jié)構(gòu)45CMOS電路結(jié)構(gòu)46Bi-CMOS電路結(jié)構(gòu)47絕緣體上硅工藝SilicononInsulator，SOI48m、0.15 m 、0.13m工藝，晶圓的尺寸也在增加，當(dāng)前的主流晶圓的尺寸為工藝，晶圓的尺寸也在增加，當(dāng)前的主流晶圓的尺寸為4、6吋，正吋，正在向在向8吋晶圓邁進(jìn)。吋晶圓邁進(jìn)。49截至截至2006年，我國年，我國IC生產(chǎn)線共生產(chǎn)線共47條，其中

33、：條，其中： 大尺寸線：大尺寸線：12英寸英寸2條、條、8英寸英寸10條，共條，共12條占條占25.5%，占四分之一。，占四分之一。 中尺寸線：中尺寸線：6英寸英寸12條、條、5英寸英寸9條，共條，共21條，占條，占44.7%，最多為二分之一弱。，最多為二分之一弱。 小尺寸線：小尺寸線：4英寸英寸14條，占條，占29.8%，三分之一弱。，三分之一弱。 總之，從今年我國總之，從今年我國IC生產(chǎn)線投產(chǎn)的速度看出，生產(chǎn)線投產(chǎn)的速度看出，“十一五十一五”規(guī)劃期間原先預(yù)計(jì)將投產(chǎn)規(guī)劃期間原先預(yù)計(jì)將投產(chǎn)20條條25條芯片線的預(yù)測是完全可能實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)檫@個(gè)預(yù)測平均要求每年投產(chǎn)條芯片線的預(yù)測是完全可能實(shí)現(xiàn)的。因

34、為這個(gè)預(yù)測平均要求每年投產(chǎn)4條條5條芯片線，而條芯片線，而頭一年到十一月中旬就已增加了頭一年到十一月中旬就已增加了7條線。條線。5051525354555657江蘇長電科技股份有限公司（江蘇新潮科技公司）江蘇長電科技股份有限公司（江蘇新潮科技公司）Http:/www.cj-地址：江蘇省江陰市濱江中路地址：江蘇省江陰市濱江中路275號(hào)江蘇長電科技股份有限公司是中國半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)基地，國內(nèi)著名的三號(hào)江蘇長電科技股份有限公司是中國半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)基地，國內(nèi)著名的三極管制造商，集成電路封裝測試龍頭企業(yè)，國家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)和省園林化工廠。公司占地極管制造商，集成電路封裝測試龍頭企業(yè)，國家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)

35、和省園林化工廠。公司占地12萬平方米，萬平方米，凈化廠房凈化廠房8萬平方米。在萬平方米。在2800余名員工中科技人員占余名員工中科技人員占40%.2004年形成年產(chǎn)：集成電路年形成年產(chǎn)：集成電路35億塊；大中小功率億塊；大中小功率三極管三極管150億只的能力。億只的能力。 58 無錫華潤安盛科技有限公司無錫華潤安盛科技有限公司 （以下簡稱（以下簡稱“華潤安盛華潤安盛”），是香港上市公司華潤勵(lì)致的），是香港上市公司華潤勵(lì)致的 核心企業(yè)核心企業(yè) 和中國著名的民族微電子企業(yè)和中國著名的民族微電子企業(yè)華潤微電子的下屬公司，也是華潤微電子華潤微電子的下屬公司，也是華潤微電子與世界第三大半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)

36、與世界第三大半導(dǎo)體封裝測試企業(yè) STATS Chip PAC 合資成立的中外合資股份有限公合資成立的中外合資股份有限公司。主要為海內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造供應(yīng)商提供集成電路封裝、測試和超薄司。主要為海內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造供應(yīng)商提供集成電路封裝、測試和超薄減薄等代工服務(wù)。減薄等代工服務(wù)。 59華潤安盛面向高速發(fā)展的海內(nèi)外半導(dǎo)體市場，以華潤安盛面向高速發(fā)展的海內(nèi)外半導(dǎo)體市場，以“躋身全球十大半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)躋身全球十大半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)”為愿景，遵循為愿景，遵循“以最具競爭力的專業(yè)服務(wù)，成為半導(dǎo)體封裝測試的首選，實(shí)現(xiàn)股東價(jià)以最具競爭力的專業(yè)服務(wù)，成為半導(dǎo)體封裝測試的首選，實(shí)現(xiàn)股東價(jià)值

37、與員工價(jià)值的最大化值與員工價(jià)值的最大化”的使命，產(chǎn)銷規(guī)模以每年的使命，產(chǎn)銷規(guī)模以每年 30% 以上的幅度增長，并躋身國內(nèi)以上的幅度增長，并躋身國內(nèi)同行業(yè)領(lǐng)先地位，被中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院評(píng)選為同行業(yè)領(lǐng)先地位，被中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院評(píng)選為“中中國最具成長性的半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)國最具成長性的半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)”。6061lGAPT 集團(tuán)是一家外商獨(dú)資的半導(dǎo)體后工序企業(yè)，計(jì)劃于上海浦東開發(fā)區(qū)張江高科技集團(tuán)是一家外商獨(dú)資的半導(dǎo)體后工序企業(yè)，計(jì)劃于上海浦東開發(fā)區(qū)張江高科技園區(qū)投資數(shù)億美元，建立一個(gè)完整的封裝設(shè)計(jì)園區(qū)投資數(shù)億美元，建立一個(gè)完整的封裝設(shè)計(jì),組

38、裝組裝,測試與凸晶企業(yè)測試與凸晶企業(yè), GAPT 將結(jié)合現(xiàn)將結(jié)合現(xiàn)有芯片制造商及有芯片制造商及IC設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)公司, 為我們的客戶提供最好的為我們的客戶提供最好的一站式一站式(One Stop shopping)全全方位產(chǎn)品及服務(wù)。方位產(chǎn)品及服務(wù)。GAPT第一顆第一顆 PBGA27X27產(chǎn)品在產(chǎn)品在2001年年5月月1日誕生并已通過所有可日誕生并已通過所有可靠性測試并在年底開始量產(chǎn)；靠性測試并在年底開始量產(chǎn)；PBGA35X35、31X31、37.5X37.5（包含散熱蓋的設(shè)計(jì)）（包含散熱蓋的設(shè)計(jì)）,多芯片模組多芯片模組,系統(tǒng)芯片及系統(tǒng)芯片及TFBGA、QFN已通過審驗(yàn)開始量產(chǎn)；同時(shí)已通過審驗(yàn)開

39、始量產(chǎn)；同時(shí)QFP 高腳數(shù)產(chǎn)品生高腳數(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)線已在產(chǎn)線已在2002年第二季度建立，產(chǎn)量不斷提高。年第二季度建立，產(chǎn)量不斷提高。62 廈門永紅電子有限公司是電子部重點(diǎn)扶持的最早從事高精度半導(dǎo)體和集成電路塑封引線廈門永紅電子有限公司是電子部重點(diǎn)扶持的最早從事高精度半導(dǎo)體和集成電路塑封引線框架框架frame開發(fā)、生產(chǎn)及精密模具開發(fā)、生產(chǎn)及精密模具tooling制造的專業(yè)廠家。公司于制造的專業(yè)廠家。公司于1983年由天水永紅器年由天水永紅器材廠與廈門華夏集團(tuán)聯(lián)營創(chuàng)建，材廠與廈門華夏集團(tuán)聯(lián)營創(chuàng)建，2001年年7月引入社會(huì)資金后再經(jīng)股權(quán)優(yōu)化而成。月引入社會(huì)資金后再經(jīng)股權(quán)優(yōu)化而成。63l星科金朋公司是世界

40、排名前列的半導(dǎo)體封裝測試公司，提供全球各地客戶整體與快捷的高星科金朋公司是世界排名前列的半導(dǎo)體封裝測試公司，提供全球各地客戶整體與快捷的高質(zhì)量服務(wù)?？蛻羧喊〝?shù)家晶圓代工廠、全球知名質(zhì)量服務(wù)?？蛻羧喊〝?shù)家晶圓代工廠、全球知名IDM大廠與遍布全球各地集成電路設(shè)計(jì)大廠與遍布全球各地集成電路設(shè)計(jì)公司。服務(wù)產(chǎn)品種類含蓋通信、電腦、電源供應(yīng)器與數(shù)據(jù)型消費(fèi)性產(chǎn)品等。以先進(jìn)制造與公司。服務(wù)產(chǎn)品種類含蓋通信、電腦、電源供應(yīng)器與數(shù)據(jù)型消費(fèi)性產(chǎn)品等。以先進(jìn)制造與管理技術(shù)為基礎(chǔ)，加上全球性布局，星科金朋在全球封裝測試業(yè)樹立了可靠與高質(zhì)量服務(wù)管理技術(shù)為基礎(chǔ)，加上全球性布局，星科金朋在全球封裝測試業(yè)樹立了可靠與高質(zhì)量

41、服務(wù)的標(biāo)竿。星科金朋公司在全球擁有一萬多名員工，在新加坡、中國及中國臺(tái)灣地區(qū)、韓國、的標(biāo)竿。星科金朋公司在全球擁有一萬多名員工，在新加坡、中國及中國臺(tái)灣地區(qū)、韓國、馬來西亞和美國等地設(shè)有工廠。馬來西亞和美國等地設(shè)有工廠。 星科金朋（上海）有限公司位于上海西郊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，星科金朋（上海）有限公司位于上海西郊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，距虹橋機(jī)場僅距虹橋機(jī)場僅8公里之遙，現(xiàn)有員工四千多人，占地面積公里之遙，現(xiàn)有員工四千多人，占地面積11萬平方米。公司提供定期和不定萬平方米。公司提供定期和不定期的員工海外培訓(xùn)機(jī)會(huì)，為員工的發(fā)展提供廣闊的平臺(tái)。期的員工海外培訓(xùn)機(jī)會(huì)，為員工的發(fā)展提供廣闊的平臺(tái)。 64l安森美半

42、導(dǎo)體是中國西部投資的先驅(qū)者，在安森美半導(dǎo)體是中國西部投資的先驅(qū)者，在1995年其作為摩托羅拉半導(dǎo)體元件部與樂山無年其作為摩托羅拉半導(dǎo)體元件部與樂山無線電股份有限公司合資成立了樂山菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司，走在中國的西部大開發(fā)政線電股份有限公司合資成立了樂山菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司，走在中國的西部大開發(fā)政策之前。安森美半導(dǎo)體在這個(gè)合資企業(yè)里擁有策之前。安森美半導(dǎo)體在這個(gè)合資企業(yè)里擁有51的股份的股份, 樂山無線電股份有限公司占樂山無線電股份有限公司占39，摩托羅拉占，摩托羅拉占10。樂山菲尼克斯已成為四川省最大的外商投資企業(yè)和最大的電子出。樂山菲尼克斯已成為四川省最大的外商投資企業(yè)和最大的電子出口商

43、之一。該公司在新芯片廠投資前的核準(zhǔn)投資額達(dá)口商之一。該公司在新芯片廠投資前的核準(zhǔn)投資額達(dá)2.80億美元。樂山菲尼克斯已經(jīng)成億美元。樂山菲尼克斯已經(jīng)成為安森美半導(dǎo)體中國乃至全球卓越的半導(dǎo)體制造中心，并能制造出具有世界級(jí)品質(zhì)和成本為安森美半導(dǎo)體中國乃至全球卓越的半導(dǎo)體制造中心，并能制造出具有世界級(jí)品質(zhì)和成本保持在基準(zhǔn)點(diǎn)水平的產(chǎn)品。工廠每年生產(chǎn)超過保持在基準(zhǔn)點(diǎn)水平的產(chǎn)品。工廠每年生產(chǎn)超過100億只器件，生產(chǎn)能力正在穩(wěn)定地增長。億只器件，生產(chǎn)能力正在穩(wěn)定地增長。2002年年8月，安森美半導(dǎo)體成為首家宣布在中國西部投資六英寸芯片廠的跨國公司，月，安森美半導(dǎo)體成為首家宣布在中國西部投資六英寸芯片廠的跨國公

44、司， 擴(kuò)大擴(kuò)大其在樂山菲尼克斯合資廠的規(guī)模。其在樂山菲尼克斯合資廠的規(guī)模。65友尼森（友尼森（Unisem）（）（.my）成立于）成立于1989年，馬來西亞第二大半導(dǎo)體封裝測試年，馬來西亞第二大半導(dǎo)體封裝測試公司，公司，1992年開始從事獨(dú)立的年開始從事獨(dú)立的IC封裝和測試，目前為客戶提供晶圓制造，晶圓測試、封裝和測試，目前為客戶提供晶圓制造，晶圓測試、IC封封裝與測試及相關(guān)輔助服務(wù)，擁有世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)，總部位于馬來西亞霹靂裝與測試及相關(guān)輔助服務(wù)，擁有世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)，總部位于馬來西亞霹靂州怡保，并在馬來西亞，英國，中國等國家擁有生產(chǎn)基地，約州怡保，并在馬來西亞，英國

45、，中國等國家擁有生產(chǎn)基地，約94%的產(chǎn)品銷往歐美，的產(chǎn)品銷往歐美，6%銷銷往亞洲。往亞洲。 66l2004年年8月，友尼森宣布，將投資月，友尼森宣布，將投資2.1億美金在成都高新西區(qū)出口加工區(qū)西區(qū)新建友尼森旗億美金在成都高新西區(qū)出口加工區(qū)西區(qū)新建友尼森旗下現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體工廠，使其成為友尼森在全球的旗艦企業(yè)下現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體工廠，使其成為友尼森在全球的旗艦企業(yè)宇芯（成都）集宇芯（成都）集成電路封裝測試有限公司成電路封裝測試有限公司,新工廠將采用目前世界上最先進(jìn)的全新的設(shè)備，生產(chǎn)新工廠將采用目前世界上最先進(jìn)的全新的設(shè)備，生產(chǎn)SLP、BGA、SOIC、TSSOP等高端產(chǎn)品。等高端產(chǎn)品。

46、2004年底，宇芯工廠開建，年底，宇芯工廠開建， 2006年中開始投產(chǎn)。友尼年中開始投產(chǎn)。友尼森宇芯森宇芯(成都成都)項(xiàng)目全部建成后，員工總數(shù)將達(dá)到項(xiàng)目全部建成后，員工總數(shù)將達(dá)到4500-5600人。人。 宇芯成都以團(tuán)隊(duì)精神、信宇芯成都以團(tuán)隊(duì)精神、信賴、責(zé)任、主動(dòng)、關(guān)愛為核心價(jià)值，并傾注極大的關(guān)注在員工福利、健康與安全上。我們賴、責(zé)任、主動(dòng)、關(guān)愛為核心價(jià)值，并傾注極大的關(guān)注在員工福利、健康與安全上。我們把員工視為企業(yè)最有價(jià)值的資產(chǎn)，并為員工提供良好的培訓(xùn)包括海外培訓(xùn)的機(jī)會(huì)，及廣闊把員工視為企業(yè)最有價(jià)值的資產(chǎn)，并為員工提供良好的培訓(xùn)包括海外培訓(xùn)的機(jī)會(huì)，及廣闊的發(fā)展空間。的發(fā)展空間。67l南通富士

47、通微電子股份有限公司專業(yè)從事集成電路組裝與測試加工。由南通華達(dá)微電子有南通富士通微電子股份有限公司專業(yè)從事集成電路組裝與測試加工。由南通華達(dá)微電子有限公司和日本富士通株式會(huì)社共同投資興辦的由中方控股的中外合資企業(yè)。公司總投資限公司和日本富士通株式會(huì)社共同投資興辦的由中方控股的中外合資企業(yè)。公司總投資2800萬美元。公司專業(yè)從事集成電路的封裝和測試，擁有年封裝萬美元。公司專業(yè)從事集成電路的封裝和測試，擁有年封裝15億塊集成電路、測試億塊集成電路、測試6億億塊集成電路的生產(chǎn)能力，是中國國內(nèi)目前規(guī)模最大、產(chǎn)品品種最多的集成電路封裝測試企塊集成電路的生產(chǎn)能力，是中國國內(nèi)目前規(guī)模最大、產(chǎn)品品種最多的集成

48、電路封裝測試企業(yè)之一。業(yè)之一。 公司現(xiàn)有公司現(xiàn)有DIP、SIP、SOP、QFP、SSOP、TQFP、MCM等系列封裝形式，多個(gè)等系列封裝形式，多個(gè)產(chǎn)品填補(bǔ)國內(nèi)空白。產(chǎn)品填補(bǔ)國內(nèi)空白。6869行業(yè)動(dòng)態(tài)行業(yè)動(dòng)態(tài)2007年4月9日 為全面總結(jié)為全面總結(jié)2006年國內(nèi)各有關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)所取得的成績，依據(jù)參加全國半導(dǎo)體行業(yè)統(tǒng)計(jì)企業(yè)的上報(bào)數(shù)據(jù)，年國內(nèi)各有關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)所取得的成績，依據(jù)參加全國半導(dǎo)體行業(yè)統(tǒng)計(jì)企業(yè)的上報(bào)數(shù)據(jù)，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分別排出中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分別排出2006年度國內(nèi)年度國內(nèi)10大集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)、大集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)、10大集成電路與分立器件制造企業(yè)大集成電路與分立器件制造企業(yè)以及以及1

49、0大封裝測試企業(yè)，其結(jié)果如下：大封裝測試企業(yè)，其結(jié)果如下：707172天津天津江陰江陰7374GDS D G SP-siNN2SiOAl 摻雜工藝（擴(kuò)散與離子注入）摻雜工藝（擴(kuò)散與離子注入） 通過摻雜可以在硅襯底上形成不同類型的半導(dǎo)體區(qū)域，構(gòu)成各種器件結(jié)構(gòu)。摻雜工藝的基本思想就是通過摻雜可以在硅襯底上形成不同類型的半導(dǎo)體區(qū)域，構(gòu)成各種器件結(jié)構(gòu)。摻雜工藝的基本思想就是通過某種技術(shù)措施，將一定濃度的通過某種技術(shù)措施，將一定濃度的價(jià)元素，如硼，或價(jià)元素，如硼，或價(jià)元素，如磷、砷等摻入半導(dǎo)體襯底。價(jià)元素，如磷、砷等摻入半導(dǎo)體襯底。75摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，

50、形成摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成PN結(jié)、結(jié)、電阻、歐姆接觸電阻、歐姆接觸磷磷(P)、砷、砷(As) N型硅型硅硼硼(B) P型硅型硅摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入76替位式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位：替位式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位：、族元素族元素一般要在很高的溫度一般要在很高的溫度(9501280)下進(jìn)行，橫向擴(kuò)散嚴(yán)重。但對(duì)設(shè)備的要求相對(duì)較低。下進(jìn)行，橫向擴(kuò)散嚴(yán)重。但對(duì)設(shè)備的要求相對(duì)較低。磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴(kuò)散系數(shù)均遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，可以利用氧化層作為雜質(zhì)磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴(kuò)散系數(shù)均遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散

51、系數(shù)，可以利用氧化層作為雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽層擴(kuò)散的掩蔽層間隙式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子位于晶格間隙：間隙式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子位于晶格間隙：Na、K、Fe、Cu、Au 等元素等元素?cái)U(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大擴(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大67個(gè)數(shù)量級(jí)個(gè)數(shù)量級(jí)（絕對(duì)不許用手摸硅片（絕對(duì)不許用手摸硅片防止防止Na+沾污沾污。）77例如，在例如，在N型襯底上摻硼，可以使原先的型襯底上摻硼，可以使原先的N型襯底電子濃度變小，或使型襯底電子濃度變小，或使N型襯底改變成型襯底改變成P型；型；如在如在N型襯底表面摻磷，可以提高襯底的表面雜質(zhì)濃度。型襯底表面摻磷，可以提高襯底的表面雜質(zhì)濃度。 摻雜分為熱擴(kuò)散法摻雜和離子注入法摻雜。由光刻工

52、藝摻雜分為熱擴(kuò)散法摻雜和離子注入法摻雜。由光刻工藝(刻蝕刻蝕)為摻雜確定摻雜的區(qū)域，在為摻雜確定摻雜的區(qū)域，在需要摻雜處需要摻雜處(即摻雜窗口即摻雜窗口)裸露出硅襯底，非摻雜區(qū)則用一定厚度的二氧化硅或者氮化硅等薄裸露出硅襯底，非摻雜區(qū)則用一定厚度的二氧化硅或者氮化硅等薄膜材料進(jìn)行屏蔽。離子注入則常采用一定厚度的二氧化硅、光刻膠或這兩層材料同時(shí)作為摻膜材料進(jìn)行屏蔽。離子注入則常采用一定厚度的二氧化硅、光刻膠或這兩層材料同時(shí)作為摻雜屏蔽。雜屏蔽。78對(duì)對(duì)P型襯底，如果將一定濃度的型襯底，如果將一定濃度的價(jià)元素?fù)饺?，將使原先的價(jià)元素?fù)饺耄瑢⑹乖鹊腜型襯底空穴濃度變低，或使型襯底空穴濃度變低，或使P

53、型襯底型襯底改變?yōu)楦淖優(yōu)镹型。同樣的，如果在型。同樣的，如果在P型襯底表面摻硼，將提高型襯底表面摻硼，將提高P型襯底的表面濃度。型襯底的表面濃度。 所謂熱擴(kuò)散摻雜就是利用原子在高溫下的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，使雜質(zhì)原子從濃度很高的雜質(zhì)源向硅中擴(kuò)散所謂熱擴(kuò)散摻雜就是利用原子在高溫下的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，使雜質(zhì)原子從濃度很高的雜質(zhì)源向硅中擴(kuò)散并形成一定的分布。熱擴(kuò)散通常分兩個(gè)步驟進(jìn)行：預(yù)淀積和再分布。預(yù)淀積是在高溫下，利用雜質(zhì)并形成一定的分布。熱擴(kuò)散通常分兩個(gè)步驟進(jìn)行：預(yù)淀積和再分布。預(yù)淀積是在高溫下，利用雜質(zhì)源，如硼源、磷源等，對(duì)硅片上的摻雜窗口進(jìn)行擴(kuò)散，在窗口處形成一層較薄但具有較高濃度的雜源，如硼源、磷源等，對(duì)硅片

54、上的摻雜窗口進(jìn)行擴(kuò)散，在窗口處形成一層較薄但具有較高濃度的雜質(zhì)層。這是一種恒定表面源的擴(kuò)散過程。質(zhì)層。這是一種恒定表面源的擴(kuò)散過程。79再分布是利用預(yù)淀積所形成的表面雜質(zhì)層做雜質(zhì)源，在高溫下將這層雜質(zhì)向硅體內(nèi)擴(kuò)散的過程。再分布是利用預(yù)淀積所形成的表面雜質(zhì)層做雜質(zhì)源，在高溫下將這層雜質(zhì)向硅體內(nèi)擴(kuò)散的過程。通常再分布的時(shí)間較長，通過再分布，可以在硅襯底上形成一定的雜質(zhì)分布和結(jié)深。再分布是限定通常再分布的時(shí)間較長，通過再分布，可以在硅襯底上形成一定的雜質(zhì)分布和結(jié)深。再分布是限定表面源擴(kuò)散過程。表面源擴(kuò)散過程。 80 離子注入是另一種摻雜技術(shù)，離子注入摻雜也分為兩個(gè)步驟：離子注入和退火再分離子注入是另

55、一種摻雜技術(shù)，離子注入摻雜也分為兩個(gè)步驟：離子注入和退火再分布。離子注入是通過高能離子束轟擊硅片表面，在摻雜窗口處，雜質(zhì)離子被注入硅本布。離子注入是通過高能離子束轟擊硅片表面，在摻雜窗口處，雜質(zhì)離子被注入硅本體，在其他部位，雜質(zhì)離子被硅表面的保護(hù)層屏蔽，完成選擇摻雜的過程。進(jìn)入硅中體，在其他部位，雜質(zhì)離子被硅表面的保護(hù)層屏蔽，完成選擇摻雜的過程。進(jìn)入硅中的雜質(zhì)離子在一定的位置形成一定的分布。通常，離子注入的深度的雜質(zhì)離子在一定的位置形成一定的分布。通常，離子注入的深度(平均射程平均射程)較淺且濃較淺且濃度較大，必須重新使它們?cè)俜植?。摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜度較大，必須重新使

56、它們?cè)俜植?。摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目(劑量劑量)決定。決定。 81同時(shí)，由于高能粒子的撞擊，導(dǎo)致硅結(jié)構(gòu)的晶格發(fā)生損傷。為恢復(fù)晶格損傷，在離子注入后同時(shí)，由于高能粒子的撞擊，導(dǎo)致硅結(jié)構(gòu)的晶格發(fā)生損傷。為恢復(fù)晶格損傷，在離子注入后要進(jìn)行退火處理，根據(jù)注入的雜質(zhì)數(shù)量不同，退火溫度在要進(jìn)行退火處理，根據(jù)注入的雜質(zhì)數(shù)量不同，退火溫度在450950之間，摻雜濃度大則退火之間，摻雜濃度大則退火溫度高，反之則低。在退火的同時(shí)，摻入的雜質(zhì)同時(shí)向硅體內(nèi)進(jìn)行再分布，如果需要，還要進(jìn)溫度高，反之則低。在退火的同時(shí)，摻入的雜質(zhì)同時(shí)向硅體內(nèi)進(jìn)行再分布，如

57、果需要，還要進(jìn)行后續(xù)的高溫處理以獲得所需的結(jié)深和分布。行后續(xù)的高溫處理以獲得所需的結(jié)深和分布。 離子注入技術(shù)以其摻雜濃度控制精確、位置準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)，正在取代熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)，成為離子注入技術(shù)以其摻雜濃度控制精確、位置準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)，正在取代熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)，成為VLSI工藝流程中摻雜的主要技術(shù)。工藝流程中摻雜的主要技術(shù)。 82離子注入離子注入 的優(yōu)點(diǎn)：的優(yōu)點(diǎn)： 摻雜的均勻性好摻雜的均勻性好 溫度低：可小于溫度低：可小于600 可以精確控制雜質(zhì)分布可以精確控制雜質(zhì)分布 可以注入各種各樣的元素可以注入各種各樣的元素 橫向擴(kuò)展比擴(kuò)散要小得多橫向擴(kuò)展比擴(kuò)散要小得多 可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)

58、行摻雜8384Latch-Up(鎖定鎖定)是是CMOS存在一種寄生電路的效應(yīng)，它會(huì)導(dǎo)致存在一種寄生電路的效應(yīng)，它會(huì)導(dǎo)致VDD和和VSS短路，使得晶片損毀，或短路，使得晶片損毀，或者至少系統(tǒng)因電源關(guān)閉而停擺。這種效應(yīng)是早期者至少系統(tǒng)因電源關(guān)閉而停擺。這種效應(yīng)是早期CMOS技術(shù)不能被接受的重要原因之一。在制造更技術(shù)不能被接受的重要原因之一。在制造更新和充分了解電路設(shè)計(jì)技巧之后，這種效應(yīng)已經(jīng)可以被控制了。新和充分了解電路設(shè)計(jì)技巧之后，這種效應(yīng)已經(jīng)可以被控制了。 CMOS電路之所以會(huì)產(chǎn)生電路之所以會(huì)產(chǎn)生Latch-Up效應(yīng)，我們可以用圖效應(yīng)，我們可以用圖2.29來表示。在圖中我們以剖面圖來看一個(gè)來表示

59、。在圖中我們以剖面圖來看一個(gè)CMOS反相器如何發(fā)生此效應(yīng)，反相器如何發(fā)生此效應(yīng)，而且它是用而且它是用P型阱制造生產(chǎn)。在這個(gè)圖中，我們同時(shí)也描繪了寄生電路，它包含了兩個(gè)型阱制造生產(chǎn)。在這個(gè)圖中，我們同時(shí)也描繪了寄生電路，它包含了兩個(gè)BJT(一個(gè)縱一個(gè)縱向向npn和一個(gè)橫向和一個(gè)橫向pnp)和兩個(gè)電阻和兩個(gè)電阻(RS是因是因N型襯底產(chǎn)生，型襯底產(chǎn)生，Rw是因是因P阱產(chǎn)生阱產(chǎn)生)。BJT的特性和的特性和MOS是完是完全兩樣的。全兩樣的。8586閂鎖效應(yīng)為閂鎖效應(yīng)為CMOS電路所獨(dú)有，是由于電路所獨(dú)有，是由于CMOS結(jié)構(gòu)中存在結(jié)構(gòu)中存在pnpn四層結(jié)構(gòu)所形成的寄生可控硅造成四層結(jié)構(gòu)所形成的寄生可控硅造

60、成的。所以的。所以nMOS或或pMOS電路中不會(huì)出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)。電路中不會(huì)出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)。 CMOS電路中寄生可控硅結(jié)構(gòu)的形成電路中寄生可控硅結(jié)構(gòu)的形成 CMOS反相器剖面圖和寄生可控硅等效電路(b)(a)87 防止閂瑣的措施：防止閂瑣的措施： A. 器件外部的保護(hù)措施器件外部的保護(hù)措施電源并接穩(wěn)壓管。電源并接穩(wěn)壓管。 低頻時(shí)加限流電阻（使電源電流低頻時(shí)加限流電阻（使電源電流30mA） 盡量減小電路中的電容值。（一般盡量減小電路中的電容值。（一般C0.01 F） B.使用時(shí)的使用時(shí)的注意事項(xiàng)：注意事項(xiàng)： 輸入電壓不可超過輸入電壓不可超過VDD VSS范圍。范圍。 輸入信號(hào)一定要等輸入信號(hào)一定要等V