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1、波譜分析復(fù)習(xí)資料緒論【波譜分析的定義】物質(zhì)在電磁波的照射下,引起分子內(nèi)部某些運(yùn)動(dòng),從而吸收或散射某種波長(zhǎng)的光,將入射光強(qiáng)度變化或散射光的信號(hào)記錄下來,得到的信號(hào)強(qiáng)度與光的波長(zhǎng)(波數(shù)、頻率)散射角度的關(guān)系圖,用于物質(zhì)的結(jié)構(gòu)、組成及化學(xué)變化的分析,稱為波普分析。第1章 紫外光譜1、 UV產(chǎn)生原理?電子躍遷類型、能級(jí)大小和相對(duì)應(yīng)的吸收波段【原理】分子吸收 紫外光發(fā)生價(jià)電子能級(jí)躍遷而產(chǎn)生的吸收光譜。分子中電子的分布及相 應(yīng)的能級(jí),決定了分子紫外吸收光譜特征?!绢愋汀?躍遷 是單鍵中的電子在成鍵和反鍵軌道間的躍遷。躍遷需要的能量最 大,相應(yīng)的激發(fā)光波長(zhǎng)最短,在150160nm范圍內(nèi)。 n *躍遷 是O、
2、N、S和鹵素等雜原子的未成鍵電子向反鍵軌道躍遷。躍遷 需要的能量較小,相應(yīng)的吸收帶的波長(zhǎng)較長(zhǎng),一般出現(xiàn)在200nm附近。半徑較大 的雜原子(如S、I),其n軌道的能級(jí)較高,此躍遷所需能量較低,故含S或I的 飽和有機(jī)化合物在220250nm附近可能產(chǎn)生這種躍遷。 *躍遷 是不飽和鍵中的電子吸收能量躍遷到*軌道。孤立雙鍵* 躍遷產(chǎn)生的吸收帶位于160180nm,但在共軛雙鍵體系中,吸收帶向長(zhǎng)波方向移 動(dòng)(紅移)。共軛體系愈大,*躍遷產(chǎn)生的吸收帶波長(zhǎng)愈大。 n*躍遷 當(dāng)不飽和鍵上連有雜原子(如C=O、NO2)時(shí),雜原子上的n電子 躍遷到*軌道。n*躍遷所需要的能量最小,所對(duì)應(yīng)的吸收帶位于270300
3、nm 的近紫外區(qū)。各電子躍遷的能級(jí)差E存在以下次序:*>n*n*2、 什么叫發(fā)色團(tuán)(生色)和助色團(tuán)?紅移,長(zhǎng)移,增色效應(yīng),短移,藍(lán)移?【發(fā)色團(tuán)】分子中含有電子的基團(tuán)(如C=C、C=O、N=N、CN、NO2、C6H5)成為發(fā)色團(tuán)。他們能產(chǎn)生*和(或)n*躍遷從而能在紫外可見光范圍能產(chǎn)生吸收?!局珗F(tuán)】含有未成鍵n電子的雜原子飽和基團(tuán)(如OH、NH2、SR、Cl、Br、I),他們本身在紫外可見光范圍內(nèi)不產(chǎn)生吸收,但當(dāng)他們與發(fā)色團(tuán)相連時(shí),能使該發(fā)色團(tuán)的吸收峰向長(zhǎng)波方向移動(dòng),并使吸收峰強(qiáng)度增加,被稱為助色團(tuán)。【紅移(長(zhǎng)移)和藍(lán)移(短移)】吸收峰向長(zhǎng)波長(zhǎng)方向移動(dòng)稱為紅移(長(zhǎng)移),想短波長(zhǎng)方向移動(dòng)稱
4、為藍(lán)移(短移)【增色效應(yīng)】3、 電磁波分類?能量大???波長(zhǎng)越大,能量越小。4、 UV光譜最大波長(zhǎng)的主要影響因素(共軛、立體、溶劑、PH)?【發(fā)色團(tuán)與助色團(tuán)】 助色團(tuán)使發(fā)色團(tuán)的吸收峰向長(zhǎng)波長(zhǎng)方向移動(dòng),并使吸收峰強(qiáng)度增加?!竟曹椥?yīng)】 隨著共軛雙鍵數(shù)目的增加,最高占據(jù)軌道(成鍵軌道HOMO)的能量逐漸增高,而最低空軌道(反鍵軌道LUMO)的能量逐漸降低,所以從HOMO到LUMO躍遷所需的能量逐漸減小,吸收峰紅移?!救軇O性和PH】 溶劑極性的增加可使吸收光譜的精細(xì)結(jié)構(gòu)消失。溶劑極性增大,由*躍遷產(chǎn)生的吸收帶紅移,而由n*躍遷產(chǎn)生的吸收帶則發(fā)生藍(lán)移【空間位阻效應(yīng)】 要使共軛體系中各因素均成為有效的生
5、色因子,各生色團(tuán)因子應(yīng)處于同一平面,才能達(dá)到有效的共軛而使吸收帶紅移?!卷樂串悩?gòu)】 一般反式異構(gòu)體空間位阻較小,能有效的共軛,max位于長(zhǎng)波長(zhǎng)端。5、什么是K帶、R帶?【K帶】 K帶為共軛雙鍵的*躍遷引起的,該吸收帶的特點(diǎn)為吸收峰很強(qiáng),>10000,最大吸收峰位置一般位于217280nm,共軛雙鍵增加,max紅移,也隨之增加?!綬帶】 R帶為n*躍遷引起的吸收帶,其特點(diǎn)為吸收強(qiáng)度弱,<100,吸收峰波長(zhǎng)一般在270nm以上?!綛帶】 B帶為芳香化合物(包括雜環(huán)芳香化合物)的特征吸收帶?!綞帶】E帶也是芳香化合物的特征吸收帶,是由苯環(huán)結(jié)構(gòu)中三個(gè)乙烯的環(huán)狀共軛系統(tǒng)的躍遷產(chǎn)生。分為E1和
6、E2帶,若有發(fā)色團(tuán)取代且與苯環(huán)共軛,則B帶和E帶均發(fā)生紅移,E2和K帶重合。6、 Woodward-Fisher規(guī)則?共軛不飽和羰基化合物計(jì)算?第二章 紅外光譜1、 IR光譜產(chǎn)生原理?振動(dòng)類型?【原理】 分子躍遷振動(dòng)能級(jí)躍遷需要吸收一定的能量,這種能量對(duì)應(yīng)光波的紅外區(qū)域(1250025cm-1),而且只有當(dāng)紅外光能量與分子的振動(dòng)能極差相等時(shí),才會(huì)發(fā)生分子的振動(dòng)能級(jí)躍遷,從而產(chǎn)生紅外光譜。振動(dòng)類型包括伸縮振動(dòng)和彎曲振動(dòng)?!旧炜s振動(dòng)】沿著鍵的方向,只改變鍵長(zhǎng),分為對(duì)稱伸縮振動(dòng)、不對(duì)稱伸縮振動(dòng)?!緩澢駝?dòng)】垂直化學(xué)鍵的方向,只改變鍵角。分為面內(nèi)彎曲振動(dòng)、面外彎曲振動(dòng)。2、紅外吸收峰位及強(qiáng)度的影響因素
7、?影響峰強(qiáng)的因素:【振動(dòng)過程中偶極矩的變化】 基頻峰的強(qiáng)度(除濃度影響以外)主要取決于振動(dòng)過程中偶極矩的變化,且瞬間偶極矩越大,吸收峰越強(qiáng)。影響偶極矩大小的因素主要為一下四個(gè):(1) 原子的電負(fù)性:化學(xué)鍵極性越大,則伸縮振動(dòng)吸收峰越強(qiáng)。(2) 振動(dòng)形式:振動(dòng)形式不同對(duì)分子的電荷分布影響不同,故吸收峰強(qiáng)度也有不同。通常峰強(qiáng)與振動(dòng)形式之間有下列規(guī)律:as>s;>.(3) 分子的對(duì)稱性:結(jié)構(gòu)對(duì)稱的分子在振動(dòng)過程中,由于振動(dòng)方向也是對(duì)稱的,所以整個(gè)分子的偶極矩始終為零,沒有吸收峰出現(xiàn)。(4) 其他影響因素 如費(fèi)米共振、氫鍵等因素。【能級(jí)的躍遷幾率】以倍頻峰為例,從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)時(shí),振幅加
8、大,偶極矩變大,峰強(qiáng)本該增大,但由于這種躍遷幾率很小,結(jié)果峰強(qiáng)反而很弱。而樣品濃度加大,峰強(qiáng)也隨之加大,則是躍遷幾率增加的結(jié)果。影響峰位的因素:【內(nèi)部結(jié)構(gòu)因素的影響】1、電子效應(yīng)(1)誘導(dǎo)效應(yīng):一般為吸電子誘導(dǎo)效應(yīng)。以羰基為例,當(dāng)一強(qiáng)吸電子基團(tuán)和羰基相鄰時(shí),它就要和羰基氧爭(zhēng)奪電子,降低羰基的極性,增強(qiáng)其雙鍵性,力常數(shù)K增加,故c=o吸收峰將移向高波數(shù)區(qū)(1) 共軛效應(yīng):共軛效應(yīng)及共軛體系中電子離域現(xiàn)象。對(duì)于共軛而言,其結(jié)果是引起電子密度平均化,使雙鍵性降低,力常數(shù)K減小,故吸收峰移向低波數(shù)區(qū)。2、空間效應(yīng)(1) 空間位阻:空間位阻是指同一分子中各基團(tuán)間在空間的位阻作用。,共軛作用對(duì)空間位阻最為
9、敏感,空間位阻使共軛體系的共平面性受到影響或破壞,吸收頻率向高波數(shù)方向移動(dòng)。(2) 環(huán)張力:對(duì)環(huán)外雙鍵和換上羰基,隨著環(huán)的縮小,環(huán)張力增大,其頻率也相應(yīng)的增加。環(huán)外雙鍵的伸縮振動(dòng)頻率隨著環(huán)張力的增加或環(huán)內(nèi)角的變小而減小。(3) 場(chǎng)效應(yīng):場(chǎng)效應(yīng)是以它們的靜電場(chǎng)通過空間起作用,使電子云密度分布發(fā)生變化,從而引起相應(yīng)的吸收帶位移。通常只有在立體結(jié)構(gòu)上互相靠近的那些基團(tuán)之間才能產(chǎn)生F效應(yīng)。3、 氫鍵效應(yīng): 通??墒股炜s頻率向低波數(shù)位移,譜帶變寬變強(qiáng),這是由于形成氫鍵使偶極矩和鍵的長(zhǎng)短都發(fā)生了變化所致。(1)分子內(nèi)氫鍵:分子內(nèi)氫鍵的形成與濃度和溶劑無(wú)關(guān),分子內(nèi)氫鍵的形成可使伸縮振動(dòng)譜帶大幅度地向低頻方向
10、移動(dòng)。(2)分子間氫鍵:分子間氫鍵的形成受溶劑性質(zhì)、溶液濃度、溫度等的影響。醇與酚的羥基,在極稀的溶液中呈游離狀態(tài),隨著濃度增加,分子間形成氫鍵,故O-H向低頻方向移動(dòng)。羧酸類極易形成分子間氫鍵。出現(xiàn)在32002500cm-1區(qū)間,變現(xiàn)為一個(gè)寬而散的吸收峰,可作為羧酸結(jié)構(gòu)的一個(gè)特點(diǎn)。4、互變異構(gòu) 分子發(fā)生互變異構(gòu),吸收峰也將發(fā)生位移,在紅外光譜上出現(xiàn)各異構(gòu)體的特征吸收。5、 振動(dòng)偶合效應(yīng) 當(dāng)兩個(gè)相同的基團(tuán)在分子中靠得很近時(shí)(且振動(dòng)頻率相近或相同),其相應(yīng)的特征吸收風(fēng)長(zhǎng)發(fā)生分裂,形成兩個(gè)峰,這種想象叫振動(dòng)偶合。6、 費(fèi)米共振 是一種特殊的振動(dòng)偶合。當(dāng)倍頻峰(或組頻)位于某強(qiáng)的基頻吸收峰附近時(shí),弱
11、的倍頻(或組頻)峰的吸收強(qiáng)度常常被大大強(qiáng)化(間或發(fā)生峰帶裂分),這種倍頻與基頻峰之間的振動(dòng)偶合稱為費(fèi)米共振。7、樣品的物理狀態(tài)的影響【內(nèi)部因素的影響】(1) 溶劑的影響:極性基團(tuán)的伸縮頻率常常隨溶劑的極性增大而降低(2) 儀器色散元件的影響:棱鏡的分辨率低,光柵的分辨率高,尤其是在40002500cm-1波段尤為明顯。3、什么是特征區(qū)、指紋區(qū)和相關(guān)峰及其波長(zhǎng)范圍?【特征區(qū)】有機(jī)化合物的分子中主要官能團(tuán)的特征吸收多出現(xiàn)在40001333cm-1,該區(qū)域吸收峰比較稀疏,容易辨認(rèn),通常把該區(qū)域成為特征吸收區(qū)?!局讣y區(qū)】紅外光譜上1333400cm-1的低頻區(qū),通常被稱為指紋區(qū)。該區(qū)域出現(xiàn)的譜帶主要是
12、單鍵CX(X=C、N、O、S)的伸縮振動(dòng)和彎曲振動(dòng)。不含氫的單鍵的振動(dòng)頻率相差不大,因此這一區(qū)域產(chǎn)生了大量的吸收峰難以歸屬,但這些吸收峰卻反映了化合物分子的具體結(jié)構(gòu)特征,如同人的指紋,故稱指紋區(qū)。(該區(qū)域?qū)Ω鱾€(gè)化合物來說特異性較強(qiáng))【相關(guān)峰】由一個(gè)官能團(tuán)產(chǎn)生的一組相互依存的吸收峰(相互依存,相互佐證)故一個(gè)官能團(tuán)的存在將產(chǎn)生一組相關(guān)峰,因此不能由單一特征峰肯定官能團(tuán)的存在。4、 九個(gè)重要區(qū)段范圍及相應(yīng)基團(tuán)?COOH特征峰?OH和NH峰的區(qū)別?飽和烴與不飽和烴CH的區(qū)別(3000的區(qū)別)(1) COOH特征峰:33002500cm-1,強(qiáng)而且很寬,可超出3000cm-1范圍。(2) OH特征峰:
13、游離OH,37003500cm-1,較強(qiáng)、尖銳; 締合OH,345-3200cm-1,寬、強(qiáng)。 在形成分子內(nèi)氫鍵之后,酚羥基的伸縮振動(dòng)峰進(jìn)一步向低波數(shù)方向移動(dòng)。(3)OH與NH的區(qū)別:伯胺雙峰,仲胺單峰,叔胺無(wú)峰。(4)飽和烴與不飽和烴的區(qū)別:33003000cm-1位區(qū)別飽和與不飽和的重要區(qū)段。不飽和碳(烯烴、炔烴及苯環(huán))的碳?xì)滏I的伸縮振動(dòng)頻率在3000cm-1以上,而飽和碳的碳?xì)渖炜s振動(dòng)頻率低于3000cm-1,不易混淆?!救┗鵆H鍵伸縮振動(dòng)區(qū)】在28202600cm-1產(chǎn)生兩個(gè)吸收峰,這是由醛基C-H鍵的面內(nèi)彎曲振動(dòng)的倍頻與C-H鍵的伸縮振動(dòng)區(qū)間的費(fèi)米共振產(chǎn)生的,表現(xiàn)為雙峰?!緛喖锥趸?/p>
14、-O-CH2-O】2780和930cm-1附近的峰組成亞甲二氧基的相關(guān)峰。【三鍵對(duì)稱伸縮振動(dòng)區(qū)間】當(dāng)碳碳三鍵與雙鍵或芳環(huán)共軛時(shí),CC向低波數(shù)方向移動(dòng),但吸收強(qiáng)度增加;CN一般在2240cm-1附近,其吸收強(qiáng)度較高,當(dāng)與不飽和基團(tuán)共軛,吸收譜帶向低波數(shù)方向移動(dòng)30cm-1。【羰基的伸縮振動(dòng)區(qū)】因C=O的偶極矩較大,羰基峰一般都尖銳而且吸收強(qiáng)度大?!倦p鍵的伸縮振動(dòng)區(qū)】雙鍵與氧相連時(shí),受到氧的極化作用,吸收強(qiáng)度增大;而與不飽和基團(tuán)形成共軛,c=c向低波數(shù)方向移動(dòng),但強(qiáng)度增大?!痉枷慊衔铩慨?dāng)芳環(huán)與不飽和基團(tuán)或具有孤對(duì)電子的基團(tuán)共軛,將使(1600±20)cm-1及(1500±20
15、)cm-1兩個(gè)峰增強(qiáng),并發(fā)生分裂,在1600cm-1、1580cm-1、1500cm-1產(chǎn)生3個(gè)峰,該區(qū)域的吸收峰與芳環(huán)Ar-H伸縮振動(dòng)峰(31003000cm-1)一起作為判斷化合物是否含有苯環(huán)的重要依據(jù)。【CH鍵的彎曲振動(dòng)區(qū)】甲基在1380cm-1附近有特征吸收,為鑒定甲基的特征峰。孤立甲基在1380cm-1附近為單峰,當(dāng)結(jié)構(gòu)中有相鄰甲基存在時(shí),在1380cm-1附近裂分為雙峰(共振偶合),相鄰甲基數(shù)越多,裂距越大?!綜-O的伸縮振動(dòng)區(qū)】13001000cm-1,C-O伸縮振動(dòng)在此區(qū)域表現(xiàn)為強(qiáng)吸收,對(duì)醇、醚和酯類化合物的結(jié)構(gòu)鑒定具有重要價(jià)值。【C-H鍵的面外彎曲振動(dòng)】主要包括烯烴和芳環(huán)的不
16、飽和C-H鍵的面外彎曲振動(dòng)峰=C-H。芳香環(huán)在900650cm-1產(chǎn)生12個(gè)較強(qiáng)的吸收峰。5、 不飽和度的計(jì)算第3章 核磁共振NMR1、 NMR原理?產(chǎn)生條件【原理】 核磁共振是在強(qiáng)外電磁場(chǎng)中,用垂直于外磁場(chǎng)的射頻電磁場(chǎng)照射樣品時(shí),將使?jié)M足共振條件的磁性原子核吸收電磁波產(chǎn)生核能級(jí)的躍遷,從而在垂直外磁場(chǎng)的感應(yīng)線圈中產(chǎn)生與磁性核特征和化學(xué)結(jié)構(gòu)信息相應(yīng)的電磁感應(yīng)共振信號(hào)的現(xiàn)象?!井a(chǎn)生條件】(1)自旋量子數(shù)不為零的原子核才可以產(chǎn)生核磁共振現(xiàn)象。 (2)外加磁場(chǎng)H0能級(jí)裂分。 (3)與外加磁場(chǎng)相互垂直的射頻場(chǎng)H1。2、 化學(xué)位移的概念?【化學(xué)位移】同一類型的原子核由于在分子中所處的化學(xué)環(huán)境不同(電子云
17、密度不同),而使共振峰出現(xiàn)在不同的位置,各種鋒與某基準(zhǔn)物峰之間的差距稱為化學(xué)位移。 一般核磁共振氫譜值得范圍為0103、 影響化學(xué)位移的因素【影響因素】(1) 誘導(dǎo)效應(yīng):與氫核相連的碳原子上,如果連接了電負(fù)性大的原子或基團(tuán),則由于它的吸電子效應(yīng),使氫核外圍電子云密度減小,即產(chǎn)生去屏蔽效應(yīng),共振峰向低場(chǎng)移動(dòng),化學(xué)位移增大。(2) 共軛效應(yīng):在共軛體系中,含飽和雜原子的基團(tuán)一般通過供電子p-共軛效應(yīng),增加某些基團(tuán)的電子云密度,屏蔽作用增強(qiáng),相關(guān)質(zhì)子共振移向高場(chǎng),化學(xué)位移值減小。含不飽和雜原子的一些基團(tuán)通過吸電子-共軛效應(yīng)而減少一些基團(tuán)的電子云密度,屏蔽作用減弱,相關(guān)質(zhì)子共振移向低場(chǎng),化學(xué)位移增大。
18、(3) 磁各向異性:【磁各向異效應(yīng)】是指化學(xué)鍵在外磁場(chǎng)的作用下,換電流產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng),其強(qiáng)度和方向在化學(xué)鍵周圍具有各向異性,使在分子中所處空間位置不同的質(zhì)子受到的屏蔽或去屏蔽作用不同的現(xiàn)象。【苯環(huán)的磁各向異性效應(yīng)】處于苯環(huán)中心及上下方的質(zhì)子實(shí)受外磁場(chǎng)降低,屏蔽效應(yīng)增大,具有這種作用的空間稱為正屏蔽區(qū)。處于正屏蔽區(qū)的質(zhì)子的值減?。ǚ逵乙疲?,在平行于苯環(huán)平面四周的空間為去屏蔽區(qū)?!倦p鍵的磁各向異性效應(yīng)】雙鍵上下為兩個(gè)錐形的正屏蔽區(qū)。平行于雙鍵平面四周的空間為去屏蔽區(qū)?!救I的磁各向異性效應(yīng)】以鍵軸為中心呈對(duì)稱分布,構(gòu)成筒狀電子云,鍵軸平行于外磁場(chǎng),產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)都在鍵軸方向?yàn)檎帘螀^(qū),與鍵軸垂直方
19、向?yàn)槿テ帘螀^(qū)。【單鍵的磁各向異性效應(yīng)】單鍵的電子也能產(chǎn)生各向異性效應(yīng),但比上述電子環(huán)流引起的磁各向異性效應(yīng)小很多,當(dāng)碳上的氫逐個(gè)被烷基取代后,剩下的氫核所受的去屏蔽效應(yīng)即逐漸增大。(4) 范德華效應(yīng):當(dāng)立體結(jié)構(gòu)決定了空間的兩個(gè)原子核靠的很近的時(shí)候,帶負(fù)電荷的核外電子云就相互排斥,使核變得裸露,屏蔽作用減小,值增大。(5) 氫鍵影響:形成氫鍵后,所受屏蔽效應(yīng)減小,共振峰移向低場(chǎng)增大。分子間形成氫鍵的程度隨著非極性溶劑的稀釋和提高溫度而降,使質(zhì)子的共振峰移向高場(chǎng)。分子內(nèi)氫鍵則不受溶劑濃度等影響。4、 不同類型氫核的化學(xué)位移?苯環(huán)、雙鍵、甲基、亞甲基、次甲基基礎(chǔ)化學(xué)位移值?【甲基、亞甲基和次甲基的化
20、學(xué)位移】(Si為取代基對(duì)化學(xué)位置的貢獻(xiàn)值甲基、亞甲基、次甲基的B值分別為0.87、1.20、1.55)【烯烴的化學(xué)位移】(Z是同碳、鄰位順式以及反式取代基對(duì)于烯氫化學(xué)位移的影響)【炔氫的化學(xué)位移】化學(xué)位移大致在1.63.4?!痉?xì)涞幕瘜W(xué)位移】受苯環(huán)去屏蔽效應(yīng)影響,化學(xué)位移位于低場(chǎng),在8.56.0附近。 (S代表取代基對(duì)芳烴氫的影響)【活潑氫的化學(xué)位移】與雜原子相連的氫為活潑氫。活潑氫不同于連接在C原子上的氫,因?yàn)樵擃愘|(zhì)子在酸或堿的催化下,發(fā)生快速交換,使質(zhì)子不再固定在雜原子上,交換的結(jié)果改變了吸收峰的位置;雜原子電負(fù)性較大,使質(zhì)子容易形成氫鍵,在稀釋、改變?nèi)軇┗蛱岣邷囟葧r(shí)吸收峰的為止均可發(fā)生變
21、化。5、 峰面積和H數(shù)目的關(guān)系?氫譜中的峰面積可以積分曲線高度表示。積分曲線的總高度和吸收峰的總峰面積相當(dāng),與分子式中氫核總數(shù)成正比;而每一個(gè)階梯的高度則與引起該吸收峰的氫核數(shù)目成正比。6、 什么是偶合常數(shù)?N+1規(guī)律?什么是偕偶、鄰偶、遠(yuǎn)程偶合及其偶合常數(shù)大小?【偶合常數(shù)】磁性核之間因?yàn)樽孕己袭a(chǎn)生裂分,裂分的小峰之間的距離稱為偶合常數(shù)?!緉+1規(guī)則】有n個(gè)相鄰的磁不等同氫核時(shí),將顯示n+1個(gè)小峰?!皀+1規(guī)則”只適用于相互偶合的質(zhì)子的化學(xué)位移差遠(yuǎn)大于偶合常數(shù)的?!举膳肌恳卜Q同碳偶合,是指同一碳原子上質(zhì)子之間的偶合,偶合作用通過兩個(gè)鍵傳遞?!距徟肌渴侵赶噜徧忌腺|(zhì)子的偶合,偶合作用經(jīng)過三個(gè)鍵。
22、【遠(yuǎn)程偶合】是指相隔四個(gè)或四個(gè)以上鍵的質(zhì)子之間的偶合。(一般存在在苯環(huán)上,13之間)【影響因素】核間距(偶合核間隔的化學(xué)鍵數(shù)目)、鍵長(zhǎng)、鍵角和兩面夾角、取代基電負(fù)性的影響7、 核的等價(jià)性?常見的磁不等氫核? 等價(jià)核分為化學(xué)等價(jià)和磁等價(jià)。【化學(xué)等價(jià)】分子中化學(xué)環(huán)境相同,化學(xué)位移相等的一組核稱為化學(xué)等價(jià)核。【磁等價(jià)】分子中相同種類的核(或相同基團(tuán)),不僅化學(xué)位移相同,而且還以相同的偶合常數(shù)與分子中其他的核相偶合,只表現(xiàn)一個(gè)偶合常數(shù),這類核稱為磁等價(jià)核(磁全通質(zhì)子)【磁不等價(jià)核】化學(xué)不等價(jià)的核一定磁不等價(jià),幻雪等價(jià)的核也可能磁不等價(jià)。 (1)化學(xué)環(huán)境不同的氫核一定是磁不等價(jià)核 (2)單鍵帶有雙鍵性質(zhì)
23、,不能自由旋轉(zhuǎn),連于同一原子上的兩個(gè)相同基團(tuán)的質(zhì)子化學(xué)不等價(jià)。 (3)與不對(duì)稱碳原子相連的CH2(稱前手性氫)的兩個(gè)質(zhì)子不等價(jià)。 (4)構(gòu)象固定的環(huán)上CH2的兩個(gè)質(zhì)子不等價(jià)。 (5)取代苯環(huán)上的質(zhì)子可能磁不等價(jià)8、 什么是低級(jí)偶合、高級(jí)偶合?低級(jí)偶合符合什么規(guī)律?自選偶合系統(tǒng)分類方法較多,通常按照/J的值對(duì)偶合體系進(jìn)行分類。(為相互偶合的氫核化學(xué)位移差距)/J6,干擾較弱,稱之為低級(jí)偶合,產(chǎn)生的圖譜較簡(jiǎn)單,稱為一級(jí)圖譜;/J6,干擾作用較嚴(yán)重,稱之為高級(jí)偶合,產(chǎn)生的圖譜較復(fù)雜。【規(guī)律】磁等價(jià)質(zhì)子之間彼此偶合,但不引起峰的裂分。 重峰的數(shù)目符合n+1規(guī)則,峰強(qiáng)比遵循展開式的各項(xiàng)系數(shù)之比。 重峰的
24、中心即為化學(xué)位移值。 相互作用的兩組質(zhì)子,其偶合常數(shù)相等,等于峰間距。 兩組互相偶合的信號(hào)彼此具有“向心性”,即內(nèi)測(cè)峰強(qiáng)增加,外側(cè)峰強(qiáng)減弱。9、 什么是NOE效應(yīng)?【NOE效應(yīng)】分子內(nèi)空間靠近的兩組自旋核(空間距離小于3埃,不一定引起偶合),如用干擾磁場(chǎng)使其中的一組核共振飽和,則會(huì)由于偶極-偶極作用引起另一組核的弛豫核能級(jí)上離子束差額增加很多而發(fā)生共振強(qiáng)度的增強(qiáng)。這種由于雙核共振引起的相鄰核譜峰強(qiáng)度增強(qiáng)的效應(yīng)稱為NOE效應(yīng)。10、 C13譜的特點(diǎn)、什么是COM、OFR、DEPT?什么是1,3()-效應(yīng)?DEPT和OFR譜如何卻別碳的級(jí)數(shù)?(1) 化學(xué)位移的范圍比氫譜更寬,碳譜的化學(xué)位移值一般在
25、0220之間,分辨率較高,無(wú)重疊信號(hào),易識(shí)別。(2) 由于的天然豐度低,以及的磁旋比比較小,導(dǎo)致碳譜的靈敏度僅為氫譜的1/5700.(3) 常使用去偶技術(shù)消除或部分消除氫的偶合,使圖譜簡(jiǎn)化。(4) 弛豫時(shí)間長(zhǎng)。有機(jī)化合物中各種不同類型碳原子的T值順序?yàn)椋咎荚由蠜]有和它直接相連的H,不能產(chǎn)生有效的D-D弛豫)(5) 譜峰強(qiáng)度不與碳原子數(shù)目成正比,碳核信號(hào)強(qiáng)度順序與弛豫時(shí)間相反。NOE增益。有機(jī)化合物中國(guó)各種類型碳核由NOE引起的增益也不一樣,順序?yàn)椋豪肅13-NMR譜也可以近似的估算分子中碳核的數(shù)目。(6) 溶劑峰。測(cè)定碳譜時(shí),常用氘代溶劑11、 C13的化學(xué)位移及其三個(gè)重要區(qū)段?C的裂分
26、數(shù)與級(jí)數(shù)的關(guān)系?!居绊慍13化學(xué)位移的因素】 (1)碳的雜化類型:不同雜化類型碳核的化學(xué)位移大小順序與其相連質(zhì)子的化學(xué)位移大小 順序平行。 (2)誘導(dǎo)效應(yīng):電負(fù)性取代基使相鄰碳的化學(xué)位移增加,增加的大小隨相隔鍵數(shù)的增多而減小。誘導(dǎo)效應(yīng)對(duì)直接相連的化學(xué)位移影響最大,即效應(yīng),不同取代基對(duì)碳的影響不大,對(duì)碳影響都使其向高場(chǎng)位移。由于碳原子電負(fù)性比氫原子大,盡管烷基為供電子基團(tuán),但在烷烴化合物中,烷基取代越多的碳原子,其化學(xué)位移反而越向低場(chǎng)位移。 (3)共軛效應(yīng):取代苯環(huán)中,供電子基團(tuán)取代能使其鄰、對(duì)位的電子云密度增加,對(duì)應(yīng)化學(xué)位移減?。欢娮踊鶊F(tuán)取代則使其鄰、對(duì)位碳的電子云密度減小,對(duì)應(yīng)碳的化學(xué)位
27、移增大。間位碳電子云密度所受的影響不大。 (4)空間效應(yīng):取代基和空間位置和靠近的碳原子的氫之間存在范德華作用,使相關(guān)C-H鍵的價(jià)電子移向碳原子,從而使碳核所受的屏蔽增強(qiáng)。c值減小,稱為空間效應(yīng)。取代基對(duì)碳的空間效應(yīng),常常使碳的共振峰向高場(chǎng)位移稱位效應(yīng)。 (五)重原子效應(yīng):電負(fù)性取代基對(duì)被取代的脂肪碳的屏蔽影響主要為誘導(dǎo)效應(yīng)。但在電負(fù)性重原子碘或溴取代烷中,隨著碘或溴取代的增加,碳的化學(xué)位移反而顯著減小,稱為重原子效應(yīng)。這是由于碘等重電子的核外電子較多,原子半徑較大,從而使他們的供電子效應(yīng)有時(shí)要比誘導(dǎo)效應(yīng)更強(qiáng)烈所致。 (六)氫鍵效應(yīng):分子內(nèi)氫鍵可使羥基碳更強(qiáng)地被極化。而表現(xiàn)出去屏蔽作用。電子云
28、密度減小,化學(xué)位移增大?!靖黝惢衔顲13的化學(xué)位移】(1) 鏈狀烷烴的化學(xué)位移:開鏈烷烴碳(sp3)的c值一般小于50,不同碳原子的c值順序?yàn)椋篊 >CH >CH2 >CH3.(2) 環(huán)烷烴碳的化學(xué)位移:環(huán)丙烷碳與其他環(huán)烷碳相比受到異常強(qiáng)的屏蔽作用,其化學(xué)位移與甲烷碳的相近,這種異常屏蔽是由于三元環(huán)的張力及價(jià)電子環(huán)流作用所致。(3) 烯烴碳的化學(xué)位移:烯碳的化學(xué)位移比較大c一般在100150范圍內(nèi),烯碳的c隨烷基取代的增多而增大,末端烯碳的c比連由烷基的烯碳要小約1040。(4) 芳香碳的化學(xué)位移:芳烴碳的值一般在90170范圍內(nèi),苯環(huán)的C-1受取代基的電負(fù)性的影響多數(shù)移向
29、低場(chǎng),給電子基團(tuán),特別是一些有孤對(duì)電子的基團(tuán),即使電負(fù)性較大,都能使苯環(huán)的鄰、對(duì)位芳碳向高場(chǎng)移動(dòng);吸電子基團(tuán)則使鄰、對(duì)位芳碳向低場(chǎng)移動(dòng)。處于取代基間位的芳環(huán)碳原子值變化較小。(5) 炔烴碳的化學(xué)位移:炔烴碳的化學(xué)位移一般在6090范圍內(nèi),炔鍵的各向異性效應(yīng)使得炔碳所受屏蔽比烯碳強(qiáng)而比烷烴碳弱,連有取代基的炔碳的共振峰常向低場(chǎng)位移。(6) 羰基碳的化學(xué)位移:羰基碳的化學(xué)位移在150220范圍內(nèi)。酮、醛的羰基碳與其他化合物的羰基相比更在低場(chǎng),羧酸與其衍生物中的羰基碳與帶有孤對(duì)電子的雜原子相連,受到給電子的共軛效應(yīng)作用,羰基碳共振峰向高場(chǎng)位移?!咎嫉牧逊峙c級(jí)數(shù)之間的關(guān)系】四重峰q(CH3)、三重峰t
30、(CH2)、二重峰d(CH)、單峰s(C)12、 一些常見的H-NMR集團(tuán)數(shù)據(jù): 甲基(0.8) 亞甲基(1.25) 次甲基(1.5)羰甲基(2.1) 甲氧基(3.8) 雙鍵H基礎(chǔ)值(5.5)苯環(huán)H基礎(chǔ)值(7.3)第4章 質(zhì)譜-MS1、 質(zhì)譜特點(diǎn)【質(zhì)譜】 把化合物分子通過一定方式裂解后生成的各種離子,按其質(zhì)量m和所帶電荷z之間比值m/z(簡(jiǎn)稱質(zhì)荷比)大小排列而得到的圖譜?!咎攸c(diǎn)】 靈敏度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他三種光譜; 質(zhì)譜時(shí)唯一可以確定分子式的方法; 質(zhì)譜分析速度快,易于與氣象色譜、高效液相色譜等方法實(shí)現(xiàn)連用,實(shí)現(xiàn)混合物 的分離分析,GC-MS、HPLC-MS都可直接分析混合物個(gè)組分的結(jié)構(gòu)和相對(duì)含量。
31、【質(zhì)譜儀】主要由進(jìn)樣系統(tǒng)、離子源、質(zhì)量分析器和離子檢測(cè)器組成,離子源是質(zhì)譜儀的重要部分?!倦娮愚Z擊質(zhì)譜產(chǎn)生的具體過程】(1) 進(jìn)樣:樣品進(jìn)過進(jìn)樣系統(tǒng)進(jìn)入質(zhì)譜儀,分為加熱進(jìn)樣和非加熱進(jìn)樣。加熱進(jìn)樣主要用于氣體和低沸點(diǎn)液體樣品;而對(duì)一些不穩(wěn)定或難以氣化的樣品可采用非加熱進(jìn)樣將樣品直接送入電離室。(2) 電離:樣品的電離和裂解主要是在離子源中進(jìn)行的。轟擊電子能量為5070eV時(shí)電離效率高且穩(wěn)定,因而常采取70eV進(jìn)行轟擊,此時(shí)質(zhì)譜的重現(xiàn)性較好。(3) 質(zhì)量分析:質(zhì)量分析器時(shí)質(zhì)譜儀的核心部分,其作用是將離子源中產(chǎn)生的離子進(jìn)行分離和聚焦,使之按質(zhì)荷比的大小順序分開,然后經(jīng)檢測(cè)記錄成質(zhì)譜。(4) 離子檢測(cè)
32、,各種離子經(jīng)過分析器聚集后,通過檢測(cè)器進(jìn)行檢測(cè),在質(zhì)譜儀中常用電子倍增器接收檢測(cè),它的測(cè)定速度快、靈敏度高。(5) 數(shù)據(jù)記錄和處理。2、 什么是EI、FI、FD、FAB、EST質(zhì)譜?什么是軟電離和硬電離?按照離子源分類將質(zhì)譜分類。質(zhì)譜的離子源類型包括電子轟擊型(EI)、化學(xué)電離型(CI)、場(chǎng)致電離型(FI)、場(chǎng)解吸型(FD)和快原子轟擊型(FAB)、以及近期發(fā)展的大氣壓電離型(APCI)等。按質(zhì)量分析器將質(zhì)譜儀分類。包括單聚焦分析器型、雙聚焦分析器、四級(jí)桿分析器型、離子阱分析器型、回旋振動(dòng)分析器型和飛行時(shí)間分析器型等?!居搽婋x】通常能給樣品較大能量的方法稱為硬電離。【軟電離】給樣品較小能量的電
33、離方法稱為軟電離。3、 什么是分子離子峰?判斷分子離子峰的原則?有機(jī)化合物分子離子峰的穩(wěn)定性順序?【分子離子】有機(jī)化合物分子被高能電子束轟擊后,失去一個(gè)外層價(jià)電子而形成的帶正電荷的離子稱為分子離子。 常見化合物的分子離子的穩(wěn)定性大致有如下規(guī)律:芳香族化合物>共軛烯烴>脂環(huán)化合物>烯烴>直鏈烷烴>酰胺>酮>醛>胺>酯>醚>羧酸>支鏈烷烴>醇?!舅槠x子】在電子轟擊離子源中,由于電子撞擊的能量很大,促使分子離子中的某些不穩(wěn)定化學(xué)鍵發(fā)生斷裂,形成豐富的碎片離子。碎片離子峰的相對(duì)豐度與化學(xué)鍵斷裂的難易和裂解反應(yīng)產(chǎn)生的產(chǎn)物穩(wěn)定
34、性密切相關(guān),一般生成穩(wěn)定的碎片離子或中性分子,相應(yīng)的碎片離子峰的相對(duì)豐度越大。4、 什么是同位素離子峰?Cl和Br的M+2峰的比例?【同位素離子】一般將含有同位素的例子稱為同位素離子。重同位素峰與風(fēng)度最大的輕同位素峰的峰強(qiáng)之比符合天然豐度之比。當(dāng)化合物分子中含有Cl、Br時(shí),M+2峰先對(duì)強(qiáng)度相當(dāng)大,可以利用同位素峰的豐度比推斷分子中是否含有Cl、Br原子以及含有的數(shù)目。當(dāng)分子中含有一個(gè)氯原子的時(shí)候,M:(M+2)=100:32.393:1當(dāng)分子中含有一個(gè)溴原子的時(shí)候,M:(M+2)=100:97.861:15、 什么叫均裂、異裂和半異裂?有機(jī)化合物都具有偶數(shù)個(gè)電子,當(dāng)電離失去一個(gè)電子后,分子離
35、子的質(zhì)量數(shù)與電子數(shù)的關(guān)系,取決于有機(jī)化合物元素的組成。由C、H或C、H、O組成,含偶數(shù)個(gè)氮或不含氮的離子,如果質(zhì)量數(shù)為奇數(shù),則必然是含有偶數(shù)個(gè)電子的離子,如果質(zhì)量數(shù)為偶數(shù),則必然還有奇數(shù)個(gè)電子的離子。(含奇數(shù)個(gè)氮?jiǎng)t相反)【偶電子規(guī)律】偶電子離子裂解一般只能生成歐電子離子6、 什么是裂解,i裂解?麥?zhǔn)现嘏牛℉遷移)、RDA重排?裂解類型:簡(jiǎn)單裂解、重排裂解【簡(jiǎn)單裂解】-裂解、-裂解、-裂解、i-裂解、-裂解。一般認(rèn)為-裂解、-裂解是由自由基引發(fā),自由基具有強(qiáng)烈的電子配對(duì)傾向,從而發(fā)生由游離基重新組成新鍵而引起相鄰鍵斷裂的過程(有舊鍵的斷裂也有新鍵的形成);i裂解是由正電荷引發(fā)的,正電荷具有吸引或
36、極化相鄰成鍵電子的能力,吸引一對(duì)成鍵電子而引起相鄰鍵的斷裂,同時(shí)發(fā)生真負(fù)電荷位置的遷移。(只有舊鍵的斷裂)(1) 裂解:正電荷官能團(tuán)與碳原子之間的共價(jià)鍵的斷裂稱為-裂解。這類裂解主要發(fā)生在含有C-X或C=X(X為雜原子)基團(tuán)的化合物。(2) -裂解:正電荷官能團(tuán)的C-C鍵的斷裂稱為-裂解。這類裂解主要發(fā)生在醇、醚、胺、烯、芳烷等類型的化合物。(3) -裂解:對(duì)于酮及其衍生物,以及含N雜環(huán)的烷基取代物,如果烷基處于連接氧或氮原子的空間位置上,則容易發(fā)生鍵的斷裂生成穩(wěn)定的四元環(huán)。(4) i-裂解:發(fā)生誘導(dǎo)裂解的原因是由于與正電荷中心相連的鍵的一對(duì)電子全被正電荷吸引,在電子的撞擊下造成該單鍵斷裂和電
37、荷的轉(zhuǎn)移。誘導(dǎo)理解主要發(fā)生在含有R-X的鍵上,與電負(fù)性有關(guān),誘導(dǎo)裂解難易順序:Cl,Br>O,S>>N,C.(5) -裂解:分子中鍵在電子轟擊下失去一個(gè)電子,隨后裂解生成碎片離子和游離基,這種裂解方式稱為-斷裂。-斷裂多發(fā)生在烷烴,對(duì)于飽和烴,取代基越多的碳,其鍵越容易斷裂,形成的正碳離子越穩(wěn)定。【重排裂解】重拍裂解需要兩個(gè)及兩個(gè)以上的鍵,分子內(nèi)原子或基團(tuán)的重新組合,并脫去一個(gè)中性分子,產(chǎn)生的離子稱為重排離子。(1) McLafferty重排:許多含有不飽和中心(如C=O、C=N、C=S及C=C)的有機(jī)化合物,在與不飽和基團(tuán)相連的碳上有氫原子時(shí),可發(fā)生麥?zhǔn)现嘏?。重排時(shí),通六元
38、環(huán)的中間體過渡,氫原子轉(zhuǎn)移到電離的雙鍵或雜原子,同時(shí)鍵發(fā)生斷裂,脫去一個(gè)不飽和中心分子。如果在不飽和中心位上有支鏈時(shí),一般較大的支鏈優(yōu)先通過六元環(huán)中間體過渡,發(fā)生重排。當(dāng)不飽和中心與具有兩個(gè)含三個(gè)碳原子以上的鏈相連并都含有-H時(shí),往往發(fā)生二次重排,且第二次重排更容易。(2) RDA重排:具有環(huán)己烯結(jié)構(gòu)類型的化合物可以逆Diels-Alder反應(yīng)進(jìn)行重排裂解,生成一個(gè)共軛二烯正離子及一個(gè)烯烴中性分子碎片。 (3) 四元環(huán)過渡重排:氫原子通過四元環(huán)過渡一般重排到飽和雜原子上,醚,脂、胺及酰胺等類型化合物分子離子長(zhǎng)發(fā)生四元環(huán)過渡重排。(4) 雙重重排:當(dāng)質(zhì)譜圖上出現(xiàn)由簡(jiǎn)單裂解產(chǎn)生的離子多兩個(gè)質(zhì)量單位
39、的離子峰,同時(shí)從相對(duì)強(qiáng)度可以看出它不是重同位素引起的,這就是雙重重排的結(jié)果,這種雙重重排常見于乙酯以上的酯類化合物和碳酸酯類化合物。7、 各類化合物質(zhì)譜的特點(diǎn)【烷系】 【直鏈烷烴】1、分子離子豐度隨著碳鏈的增長(zhǎng)而減小 2、碎片峰成簇,各峰之間質(zhì)量數(shù)相差14. 3、豐度最大的碎片是C3和C4,其他碎片成平滑下降。 【支鏈烷烴】1、分子離子峰較直鏈烷烴低 2、不再形成平滑曲線,分支處易斷裂,開裂是優(yōu)先失去最大烷基 3、分支處易斷裂,伴有失去單個(gè)H的傾向,產(chǎn)生C2nH2n離子碎片,有時(shí) 強(qiáng)于C2nH2n+1。 4、有甲基分支時(shí),有M-15峰出現(xiàn)。 5、分支很多時(shí),分子離子峰消失?!痉紵N類化合物】:m/z 39、51、65、77、91、92等離子時(shí)芳烴類化合物的特征離子。(1) 分子離子很穩(wěn)定,分子離子峰強(qiáng)。(2) 烷基取代苯易發(fā)生-裂解,生成m/z91的卓翁離子。該離子峰強(qiáng),多為基峰。是烷基取代苯的重要特征。(3) 卓翁離子可進(jìn)一步裂解,生成m/z65環(huán)戊二烯及m/z39的環(huán)丙烯正離子。(4) 烷基取代苯也能發(fā)生-裂解,生成,m/z77的苯基正離子,并進(jìn)一步裂解生成m/z51環(huán)丁二烯及m/z39環(huán)丙烯正離子。(5) 烷基取代苯存在-H,發(fā)生麥?zhǔn)现嘏?,產(chǎn)生m/z92的離子
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