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文檔簡介

1、3.2 電壓型PWM控制器SG3525      字體 大   中   小SG3525是美國Silicon General公司推出的 PWM控制器,它的輸出級采用推挽電路,雙通道輸出,每一通道的驅(qū)動電流最大值達 500mA,能夠直接驅(qū)動功率GTR和功率MOSFET。其工作頻率高達400kHz,具有欠壓關(guān)斷、可編程軟啟動等特點。SG3525是一種性能優(yōu)良、功能齊全、通用性強的單片集成PWM 控制器。由于它簡單、可靠及使用方便靈活,大大簡化了脈寬調(diào)制器的設(shè)計及調(diào)試,因而被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機調(diào)速等控制電路中。 圖3

2、9 SG3525引腳排列圖SG3525的引腳排列如圖39所示,內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖310所示。各引腳名稱、功能和用法如表32所示。 圖310 SG3525內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖表32 SG3525引腳的名稱、功能和用法續(xù)表SG3525芯片內(nèi)部集成了精密基準電源、誤差放大器、帶同步功能的振蕩器、脈沖同步觸發(fā)器、圖騰柱式輸出晶體管、PWM比較器、PWM鎖存器、軟啟動電路、關(guān)斷電路和欠壓鎖定電路。 芯片+5.1V基準電壓精度為±1%,由于基準電壓值在誤差放大器的輸入共模范圍內(nèi),因此,無須外接電阻。SG3525可以工作在主從模式,也可以與外部時鐘同步。通過CT端(引腳) 與放電端之間的電阻可以設(shè)置死區(qū)時間。 S

3、G3525采用電壓模式控制方式,工作原理波形如圖311所示。振蕩器輸出的時鐘信號觸發(fā)PWM鎖存器(Latch),形成PWM信號的上升沿,使主電路的開關(guān)器件開通。誤差放大器的輸出信號與振蕩器輸出的三角波信號相比較,當三角波的瞬時值高于誤差放大器的輸出時,PWM比較器翻轉(zhuǎn),觸發(fā)PWM鎖存器,形成PWM信號的下降沿,使主電路的開關(guān)器件關(guān)斷。F/F觸發(fā)器用作分頻器,將PWM鎖存器的輸出分頻,得到占空比為0.5、頻率為振蕩器頻率一半的方波。 1. 軟啟動 SG3525的軟啟動電容接入端(引腳) 上通常接一個5F的軟啟動電容。充電過程中,由于電容兩端的電壓不能突變,因此,與軟啟動電容接入端相連的PWM比較

4、器反相輸入端處于低電平,PWM比較器輸出為高電平。此時,PWM鎖存器的輸出也為高電平,該高電平通過兩個或非門加到輸出晶體管上,使之無法導(dǎo)通。只有當軟啟動電容的充電電壓使引腳處于高電平時,SG3525才能開始工作。 圖311 SG3525的工作原理波形2. 關(guān)斷操作 通過引腳(關(guān)斷端)來關(guān)閉SG3525的輸出。當引腳上的信號為高電平時,可以實現(xiàn)兩個功能: PWM鎖存器立即動作,同時軟啟動電容開始放電。放電電流只有 150A,如果關(guān)斷信號為短暫的高電平,PWM信號將被中止,但此時軟啟動電容沒有明顯的放電過程。利用這個特點,可以很容易地實現(xiàn)逐個脈沖限幅。但是,如果引腳 上的高電平維持較長的時間,軟啟

5、動電容將充分放電,當關(guān)斷信號結(jié)束時,將進入軟啟動過程。特別要注意的是引腳不應(yīng)懸空,因為從該腳耦合進來的噪音信號將影響電路的正常工作。 也可以用補償和軟啟動引腳來關(guān)斷SG3525的輸出。由于補償和軟啟動引腳內(nèi)部都有上拉電流源,當外部電路有下拉信號時,最大只需吸收100A的電流就可關(guān)斷輸出。 3. 振蕩器 振蕩器原理如圖312所示。圖313為振蕩器充電時間與RT和CT的關(guān)系,圖 314則為振蕩器放電時間與RD和CT的關(guān)系。振蕩頻率由下式?jīng)Q定 式中,TCHG為電容CT的充電時間,CT充電時,PWM控制器的一個輸出驅(qū)動器工作在導(dǎo)通 (高電平)狀態(tài),TD為兩個輸出驅(qū)動器都處于關(guān)斷(低電平)狀態(tài)時的死區(qū)時

6、間。TCHG與 RT和CT的乘積成正比,TD與RD和CT的乘積成正比,于是振蕩頻率可計算為 設(shè)計時,根據(jù)死區(qū)時間TD按圖314確定RD和CT,然后代入上式計算RT。 圖312 SG3525振蕩器原理圖圖313 振蕩器充電時間與RT和CT的關(guān)系4. 輸出與驅(qū)動電路 SG3525有兩種輸出方式,即單端輸出和推挽輸出。單端輸出時,引腳(13)通過一只電阻接用戶提供的輸出級電源,并作為單端脈沖輸出端,引腳(11)和引腳(14)共同接地。推挽輸出時,引腳(13)為輸出級偏置電壓接入端,直接接用戶提供的輸出級電源。 單端輸出電路如圖315所示。當SG3525內(nèi)部的輸出晶體管導(dǎo)通時,R1上會有電流流過,R1

7、上的壓降將使Q1導(dǎo)通。因此,Q1是在SG3525內(nèi)部的輸出晶體管導(dǎo)通時間內(nèi)導(dǎo)通的,其開關(guān)頻率與SG3525內(nèi)部振蕩器的頻率相同。 采用推挽式輸出驅(qū)動功率晶體管的電路如圖316所示。Q1和Q2分別由SG3525 的輸出端A和輸出端B輸出的正向驅(qū)動電流驅(qū)動。電阻R2和R3是限流電阻,用來防止注入Q1和Q2的正向基極電流超出控制器所允許的輸出電流。C1和C2是加速電容,起到加速Q(mào)1和Q2導(dǎo)通的作用。 圖314 振蕩器放電時間與RD和CT的關(guān)系圖315 單端輸出圖316 推挽輸出采用推挽式輸出驅(qū)動功率MOSFET的電路如圖317所示。由于SG3525的輸出驅(qū)動電路是低阻抗的,而功率MOSFET的輸入阻抗很高,因此,輸出端A和輸出端B與 Q1和Q2之間無須串接限流電阻和加速電容,就可以直接驅(qū)動功率MOSFET。 另外,在半橋變換器的應(yīng)用中,SG3525可用于上下橋臂功率MOSFET的隔離驅(qū)

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