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文檔簡介
1、FC倒裝芯片裝配技術(shù)介紹 器件的小型化高密度封裝形式越來越多,如多模塊封裝(MCM)、系統(tǒng)封裝(SiP)、倒裝芯 片(FC,F(xiàn)lip-Chip)等應(yīng)用得越來越多。這些 技術(shù)的出現(xiàn)更加模糊了一級封裝與二級裝配之間的界線。毋庸置疑,隨著小型化高密度封裝的出現(xiàn),對高速與高精度裝 配的要求變得更加關(guān)鍵,相關(guān)的組裝設(shè)備和工藝也更具先進性與高靈活性。 由于倒裝芯片比BGA或CSP具有更小的外形尺寸、更小的球徑和球間距、它對植球工藝、基板技術(shù)、材料的兼容性、制造工藝,以及檢查設(shè)備和方法提出了前所未有的挑戰(zhàn)。 倒裝芯片的發(fā)展歷史 倒裝芯片的定義 什么器件被稱為倒裝芯片?
2、一般來說,這類器件具備 以下特點: 1. 基材是硅; 2. 電氣面及焊凸在器件下表面; 3. 球間距一般為4-14mil、球徑為2.5-8mil、外形尺寸為1-27mm; 4. 組裝在基板上后需要做底部填充。 其實,倒裝芯片之所以被稱為“倒裝”,是相對于傳 統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式(Wire Bonding)與植球后的工藝 而言的。傳統(tǒng)的通過金屬線鍵合與基板連接的芯片電氣面朝 上(圖1),而倒裝芯片的電氣面朝下(圖2),相當(dāng)于將 前者翻轉(zhuǎn)過來,故稱其為“倒裝芯片”。在圓片(Wafer) 上芯片植完球后(圖3),需要將其翻轉(zhuǎn),送入貼片機,便于貼裝,也由于這一翻轉(zhuǎn)過程,而被稱為“倒裝芯片”。 倒裝芯
3、片的歷史及其應(yīng)用 倒裝芯片在1964年開始出現(xiàn),1969年由IBM發(fā)明了倒 裝芯片的C4工藝(Controlled Collapse Chip Connection, 可控坍塌芯片聯(lián)接)。過去只是比較少量的特殊應(yīng)用,近 幾年倒裝芯片已經(jīng)成為高性能封裝的互連方法,它的應(yīng)用 得到比較廣泛快速的發(fā)展。目前倒裝芯片主要應(yīng)用在Wi- Fi、SiP、MCM、圖像傳感器、微處理器、硬盤驅(qū)動器、醫(yī)用傳感器,以及RFID等方面(圖5)。 與此同時,它已經(jīng)成 為小型I/O應(yīng)用有效的互連解決方案。隨著微型化及人們已 接受SiP,倒裝芯片被視為各種針腳數(shù)量低的應(yīng)用的首選方 法。從整體上看,
4、其在低端應(yīng)用和高端應(yīng)用中的采用,根 據(jù)TechSearch International Inc對市場容量的預(yù)計,焊球凸點倒裝芯片的年復(fù)合增長率(CAGR)將達到31%。 倒裝芯片應(yīng)用的直接驅(qū)動力來自于其優(yōu)良的電氣性能,以及市場對終端產(chǎn)品尺寸和成本的要求。在功率及電 信號的分配,降低信號噪音方面表現(xiàn)出色,同時又能滿足高密度封裝或裝配的要求。可以預(yù)見,其應(yīng)用會越來越廣泛。 倒裝芯片的組裝工藝流程 一般的混合組裝工藝流程 在半導(dǎo)體后端組裝工廠中,現(xiàn)在有兩種模塊組裝方法。在兩次回流焊工藝中,先在單獨的SMT生產(chǎn)線上組裝SMT器件,該生產(chǎn)線由絲網(wǎng)印刷機、貼片機和第一個回 流焊
5、爐組成。然后再通過第二條生產(chǎn)線處理部分組裝的模塊,該生產(chǎn)線由倒裝芯片貼片機和回流焊爐組成。底部填 充工藝在專用底部填充生產(chǎn)線中完成,或與倒裝芯片生產(chǎn)線結(jié)合完成。 倒裝芯片的裝配工藝流程介紹 相對于其它的IC器件,如BGA、CSP等,倒裝芯片 裝配工藝有其特殊性,該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工藝。因為助焊劑殘留物(對可靠性的影響)及橋連的 危險,將倒裝芯片貼裝于錫膏上不是一種可采用的裝配方法。業(yè)內(nèi)推出了無需清潔的助焊劑,芯片浸蘸助焊劑工藝成為廣泛使用的助焊技術(shù)。目前主要的替代方法是使用免洗助焊劑,將器件浸蘸在助焊劑薄膜里讓器件焊球蘸取一 定量的助焊劑,再將器件貼裝
6、在基板上,然后回流焊接;或者將助焊劑預(yù)先施加在基板上,再貼裝器件與回流焊 接。助焊劑在回流之前起到固定器件的作用,回流過程中起到潤濕焊接表面增強可焊性的作用。 倒裝芯片焊接完成后,需要在器件底部和基板之間填充一種膠(一般為環(huán)氧樹酯材料)。底部填充分為于“毛細流動原理”的流動性和非流動性(No-follow)底部填充。 上述倒裝芯片組裝工藝是針對C4器件(器件焊凸材料為SnPb、SnAg、SnCu或SnAgCu)而言。另外一種工藝是 利用各向異性導(dǎo)電膠(ACF)來裝配倒裝芯片。預(yù)先在基板上施加異性導(dǎo)電膠,貼片頭用較高壓力將器件貼裝在基板 上,同時對器件加熱,使導(dǎo)電膠固化。該工藝要求貼片機具有非常
7、高的精度,同時貼片頭具有大壓力及加熱功能。 對于非C4器件(其焊凸材料為Au或其它)的裝配,趨向采用此工藝。這里,我們主要討論C4工藝,下表列出的是倒裝芯片植球(Bumping)和在基板上連接的幾種方式。 倒裝倒裝芯片幾何尺寸可以用一個“小”字來形容:焊球直徑?。ㄐ〉?.05mm),焊球間距?。ㄐ〉?.1mm),外形尺寸?。?mm2)。要獲得滿意的裝配良率,給貼裝設(shè)備及其工藝帶來了挑戰(zhàn),隨著焊球直徑的縮小,貼裝精度要求越來越高 目前12m甚至10m的精度越來越常見。貼片設(shè)備照像機圖形處理能力也十分關(guān)鍵,小的球徑小的球間距需要更高像素的像機來處理。 隨著時間推移,高性能芯片的尺寸不斷增大,焊凸(
8、Solder Bump)數(shù)量不斷提高,基板變得越來越薄,為了提高產(chǎn)品可靠性底部填充成為必須。 對貼裝壓力控制的要求 考慮到倒裝芯片基材是比較脆的硅,若在取料、助焊劑浸蘸過程中施以較大的壓力容易將其壓裂,同時細小的焊凸在此過程中也容易壓變形,所以盡量使用比較低的貼裝壓力,一般要求在150g左右。對于超薄形芯片,如0.3mm,有時甚至要求貼裝壓力控制在35g。 對貼裝精度及穩(wěn)定性的要求 對于球間距小到0.1mm的器件,需要怎樣的貼裝精度 才能達到較高的良率?基板的翹曲變形,阻焊膜窗口的尺寸和位置偏差,以及機器的精度等,都會影響到最終的貼 裝精度。關(guān)于基板設(shè)計和制造的情況對于貼裝的影響,我們在此不作
9、討論,這芯片裝配工藝對貼裝設(shè)備的要求里我們只是來討論機器的貼裝精度。為了回答上面的問題,我們來建立一個簡單的假設(shè)模型: 1.假設(shè)倒裝芯片的焊凸為球形,基板上對應(yīng)的焊盤為圓形,且具有相同的直徑; 2.假設(shè)無基板翹曲變形及制造缺陷方面的影響; 3.不考慮Theta和沖擊的影響; 4.在回流焊接過程中,器件具有自對中性,焊球與潤濕面50%的接觸在焊接過程中可以被“拉正”。 那么,基于以上的假設(shè),直徑25m的焊球如果其對應(yīng)的圓形焊盤的直徑為50m時,左右位置偏差(X軸)或 前后位置偏差(Y軸)在焊盤尺寸的50%,焊球都始終在焊盤上(圖9)。對于焊球直徑為25m的倒裝芯片,工藝能力Cpk要達到1.33的
10、話,要求機器的最小精度必須達到12m3sigma.對照像機和影像處理技術(shù)的要求 要處理細小焊球間距的倒裝芯片的影像,需要百萬像素的數(shù)碼像機。較高像素的數(shù)碼像機有較高的放大倍率, 但是,像素越高視像區(qū)域(FOV)越小,這意味著大的器件可能需要多次“拍照”。照像機的光源一般為發(fā)光二極 管,分為側(cè)光源、前光源和軸向光源,并可以單獨控制。倒裝芯片的的成像光源采用側(cè)光、前光,或兩者結(jié)合。 那么,對于給定器件如何選擇像機呢?這主要依賴圖 像的算法。譬如,區(qū)分一個焊球需要N個像素,則區(qū)分球間 距需要2N個像素。以環(huán)球儀器的貼片機上Magellan數(shù)碼像機為例,其區(qū)分一個焊球需要4個像素,我們用來看不同的 焊
11、球間隙所要求的最大的像素應(yīng)該是多大,這便于我們根 據(jù)不同的器件來選擇相機,假設(shè)所有的影像是實際物體尺寸的75%。 倒裝芯片基準(zhǔn)點(Fiducial)的影像處理與普通基準(zhǔn) 點相似。倒裝芯片的貼裝往往除整板基準(zhǔn)點外(Global fiducial)會使用局部基準(zhǔn)點(Local fiducial),此時的基 準(zhǔn)點會較小(0.151.0mm),像機的選擇參照上面的方 法。對于光源的選擇需要斟酌,一般貼片頭上的相機光源 都是紅光,在處理柔性電路板上的基準(zhǔn)點時效果很差,甚至找不到基準(zhǔn)點,其原因是基準(zhǔn)點表面(銅)的顏色和基 板顏色非常接近,色差不明顯。如果使用環(huán)球儀器的藍色光源專利技術(shù)就很好的解決了此問題。
12、 吸嘴的選擇 由于倒裝芯片基材是硅,上表面非常平整光滑,最好選擇頭部是硬質(zhì)塑料材料具多孔的ESD吸嘴。如果選擇頭部 為橡膠的吸嘴,隨著橡膠的老化,在貼片過程中可能會粘連器件,造成貼片偏移或帶走器件。 對助焊劑應(yīng)用單元的要求 助焊劑應(yīng)用單元是控制助焊劑浸蘸工藝的重要部分, 其工作的基本原理就是要獲得設(shè)定厚度的穩(wěn)定的助焊劑薄 膜,以便于器件各焊球蘸取的助焊劑的量一致。 要精確穩(wěn)定的控制助焊劑薄膜的厚度,同時滿足高速浸蘸的要求,該助焊劑應(yīng)用單元必須滿足以下要求: 1. 可以滿足多枚器件同時浸蘸助焊劑(如同時浸蘸4或7枚)提高產(chǎn)量; 2. 助焊劑用單元應(yīng)該簡單、易操作、易控制、易清潔; 3. 可以處理
13、很廣泛的助焊劑或錫膏,適合浸蘸工藝的 助焊劑粘度范圍較寬,對于較稀和較粘的助焊劑都 要能處理,而且獲得的膜厚要均勻; 4. 蘸取工藝可以精確控制,浸蘸的工藝參數(shù)因材料的不同而會有差異,所以浸蘸過程工藝參數(shù)必須可以單獨控制,如往下的加速度、壓力、停留時間、向上的加速度等。 對供料器的要求 要滿足批量高速高良率的生產(chǎn),供料技術(shù)也相當(dāng)關(guān)鍵。倒裝芯片的包裝方式主要有這么幾種:2×2或4×4英 JEDEC盤、200mm或300mm圓片盤(Wafer)、還有 卷帶料盤(Reel)。對應(yīng)的供料器有:固定式料盤供料器 (Stationary tray feeder),自動堆疊式送料器(Au
14、tomated stackable feeder),圓片供料器(Wafer feeder),以及帶式供料器。 所有這些供料技術(shù)必須具有精確高速供料的能力,對于圓片供料器還要求其能處理多種器件包裝方式,譬如: 器件包裝可以是JEDEC盤、或裸片,甚至完成芯片在機器內(nèi)完成翻轉(zhuǎn)動作。 我們來舉例說明幾種供料器. Unovis的裸晶供料器(DDF Direct Die Feeder)特點: 可用于混合電路或感應(yīng)器、 多芯片模組、系統(tǒng)封裝、RFID和3D裝配 圓片盤可以豎著進料、節(jié)省空間,一臺機器可以安裝多臺DDF 芯片可以在DDF內(nèi)完成翻轉(zhuǎn) 可以安裝在多種貼片平臺上,如:環(huán)球儀器、西門子 、安必昂、富
15、士 對板支撐及定位系統(tǒng)的要求 有些倒裝芯片是應(yīng)用在柔性電路板或薄型電路板上,這時候?qū)宓钠秸畏浅jP(guān)鍵。解決方案往往會用到 載板和真空吸附系統(tǒng),以形成一個平整的支撐及精確的定位系統(tǒng),滿足以下要求: 1.基板Z方向的精確支撐控制,支撐高度編程調(diào)節(jié); 2.提供客戶化的板支撐界面; 3.完整的真空發(fā)生器; 4.可應(yīng)用非標(biāo)準(zhǔn)及標(biāo)準(zhǔn)載板。 回流焊接及填料固化后的檢查 對完成底部填充以后產(chǎn)品的檢查有非破壞性檢查和破壞性檢查,非破壞性的檢查有 利用光學(xué)顯微鏡進行外觀檢查,譬如檢查填料在器件側(cè)面爬升的情況,是否形成良好的邊緣圓角,器件表面是否有臟污等 利用X射線檢查儀檢查焊點是否短路,開路,偏
16、移,潤濕情況,焊點內(nèi)空洞等 電氣測試(導(dǎo)通測試),可以測試電氣聯(lián)結(jié)是否有 問題。對于一些采用菊花鏈設(shè)計的測試板,通過通斷測試還可以確定焊點失效的位置 利用超聲波掃描顯微鏡(C-SAM)檢查底部填充后 其中是否有空洞、分層,流動是否完整破壞性的檢查可以對焊點或底部填料進行切片,結(jié)合光學(xué)顯微鏡,金相顯微鏡或電子掃描顯微鏡和能譜分析儀 (SEM/EDX),檢查焊點的微觀結(jié)構(gòu),例如,微裂紋/微 孔,錫結(jié)晶,金屬間化合物,焊接及潤濕情況,底部填充 是否有空洞、裂紋、分層、流動是否完整等。完成回流焊接及底部填充工藝后的產(chǎn)品常見缺陷有: 焊點橋連/開路、焊點潤濕不良、焊點空洞/氣泡、焊點開 裂/脆裂、底部填
17、料和芯片分層和芯片破裂等。對于底部填充是否完整,填料內(nèi)是否出現(xiàn)空洞,裂紋和分層現(xiàn)象,需 要超聲波掃描顯微鏡(C-SAM)或通過與芯片底面平行的 切片(Flat section)結(jié)合顯微鏡才能觀察到,這給檢查此 類缺陷增加了難度。底部填充材料和芯片之間的分層往往發(fā)生在應(yīng)力最大 器件的四個角落處或填料與焊點的界面,如左圖13 所示??偨Y(jié) 倒裝芯片在產(chǎn)品成本,性能及滿足高密度封裝等方面 體現(xiàn)出優(yōu)勢,它的應(yīng)用也漸漸成為主流。由于倒裝芯片的 尺寸小,要保證高精度高產(chǎn)量高重復(fù)性,這給我們傳統(tǒng)的 設(shè)備及工藝帶來了挑戰(zhàn),具體表現(xiàn)在以下幾個方面:1. 基板(硬板或軟板)的設(shè)計方面; 2組裝及檢查設(shè)備方面; 3制造工藝,芯片的植球工藝,PCB的制造工藝,SMT工藝; 4材料的兼容性。
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