led照明國外技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上國外技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及政府促進計劃序號公司名稱主要內(nèi)容技術(shù)優(yōu)勢特點1日本日亞化學(xué)工業(yè)株式會社（Nichia）G a N（氮化鎵）基高端藍、綠、紫及紫外L E D外延芯片及白光技術(shù)，產(chǎn)量大第一只商品化的Ga N基藍光L E D / L D ；擁有目前最好的熒光粉技術(shù)，藍光激發(fā)黃色熒光粉技術(shù)專利，藍寶石襯底外延生長技術(shù)。N i c h i a與多家企業(yè)簽署了各種形式的交叉許可協(xié)議。其中，2009年2月2日與首爾半導(dǎo)體簽署的交叉許可協(xié)議最為引人關(guān)注，這標(biāo)志著兩家公司將正式停止耗時4年在美國、德國、日本、英國、韓國所進行的所有專利官司案件，該交叉許可協(xié)議涵蓋了L E D和L D

2、(激光二極管)技術(shù)，這些技術(shù)將允許雙方可以無限制地使用對方的專利。此外，Nichia還與夏普、美國流明納斯器件公司（Luminus Devices Inc.）、AgiLight等公司簽署了交叉許可協(xié)議。2美國克雷公司（Cree）S i C（碳化硅）襯底的G a N基外延，高端藍、綠L E D芯片及白光功率LED，產(chǎn)量大S i C基族氮化物外延、芯片級封裝技術(shù)；大功率芯片和封裝技術(shù)。C r e e與三菱化學(xué)株式會社簽訂了專利許可協(xié)議，給予其獨家授權(quán)生產(chǎn)和銷售的獨立的G a N襯底；C r e e則收取該協(xié)議中規(guī)定的出售G a N襯底的保障和特許權(quán)使用費。與普瑞光電股份有限公司（BridgeLux

3、）就專利侵權(quán)訴訟達成協(xié)議。按照之后達成的另一個供應(yīng)協(xié)議，Cree公司將成為BridgeLux公司的一個重要供應(yīng)商。3美國流明公司（LumiLEDs）G a N基高端藍、綠L E D外延芯片，白光封裝技術(shù)，I n G a A L P（磷化鋁鎵銦）LED其技術(shù)目前處于世界先進水平。所用襯底主要是藍寶石，也有用G a N襯底?？梢陨a(chǎn)小功率、中功率、以及大功率的LED產(chǎn)品，特別是能生產(chǎn)功率達到5W的大功率LED產(chǎn)品;可以生產(chǎn)藍光、綠光、紫光、紫外光、白光等多種顏色和規(guī)格的產(chǎn)品。該公司更關(guān)注白光照明。4德國歐司朗光電公司（Osram）歐洲最大的G a N基藍、綠L E D外延芯片，白光LED及InGa

4、AlPLEDSiC襯底的“Faceting”（切磨刻面）；在白光LED用熒光材料方面具有領(lǐng)先優(yōu)勢；zz正裝功率型封裝技術(shù)及車用燈具技術(shù)。公司加大對O L E D的研發(fā)，尤其是在照明應(yīng)用領(lǐng)域，同時大力發(fā)展離網(wǎng)照明和以節(jié)能環(huán)保為最大優(yōu)勢的照明系統(tǒng)；已將相應(yīng)的技術(shù)及產(chǎn)品在非洲、印度等國家和地區(qū)大力推廣，并加大了對亞太市場的依賴。自2007年在馬來西亞建立公司第二個研發(fā)生產(chǎn)中心后，Osram在香港建立了亞太總部，重點發(fā)展中國和印度。5日本豐田合成公司（ToyodaGose）G a N基藍、綠L E D及白光LED，產(chǎn)量大1987年，受科學(xué)技術(shù)振興事業(yè)團的開發(fā)委托，豐田合成成功地在藍寶石上形成了L E

5、D電極。因此，把豐田合成譽為“藍色L E D的先鋒”。豐田化合的生產(chǎn)據(jù)點除了愛知縣平和町的工廠以外，還在佐賀縣武雄市建立了生產(chǎn)藍色LED等GaNLED的第二個生產(chǎn)據(jù)點。6美國Geleore公司通用（GE）公司的下屬公司，主要是G a N基藍、綠LED及白光LEDGeleore是GE公司和EMCORE公司合資形成的公司，其技術(shù)目前處于世界先進水平。GE是世界主要照明產(chǎn)品提供商；EMCORE公司是世界重要的MOCVD(金屬有機物化學(xué)氣相沉積)設(shè)備提供商，在2003年已經(jīng)被美國Veeco公司收購。Geleore主要用EMCORE公司的MOCVD設(shè)備生產(chǎn)GaN-LED外延片，所用襯底主要是藍寶石。GE

6、公司主要在燈具設(shè)計方面很有自己的特色。7韓國首爾導(dǎo)體公司（SeoulSemiconductorCo.Ltd）G aN基藍、綠L E D，發(fā)展較快受光及發(fā)光體復(fù)合化，擁有“MODULE”（模塊）化技術(shù)；擁有“DI G I TAL”（數(shù)碼）回路技術(shù)；擁有藍光、白光LED在內(nèi)的解決方案；擁有超迷你型、超薄型技術(shù)。2009年2月，SeoulS emi c o n d u c t o r與N i c h ia的專利糾紛以互相簽署交叉許可協(xié)議作為終結(jié)，此外，S e o u l Semiconductor還與奧地利銳高公司（Tridonic）簽署硅酸鹽基熒光粉白光LED專利交叉許可協(xié)議。8中國臺灣晶元電股份

7、有限公司GaN基藍、綠LED，InGaALP外延芯片產(chǎn)量很大擁有發(fā)光二極管、雷射二極管及光電模塊等技術(shù)；高亮度磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管的世界市場占有率已突破30%，成為世界第一，臺灣整體的市占率更高達60%以上；是臺灣第一家開發(fā)完成氮化銦鎵藍光和綠光二極管的廠商。資料來源：（胡愛華.半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與前景，現(xiàn)代顯示：2010，109（2-3）:65.）及相關(guān)網(wǎng)絡(luò)資料。近幾年，半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，美國、歐洲和亞洲各個國家和地區(qū)看好新興經(jīng)濟體中國市場，紛紛從國家戰(zhàn)略高度進行系統(tǒng)部署，以期占領(lǐng)壟斷中國照明產(chǎn)業(yè)上游核心技術(shù)。2各國半導(dǎo)體照明研究計劃及進展情況21日本的"21世紀(jì)照明計劃”

8、日本率先開始實施半導(dǎo)體照明計劃。早在1998年，由通產(chǎn)省資助、新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)和金屬研究開發(fā)中心(JRCM)負(fù)責(zé)執(zhí)行的"21世紀(jì)照明計劃”正式啟動，參與機構(gòu)包括4所大學(xué)、13家公司和1個協(xié)會。整個計劃的財政預(yù)算為60億日元，19982002年是投入50億日元的第一期目標(biāo)。該計劃關(guān)注的核心在于高質(zhì)量材料的生長、高功率管芯的制備和高效率白光熒光粉的獲得等，開展研究的項目包括氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光機理的基礎(chǔ)研究、改進用于紫外發(fā)光二極管外延生長的方法、研究用于同質(zhì)外延生長的大面積襯底、開發(fā)由紫外發(fā)光二極管激勵產(chǎn)生白光的熒光粉，并生產(chǎn)出使用白光發(fā)光二極管照明的光源。22

9、美國的“下一代照明計劃”美國于2000年開始啟動國家半導(dǎo)體照明研究計劃，即“下一代照明計劃”(NGLl)，總共將投資5億美元支持計劃的實施。該計劃已被列入美國“能源法案”，由國防高級研究計劃局(DARPA)和光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展協(xié)會(OIDA)負(fù)責(zé)執(zhí)行，共有13個國家重點實驗室、公司和大學(xué)參加。重點研究方向是：發(fā)光二極管成本的降低和轉(zhuǎn)換效率的提升、氮化鎵(GaN)材料的固體物理學(xué)問題、金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)相關(guān)工藝、低缺陷密度襯底和器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化等。美國能源部負(fù)責(zé)制定了固態(tài)照明研究與發(fā)展計劃，該計劃為半導(dǎo)體照明確定了無機發(fā)光二極管和有機發(fā)光二極管(OLED)兩個方向，已進行了多次修訂。計劃關(guān)于半導(dǎo)體照明發(fā)展的戰(zhàn)略措施包括基礎(chǔ)研究、核心技術(shù)研究、產(chǎn)品開發(fā)、商業(yè)化支持、標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)以及產(chǎn)業(yè)合作等方面。美國能源部還于2007年4月發(fā)布了固態(tài)照明商業(yè)化支持五年計劃草案，它為產(chǎn)品的商業(yè)化活動也提供了一個基本