計算機硬件技術(shù)基礎(chǔ) 微型計算機原理與接口技術(shù)1 存儲器概述

1、存儲器概述存儲器概述 引入引入MOV AX,1000HADD 2000H,BL第五章第五章 存存 儲儲 器器5.1 5.1 現(xiàn)代高檔微機系統(tǒng)的存儲器體系結(jié)構(gòu)現(xiàn)代高檔微機系統(tǒng)的存儲器體系結(jié)構(gòu)5.2 5.2 半導體存儲器的分類與選用原則半導體存儲器的分類與選用原則5.3 5.3 存儲器芯片與存儲條的接口特性存儲器芯片與存儲條的接口特性5.4 5.4 主存儲器系統(tǒng)的構(gòu)成原理主存儲器系統(tǒng)的構(gòu)成原理5.5 5.5 高速緩沖存儲器基本原理高速緩沖存儲器基本原理* *5.6 5.6 外存儲器外存儲器* *5.7 5.7 虛擬存儲器管理機制虛擬存儲器管理機制* *第五章第五章 存存 儲儲 器器存儲器系統(tǒng)體系結(jié)

2、構(gòu)存儲器系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)1存儲器分類存儲器分類2存儲器芯片接口特性存儲器芯片接口特性3小小 結(jié)結(jié)4 處理器實際運行時的大部分總線周期都是用于處理器實際運行時的大部分總線周期都是用于對存儲器的對存儲器的讀寫讀寫訪問。訪問。中中 央央處理器處理器接接 口口 總總 線線內(nèi)存儲器內(nèi)存儲器 外外 存存 儲儲 器器 是計算機的記憶部件，是系統(tǒng)的基本組成部分。是計算機的記憶部件，是系統(tǒng)的基本組成部分。用于存放計算機工作所需的用于存放計算機工作所需的數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)和和程序程序。存儲器：存儲器：計算機工作的本質(zhì)是執(zhí)行程序的過程。擴大容量擴大容量、縮小體積、加快速度、降低成本?？s小體積、加快速度、降低成本。兩方面努力：兩方

3、面努力：從存儲單元的設(shè)計、制造上研究、改進；從存儲單元的設(shè)計、制造上研究、改進；從存儲器系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)上探索、優(yōu)化。從存儲器系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)上探索、優(yōu)化。 發(fā)展方向：發(fā)展方向： 因此存儲器性能的好壞在很大程度上影響著計算機系統(tǒng)的性能。 使存儲器在工作速度上很好地與處理機匹配，并使存儲器在工作速度上很好地與處理機匹配，并滿足各種存取的需要。滿足各種存取的需要。設(shè)計目標：設(shè)計目標： 矛矛 盾：盾： 隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，微處理機的工作速度有了很大隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，微處理機的工作速度有了很大的提高。如果大量使用高速存儲器，在速度上與處理機相吻的提高。如果大量使用高速存儲器，在速度上與處理機相吻合，但將受到

4、經(jīng)濟上的限制。合，但將受到經(jīng)濟上的限制。 解決辦法：解決辦法：分級存儲器結(jié)構(gòu)分級存儲器結(jié)構(gòu)虛擬存儲器結(jié)構(gòu)虛擬存儲器結(jié)構(gòu)5.1 5.1 現(xiàn)代高檔微機系統(tǒng)的存儲器體系結(jié)構(gòu)現(xiàn)代高檔微機系統(tǒng)的存儲器體系結(jié)構(gòu) 分級存儲器結(jié)構(gòu)分級存儲器結(jié)構(gòu)1虛擬內(nèi)存結(jié)構(gòu)虛擬內(nèi)存結(jié)構(gòu)25.1.1 分級存儲器結(jié)構(gòu)分級存儲器結(jié)構(gòu)內(nèi)部寄存器高速緩沖存儲器內(nèi)部寄存器高速緩沖存儲器(Cache)(Cache)內(nèi)存外存內(nèi)存外存5.1.1 分級存儲器結(jié)構(gòu)分級存儲器結(jié)構(gòu)內(nèi)存內(nèi)存外存外存介于介于CPU與內(nèi)存之間的一與內(nèi)存之間的一個小容量的高速存儲器個小容量的高速存儲器存儲器類型存儲器類型 存放內(nèi)容存放內(nèi)容存取速度存取速度存儲容量存儲容量特特

5、 點點寄存器組寄存器組高速緩沖高速緩沖存儲器存儲器（CACHE）內(nèi)存儲器內(nèi)存儲器外存儲器外存儲器待使用數(shù)據(jù)，運待使用數(shù)據(jù)，運算的中間結(jié)果算的中間結(jié)果裝載當前用得裝載當前用得最多的程序或最多的程序或數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)足以與微處足以與微處理器相匹配理器相匹配采用速度稍慢采用速度稍慢的存儲器芯片的存儲器芯片比內(nèi)存慢得多比內(nèi)存慢得多在微處理器內(nèi)在微處理器內(nèi)部，數(shù)量有限部，數(shù)量有限上上M用作后備用作后備存儲存儲上上G上上T存放各種存放各種程序和數(shù)據(jù)程序和數(shù)據(jù)減少微處理機從減少微處理機從外部取數(shù)的次數(shù)外部取數(shù)的次數(shù)微處理的尋址微處理的尋址大部分在大部分在CACHE主要使用主要使用RAM，一定量一定量ROM很快，在一

6、很快，在一個時鐘周期個時鐘周期存放運行的存放運行的程序和數(shù)據(jù)程序和數(shù)據(jù)5.1.2 虛擬存儲器結(jié)構(gòu)虛擬存儲器結(jié)構(gòu)在采用虛擬存儲器的計算機系統(tǒng)中，存在著兩個地址空間：在采用虛擬存儲器的計算機系統(tǒng)中，存在著兩個地址空間： 虛地址空間虛地址空間(邏輯地址空間邏輯地址空間)：編程使用的空間：編程使用的空間 實地址空間實地址空間(物理地址空間物理地址空間)：CPU可訪問的內(nèi)存空間可訪問的內(nèi)存空間CPUCPU硬件和軟件相互配合的調(diào)度技硬件和軟件相互配合的調(diào)度技術(shù)，術(shù)，把大容量的外存當大容量把大容量的外存當大容量的內(nèi)存來使用的內(nèi)存來使用。5.2 5.2 半導體存儲器的分類與選用原則半導體存儲器的分類與選用原則

7、 半導體存儲器的分類半導體存儲器的分類1半導體存儲器的選用原則半導體存儲器的選用原則25.2.1存儲器分類存儲器分類按照制造工藝的不同按照制造工藝的不同雙極型雙極型MOS型型由由TTL電路制成，存取速度快、集電路制成，存取速度快、集成度低、功耗大、價格高成度低、功耗大、價格高由金屬氧化物半導體電路制成，集由金屬氧化物半導體電路制成，集成度高、功耗校、價格低、但存取成度高、功耗校、價格低、但存取速度慢速度慢按用途和工作方式分：按用途和工作方式分：5.1.2 存儲器分類存儲器分類存儲器存儲器內(nèi)存儲器內(nèi)存儲器（半導體）（半導體）外存儲器外存儲器ROMRAMSRAMDRAMIRAMNVRAM掩模掩模R

8、OM可編程可編程PROM可擦寫可擦寫PROMEEPROMEPROMFLASH磁存儲器（磁盤、磁鼓、磁帶等）磁存儲器（磁盤、磁鼓、磁帶等）光存儲器光存儲器讀寫方便但讀寫方便但掉電信息掉電信息丟失丟失，常用來存放變，常用來存放變化信息，如數(shù)據(jù)等?；畔?，如數(shù)據(jù)等。讀寫方便讀寫方便掉電后信息仍然保留掉電后信息仍然保留，常用來存放固定信息，如調(diào)試完常用來存放固定信息，如調(diào)試完成的程序、表格等。成的程序、表格等。5.2.1 存儲器分類存儲器分類讀寫方便但讀寫方便但掉電信息掉電信息丟失丟失，常用來存放變，常用來存放變化信息，如數(shù)據(jù)等?；畔ⅲ鐢?shù)據(jù)等。讀寫方便讀寫方便掉電后信息仍然保留掉電后信息仍然保留，

9、常用來存放固定信息，如調(diào)試完常用來存放固定信息，如調(diào)試完成的程序、表格等。成的程序、表格等。按存儲器載體分：按存儲器載體分：半導體半導體存儲器：容量大、速度快、體積小，功耗低，成本價格相對存儲器：容量大、速度快、體積小，功耗低，成本價格相對 低，故其廣泛用于大、中、小及微機中作低，故其廣泛用于大、中、小及微機中作內(nèi)存內(nèi)存。磁磁介質(zhì)存儲器：如磁盤、磁帶等。速度比較慢，一般用作介質(zhì)存儲器：如磁盤、磁帶等。速度比較慢，一般用作外存外存儲器。儲器。光光存儲器：其速度快，但需要的硬件相對復雜，主要用作存儲器：其速度快，但需要的硬件相對復雜，主要用作外存外存儲器。儲器。 按存儲方式分：按存儲方式分：只讀存

10、儲器只讀存儲器ROM ROM 、隨機讀寫存儲器、隨機讀寫存儲器RAMRAM隨機讀寫存儲器隨機讀寫存儲器RAMRAMRAM(Radom access Memory) RAM(Radom access Memory) 又可分為又可分為雙極型雙極型RAMRAM和和MOS RAMMOS RAM兩大類。兩大類。1 1）雙極型）雙極型RAMRAM的特點的特點雙極型雙極型RAMRAM具有存取速度快；集成度低；功耗大；成本高等特點。具有存取速度快；集成度低；功耗大；成本高等特點。2 2）MOS RAMMOS RAM用用MOSMOS器件構(gòu)成的器件構(gòu)成的RAMRAM，又可分為，又可分為SRAMSRAM（靜態(tài)，速度

11、快，集成度低），（靜態(tài)，速度快，集成度低），DRAMDRAM（動態(tài)，（動態(tài)，以電容為基礎(chǔ)需要動態(tài)刷新）以電容為基礎(chǔ)需要動態(tài)刷新）兩種。兩種。按存儲方式分：按存儲方式分：只讀存儲器只讀存儲器ROM ROM 、隨機讀寫存儲器、隨機讀寫存儲器RAMRAM只讀存儲器只讀存儲器(Read Only Memory(Read Only Memory）按制造工藝和信息的設(shè)置方法分：）按制造工藝和信息的設(shè)置方法分：1 1）掩模）掩模ROMROM2 2）可編程）可編程ROMROM（PROMPROM）3 3）可擦去可編程）可擦去可編程ROMROM（EPROMEPROM）4 4）電可擦去可編程）電可擦去可編程ROMR

12、OM（EEPROMEEPROM或或E E2 2PROMPROM）5 5）閃速存儲器）閃速存儲器(Flash Memory)(Flash Memory)掩膜掩膜ROMROM：生產(chǎn)時已將信息、數(shù)據(jù)寫入其中，只能讀出，生產(chǎn)時已將信息、數(shù)據(jù)寫入其中，只能讀出， 不能修改。不能修改。PROMPROM：允許一次編程，此后不可更改，是一次性可寫入。允許一次編程，此后不可更改，是一次性可寫入。EPROMEPROM：用紫外線擦除，擦除后可編程；并允許用戶多用紫外線擦除，擦除后可編程；并允許用戶多次次 擦除和編程。擦除和編程。EEPROMEEPROM（E E2 2PROMPROM）：）：采用加電方法在線進行擦除和

13、采用加電方法在線進行擦除和編程，編程， 也可多次擦寫。也可多次擦寫。Flash MemoryFlash Memory（閃存）：（閃存）：能夠快速擦寫的能夠快速擦寫的EEPROMEEPROM，但，但只能只能 按塊（按塊（BlockBlock）擦除。）擦除。ROMROM種類種類Flash ROM的特點的特點:兼具有兼具有EEPROM、SRAM和和DRAM的優(yōu)點：的優(yōu)點： 速度高、密度大；非易失；速度高、密度大；非易失； 內(nèi)含命令、狀態(tài)寄存器，可在線編程；內(nèi)含命令、狀態(tài)寄存器，可在線編程； 可整片可整片/按扇區(qū)按扇區(qū)/按頁面按頁面/按字節(jié)擦寫；按字節(jié)擦寫； 有數(shù)據(jù)保護、保密能力。有數(shù)據(jù)保護、保密能力

14、。Flash ROM的應用：的應用： 主板、顯卡主板、顯卡BIOS 移動存儲器移動存儲器 MP3播放器播放器 數(shù)碼相機、攝像機存儲卡數(shù)碼相機、攝像機存儲卡 嵌入式、便攜式系統(tǒng)電子盤嵌入式、便攜式系統(tǒng)電子盤存儲器的主要技術(shù)指標存儲器的主要技術(shù)指標 存儲容量存儲容量 通常以允許存放的通常以允許存放的字長字長數(shù)數(shù)位數(shù)位數(shù)或用或用字節(jié)數(shù)字節(jié)數(shù)來表示存儲來表示存儲器的容量。器的容量。存取周期存取周期 連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間。連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間。5.2.2 半導體存儲器的選用原則半導體存儲器的選用原則取數(shù)時間取數(shù)時間 啟動一次存儲器操作到完成該操作所需要

15、的時間。啟動一次存儲器操作到完成該操作所需要的時間。芯片的型號選用芯片的型號選用影響因素：功能、速度、容量、結(jié)構(gòu)、價格。影響因素：功能、速度、容量、結(jié)構(gòu)、價格。選用原則：集成度高、容量大、字長選用原則：集成度高、容量大、字長=機器的字長，機器的字長， 這樣芯片少、總線負載輕。這樣芯片少、總線負載輕。5.2.2 半導體存儲器的選用原則半導體存儲器的選用原則5.3 5.3 存儲器芯片與存儲條的接口特性存儲器芯片與存儲條的接口特性 各類存儲器芯片的接口共性各類存儲器芯片的接口共性1各類存儲器芯片的接口特性各類存儲器芯片的接口特性2存儲器有哪些與存儲器有哪些與CPUCPU總線相關(guān)的信號總線相關(guān)的信號線

16、，以及這些信號線與總線之間如線，以及這些信號線與總線之間如何連接。何連接。 存儲體存儲體 存儲器芯片的主要部分，用來存儲信息存儲器芯片的主要部分，用來存儲信息 地址譯碼電路地址譯碼電路 根據(jù)輸入的地址編碼來選中芯片內(nèi)某個特定的存儲單元根據(jù)輸入的地址編碼來選中芯片內(nèi)某個特定的存儲單元 片選和讀寫控制邏輯片選和讀寫控制邏輯 選中存儲芯片，控制讀寫操作選中存儲芯片，控制讀寫操作半導體存儲器芯片的結(jié)構(gòu)半導體存儲器芯片的結(jié)構(gòu)地地址址寄寄存存地地址址譯譯碼碼存儲體存儲體控制電路控制電路AB數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)寄寄存存讀讀寫寫電電路路DBOE WE CS 地址譯碼電路地址譯碼電路根據(jù)輸入的地址編碼來選中根據(jù)輸入的地址編

17、碼來選中芯片內(nèi)某個特定的存儲單元芯片內(nèi)某個特定的存儲單元 片選和讀寫控制邏輯片選和讀寫控制邏輯選中存儲芯片，控制讀寫操作選中存儲芯片，控制讀寫操作 存儲體存儲體存儲器芯片的主要部存儲器芯片的主要部分，用來存儲信息。分，用來存儲信息。 讀寫電路讀寫電路控制數(shù)據(jù)的傳送控制數(shù)據(jù)的傳送半導體存儲器芯片的結(jié)構(gòu)半導體存儲器芯片的結(jié)構(gòu)地址總線地址總線數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線讀寫控制信號讀寫控制信號存儲器存儲器芯片芯片（字數(shù)）（字數(shù)）（位數(shù)）（位數(shù)）隨機存取存儲器隨機存取存儲器RAMRAM譯碼器25=32A0A1A2A3A4譯碼器A5 A6 A723=8111110 0 0 字線字線 位線位線31，0CSWCSCSC

18、SRWR/CSCSWW210002100020H20H20H20H20H20H設(shè)設(shè)(DS)=2000H,(BX)=1000H, MOV AL，BX 指令的數(shù)據(jù)傳送過程。指令的數(shù)據(jù)傳送過程。讀寫操作地址線地址線A A0 0AAn n與與CPUCPU的低位地址線直接相連的低位地址線直接相連 數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線D D0 0DDn n與與CPUCPU的某幾位數(shù)據(jù)線直接相連的某幾位數(shù)據(jù)線直接相連 芯片允許線芯片允許線CECE* *( (或片選線或片選線CSCS* *) )則與余下則與余下CPUCPU高位地址線經(jīng)譯碼后產(chǎn)生高位地址線經(jīng)譯碼后產(chǎn)生的片選信號相連的片選信號相連 讀讀/ /寫控制線與寫控制線與CPUC

19、PU控制總線組合形成的讀控制總線組合形成的讀/ /寫控制信號寫控制信號MEMRMEMR和和MEMWMEMW直連直連. .芯片的接口共性芯片的接口共性各種存儲器芯片有以下引腳：各種存儲器芯片有以下引腳： 地址線地址線 數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線 片選線片選線CSCS* *（芯片允許線（芯片允許線CECE* *） 讀讀/ /寫控制線寫控制線與與CPUCPU的連接方法：的連接方法：（1 1）低位地址線、數(shù)據(jù)線、電源線直接相連）低位地址線、數(shù)據(jù)線、電源線直接相連（2 2）高位地址線經(jīng)譯碼后驅(qū)動片選信號）高位地址線經(jīng)譯碼后驅(qū)動片選信號CECE* *（3 3）控制總線組合形成讀）控制總線組合形成讀/ /寫控制信號寫控制

20、信號WEWE* */OE/OE* *芯片的接口共性芯片的接口共性2114(1K 4)、2128(2K 8)、6116(2K 8)、6164、6232(4K 8)、6264(8K 8)RAM2716(2K 8)、2732(4k 8)、2764(8K 8)、27128、 27246、27512EPROM2864E2PROM29BV010、29BV020、29BV040Flash memory24C00、24C01、24AA01、24LC2124LC21A、24LC41A、24LCS61I2C EPROM37LV65、37LV36、37LV128串行串行EPROM附表：常用存儲器芯片附表：常用存儲器

21、芯片 、EPROM的接口特性的接口特性2716、2732、2764、27128等等。1 1、 典型芯片典型芯片：3 3）出廠未編程前，每個基本存儲單元都是信息出廠未編程前，每個基本存儲單元都是信息 “1 1”。編程就是將某些單元寫入信息。編程就是將某些單元寫入信息0 0。 特點特點: :1 1）頂部開有一個圓形的石英窗口，用于紫外線透頂部開有一個圓形的石英窗口，用于紫外線透 過擦除原有信息。過擦除原有信息。2 2）一般使用專門的編程器（燒寫器）編程，編程一般使用專門的編程器（燒寫器）編程，編程 后，應該貼上不透光封條。后，應該貼上不透光封條。芯片的接口特性芯片的接口特性 外接信號線：外接信號線

22、：控制線控制線 CS* ：片選線（：片選線（CE * ） OE* ：輸出允許線（讀允許線）：輸出允許線（讀允許線） VCC ：工作電源線；：工作電源線； GND：地線：地線 VPP ：編程電源線：編程電源線 PGM* ：編程脈沖輸入端：編程脈沖輸入端 數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線地址線地址線（2764 8K8）8088的引腳圖的引腳圖2、 EPROM與與CPU（8088）的連接方法）的連接方法 低位地址線、數(shù)據(jù)線、低位地址線、數(shù)據(jù)線、VCC 、GND直接相連。直接相連。 高位地址線譯碼后形成芯片的片選信號高位地址線譯碼后形成芯片的片選信號 CE*。 控制總線組合形成存儲器的讀信號控制總線組合形成存儲器的讀信號

23、 OE*。 A0A10CSOEA0A10譯譯碼碼A11 A19控制控制邏輯邏輯RDIO/M2716D0D7D0D78088 、E E2 2PROMPROM（Electrically EPROM Electrically EPROM ）的接口特性的接口特性1 1、典型芯片、典型芯片：2 2、E E2 2PROMPROM的應用特性：的應用特性：2816、2817、2816A、2817A、2864A等。等。（1）對硬件電路沒有特殊要求，編程簡單。對硬件電路沒有特殊要求，編程簡單。（2）采用采用+5V電擦寫電擦寫；以字節(jié)為單位擦寫；以字節(jié)為單位擦寫 。（3）一般是并行總線傳輸?shù)?。一般是并行總線傳輸?shù)摹?/p>

24、外接信號線：外接信號線：控制線控制線 CE*： 片選線片選線 OE*： 輸出允許線輸出允許線 WE*： 寫允許線寫允許線 VCC ： 工作電源線；工作電源線；數(shù)據(jù)線、地址線數(shù)據(jù)線、地址線3 3、引腳排列及功能說明：、引腳排列及功能說明：2817A01OE*10WE*輸輸出出高高阻阻輸輸入入高高阻阻高高阻阻0010讀讀出出維維持持字字節(jié)節(jié)寫寫入入I/O7I/O0RDY/BUSY*CE*工工作作方方式式01OE*10WE*輸輸出出高高阻阻輸輸入入高高阻阻高高阻阻0010讀讀出出維維持持字字節(jié)節(jié)寫寫入入I/O7I/O0RDY/BUSY*CE*工工作作方方式式RDY/BUSY*NCA7A6A5A4A3

25、A2A1A0I/O0I/O1I/O2GNDVccWE*NCA8A9NCOE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O312345678910111213142827262524232221201918171615RDY/BUSY*NCA7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GNDVccWE*NCA8A9NCOE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3123456789101112131428272625242322212019181716152817A 2K84 4、E E2 2PROMPROM應用實例應用實例 80888088最小方式下與最小方式下與2

26、817A2817A接口（接口（2K2K8 8）(1) 只設(shè)一根只設(shè)一根“寫使能寫使能”線線WE*， WE*=0時寫，時寫，WE*=1時讀；時讀；(2) 設(shè)兩根讀寫控制線設(shè)兩根讀寫控制線OE*和和WE*， OE*=0為讀，為讀，WE*=0為寫。為寫。與同規(guī)格的與同規(guī)格的E2PROM芯片相比，芯片相比，SRAM的引腳基本相同。的引腳基本相同。 只是只是SRAM的讀寫控制線的設(shè)置有所不同，的讀寫控制線的設(shè)置有所不同，有兩類：有兩類：1 1、典型芯片、典型芯片：6116、6132、6264、61256、64C512等。等。 SRAM SRAM（ Static RAM Static RAM ）的接口特性

27、）的接口特性6264+5VWE*NCA8A9A11OE*A10CE*D7D6D5D4D3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND12345678910111213142827262524232221201918171615+5VWE*NCA8A9A11OE*A10CE*D7D6D5D4D3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND12345678910111213142827262524232221201918171615NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND12345678910111213142827262524232221201

28、91817161510WE*高高阻阻高高阻阻輸輸出出輸輸入入01100未未選選中中未未選選中中讀讀操操作作寫寫操操作作D7D0OE*CS1*工工作作方方式式10WE*高高阻阻高高阻阻輸輸出出輸輸入入01100未未選選中中未未選選中中讀讀操操作作寫寫操操作作D7D0OE*CS1*工工作作方方式式只有當讀寫信號與片選信號同時有效時，只有當讀寫信號與片選信號同時有效時，才能進行相應操作。才能進行相應操作。 SRAM引腳排列引腳排列2 2、SRAMSRAM與與CPUCPU的連接的連接 - 與與EEPROM芯片同芯片同CPU的連接相同的連接相同（1）低位地址線、數(shù)據(jù)線、電源線直接相連低位地址線、數(shù)據(jù)線、

29、電源線直接相連（2）高位地址線經(jīng)譯碼后驅(qū)動片選信號高位地址線經(jīng)譯碼后驅(qū)動片選信號CE*（3）控制總線組合形成讀控制總線組合形成讀/寫控制信號寫控制信號WE*/OE*A0A10CSOEA0A10譯譯碼碼A11 A19控制控制邏輯邏輯RDIO/MSRAMD0D7D0D78088WR,WE DRAM DRAM（ Dynamic RAM Dynamic RAM ）的接口特性）的接口特性1、DRAM的特性的特性 DRAM利用場效應晶體管柵極電容的充放電狀態(tài)來表示利用場效應晶體管柵極電容的充放電狀態(tài)來表示2、與、與MPU連接時需要考慮的兩個問題連接時需要考慮的兩個問題 地址信號輸入問題。地址信號輸入問題。 刷新問題，為此需加定時刷新電路。刷新問題，為此需加定時刷新電路。 DRAM芯片集成度高，存儲容量大，引腳數(shù)目不夠。芯片集成度高，存儲容量大，引腳數(shù)目不夠。 信息的信息的 “0”和和“1”。在原理和構(gòu)造上與。在原理和構(gòu)造上與SRAM不同。不同。地址的輸入一般采用兩路復用鎖存方式。地址的輸入一般采用兩路復用鎖存方式。3 3 、DRAMDRAM芯片結(jié)構(gòu)：芯片結(jié)構(gòu)： 存儲陣列為多頁面結(jié)構(gòu)，地址線為行地址和列地址分別傳存儲陣列為多頁面結(jié)構(gòu)，地址線為行地址和列地址分別傳送，由行選通送，由行選通(RAS)信號和列選通信號和列選通(CAS)信號控制。數(shù)據(jù)線分信號控制。