高中化學(xué)晶體結(jié)構(gòu)知識(shí)匯總

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上1、晶體類型判別：分子晶體：大部分有機(jī)物、幾乎所有酸、大多數(shù)非金屬單質(zhì)、所有非金屬氫化物、部分非金屬氧化物。原子晶體：僅有幾種，晶體硼、晶體硅、晶體鍺、金剛石、金剛砂（SiC）、氮化硅（Si3N4）、氮化硼（BN）、二氧化硅（SiO2）、氧化鋁（Al2O3）、石英等；金屬晶體：金屬單質(zhì)、合金；離子晶體：含離子鍵的物質(zhì)，多數(shù)堿、大部分鹽、多數(shù)金屬氧化物；2、分子晶體、原子晶體、金屬晶體、離子晶體對(duì)比表晶體類型分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體定義分子通過分子間作用力形成的晶體相鄰原子間通過共價(jià)鍵形成的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體金屬原子通過金屬鍵形成的晶體陰、陽離子通過離子鍵形成的

2、晶體組成晶體的粒子分子原子金屬陽離子和自由電子陽離子和陰離子組成晶體粒子間的相互作用范德華力或氫鍵共價(jià)鍵金屬鍵（沒有飽和性方向性）離子鍵（沒有飽和性方向性）典型實(shí)例冰（H2O）、P4、I2、干冰（CO2）、S8金剛石、晶體硅、SiO2、SiC Na、Mg、Al、FeNaOH、NaCl、K2SO4特征熔點(diǎn)、沸點(diǎn)熔、沸點(diǎn)較低熔、沸點(diǎn)高一般較高、部分較低熔、沸點(diǎn)較高導(dǎo)熱性不良不良良好不良導(dǎo)電性差，有些溶于水可導(dǎo)電多數(shù)差良好固態(tài)不導(dǎo)電，熔化或溶于水能導(dǎo)電機(jī)械加工性能不良不良良好不良硬度硬度較小高硬度一般較高、部分較低略硬而脆溶解性相似相溶不溶不溶，但有的反應(yīng)多數(shù)溶于水，難溶于有機(jī)溶劑3、不同晶體的熔沸

3、點(diǎn)由不同因素決定：離子晶體的熔沸點(diǎn)主要由離子半徑和離子所帶電荷數(shù)（離子鍵強(qiáng)弱）決定，分子晶體的熔沸點(diǎn)主要由相對(duì)分子質(zhì)量的大小決定，原子晶體的熔沸點(diǎn)主要由晶體中共價(jià)鍵的強(qiáng)弱決定，且共價(jià)鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。4、金屬熔沸點(diǎn)高低的比較：（1）同周期金屬單質(zhì)，從左到右（如Na、Mg、Al）熔沸點(diǎn)升高。（2）同主族金屬單質(zhì)，從上到下（如堿金屬）熔沸點(diǎn)降低。（3）合金的熔沸點(diǎn)比其各成分金屬的熔沸點(diǎn)低。（4）金屬晶體熔點(diǎn)差別很大，如汞常溫為液體，熔點(diǎn)很低（-38.9），而鐵等金屬熔點(diǎn)很高（1535）。5、原子晶體與金屬晶體熔點(diǎn)比較：原子晶體的熔點(diǎn)不一定都比金屬晶體的高，如金屬鎢的熔點(diǎn)就高于一般的原子晶體。6、分

4、子晶體與金屬晶體熔點(diǎn)比較：分子晶體的熔點(diǎn)不一定就比金屬晶體的低，如汞常溫下是液體，熔點(diǎn)很低。7、判斷晶體類型的主要依據(jù)？一看構(gòu)成晶體的粒子（分子、原子、離子）；二看粒子間的相互作用；另外，分子晶體熔化時(shí)，化學(xué)鍵并未發(fā)生改變，如冰水。8、化學(xué)鍵：化學(xué)變化過程一定發(fā)生就化學(xué)鍵的斷裂和新化學(xué)鍵的形成，但破壞化學(xué)鍵或形成化學(xué)鍵的過程卻不一定發(fā)生化學(xué)變化，如食鹽的熔化會(huì)破壞離子鍵，食鹽結(jié)晶過程會(huì)形成離子鍵，但均不是化學(xué)變化過程。9、判斷晶體類型的方法？（1）依據(jù)組成晶體的微粒和微粒間的相互作用判斷離子晶體的構(gòu)成微粒是陰、陽離子，微粒間的作用力是離子鍵。原子晶體的構(gòu)成微粒是原子，微粒間的作用力是共價(jià)鍵。分

5、子晶體的構(gòu)成微粒是分子，微粒間的作用力是分子間作用力。金屬晶體的構(gòu)成微粒是金屬陽離子和自由電子，微粒間的作用力是金屬鍵。（2）依據(jù)物質(zhì)的分類判斷金屬氧化物（如K2O、Na2O2等）、強(qiáng)堿（如NaOH、KOH等）和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體大多數(shù)非金屬單質(zhì)（除金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼外）、氣態(tài)氫化物、非金屬氧化物（除SiO2外）、酸、絕大多數(shù)有機(jī)物（除有機(jī)鹽外）是分子晶體。常見的原子晶體單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見的原子晶體化合物有碳化硅、二氧化硅等。金屬單質(zhì)（除汞外）與合金是金屬晶體。（3）依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷離子晶體的熔點(diǎn)較高，常在數(shù)百至一千攝氏度。原子晶體的熔點(diǎn)高，常在一千至幾千攝

6、氏度。分子晶體的熔點(diǎn)低，常在數(shù)百攝氏度以下至很低溫度。金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)高，但也有相當(dāng)?shù)偷?。?）依據(jù)導(dǎo)電性判斷離子晶體的水溶液及熔化時(shí)能導(dǎo)電。原子晶體一般為非導(dǎo)體。分子晶體為非導(dǎo)體，而分子晶體中的電解質(zhì)溶于水，使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂形成自由離子也能導(dǎo)電。金屬晶體是電的良導(dǎo)體。（5）依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷離子晶體硬度較大或較硬、脆。原子晶體硬度大。分子晶體硬度小且較脆。金屬晶體多數(shù)硬度大，但也有較小的，且具有延展性。（6）判斷晶體的類型也可以根據(jù)物質(zhì)的物理性質(zhì)：在常溫下呈氣態(tài)或液態(tài)的物質(zhì)，其晶體應(yīng)屬于分子晶體（Hg除外），如H2O、H2等。對(duì)于稀有氣體，雖然構(gòu)成物質(zhì)的微粒為原子，但應(yīng)看作單原子分子

7、，因?yàn)槲⒘ｉg的相互作用力是范德華力，而非共價(jià)鍵。固態(tài)不導(dǎo)電，在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的晶體（化合物）是離子晶體。如：NaCl熔融后電離出Na+和Cl，能自由移動(dòng)，所以能導(dǎo)電。有較高的熔、沸點(diǎn)，硬度大，并且難溶于水的物質(zhì)大多為原子晶體，如晶體硅、二氧化硅、金剛石等。易升華的物質(zhì)大多為分子晶體。熔點(diǎn)在一千攝氏度以下無原子晶體。熔點(diǎn)低，能溶于有機(jī)溶劑的晶體是分子晶體。10、晶體熔沸點(diǎn)高低的判斷？（1）不同類型晶體的熔沸點(diǎn)：原子晶體離子晶體分子晶體；金屬晶體（除少數(shù)外）分子晶體；金屬晶體熔沸點(diǎn)有的很高，如鎢，有的很低，如汞（常溫下是液體）。（2）同類型晶體的熔沸點(diǎn)：原子晶體：結(jié)構(gòu)相似，半徑越小，鍵長(zhǎng)越短，鍵

8、能越大，熔沸點(diǎn)越高。如金剛石氮化硅晶體硅。分子晶體：組成和結(jié)構(gòu)相似的分子，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，晶體熔沸點(diǎn)越高。如CI4CBr4CCl4CF4。若相對(duì)分子質(zhì)量相同，如互為同分異構(gòu)體，一般支鏈數(shù)越多，熔沸點(diǎn)越低，特殊情況下分子越對(duì)稱，則熔沸點(diǎn)越高。若分子間有氫鍵，則分子間作用力比結(jié)構(gòu)相似的同類晶體強(qiáng)，故熔沸點(diǎn)特別高。金屬晶體：所帶電荷數(shù)越大，原子半徑越小，則金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。如AlMgNaK。離子晶體：離子所帶電荷越多，半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。如KFKClKBrKI。11、Na2O2：Na2O2的陰離子為O22-，陽離子為Na+，故晶體中陰、陽離子的個(gè)數(shù)比為1：2。12、堆積方式：離子晶體中，陰、陽離子采用不等徑密圓球的堆積方式。13、穩(wěn)定性：分子的穩(wěn)定性是由分子中原子間化學(xué)鍵的強(qiáng)弱決定。14、冰的熔化：冰是分子晶體，冰融化時(shí)破壞了分子間作用力和部分氫鍵，化學(xué)鍵并未被破壞。15、離子晶體熔化：離子晶體熔化時(shí)，離子鍵被破壞而電離產(chǎn)生自由移動(dòng)的陰陽離子而導(dǎo)電，這是離子晶體的特征。16、離子晶體特例：離子晶體不一定都含有金屬元素，如NH4Cl離子晶