第四章MCS-51單片機時鐘與復(fù)位電路

1、2022-3-41第四章第四章 MCS-51單片機時鐘與復(fù)位電路單片機時鐘與復(fù)位電路2022-3-421.1.單片機的工作原理：單片機的工作原理： 取一條指令、譯碼、進行微操作，再取一條指令、譯碼、取一條指令、譯碼、進行微操作，再取一條指令、譯碼、進行微操作，這樣自動地、進行微操作，這樣自動地、步一步地由微操作按次序完成步一步地由微操作按次序完成相應(yīng)指令規(guī)定的功能。單片機的時鐘信號用來為單片機芯片相應(yīng)指令規(guī)定的功能。單片機的時鐘信號用來為單片機芯片內(nèi)部的各種微操作提供時間基準(zhǔn)，機器啟動后，指令的執(zhí)行內(nèi)部的各種微操作提供時間基準(zhǔn)，機器啟動后，指令的執(zhí)行順序如下圖所示順序如下圖所示： 一、時鐘的基

2、本概念一、時鐘的基本概念取指取指分析分析執(zhí)行執(zhí)行2.2.概念概念 時序：各指令的微操作在時間上有嚴(yán)格的次序，這時序：各指令的微操作在時間上有嚴(yán)格的次序，這種微操作的時間次序稱作時序。種微操作的時間次序稱作時序。 時鐘電路：用于產(chǎn)生單片機工作所需要時鐘信號的時鐘電路：用于產(chǎn)生單片機工作所需要時鐘信號的電路成為時鐘電路。電路成為時鐘電路。2022-3-43二、振蕩器和時鐘電路二、振蕩器和時鐘電路時鐘信號有兩種方式：內(nèi)部振蕩器方式；外部引入方式時鐘信號有兩種方式：內(nèi)部振蕩器方式；外部引入方式1.內(nèi)部振蕩器方式內(nèi)部振蕩器方式MCS-51MCS-51單片機內(nèi)部有一個高增益的單片機內(nèi)部有一個高增益的反相放

3、大器，其輸入端為引腳反相放大器，其輸入端為引腳XTAL1XTAL1（1919），輸出端為引腳），輸出端為引腳XTAL2XTAL2（1818），用于外接石英晶體振蕩器），用于外接石英晶體振蕩器或陶瓷諧振器和微調(diào)電容，構(gòu)成穩(wěn)或陶瓷諧振器和微調(diào)電容，構(gòu)成穩(wěn)定的自激振蕩器，其發(fā)出的脈沖直定的自激振蕩器，其發(fā)出的脈沖直接送入內(nèi)部的時鐘電路。如右圖或接送入內(nèi)部的時鐘電路。如右圖或圖圖4.14.1（a a）所示。）所示。2022-3-44圖圖4.1 MCS-514.1 MCS-51振蕩電路及外部時鐘源的連接振蕩電路及外部時鐘源的連接2022-3-45 電容電容C1C1，C2C2 對頻率有微調(diào)作用，電容一般取

4、值對頻率有微調(diào)作用，電容一般取值5 530pF30pF，典型，典型值為值為30pF30pF； 晶振晶振CYSCYS 選擇范圍為選擇范圍為1.2 1.2 12MHz12MHz，典型值為，典型值為6 MHz6 MHz和和12MHz12MHz。參數(shù)選擇：參數(shù)選擇：2022-3-46 外部引入方式常用于外部引入方式常用于多片單片機組成的系統(tǒng)多片單片機組成的系統(tǒng)中，以便中，以便各單元之間的時鐘信號同步運行。各單元之間的時鐘信號同步運行。 對于對于HMOSHMOS型單片機（如型單片機（如80518051），可用來輸入外部脈沖），可用來輸入外部脈沖信號，如圖信號，如圖4.14.1 （b b）所示，）所示，X

5、TAL1XTAL1（1919）接地，）接地，XTAL2XTAL2（1818）接外部時鐘，由于接外部時鐘，由于XTAL2XTAL2（1818）的邏輯電平與）的邏輯電平與TTLTTL電平不兼容，電平不兼容，所以應(yīng)接一個上拉電阻。所以應(yīng)接一個上拉電阻。 對于對于CHMOSCHMOS單片機（如單片機（如80C5180C51），外部時鐘要由），外部時鐘要由XTAL1XTAL1引入，而引入，而XTAL2XTAL2引腳應(yīng)懸空。如圖引腳應(yīng)懸空。如圖4.14.1（c c）所示。）所示。2.2.外部引入方式外部引入方式2022-3-47三、時序單位三、時序單位基本概念：基本概念：MCS- 51MCS- 51時序的

6、定時單位共有時序的定時單位共有4 4個，個，從小到大從小到大依次是：依次是：時時鐘周期（節(jié)拍）、狀態(tài)周期、機器周期和指令周期鐘周期（節(jié)拍）、狀態(tài)周期、機器周期和指令周期。 時鐘周期（節(jié)拍，振蕩周期）：是指時鐘周期（節(jié)拍，振蕩周期）：是指振蕩器產(chǎn)生一個振蕩器產(chǎn)生一個振蕩脈沖信號所用的時間，是振蕩脈沖信號所用的時間，是振蕩頻率的倒數(shù)振蕩頻率的倒數(shù)，稱為節(jié)，稱為節(jié)拍，為拍，為最小的時序單位最小的時序單位。2022-3-482.2.狀態(tài)周期：指振蕩器脈沖狀態(tài)周期：指振蕩器脈沖信號經(jīng)過信號經(jīng)過時鐘電路二分頻時鐘電路二分頻之之后產(chǎn)生的單片機時鐘信號的后產(chǎn)生的單片機時鐘信號的周期（用周期（用S S表示）稱為

7、狀態(tài)表示）稱為狀態(tài)周期。故周期。故1 1個狀態(tài)周期個狀態(tài)周期S S包含包含2 2個節(jié)拍個節(jié)拍，前一時鐘周期稱，前一時鐘周期稱為為P1P1拍，后一個時鐘周期稱拍，后一個時鐘周期稱為為P2P2拍。如圖拍。如圖4.24.2所示：所示：圖圖4.2 80C514.2 80C51單片機時鐘信號單片機時鐘信號2022-3-493. 3. 機器周期：是指機器周期：是指CPUCPU完成某一個規(guī)定操作所需的時間。完成某一個規(guī)定操作所需的時間。 MCS-51 MCS-51單片機的一單片機的一個機器周期包含個機器周期包含6 6個狀態(tài)個狀態(tài)，并依次，并依次表示為：表示為：S1S1S6S6，每個狀態(tài)分為每個狀態(tài)分為2 2

8、個拍個拍。故一。故一個機器周期包個機器周期包含含1212個節(jié)拍（時鐘周期），個節(jié)拍（時鐘周期），依次表示為：依次表示為：S1P1S1P1、S1P2S1P2、S2P1S2P1、S6P1S6P1、S6P2S6P2。若采用。若采用12MHz12MHz的晶振時，則一個機器的晶振時，則一個機器周期為周期為1s1s；若采用晶振；若采用晶振6MHz6MHz時，則一個機器周期為時，則一個機器周期為2s2s。2022-3-4104. 4. 指令周期指令周期 是是CPUCPU執(zhí)行一條指令所需要的時間為指令周期。執(zhí)行一條指令所需要的時間為指令周期。 MCS-51 MCS-51單片機指令包含單片機指令包含1 1個或個

9、或2 2個或個或4 4個機器周期個機器周期。 若采用若采用6MHz6MHz晶振，則振蕩周期為晶振，則振蕩周期為1/6s1/6s，機器周期為，機器周期為2s2s、4s4s或或8s8s。2022-3-411 MCS-51 MCS-51系列單片機的指令按其長度可分為：系列單片機的指令按其長度可分為：單字節(jié)單字節(jié)指令，雙字節(jié)指令和三字節(jié)指令指令，雙字節(jié)指令和三字節(jié)指令。四、取指令和執(zhí)行指令時間四、取指令和執(zhí)行指令時間 由圖由圖4.34.3所示，所示，ALEALE信號在一個機器周期內(nèi)兩次有效，第信號在一個機器周期內(nèi)兩次有效，第一次在一次在S1P2S1P2和和S2P1S2P1期間，第二次在期間，第二次在S

10、4P2S4P2和和S5P1S5P1期間，期間，ALEALE信信號的有效寬度為一個號的有效寬度為一個S S狀態(tài)。每出現(xiàn)一個狀態(tài)。每出現(xiàn)一個ALEALE信號，信號，CPUCPU就可就可進行一次取指操作。進行一次取指操作。2022-3-412圖4.3 MCS-51單片機的去取指/執(zhí)行時序a）單字節(jié)單周期；b）雙字節(jié)單周期指令；c）單字節(jié)雙周期字節(jié)；d）雙字節(jié)雙周期指令2022-3-413 圖圖4.34.3（a a）與（）與（b b）分別為單字節(jié)單周期和雙字節(jié)單周）分別為單字節(jié)單周期和雙字節(jié)單周期指令的時序。期指令的時序。 對于單周期指令對于單周期指令，在把指令碼讀入指令寄存器時，從，在把指令碼讀入指

11、令寄存器時，從S1P2S1P2開始執(zhí)行指令。開始執(zhí)行指令。 如果它為雙字節(jié)指今，則在同一機器周期的如果它為雙字節(jié)指今，則在同一機器周期的S4S4讀入第二讀入第二字節(jié)字節(jié)； 如果它為單字節(jié)指令，則在如果它為單字節(jié)指令，則在S4S4仍舊進行讀操作仍舊進行讀操作，但，但讀入讀入的字節(jié)的字節(jié)( (它應(yīng)是下一個指令碼它應(yīng)是下一個指令碼) )被忽略，而且程序計數(shù)據(jù)不被忽略，而且程序計數(shù)據(jù)不加加1 1。在任何情況下，在在任何情況下，在S6P2結(jié)束指令操作結(jié)束指令操作。2022-3-414 圖圖4.34.3（c c）為雙字節(jié)單周期指令的時序，在兩個機器）為雙字節(jié)單周期指令的時序，在兩個機器周期內(nèi)發(fā)生周期內(nèi)發(fā)生

12、4 4次讀操作碼的操作，由于是單字節(jié)指令，次讀操作碼的操作，由于是單字節(jié)指令，后后3 3次次讀操作都是無效讀操作都是無效的。的。 圖圖4.3(d)4.3(d)是訪問外部數(shù)據(jù)存儲器的是訪問外部數(shù)據(jù)存儲器的指令指令MOVXMOVX的時序的時序，它是一條單字節(jié)雙周期指令。在它是一條單字節(jié)雙周期指令。在第第個機器周期個機器周期S5S5開始開始時，時，送出外部數(shù)據(jù)存儲器的地址，隨后讀或?qū)憯?shù)據(jù)，讀寫期間在送出外部數(shù)據(jù)存儲器的地址，隨后讀或?qū)憯?shù)據(jù)，讀寫期間在ALEALE端不輸出有效信號；在第二個機器周期，即外部數(shù)據(jù)存端不輸出有效信號；在第二個機器周期，即外部數(shù)據(jù)存儲器被尋址和選通后也不產(chǎn)生取指操作。儲器被尋

13、址和選通后也不產(chǎn)生取指操作。2022-3-415時序的共同點時序的共同點： 每一次每一次ALEALE信號有效，信號有效，CPUCPU均從均從ROMROM中讀取指令碼（包中讀取指令碼（包括操作碼和操作數(shù)），但不一定有效，讀了之后再丟棄（假括操作碼和操作數(shù)），但不一定有效，讀了之后再丟棄（假讀）。讀）。 有效時，有效時，PC+1PCPC+1PC不變（程序計數(shù)器不變（程序計數(shù)器PCPC不加不加1 1）；無無效時不變效時不變。其余時間用于執(zhí)行指令操作功能，但在時序中沒。其余時間用于執(zhí)行指令操作功能，但在時序中沒有完全反映出。如雙字節(jié)單機器周期，分別在有完全反映出。如雙字節(jié)單機器周期，分別在S1S1、S

14、4S4讀操作讀操作碼和操作數(shù)，執(zhí)行指令就一定在碼和操作數(shù)，執(zhí)行指令就一定在S2S2、S3 S3 、S5 S5 、S6S6中完成。中完成。2022-3-416第第4 4節(jié)節(jié) MCS-51MCS-51系列單片機的復(fù)位與掉電處理系列單片機的復(fù)位與掉電處理 一、復(fù)位與復(fù)位電路一、復(fù)位與復(fù)位電路1.復(fù)位：復(fù)位：是單片機的初始化操作，以便使是單片機的初始化操作，以便使CPUCPU和系統(tǒng)中和系統(tǒng)中其他部件都處于一個確定的狀態(tài)，并從這個狀態(tài)開始工作。其他部件都處于一個確定的狀態(tài)，并從這個狀態(tài)開始工作。 當(dāng)單片機系統(tǒng)在運行出錯或操作錯誤使系統(tǒng)處于死當(dāng)單片機系統(tǒng)在運行出錯或操作錯誤使系統(tǒng)處于死鎖存時，也可鎖存時，

15、也可按復(fù)位鍵按復(fù)位鍵重新啟動。重新啟動。 單片機復(fù)位后，單片機復(fù)位后，PCPC內(nèi)容初始化為內(nèi)容初始化為0000H0000H，那么單片機，那么單片機就從就從0000H0000H單元單元開始執(zhí)行程序。片內(nèi)開始執(zhí)行程序。片內(nèi)RAMRAM為隨機值，運行為隨機值，運行中的復(fù)位操作不改變片內(nèi)中的復(fù)位操作不改變片內(nèi)RAMRAM的內(nèi)容。的內(nèi)容。2022-3-417 復(fù)位后各寄存器的初態(tài)如下表復(fù)位后各寄存器的初態(tài)如下表4-14-1所示，其意義為：所示，其意義為： P0P3=FFH，相當(dāng)于各口鎖存器已寫入，相當(dāng)于各口鎖存器已寫入1 1，此時可用于輸出，此時可用于輸出/ /輸入；輸入； SPSP07H07H，堆棧指

16、針指向片內(nèi)，堆棧指針指向片內(nèi)RAMRAM的的07H07H單元（第一個入棧內(nèi)容將寫入單元（第一個入棧內(nèi)容將寫入08H08H中）；中）； IPIP、IEIE和和PCONPCON的有效值為的有效值為0 0，各中斷源處于低優(yōu)先級且均被關(guān)斷，串，各中斷源處于低優(yōu)先級且均被關(guān)斷，串行通信的波特率不加倍；行通信的波特率不加倍； PSWPSW00H00H，當(dāng)前工作寄存器為，當(dāng)前工作寄存器為0 0組。組。表表4-1 4-1 寄存器的復(fù)位狀態(tài)寄存器的復(fù)位狀態(tài)2022-3-4182. 2. 復(fù)位電路復(fù)位電路圖4.4 8051復(fù)位電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)HMOSHMOS型型80518051復(fù)位結(jié)構(gòu)如圖復(fù)位結(jié)構(gòu)如圖4.44.4所示

17、。所示。復(fù)位引腳復(fù)位引腳RST/VPD(RST/VPD(它是掉電方式下它是掉電方式下內(nèi)部內(nèi)部RAMRAM的供電端的供電端VPD)VPD)通過一個通過一個施施密特觸發(fā)器與復(fù)位電路相連密特觸發(fā)器與復(fù)位電路相連。施密。施密特觸發(fā)器用來抑制噪聲，它的輸出特觸發(fā)器用來抑制噪聲，它的輸出在在每個機器周期的每個機器周期的S5P2S5P2由復(fù)位電路由復(fù)位電路采樣一次采樣一次。RSTRST引腳時復(fù)位信號的輸入端，引腳時復(fù)位信號的輸入端，復(fù)復(fù)位信號是高電平有效位信號是高電平有效，其有效時，其有效時間應(yīng)持續(xù)間應(yīng)持續(xù)2424個時鐘周期個時鐘周期（2 2個機器個機器周期）以上。周期）以上。2022-3-419CHMOS

18、CHMOS型的單片機復(fù)位結(jié)構(gòu)如圖型的單片機復(fù)位結(jié)構(gòu)如圖4.54.5所示，此處復(fù)位引腳只是單純所示，此處復(fù)位引腳只是單純的稱為的稱為RSTRST，而不是，而不是RSTRSTVPDVPD，因，因為為CHMOSCHMOS單片機的備用電源也由單片機的備用電源也由VCCVCC引腳提供。引腳提供。圖圖4.5 CHMOS4.5 CHMOS型單片機的復(fù)位結(jié)構(gòu)型單片機的復(fù)位結(jié)構(gòu)2022-3-420 無論對無論對HMOSHMOS還是還是CHMOSCHMOS型，當(dāng)振蕩器正在運行的情況下，型，當(dāng)振蕩器正在運行的情況下，復(fù)位是靠在復(fù)位是靠在RSTRSTVPDVPD或或RSTRST引腳至少保持兩個機器周期的引腳至少保持兩

19、個機器周期的高電平而實現(xiàn)高電平而實現(xiàn)的。在的。在RSTRST端出現(xiàn)高電平后的第端出現(xiàn)高電平后的第2 2個周期，執(zhí)個周期，執(zhí)行內(nèi)部復(fù)位，以后每個周期重復(fù)行內(nèi)部復(fù)位，以后每個周期重復(fù)次，直至次，直至RSTRST端變低。端變低。RSTRST端的外部復(fù)位電路有兩種操作方式：端的外部復(fù)位電路有兩種操作方式：上電復(fù)位和按鍵手動復(fù)位（人工復(fù)位）上電復(fù)位和按鍵手動復(fù)位（人工復(fù)位）2022-3-421圖4.6 上電復(fù)位電路 如圖如圖4.64.6所示，上電復(fù)位電路是所示，上電復(fù)位電路是利利用電容器充電實現(xiàn)用電容器充電實現(xiàn)的。上電瞬間，的。上電瞬間，RSTRST端的端的電位與電位與VCCVCC相同，隨著電容的逐步充

20、電，充相同，隨著電容的逐步充電，充電電流減小。電電流減小。RSTRST電位逐漸下降。上電復(fù)位電位逐漸下降。上電復(fù)位所需的最短時間是振蕩器建立時間加上兩所需的最短時間是振蕩器建立時間加上兩個機器周期。在這段時間內(nèi)，個機器周期。在這段時間內(nèi)，RSTRST端口的電端口的電平應(yīng)維持高于斯密特觸發(fā)器的下閾值。平應(yīng)維持高于斯密特觸發(fā)器的下閾值。般般VCCVCC的上升時間不超過的上升時間不超過1ms1ms，振蕩器建立，振蕩器建立時間不超過時間不超過10ms10ms。 復(fù)位電路的典型值：復(fù)位電路的典型值： 電容電容C C取取10F10F，R R取取8.2K8.2K。故時間常數(shù)故時間常數(shù)足以滿足要求。足以滿足要

21、求。（1 1）上電復(fù)位）上電復(fù)位6310 108.2 1082RCms2022-3-422圖圖4.7 4.7 外部復(fù)位電路外部復(fù)位電路 外部復(fù)位電路如圖外部復(fù)位電路如圖4.74.7所示，所示，按下按鈕時，電源對外接電容器充按下按鈕時，電源對外接電容器充電，使電，使RSTRST為高電平，復(fù)位按鈕松為高電平，復(fù)位按鈕松開后，開后，電容通過內(nèi)部下拉電阻放電，電容通過內(nèi)部下拉電阻放電，逐漸使逐漸使RSTRST端恢復(fù)低電平端恢復(fù)低電平。（2）外部復(fù)位電路）外部復(fù)位電路2022-3-423 程序計數(shù)器指針程序計數(shù)器指針PCPC 典型的復(fù)位電路既具有上電復(fù)位又具有典型的復(fù)位電路既具有上電復(fù)位又具有外部的復(fù)位

22、電路如圖外部的復(fù)位電路如圖4.84.8所示，所示， 上電瞬間，上電瞬間，C C與與RxRx構(gòu)成充電電路，構(gòu)成充電電路，RSTRST引引腳出現(xiàn)正脈沖，只要腳出現(xiàn)正脈沖，只要RSTRST保持足夠的高電平，保持足夠的高電平，就能使單片機復(fù)位。就能使單片機復(fù)位。 參數(shù)選擇參數(shù)選擇： 一般取一般取C C22F22F，R R200,Rx200,Rx1K1K，此時，此時， 當(dāng)按下按鈕時，當(dāng)按下按鈕時，RSTRST端電位：端電位：（1000/12001000/1200）5=4.2V5=4.2V，使單片機復(fù)位。，使單片機復(fù)位。6322 101 1022RCms 4.8 4.8 上電外部復(fù)位電路上電外部復(fù)位電路2

23、022-3-424（4 4）抗干擾復(fù)位電路）抗干擾復(fù)位電路4.9 4.9 兩種實用復(fù)位電路兩種實用復(fù)位電路 上面幾種復(fù)位電路，干擾信號易串入復(fù)位端。一般情況不會造成單片機上面幾種復(fù)位電路，干擾信號易串入復(fù)位端。一般情況不會造成單片機的錯誤復(fù)位，但有可能引起內(nèi)部某些寄存錯誤復(fù)位。在應(yīng)用系統(tǒng)中，為了的錯誤復(fù)位，但有可能引起內(nèi)部某些寄存錯誤復(fù)位。在應(yīng)用系統(tǒng)中，為了保證復(fù)位電路可靠地工作，保證復(fù)位電路可靠地工作，常將常將RCRC電路在接施密特電路后再接入單片機復(fù)電路在接施密特電路后再接入單片機復(fù)位端及外圍電路復(fù)位端位端及外圍電路復(fù)位端。圖。圖4.94.9給出了兩種實用電路。給出了兩種實用電路。2022

24、-3-425二、掉電處理二、掉電處理1.掉電保護方式掉電保護方式1234ABCD4321DCBATitleNumberRevisionSiz eA4Date:27-Feb-2006Sheet of File:C:Documents and SettingsAdministrator桌面MyDesign.ddbDrawn By:23486751RS T/VPDP1.0555C1C20.1uFR110KVCC掉電保護：單片機如遇到掉電，掉電保護：單片機如遇到掉電，將導(dǎo)致片內(nèi)將導(dǎo)致片內(nèi)RAMRAM和和SFRSFR中的信息丟中的信息丟失。為避免發(fā)生此種情況，把失。為避免發(fā)生此種情況，把HMOSHMOS

25、型的型的80518051單片機單片機RST/VPDRST/VPD引腳引腳作為備用電源，只要作為備用電源，只要VCCVCC上的電壓上的電壓低于低于VPDVPD上的電壓時，備用電源就上的電壓時，備用電源就通過通過VPDVPD端給內(nèi)部端給內(nèi)部RAMRAM供電，以低供電，以低功耗保持內(nèi)部功耗保持內(nèi)部RAMRAM中的數(shù)據(jù)，這種中的數(shù)據(jù)，這種方式稱為掉電保護。掉電保護電方式稱為掉電保護。掉電保護電路如圖路如圖4.104.10所示：所示：4.10 4.10 掉電保護電路掉電保護電路2022-3-426 如如4.104.10所示，當(dāng)電源電壓所示，當(dāng)電源電壓VCCVCC降到降到CPUCPU工作電源電壓所工作電源

26、電壓所允許的最低下限之前，允許的最低下限之前，通過中斷服務(wù)程序通過中斷服務(wù)程序，把一些必須保，把一些必須保護信息轉(zhuǎn)存到片內(nèi)護信息轉(zhuǎn)存到片內(nèi)RAMRAM中，中，然后向然后向P1.0P1.0寫入寫入“0”0”，由，由P1.0P1.0輸出的低電平觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)電路輸出的低電平觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)電路555555。 在主電源恢復(fù)之前，片內(nèi)振蕩器被封鎖，一切功能停在主電源恢復(fù)之前，片內(nèi)振蕩器被封鎖，一切功能停止，并依靠止，并依靠VPDVPD引腳提供的電源來保護片內(nèi)引腳提供的電源來保護片內(nèi)RAMRAM中的數(shù)據(jù)。中的數(shù)據(jù)。 當(dāng)電源恢復(fù)時，當(dāng)電源恢復(fù)時，VPDVPD上的電壓應(yīng)保持足夠的時間（約上的電壓應(yīng)保持足夠的時間（約1

27、0ms10ms），以完成復(fù)位操作，然后開始正常的工作。），以完成復(fù)位操作，然后開始正常的工作。2022-3-4272.2.節(jié)電工作方式節(jié)電工作方式對于對于CHMOSCHMOS型單片機（如型單片機（如80C5180C51）才有節(jié)電方式。）才有節(jié)電方式。有兩種：有兩種：待機（空閑）方式；掉電保護（停機）方式待機（空閑）方式；掉電保護（停機）方式。 持機持機( (空閑空閑) )方式：可使功耗減小，電流約為方式：可使功耗減小，電流約為1.71.75mA5mA； 掉電掉電( (停機停機) )方式：備用電源直接由方式：備用電源直接由VCCVCC端輸入，可僅端輸入，可僅功耗減到最小，電流一般為功耗減到最小，

28、電流一般為5 550uA50uA。 因此，因此，CHMOSCHMOS型單片機特別適用于低功耗應(yīng)用的場合型單片機特別適用于低功耗應(yīng)用的場合。 2022-3-428待機待機( (空閑空閑) )方式和掉電方式和掉電( (停機停機) )方式都是由專用寄存器方式都是由專用寄存器PCON(PCON(電源控制寄存器電源控制寄存器) )中的有關(guān)位來控制的，其格式及各位中的有關(guān)位來控制的，其格式及各位的作用如下：的作用如下：(1)SMOD(1)SMOD：波特率倍增位。在串行口工作方式：波特率倍增位。在串行口工作方式1 1、2 2或或3 3下，下，SMODSMOD1 1使波特率加倍。使波特率加倍。(2)GFl(2

29、)GFl和和GF2GF2：通用標(biāo)志位。由軟件置位、復(fù)位。：通用標(biāo)志位。由軟件置位、復(fù)位。2022-3-429(3)PD(3)PD：掉電方式位。若：掉電方式位。若PDPD1 1，進入掉電工作方式。，進入掉電工作方式。(4)IDL(4)IDL：待機方式位。各：待機方式位。各IDLIDL1 1，進入持機工作方式。，進入持機工作方式。 當(dāng)當(dāng)PDPD扣扣IDLIDL同時為同時為l l，則先進入掉電工作方式。復(fù)位后，則先進入掉電工作方式。復(fù)位后，PSONPSON中所有定義位均為中所有定義位均為“0”0”。2022-3-430（1 1）待機方式）待機方式 用指令使用指令使PCONPCON中的中的IDLIDL位置位置1 1，80C5180C51就進入待機方式。就進入待機方式。 在待機方式下，振蕩器繼續(xù)運行，時鐘信號繼續(xù)提在待機方式下，振蕩器繼續(xù)運行，時鐘信號繼續(xù)提供給中斷邏輯。串行口和定時器，但