第10章 MCS-51單片機(jī)系統(tǒng)擴(kuò)展-第2部分

1、10.5 存儲(chǔ)器擴(kuò)展10.5.1 存儲(chǔ)器擴(kuò)展概述1. 80C51單片機(jī)的存儲(chǔ)器擴(kuò)展80C51單片機(jī)地址總線寬度為16位（P0口為低8位，P2口為高8位），片外可擴(kuò)展的存儲(chǔ)器最大容量為64KB，地址為0000HFFFFH。因?yàn)槌绦虼鎯?chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是通過(guò)不同的控制信號(hào)和指令進(jìn)行訪問(wèn)【程序存儲(chǔ)器用單片機(jī)的引腳，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器用和引腳】，允許兩者的地址空間重疊（或相同）。所以片外可擴(kuò)展的程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器分別都為64KB?！緩?qiáng)調(diào)：程序存儲(chǔ)器用單片機(jī)的引腳，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和IO接口用和引腳】【用串行通信中的情況來(lái)解釋，以便相互聯(lián)系地進(jìn)行理解。類似于串行的SBUF，地址都為99H，一個(gè)只能讀出，一個(gè)只能寫入

2、；例如用74LS244和74LS273的例題，對(duì)輸入和輸出，也是用的相同地址】2. 存儲(chǔ)器擴(kuò)展的一般方法不論何種存儲(chǔ)器芯片，其引腳都是用三總線結(jié)構(gòu)（AB、DB、CB）和單片機(jī)連接都是三總線對(duì)接。存儲(chǔ)器編址分兩個(gè)層次：（1）存儲(chǔ)芯片的選擇（用高位地址線進(jìn)行片選【線選或譯碼輸出】）；（2）芯片內(nèi)部存儲(chǔ)單元的選擇（用低位地址線）。如下圖，如果存儲(chǔ)器芯片容量為2KB，則需要地址線為11根，芯片的引腳可以與地址總線的低11位A0A10相連，用于選擇芯片內(nèi)的具體字節(jié)存儲(chǔ)單元。如果用地址總線的A14、A13、A12、A11四根地址線參加譯碼來(lái)選擇芯片,A15不參與譯碼【例如用74LS154，4-16】，如果

3、選擇這四根地址總線的狀態(tài)為0010時(shí)選中該芯片。由于地址總線A15不參加譯碼，所以當(dāng)A15A14A13A12A11=00010（或10010）時(shí)，都可以選中該存儲(chǔ)器芯片。 當(dāng)A15=0時(shí)，芯片占用的地址是：【地址不連續(xù)】0001 0000 0000 00000001 0111 1111 1111，即1000H17FFH。當(dāng)A15=1時(shí)，芯片占用的地址是：1001 0000 0000 00001001 0111 1111 1111，即9000H97FFH。10.5.2 程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器中的信息要用特殊方式寫入(程序、常數(shù)、表格數(shù)據(jù))，斷電后可保持信息不丟失。單片機(jī)系統(tǒng)工作時(shí)，程序存儲(chǔ)器

4、中的信息只能讀出。向程序存儲(chǔ)器中“寫入”信息稱為程序存儲(chǔ)器編程。根據(jù)編程方式不同，分為以下幾種。（1）ROM。（Read Only Memory）在制造過(guò)程中編程，是以掩模工藝實(shí)現(xiàn)的，因此稱為掩模ROM。由生產(chǎn)芯片的廠家固化信息。在最后一道工序用掩膜工藝寫入信息，用戶只能讀。這種芯片存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，集成度高，但由于掩模工藝成本較高，因此只適合于大批量生產(chǎn)?！居?jì)算機(jī)中的BIOS芯片采用】（2）可編程ROM（PROM）。芯片出廠時(shí)沒(méi)有任何程序信息，用戶可進(jìn)行一次編程。存儲(chǔ)單元電路由熔絲相連，當(dāng)加入寫脈沖，某些存儲(chǔ)單元熔絲熔斷，信息永久寫入，不能再次改寫。（3）EPROM。使用專用的編程器將調(diào)試完畢的

5、程序?qū)懭?。如果要改寫其中的程序，必須用紫外線照射芯片外殼的中間位置的圓形窗口【大約需要幾分鐘時(shí)間】，清除掉其中的程序后（二進(jìn)制代碼），可再次寫入。程序?qū)懭牒螅趫A形窗口上貼上擋光貼片，以防紫外線照射。【醫(yī)院的紫外線燈，太陽(yáng)下照射】（4）E2PROM（EEPROM）。既可全片擦除也可字節(jié)擦除，可在線擦除信息，又能在掉電時(shí)保存信息，具備RAM、ROM的優(yōu)點(diǎn)，但寫入時(shí)間較長(zhǎng)。對(duì)E2PROM的讀寫操作與RAM存儲(chǔ)器幾乎沒(méi)有什么差別，只是寫入的速度慢一些，但斷電后仍能保存信息，對(duì)數(shù)據(jù)的保存期為10年。（5）Flash ROM。 又稱閃速存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱閃存），是在EPROM、E2PROM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的

6、一種電擦除型只讀存儲(chǔ)器。特點(diǎn)是可快速在線修改其存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，改寫次數(shù)可達(dá)1萬(wàn)次，其讀寫速度很快，存取時(shí)間可達(dá)70ns，而成本比E2PROM低得多，大有取代E2PROM的趨勢(shì)?！救绻臻g沒(méi)有利用完，可以用不同的單元進(jìn)行改寫，這樣可延長(zhǎng)整個(gè)芯片的壽命】目前許多公司生產(chǎn)的8051內(nèi)核的單片機(jī)，在芯片內(nèi)部大多集成了數(shù)量不等的Flash ROM。例如，美國(guó)ATMEL公司產(chǎn)品AT89C5x/AT89S5x，片內(nèi)有不同容量的Flash ROM。在片內(nèi)的Flash ROM滿足要求下，擴(kuò)展外部程序存儲(chǔ)器可省去。10.5.3 常用的EPROM芯片使用較多的是并行EPROM，EPROM的典型芯片是27系列產(chǎn)品，

7、例如，2764（8KB）、27128（16KB）、27256（32KB）、27512（64KB）。型號(hào) “27”后面的數(shù)字表示芯片的存儲(chǔ)容量。如果換算成字節(jié)容量，只需將該數(shù)字除以8即可。例如，“27128”中的“27”后的數(shù)字 “128”，128/8 =16KB隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，大容量存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)量劇增，售價(jià)不斷下降，性價(jià)比明顯增高，且由于小容量芯片停止生產(chǎn)，使市場(chǎng)某些小容量芯片價(jià)格反而比大容量芯片還貴。所以，應(yīng)盡量采用大容量芯片。1常用EPROM芯片引腳27系列EPROM芯片的引腳如圖10-12所示。芯片引腳功能為：A0A15：地址線引腳。用于進(jìn)行單元選擇。芯片的存儲(chǔ)容

8、量決定需要利用A0A15中的多少根引腳。D7D0：8根數(shù)據(jù)線。：片選控制端?！镜碗娖接行В删€選或譯碼器輸出選擇】：輸出允許控制端。【低電平有效，和單片機(jī)的相連】：編程時(shí)，編程脈沖的輸入端。圖10-12 常用EPROM芯片引腳VPP：編程時(shí)，編程電壓（12.5V、21V等）輸入端。VCC：+5V，芯片的工作電壓。GND：數(shù)字地。NC：無(wú)用端?！静挥?，可以不連接】表10-4為27系列EPROM芯片的技術(shù)參數(shù)，其中VCC是芯片供電電壓，VPP是編程電壓，Im為最大靜態(tài)電流，Is為維持電流，TRM為最大讀出時(shí)間。表10-4 常用EPROM芯片參數(shù)表【不用記憶】參 數(shù)型號(hào)Vcc(V)Vpp(V)Im(

9、mA)Is(mA)Trm(nS)容量TMS2732A521132322004504KB×8TMS2764521100352004508KB×8Intel2764A512.560202008KB×8Intel27C64512.5100.12008KB×8Intel27128A512.51004015020016KB×8Intel27C128512.5300.120016KB×8Intel27256512.51004022032KB×8Intel27C256512.580.125030032KB×8Intel27512

10、512.51254025064KB×82EPROM芯片的工作方式5種工作方式，由、和信號(hào)的組合確定。如表10-5所示。表10-5 EPROM的5種工作方式方式D7D0讀出低低5V程序、數(shù)據(jù)讀出未選中高×5V高阻編程正脈沖高21V（或12.5）程序?qū)懭氤绦蛐ｒ?yàn)低低21V（或12.5）程序讀出編程禁止低高21V（或12.5）高阻（1）讀出方式:工作在該方式的條件是：使片選控制線為低電平，同時(shí)讓輸出允許控制線為低電平，VPP為+5V，就可把指定地址單元的內(nèi)容從D7D0上讀出。（2）未選中方式:當(dāng)片選控制線為高電平時(shí)，芯片未選中方式，數(shù)據(jù)輸出為高阻抗懸浮狀態(tài)，不占用數(shù)據(jù)總線【相當(dāng)于

11、斷開(kāi)】。EPROM處于低功耗的維持狀態(tài)。（3）編程方式。在VPP端加上規(guī)定好的電壓，和端加上合適的電平（不同芯片要求不同），能將數(shù)據(jù)寫入到指定地址單元。編程地址和編程數(shù)據(jù)分別由系統(tǒng)的A15A0和D7D0提供。（4）編程校驗(yàn)方式。VPP端保持相應(yīng)的編程電壓（高壓），再按讀出方式操作，讀出固化好的內(nèi)容，校驗(yàn)寫入內(nèi)容是否正確。（5）編程禁止方式。10.5.4 程序存儲(chǔ)器的操作時(shí)序1單片機(jī)訪問(wèn)程序存儲(chǔ)器的控制信號(hào)80C51單片機(jī)訪問(wèn)片外擴(kuò)展的程序存儲(chǔ)器時(shí)，所用的控制信號(hào)有以下4種：（1）ALE：用于鎖存低8位地址，一般都接74LS373的G端(LE端)。（2）：片外程序存儲(chǔ)器“讀選通”控制信號(hào)。連接外

12、擴(kuò)EPROM的 引腳。【因?yàn)樽xEPROM時(shí)，為低電平】（3）：片內(nèi)、片外程序存儲(chǔ)器訪問(wèn)的控制信號(hào)。 (4) 片選信號(hào)。當(dāng)=1時(shí)，在單片機(jī)發(fā)出的地址小于片內(nèi)程序存儲(chǔ)器最大地址時(shí)，訪問(wèn)片內(nèi)程序存儲(chǔ)器；當(dāng)=0時(shí)，只訪問(wèn)片外程序存儲(chǔ)器。如果指令是從片外EPROM中讀取的，除了ALE用于低8位地址鎖存信號(hào)之外，控制信號(hào)還有接外擴(kuò)EPROM的腳。此外，P0口分時(shí)用作低8位地址總線和數(shù)據(jù)總線【利用ALE信號(hào)和74LS373鎖存地址低8位】，P2口用作高8位地址線。2操作時(shí)序80C51對(duì)片外程序存儲(chǔ)器的操作時(shí)序分兩種，即執(zhí)行非MOVX指令的時(shí)序和執(zhí)行MOVX指令的時(shí)序，如圖10-12所示。（1）應(yīng)用系統(tǒng)中無(wú)片

13、外RAM在系統(tǒng)無(wú)片外RAM（或I/O）時(shí)，不用執(zhí)行MOVX指令。在執(zhí)行非MOVX指令時(shí)，時(shí)序如圖10-12（a）所示。P0口作為地址/數(shù)據(jù)復(fù)用的雙向總線，用于輸入指令或輸出程序存儲(chǔ)器的低8位地址PCL。P2口專門用于輸出程序存儲(chǔ)器的高8位地址PCH。P0口分時(shí)復(fù)用，所以首先要將P0口輸出的低8位地址PCL鎖存在鎖存器中，然后P0口再作為數(shù)據(jù)口。在每個(gè)機(jī)器周期中，允許地址鎖存兩次有效，ALE在下降沿時(shí)，將P0口的低8位地址PCL鎖存在鎖存器中。圖10-12 執(zhí)行非MOVX指令的時(shí)序同時(shí)，也是每個(gè)機(jī)器周期中兩次有效，用于選通片外程序存儲(chǔ)器，將指令讀入片內(nèi)。系統(tǒng)無(wú)片外RAM（或I/O）時(shí)，此ALE信

14、號(hào)以振蕩器頻率的1/6出現(xiàn)在引腳上，它可用作外部時(shí)鐘或定時(shí)脈沖信號(hào)。（2）應(yīng)用系統(tǒng)中接有片外RAM由圖10-12（b）可以看出：（1）將ALE用作定時(shí)脈沖輸出時(shí)，執(zhí)行一次MOVX指令就會(huì)丟失一個(gè)ALE脈沖；（2）只有在執(zhí)行MOVX指令時(shí)的第二個(gè)機(jī)器周期中，才對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（或I/O）讀/寫，地址總線才由數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器使用。圖10-12 執(zhí)行MOVX指令的（讀）時(shí)序10.5.5 80C51單片機(jī)與EPROM的接口電路設(shè)計(jì)由于80C51單片機(jī)片內(nèi)集成不同容量的Flash ROM，可根據(jù)實(shí)際需要來(lái)決定是否外部擴(kuò)展EPROM。當(dāng)應(yīng)用程序不大于單片機(jī)片內(nèi)的Flash ROM容量時(shí)，擴(kuò)展外部程序存儲(chǔ)器的工作可省

15、略。但作為擴(kuò)展外部程序存儲(chǔ)器的基本方法，還是應(yīng)該掌握。180C51與單片EPROM的硬件接口電路在設(shè)計(jì)接口電路時(shí)，由于擴(kuò)展的EPROM在正常使用中只讀不寫，故EPROM芯片只有讀出控制引腳，記為，該引腳與80C51單片機(jī)的相連，地址線、數(shù)據(jù)線分別與80C51單片機(jī)的地址線、數(shù)據(jù)線相連，片選端控制可采用線選法或譯碼法?！緵](méi)有寫入控制信號(hào)】下面介紹2764和27128芯片與80C51的接口。更大容量的27256、27512與80C51的連接，差別只是連接的地址線數(shù)目不同。由于2764與27128引腳的差別僅在26腳，2764的26腳是空腳(NC)，27128的26腳是地址線A13，因此在設(shè)計(jì)外擴(kuò)存

16、儲(chǔ)器電路時(shí)，應(yīng)選用27128芯片設(shè)計(jì)電路。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，可將27128換成2764，系統(tǒng)仍能正常運(yùn)行。圖10-13所示為80C51外擴(kuò)16KB的EPROM 27128的電路。由于只擴(kuò)展一片EPROM，所以片選端的連接可以是：（1）可以直接接地；（2）也可接到某一高位地址線上（A15或A14；P27或P26）進(jìn)行線選；（3）也可接某一地址譯碼器的輸出端。圖10-13 80C51單片機(jī)與27128的接口電路2使用多片EPROM的擴(kuò)展電路圖10-14所示為利用4片27128 EPROM擴(kuò)展成64KB程序存儲(chǔ)器的方法。片選信號(hào)由譯碼器產(chǎn)生。4片27128各自所占的地址空間，讀者自己分析?！?71281

17、6K×4，用P00P07，P20P25】【不能接地，因?yàn)橛卸嗥繄D10-14 80C51與4片27128 EPROM的接口電路IC1的地址：0000 0000 0000 00000011 1111 1111 1111(00003FFF)單片機(jī)的引腳接地，只使用片外程序存儲(chǔ)器。10.6 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展在單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，外部擴(kuò)展的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器都采用靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（SRAM），不需要刷新【而動(dòng)態(tài)RAM是由柵極漏電容構(gòu)成，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)】。對(duì)外部擴(kuò)展的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間訪問(wèn)，P2口提供高8位地址，P0口分時(shí)提供低8位地址和8位雙向數(shù)據(jù)總線。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展與程序存儲(chǔ)器擴(kuò)展基本相同，只

18、是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的控制信號(hào)為輸出允許信號(hào)和寫控制信號(hào)，分別與單片機(jī)的片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀控制信號(hào)（P3.7）和寫控制信號(hào)(P3.6）相連，其它信號(hào)線的連接與程序存儲(chǔ)器相同?！境绦虼鎯?chǔ)器只能輸出，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器具有寫入和輸出兩種】10.6.1 常用的靜態(tài)RAM（SRAM）芯片單片機(jī)系統(tǒng)中常用的RAM芯片的典型型號(hào)有6116（2KB），6264（8KB），62128（16KB），62256（32KB）。6116為24腳封裝，6264、62128、62256為28腳封裝。這些RAM芯片的引腳如圖10-15所示。圖10-15 常用的RAM引腳圖【6264的引腳有一些特殊，體現(xiàn)在還有一個(gè)CS引腳需要接高電平】各引

19、腳功能：A0A15：地址輸入線。D0D7：雙向三態(tài)數(shù)據(jù)線。：片選信號(hào)輸入線，低電平有效。（但對(duì)6264芯片，當(dāng)24腳（CS）為高電平且為低電平時(shí)才選中該片）。：讀選通信號(hào)輸入線，低電平有效。【從外RAM中讀數(shù)據(jù)，連】：寫允許信號(hào)輸入線，低電平有效?！就釸AM中寫數(shù)據(jù)，連】VCC: 工作電源+5V。GND: 地。RAM存儲(chǔ)器有讀出、寫入和維持3種工作方式，工作方式的控制見(jiàn)表10-6。表 106 6116、6264、62256芯片3種工作方式的控制工作方式RAM芯片的控制信號(hào)D0D7讀出001數(shù)據(jù)輸出寫入010數(shù)據(jù)輸入維持1××高阻態(tài)10.6.2 外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀寫操作時(shí)序

20、對(duì)片外RAM讀和寫兩種操作時(shí)序的基本過(guò)程相同。1讀片外RAM操作時(shí)序單片機(jī)讀片外RAM操作時(shí)序如圖10-16所示。在第一個(gè)機(jī)器周期的S1狀態(tài)，ALE信號(hào)由低變高（處），讀RAM周期開(kāi)始。在S2狀態(tài)，CPU把低8位地址送到P0口總線上，把高8位地址送上P2口。ALE下降沿（處）用來(lái)把低8位地址信息鎖存到外部鎖存器74LS373。而高8位地址信息一直鎖存在P2口鎖存器中（處）。在S3狀態(tài)，P0口總線變成高阻懸浮狀態(tài)。在S4狀態(tài)，執(zhí)行從外部存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)指令后，使信號(hào)變有效（處），信號(hào)使被尋址的片外RAM過(guò)片刻后把數(shù)據(jù)送上P0口總線（處），當(dāng)回到高電平后（處），P0總線變懸浮狀態(tài)（處）。圖10-16

21、單片機(jī)讀片外RAM操作時(shí)序圖2寫片外RAM操作時(shí)序向片外RAM寫數(shù)據(jù)，單片機(jī)執(zhí)行往外部存儲(chǔ)器寫數(shù)據(jù)指令。指令執(zhí)行后，80C51的信號(hào)為低有效，此信號(hào)使RAM的端被選通。寫片外RAM的時(shí)序如圖10-17所示。開(kāi)始的過(guò)程與讀過(guò)程類似，但寫的過(guò)程是CPU主動(dòng)把數(shù)據(jù)送上P0口總線，所以在時(shí)序上，CPU先向P0口總線上送完8位地址后，在S3狀態(tài)就將數(shù)據(jù)送到P0口總線（處）。此間，P0總線上不會(huì)出現(xiàn)高阻懸浮現(xiàn)象。圖10-17單片機(jī)寫片外RAM操作時(shí)序圖在S4狀態(tài)，寫信號(hào)有效（處），選通片外RAM，稍過(guò)片刻，P0口上的數(shù)據(jù)就寫到RAM內(nèi)了，然后寫信號(hào)變?yōu)闊o(wú)效（處）。10.6.3 單片機(jī)與RAM的接口電路設(shè)計(jì)

22、外擴(kuò)RAM時(shí)，應(yīng)將單片機(jī)的腳與RAM芯片的腳連接，腳與RAM腳連接。片外RAM的片選端可以由線選或譯碼方式控制。因此設(shè)計(jì)時(shí)，主要解決地址分配、數(shù)據(jù)線和控制信號(hào)線的連接問(wèn)題。在與高速單片機(jī)連接時(shí)，還要根據(jù)時(shí)序解決讀/寫速度匹配問(wèn)題。圖10-18為用線選法擴(kuò)展外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器電路。圖中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器選用6264（8K），所以需要利用A0A12地址線，還有3條剩余的地址線。圖10-18 線選法擴(kuò)展外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器電路上圖采用線選方法擴(kuò)展了3片6264，對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器地址如表10-7。表 10-7 3片6264芯片對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)空間表P2.7 P2.6 P2.5選中芯片地址范圍存儲(chǔ)容量 1 1 0IC1C000HD

23、FFFH8KB 1 0 1IC2A000HBFFFH8KB 0 1 1IC36000H7FFFH8KB采用譯碼法擴(kuò)展外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的接口電路如圖10-19所示。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器62128（16K），需要利用A0A13地址線，剩余兩條地址線(P2.6,P2.7)，若采用2-4線譯碼器（74LS139）可擴(kuò)展4片62128。各片62128芯片地址分配如表10-8所示。圖10-19 譯碼法擴(kuò)展外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器電路圖【注意：6264和62128連接時(shí)，就CS和A13不同】表 108 各62128芯片的地址空間分配2-4譯碼器輸入P2.7 P2.62-4譯碼器有效輸出選中芯片地址范圍存儲(chǔ)容量 0 0IC1000

24、0H3FFFH16KB 0 1IC24000H7FFFH16KB 1 0IC38000HBFFFH16KB 1 1IC4C000HFFFFH16KB【XBYTE以字節(jié)形式對(duì)xdata區(qū)尋址】#include <reg52.h>【已通過(guò)CAP10-EX7】#include <absacc.h>sbit LED = P10;void main() unsigned int i;LED = 1; / LED先熄滅for(i=0;i<200;i+) /200128648110010000xC8 XBYTE0x0000+i=i+1;for(i=0;i<200;i+)

25、XBYTEi+0x0100=XBYTE199-i;LED=0; / 完成操作后，LED變?yōu)榱羨hile(1);【在“Proteus”中查看運(yùn)行及數(shù)據(jù)傳送結(jié)果：LED變?yōu)榱習(xí)r，表明數(shù)據(jù)傳送已經(jīng)結(jié)束，可以點(diǎn)擊中的暫停按鈕，暫停程序的運(yùn)行，打開(kāi)“DEBUG”中的“Memory Contents”，查看6264內(nèi)存中的數(shù)據(jù)】查看結(jié)果如下：【上課時(shí)，可以把CS的高電平去掉，觀察結(jié)果】【例題擴(kuò)展1：】電路圖同上，改為先定義數(shù)組dat200，然后給數(shù)組賦值，再把數(shù)組中的數(shù)據(jù)放到外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)中。#include <reg52.h>【已通過(guò)CAP10-EX7-擴(kuò)展1，62642】#include

26、<absacc.h>sbit LED = P10;void main() / 注意數(shù)據(jù)存放位置定義符xdata，要放在char和數(shù)組名之間 unsigned char xdata dat200; unsigned int i;LED = 1; / LED先熄滅for(i=0;i<200;i+) dati=i+5; / 先給數(shù)組賦值，然后再傳送到6264中for(i=0;i<200;i+) XBYTEi+0x0100=dati+1; / 送到片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6264中LED=0; / 完成操作后，LED變?yōu)榱羨hile(1);【CAP10-EX7-擴(kuò)展1的結(jié)果如下】【例題】

27、擴(kuò)展2片6264數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件【已通過(guò)CAP10-EX8】【U3的地址P27P26=00，U4的地址P27P26=11】#include <reg51.h>#include <absacc.h>sbit LED = P10;void main() unsigned int i;LED = 1; / LED先熄滅for(i=0;i<100;i+) /先在6264-U3芯片中存放1100（0x010x64） XBYTE0x0000+i=i+1; /P27P26=00for(i=0;i<100;i+) / 然后把1100加1，存放到6264-U3芯片的200開(kāi)始的1

28、00個(gè)單元中 XBYTEi+0x0000+200=XBYTE0x0000+i+1; /200=128+64+8=11001000=0xc8,從此地址開(kāi)始存放for(i=0;i<100;i+) / 再把1100加2，存放到6264-U4芯片起始（0x0000）的100個(gè)單元中 XBYTEi+0xC000=XBYTEi+2; /P27P26=11，從0000開(kāi)始存放LED=0; / 完成操作后，LED變?yōu)榱羨hile(1);/注意U4的起始地址為0xC000,1100=C10.7 EPROM和RAM的綜合擴(kuò)展在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)，經(jīng)常是既要擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器，也要擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或I/O，即需要存儲(chǔ)器的綜

29、合擴(kuò)展。下面介紹如何進(jìn)行綜合擴(kuò)展。同時(shí)擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器：由于程序存儲(chǔ)器的讀操作由信號(hào)控制EPROM芯片的，而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀和寫分別由（控制芯片的）和（控制芯片的）信號(hào)控制，因此，不會(huì)造成操作上的混亂。10.7.1 綜合擴(kuò)展的硬件接口電路【例】采用線選法擴(kuò)展2片8KB的6264（RAM）和2片8KB的2764（EPROM）。硬件接口電路如圖10-20所示?！咀⒁猓?264應(yīng)該還有引腳CS要接高電平】圖10-20 采用線選法的綜合擴(kuò)展電路圖1. 控制信號(hào)及片選信號(hào)地址線P2.5直接連接到IC1（2764）和IC3（6264）的片選端，P2.6直接連接到IC2（2764）和IC4（6264

30、）的片選端。（1）當(dāng)P2.6=0，P2.5=1時(shí)，IC2和IC4的片選端為低電平，IC1和IC3的端全為高電平。（2）當(dāng)P2.6=1，P2.5=0時(shí)，IC1和IC3的端都是低電平，每次同時(shí)選中兩個(gè)芯片，具體對(duì)哪個(gè)芯片進(jìn)行讀/寫操作還要通過(guò) 、控制線來(lái)控制。當(dāng)為低電平時(shí)，從片外程序存儲(chǔ)區(qū)EPROM中讀程序；當(dāng)讀/寫信號(hào) 或?yàn)榈碗娖綍r(shí)，則對(duì)片外RAM讀數(shù)據(jù)或?qū)憯?shù)據(jù)。、3個(gè)信號(hào)是在執(zhí)行指令時(shí)產(chǎn)生的，任意時(shí)刻只能執(zhí)行一條指令，所以只能有一個(gè)信號(hào)有效，不可能同時(shí)有效，所以不會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)沖突。2. 各芯片地址空間分配硬件電路連接一旦確定，各芯片的地址范圍也就確定了，編程時(shí)只要給出所選擇芯片的地址，就能對(duì)該芯

31、片進(jìn)行訪問(wèn)。結(jié)合圖10-20，介紹IC1、IC2、IC3、IC4芯片地址范圍的確定方法。（1）如果P2.6=0、P2.5=1，選中IC2、IC4。地址線范圍為：【P2.7可以選0，也可以選1】IC2、IC4的地址空間為A000HBFFFH共8KB?！居?組地址】0010 0000 0000 00000011 1111 1111 11112000H3FFFH1010 0000 0000 00001011 1111 1111 1111A000HBFFFH【程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器地址是重疊的，但不會(huì)沖突】（2）如果P2.6=1、P2.5=0，選中IC1、IC3。地址范圍為：【P2.7可以選0，也可以

32、選1】0100 0000 0000 00000101 1111 1111 11114000H5FFFH1100 0000 0000 00001101 1111 1111 1111C000HDFFFH【程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器地址是重疊的，但不會(huì)沖突】4片存儲(chǔ)器各自所占的地址空間如表8-9所示。即使地址空間重疊，也不會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)沖突。表109 4片存儲(chǔ)芯片地址空間分配芯片地址范圍IC42000H3FFFH；A000HBFFFHIC34000H5FFFH；C000HDFFFHIC22000H3FFFH；A000HBFFFHIC14000H5FFFH；C000HDFFFH下面介紹采用譯碼器輸出進(jìn)行地址空間分配的例子?！纠坎捎米g碼法擴(kuò)展2片8KB EPROM和2片8KB RAM。EPROM選用2764，RAM選用6264。擴(kuò)展接口電路如圖10-21所示。圖中，74LS139的4個(gè)輸出端， 分別連接4個(gè)芯片IC1、IC2、IC3、IC4的片選端。74LS139在對(duì)輸入端譯碼時(shí)，每次只能有一位輸出為“0”，其他三位全為“1”，輸出為“0”的一端所連接的芯片被選中。譯