磁控濺射操作流程及注意事項

1、磁控濺射操作流程及注意事項一、打開冷卻水箱電源（注：水箱電源是設備的總電源。）檢查水壓是否足夠大（0.1MPa），水壓控制器是否起作用。二、放氣2.1 確認磁控濺射室內部溫度已經(jīng)冷卻到室溫；2.2 檢查所有閥門是否全部處于關閉狀態(tài)；2.3 磁控濺射室的放氣閥是V2，放氣時旋鈕緩慢打開，這可以保證進入氣流不會太大；2.4 放氣完畢將氣閥關緊。三、裝卸試樣與靶材3.1 打開B柜總電源（在B9面板上），電源三相指示燈全亮為正常。3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）樣品臺要注意點動操作，不要連續(xù)操作。3.3 裝卸試樣與靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰塵等污染。3.4 磁控靶屏蔽罩與陰極間距為2

2、-3毫米，屏蔽罩與陰極應該為斷路狀態(tài)。3.5 裝載試樣要注意試驗所用樣品座位置與檔板上濺射孔的對應，并記錄樣品座的編號及目前所對應的靶位。3.6 降落樣品臺時要注意樣品臺與濺射室的吻合，并用工業(yè)酒精擦洗干凈樣品臺與濺射室的配合面。四、抽真空4.1 確認D面板“熱電偶測量選擇”指示“”時；4.2 確認閘板閥G2、G4已經(jīng)關閉；4.3 打開B4上“機械泵”，再打開氣閥V1，開始抽低真空。4.4 打開B3面板的電源開關，同時關閉“復合”鍵?？梢詮腂31處觀察低真空度。(低真空測量下限為0.1Pa）。當真空度小于5Pa可以開始抽高真空。4.5 關閉氣閥V1，打開B4上“電磁閥”（確認聽到響聲表示電磁閥

3、已開）4.6 打開B8面板的磁控室分子泵電源，按下“START”鍵，按下FUNC/DATA鍵，數(shù)字開始逐步上升，等大于H100.0后打開閘板閥G1，隨后分子泵速上升并穩(wěn)定到H400.0。4.7 磁控室的高真空度在B2面板顯示，不要一直開著高真空的測量，也不要頻繁開關, 通常每隔1-2小時可打開觀察一次，等示數(shù)穩(wěn)定后再關閉（一般不超過3分鐘）。五、充氣5.1確認高真空度達到了-4、-5的數(shù)量級，在充氣之前必須關閉高真空計；5.2 打開A1面板上MFC電源，預熱3分鐘；5.3 稍關閉閘板閥G1到一定程度，但不要完全關緊5.4 打開V4、V6（若是二路進氣，V5應和V6同時打開）閥門5.5 將控制閥

4、扳到“閥控“位置5.6 打開氣瓶閥門，稍旋緊減壓閥至壓力示數(shù)為0.1MPa即可；5.7 調節(jié)MFC閥控的設定（一般在30左右），再進一步關緊閘板閥使得低真空（B31）讀數(shù)接近所需的濺射壓強，然后通過微調MFC閥控得到所需的濺射壓強。六、濺射6.1 確認濺射靶位電源已經(jīng)連接。6.2 確認定位銷已經(jīng)脫開。6.3直流濺射 6.3.1 打開電源開關，調節(jié)旋鈕至電壓達到一定值（一般不超過0.3kv），直流可以順利啟輝，此時電流開始有數(shù)值。 6.3.2 電壓與電流乘積為功率值，可繼續(xù)調節(jié)旋鈕到所需濺射功率，但是要小于160W。 6.3.3 直流濺射的關閉：調節(jié)旋鈕至最小，關閉電源。6.4 射頻濺射 6.4

5、.1打開Uf預熱5分鐘 6.4.2 面板E或F上的量程按鈕設定為200/40 6.4.3 打開Ua，并通過粗調與微調Ua，接近設定工藝功率，然后通過匹配調節(jié)，即調整面板E或F上的C1和C2，得到所需濺射功率。匹配的調整規(guī)定如下：F為設定功率（小于160W），R要小于1.5或F的8%；對于絕緣材料，在滿足F功率的要求下，R要盡量小，且最大不能超過F的15%。 6.4.4 射頻濺射的關閉：粗調與微調Ua關到最小關閉Ua等待3min關閉Uf。 注：連續(xù)濺射一小時后需暫停濺射，關閉氣路，等抽真空30分鐘后再重新充氣濺射。七、濺射結束7.1 關閉氣瓶閥門，旋松減壓閥至壓力示數(shù)為0；7.2 將MFC閥開關

6、置于“關閉”位，并將流量調至零，然后關閉電源開關；7.3 關閉V6和V4閥門（若是二路進氣，V5應和V6同時關閉）；7.4 打開閘板閥，繼續(xù)抽真空30分鐘后關閉閘板閥；7.5 關閉分子泵：按下“STOP”鍵等待分子泵速下降到H100.0以下關閉電源。7.6 關閉電磁閥I與機械泵I。7.7 等30分鐘后，關冷卻水電源。八、其他操作說明8.1加負偏壓 加偏壓方法：打開偏壓電源，調整偏壓為200v即可。偏壓要在開始鍍膜之前施加。8.2基板加熱8.2.1確認熱偶回路、加熱回路連接正常，完好；8.2.2 打開加熱電源I，設定加熱溫度，調整電流加熱；8.2.3 結束加熱：先將電流調到最小，然后關閉電源。九

7、、清理工作及離開注意事項9.1 將所用工具放回原處，整理室內衛(wèi)生；9.2 在離開之前，應確認拉閘斷電，關閉門窗。十、緊急情況處理突然停電后的措施：盡快關閉閘板閥，然后關閉各路氣閥，關閉電路按鈕開關。進樣室加熱退火操作流程及注意事項一、打開冷卻水箱電源（注：水箱電源是設備的總電源。）檢查水壓是否足夠大（0.1MPa），水壓控制器是否起作用。二、放氣2.1 確認進樣室內部溫度已經(jīng)冷卻到室溫；2.2 檢查所有閥門是否全部處于關閉狀態(tài)；2.3 進樣室的放氣閥是V8，放氣時旋鈕緩慢打開，這可以保證進入氣流不會太大；2.4 放氣完畢將氣閥關緊。三、裝卸樣品3.1 打開進樣室門，將樣品朝下，送入退火爐內，使

8、樣品托的尖端插入圓形槽內，保證樣品托與退火爐平行；3.2 關閉進樣室門并鎖緊旋鈕。四、抽真空4.1 確認閘板閥G2、G4已經(jīng)關閉4.2 打開B5面板上“機械泵”，再打開氣閥V9，開始抽低真空。4.3 打開B3面板的電源開關，同時關閉“復合”鍵?？梢詮腂32處觀察低真空度。(低真空測量下限為0.1Pa）。當真空度小于5Pa可以開始抽高真空。4.4 關閉氣閥V9，打開B4上“電磁閥”（確認聽到響聲表示電磁閥已開）；4.5 打開B7面板的進樣室分子泵電源，按下“工作”鍵，高速/轉速指示燈亮，隨后分子泵速上升并穩(wěn)定到704，然后打開閘板閥G3，。4.6 進樣室的高真空度在B3-2面板顯示（復合鍵燈亮，

9、測量值為高真空度），不要一直開著高真空的測量，也不要頻繁開關，通常1小時后可達到4x10-3Pa，打開后等示數(shù)穩(wěn)定后再關閉（一般不超過1分鐘）五、加熱退火5.1 確認熱偶回路、加熱回路連接正常，完好；5.2 打開對應加熱電源，設定加熱溫度，調整電流加熱；5.3 結束加熱：先將電流調到最小，然后關閉電源。六、結束6.1 關閉閘板閥；6.2 關閉分子泵：按下“工作”鍵等待分子泵速下降到0關閉電源；7.6 關閉電磁閥III與機械泵III；7.7 等1小時后，關冷卻水電源。七、清理工作及離開注意事項9.1 將所用工具放回原處，整理室內衛(wèi)生；9.2 在離開之前，應確認拉閘斷電，關閉門窗。八、緊急情況處理

10、突然停電后的措施：盡快關閉閘板閥，關閉電路按鈕開關。附：簡單操作步驟一、 磁控濺射1.1 準備工作： 打開冷卻水箱電源 打開V2放氣 關閉V2 打開磁控室裝樣品與靶材 關閉磁控室1.2 抽真空：開機械泵I 打開V1氣閥 至低真空小于5Pa 關閉V1氣閥 開電磁閥I 開分子泵 至轉速大于H100.0 打開閘板閥G11.3 充氣：打開MFC預熱3分鐘 稍關閉閘板閥G1 打開V4 打開V6（或V5） 將MFC打到“閥控” 打開氣瓶 關緊閘板閥G1 調節(jié)MFC1.4 濺射：打開電源開關 調節(jié)功率至啟輝1.5 濺射結束： 將功率調至最小 關閉電源 關閉氣瓶 關MFC 關V6（或V5） 關V4 打開閘板閥

11、G1 抽真空30分鐘 關閉閘板閥 關閉分子泵 關閉電磁閥I 關機械泵I 30分鐘后關冷卻水電源1.6 整理工作：整理儀器和衛(wèi)生 拉閘斷電，關閉門窗二、 進樣室退火2.1 準備工作： 打開冷卻水箱電源 打開V2放氣 關閉V2 打開進樣室裝樣品 關閉進樣室2.2 抽真空：開機械泵III 打開V9氣閥 至低真空小于5Pa 關閉V9氣閥 開電磁閥III 開分子泵 至轉速穩(wěn)定704 打開閘板閥G32.3 加熱：打開電源 設定加熱程序 調整電流開始加熱2.4 加熱結束：將電流調至最小 關閉電源 關閉閘板閥 關閉分子泵 關閉電磁閥III 關機械泵III 1小時后關冷卻水電源2.5 整理工作：整理儀器和衛(wèi)生 拉閘斷電，關閉門窗附：SR93溫度控制器說明書 （進樣室退火和磁控室基板加熱）1. 打開電源，按GRP，進入Prog（程序）設置：Step1（升溫曲線）： *按“step”調加熱溫度（），按“Ent”確認；*按“ ”調升溫時間（小時），按“Ent”確認；Step2（保溫曲線）： 重復上述步驟Step3（降溫曲線）：重復上述步驟（但一般都隨爐冷卻，保溫時間到后直接關電