局部放電基本特性

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上第2章 局部放電基本特性2.1 局部放電的機理2.1.1 氣隙放電等值電路U+-dcbbaadCcCbRcRbCaRaUucub氣隙厚度 d整個介質(zhì)的厚度 Rc、Cc氣泡的電阻和電容Rb、Cb與氣泡串聯(lián)部分介質(zhì)的電阻和電容 Ra、Ca一其余部分介質(zhì)的電阻和電容圖2.1 含有單氣隙的絕緣介質(zhì)，（a）絕緣介質(zhì)中的氣隙，（b）放電等效電路（a）（b）絕緣介質(zhì)內(nèi)部含有一個氣隙時的放電情況是最簡單的，如圖1.1(a)所示。圖中c代表氣隙，b是與氣隙串聯(lián)部分的介質(zhì)，a是除了b之外其他部分的介質(zhì)。假定這一介質(zhì)是處在平行板電極之中，在交流電場作用下氣隙和介質(zhì)中的放電過程可以用圖l.1

2、(b)所示的等效電路來分析。假定在介質(zhì)中的氣隙是扁平狀而且是與電場方向相垂直，則按電流連續(xù)性原理可得 （2.1）式中、分別氣隙和介質(zhì)上的電壓, 、分別為氣隙和介質(zhì)的等效電導(dǎo) 。工頻電場中若和均小于1011(W·m)-1，則氣隙和b部分絕緣上的電壓的數(shù)值關(guān)系可簡化為 （2.2）式中、分別為氣隙和絕緣介質(zhì)的相對介電常數(shù)，氣隙和介質(zhì)中的電場強度Ec、Eb 的關(guān)系為 （2.3）由式（2.3）可見：(1) 氣隙放電在工頻電場中氣隙中的電場強度是介質(zhì)中電場強度的倍。通常情況下，而，即氣隙中的場強要比介質(zhì)中的高，而另一方面氣體的擊穿場強一般都比介質(zhì)的擊穿場強低，因此，在外加電壓足夠高時，

3、氣隙首先被擊穿，而周圍的介質(zhì)仍然保持其絕緣特性，電極之間并沒有形成貫穿性的通道。(2) 油隙放電在液體和固體的組合絕緣結(jié)構(gòu)中，如油紙電纜、油紙電容器、油紙?zhí)坠艿?，由于在制造中采取了真空干燥浸漬等工藝，可以使絕緣體中基本上不含有氣隙，但卻不可避免地存在著充滿絕緣油的間隙，這些油的介電常數(shù)通常也比固體介質(zhì)為小，而擊穿場強又比固體介質(zhì)為低，因此，在油隙中也會發(fā)生局部放電，不過與氣隙相比要在高得多的電場強度下才會發(fā)生。(3) 在介質(zhì)中極不均勻電場分布的情況下，即使在介質(zhì)中不含有氣隙或油隙，只要是介質(zhì)中的電場分布是極不均勻的，也就可能發(fā)生局部放電。例如埋在介質(zhì)中的針尖電極或電極表面上的毛刺，或其它金屬屑

4、等異物附近的電場強度要比介質(zhì)中其他部位的電場強度高得多。當(dāng)此處局部電場強度達到介質(zhì)本征擊穿場強時，則介質(zhì)局部擊穿而形成了局部放電。u+- - -+ + +E內(nèi) E外 uC(a)(b)uumu3u2u1qttuc0us-us-urur1 2 3 4圖2.2 放電過程示意圖（a）絕緣介質(zhì)內(nèi)氣隙放電空間電荷分布（b）外部電壓u、空間電荷q、氣隙電壓uc的時間變化圖2.1.2 放電過程在氣隙發(fā)生放電時，氣隙中的氣體產(chǎn)生游離，使中性分子分離為帶電的質(zhì)點，在外加電場作用下，正離子沿電場方向移動，電子(或負離子)沿相反方向移動，于是這些空間電荷建立了與外施電場方向相反的電場 (如圖2.2（a）所示)，這時氣

5、隙內(nèi)的實際場強為 (2.4)即氣隙上的電場強度下降了E內(nèi)，或者說氣隙上的電壓降低了DUc。于是氣隙中的實際場強低于氣體擊穿場強ECB，氣隙中放電暫停。在氣隙中發(fā)生這樣一次放電過程的時間很短，約為10-8數(shù)量級，在油隙中發(fā)生這樣一次放電過程的時間比較長，可達10-6數(shù)量級。 如果對照圖2.2（b）分析放電過程，外施電壓是正弦交流電壓，當(dāng)電壓瞬時值上升使得氣隙上的電壓uc達到氣隙的擊穿電壓UCB時，氣隙發(fā)生放電。由于放電的時間極短，可以看作氣隙上的電壓由于放電而在瞬間下降了Duc，于是氣隙上的實際電壓低于氣隙的擊穿電壓，放電暫停（這相應(yīng)于圖2.2(b)中的點1）。此后氣隙上的電壓隨外加電壓瞬時值的

6、上升而上升，直到氣隙上的電壓又回升到氣隙的擊穿電壓UCB時，氣隙又發(fā)生放電，在此瞬間氣隙上的電壓又下降Duc，于是放電又暫停。假定氣隙表面電阻很高，前一次放電產(chǎn)生的空間電荷沒有泄漏掉，則這時氣隙中放電電荷建立的反向電壓為-2Duc。依此類推如果在外加電壓的瞬時值達到峰值之前發(fā)生了n次放電，每次放電產(chǎn)生的電荷都是相等的，則在氣隙中放電電荷建立的電壓為-nDuc。在外加電壓過峰值后，氣隙上的外加電壓分量u外逐漸減小，當(dāng)u外=nDuc時，氣隙上的實際電壓為零(圖2.2(b)中點2)。 外施電壓的瞬時值繼續(xù)下降，當(dāng)êu外-nDuc ê=UCB時，即氣隙上實際的電壓達到擊穿電壓時，氣

7、隙又發(fā)生放電，不過放電電荷移動的方向決定于此前放電電荷所建立的電場E內(nèi)，于是減少了原來放電所積累的電荷，使氣隙上的實際電壓為êu外-nDuc ê<UCB時，于是放電暫停(相應(yīng)圖2.2(b)中的點3)。此后隨外施電壓繼續(xù)下降到負半周，當(dāng)重新達到ê-u外-(n-1)Duc ê=UCB時，氣隙又發(fā)生放電，放電后氣隙上的電壓為ê-u外-(n-2)Duc ê<UCB，放電又停止。依此類推直到外加電壓達到負峰值，這時氣隙中放電電荷建立的電壓為nDuc。隨著電壓回升，在一段時間內(nèi)êu外+nDuc ê<UCB不會

8、出現(xiàn)放電，直到êu外+nDuc ê=UCB時氣隙又發(fā)生放電。放電后氣隙上的電壓為êu外+(n-1)Duc ê<UCB，于是放電又暫停(相應(yīng)圖2.2(b)中點4)。此后隨著外加電壓升高放電又繼續(xù)出現(xiàn)。由此可見，在正弦交流電壓下，局部放電是出現(xiàn)在外加電壓的一定相位上，當(dāng)外加電壓足夠高時在一個周期內(nèi)可能出現(xiàn)多次放電，每次放電有一定間隔時間。2.2 表征局部放電的參數(shù) 局部放電是比較復(fù)雜的物理現(xiàn)象，必須通過多種表征參數(shù)才能全面地描繪其狀態(tài)。在氣隙中產(chǎn)生局部放電時，氣隙中的氣體分子被游離而形成正負帶電質(zhì)點，在一次放電中這些質(zhì)點所帶的正或負電荷總和稱為實際放電

9、量qr。 根據(jù)圖2.1(b)所示的等效電路可以推算出，由于Cc上電荷改變了qr所引起的Cc上的電壓變化uc。 （2.5）通常氣隙總是很小的，且Ca>>Cb，因此上式可寫作 (2.6) 由于氣隙經(jīng)常是處于介質(zhì)內(nèi)部，因而無法直接測得qr或Uc。但根據(jù)圖2.1(b)所示的等效電路當(dāng)Cc上有電荷變化時，必然會反映到Ca上電荷和電壓的變化，即試樣兩端出現(xiàn)電荷和電壓的變化，因此可以根據(jù)這種變化來表征局部放電。通常有以下表征局部放電的參數(shù)。一、視在放電電荷 視在放電電荷是指產(chǎn)生局部放電時，一次放電在試樣兩端出現(xiàn)的瞬變電荷。 根據(jù)圖2.1(b)所示的等效電路，并考慮到介質(zhì)電阻Ra、Rb以及氣隙電阻

10、Rc都很大，而局部放電的放電時間又極短，可以假定在放電過程中，一方面電源來不及供給補充電荷，另一方面各個電容上的電荷也沒有泄漏掉。因此當(dāng)氣隙放電而造成Cc上電壓下降uc時，各電容上的電荷重新分配，因此Ca上的電壓也下降了ua，且 (2.7)這時Ca上的電荷變化為 (2.8)將(2.7)代入上式可得 (2.8)將(2.6)代入上式得 (2.9)其中qa就是視在放電電荷，(2.9)表明了視在放電電荷與實際放電電荷的關(guān)系，可以看到：（1）通常氣隙是很薄的，即Cc>>Cb，因此qa往往比qr小得多；（2）應(yīng)當(dāng)注意，真正代表放電大小的是qr，只有在Cb/(Cb+CC)相同時才能通過qa的大小

11、來比較實際放電的大小；（3）兩個視在放電量qa相同的產(chǎn)品，如果Cb/(Cb+CC)差別很大，則qa的差別也很大，因此，對材料的破壞作用也就可能大不相同。這點在局部放電的實際測試中要做具體分析。二、放電重復(fù)率放電重復(fù)率是指單位時間內(nèi)局部放電的平均脈沖個數(shù)。通常以每秒放電次數(shù)來表示。從圖2.2可以看出，假定氣隙中每次放電后殘留的電壓ur可以忽略，則在外施電壓的1/4周期內(nèi)放電的次數(shù)約為 （2.10）式中ucm為氣隙中不放電時電壓的峰值。如果外施電壓的頻率為f，則一秒鐘內(nèi)放電次數(shù)為 （2.11） 在氣隙中的放電次數(shù)與反映到試樣兩端電壓脈沖的次數(shù)是完全相等的，但要注意的是實際測量中脈沖計數(shù)器需要大于一

12、定電平的信號才能觸發(fā)計數(shù)，因此，測得的放電次數(shù)只是放電量大于一定值或在一定范圍的放電次數(shù)。三、放電的能量 放電能量是指在一次放電中所消耗的能量。單位用焦耳表示(J)。假定在氣隙中發(fā)生放電時，氣隙上的電壓從UCB下降到零，即uc=UCB。則在這一次放電中消耗的能量為 （2.12） 設(shè)當(dāng)氣隙上的電壓達到UCB時，施加在試樣兩端的電壓峰值為uim（即起始放電電壓的峰值），則 （2.13）將上式代入式（2.12）得 （2.14） 上式表明放電能量為視在放電電荷與起始放電電壓（峰值)乘積的一半。同時也是實際放電電荷和氣隙的擊穿電壓乘積的一半。四、放電的平均電流 平均電流是指在一定時間間隔T內(nèi)視在放電電荷

13、絕對值的總和除以時間間隔T。 （2.15）當(dāng)qa單位為庫侖（C）、T單位為秒（s）時，放電的平均電流I為安培（A）。五、放電的均方率 均方率是指在一定時間間隔T內(nèi)視在放電電荷的平方之和除以時間間隔T。 （2.16）當(dāng)qa單位為庫侖（C）、T單位為秒（s）時，均方率D的單位為C2/s。六、放電功率 放電功率是指局部放電時，從試樣兩端輸入的功率，也就是在一定時間內(nèi)視在放電電荷與相應(yīng)的試樣兩端電壓的瞬時值之乘積除以時間間隔T。 （2.17）當(dāng)qa單位為庫侖（C）、T單位為秒（s）時，放電功率P的單位為W。七、局部放電起始電壓Ui局部放電起始電壓是指試樣產(chǎn)生局部放電時，在試樣兩端施加的電壓值。在交流電

14、壓下用有效值表示。在實際測量中，施加電壓必須從低于起始放電的電壓開始，按一定速度上升。同時，為了能在靈敏度不同的測試裝置上所測的起始電壓進行比較，一般是以視在放電電荷超過某一規(guī)定值時的最小電壓值為起始放電電壓。八、放電的熄滅電壓Ue放電熄滅電壓是指試樣中局部放電消失時試樣兩端的電壓值。在交流電壓下是以有效值來表示。在實際測量中電壓應(yīng)從稍高于起始放電電壓值開始下降。為了能在不同靈敏度的測試裝置上測得的放電熄滅電壓進行比較，一般是以視在放電電荷低于某一規(guī)定值時的最高電壓為放電熄滅電壓。上述八個表征局部放電的參數(shù)中，視在放電電荷、放電重復(fù)率和放電能量是基本的表征參數(shù)。平均電流、均方率和放電功率是表征

15、放電量和放電次數(shù)的綜合效應(yīng)，并且是在一定時間內(nèi)局部放電累積的平均效應(yīng)。放電起始電壓和熄滅電壓則是以施加在試樣兩端的電壓特征值來表示局部放電起始和熄滅的。2.3 影響局部放電的因素 局部放電的特性與很多因素有關(guān)。如介質(zhì)和氣隙（油隙）的特性、形狀、尺寸，電場的均勻程度，外施電壓的波形以及環(huán)境條件等。它們都是影響局部放電特性各參數(shù)的因素。一、影響視在放電電荷的因素 由前述可知 （2.18）式中h=0.10.8，表示當(dāng)氣隙比較大時，每次放電只是發(fā)生在一部分氣隙面積當(dāng)中。因此實際放電的面積應(yīng)以h·A來表示，其中A為氣隙的面積。從(2.18)可以看出：1、氣隙面積增大時，qa也增大；2、當(dāng)外加電

16、壓升高時，h值增大，即實際放電面積增大，qa也增大。如果介質(zhì)中存在多個氣隙，則電壓升高時就會有更多的氣隙同時放電，這時qa增加更為明顯；3、氣隙的擊穿電壓增高，qa也增大。在氣隙中氣體的性質(zhì)和氣體的壓力都會影響氣隙的擊穿電壓。在同樣尺寸的間隙中，油的擊穿電壓比氣體高一到二個數(shù)量級。所以油隙的放電量一般比氣隙的放電量大12個數(shù)量級；4、介質(zhì)的相對介電系數(shù)大，介質(zhì)的厚度小，氣隙的厚度大，都會使qa增大。這時qa就比較接近于實際放電電荷qr ，反之就遠小于qr；5、當(dāng)氣隙表面形成半導(dǎo)電層或?qū)щ妼訒r，會使放電量顯著減小，甚至于停止放電。二、影響放電重復(fù)率的因素根據(jù)(2.11)式可以進一步推導(dǎo)出放電重復(fù)

17、率 （2.19）由此可見：1、增加試驗電壓的頻率和峰值，都會使放電重復(fù)率增加；2、氣隙的擊穿電壓低，放電的重復(fù)牽就大。從圖2.2可以清楚地看到，當(dāng)外加電壓一定時，每周期內(nèi)放電次數(shù)隨UCB的減少而增加。因此，在其他條件相同時，油隙的放電重復(fù)率要比氣隙的小；3、在試驗電壓峰值不變的條件下，介質(zhì)的相對介電系數(shù)越大，介質(zhì)厚度與氣隙厚度之比越小，則氣隙所承受的電壓峰值就越高，因此，放電重復(fù)率也就增大；4、氣隙表面電阻小，放電電荷容易泄漏掉，氣隙中由于每次放電所建立的反電場Uc就比較小，因此，在一周期中放電次數(shù)增多，即重復(fù)率增大。這在交流電壓下尤為明顯；5、介質(zhì)中存在許多氣隙時，由于各次放電的時間比放電間

18、隔的時間短得多，各氣隙的放電正好疊加在一起的幾率很小。因此，放電的次數(shù)也會增多。三、影響放電能量和放電功率的因素假定在1秒鐘內(nèi)各次放電的能量都一樣，則每次發(fā)生放電功率為 (2.20)式中N為放電重復(fù)率，uim實際上就是用峰值表示的起始放電電壓。將式(2.14)與(2.20)比較可以看出放電能量W與放電功率P都與視在放電電荷及起始放電電壓有關(guān)。因此，所有影響視在放電電荷和放電電壓的因素都會影響放電功率或放電能量。此外，放電功率還與放電重復(fù)率有關(guān)，因此，影響放電重復(fù)率的因素也會影響放電功率。四、影響放電平均電流和均方率的因素 根據(jù)平均電流和均方率的定義，可以看出每秒鐘內(nèi)放電的次數(shù)越多，每次放電的放

19、電量越大，則平均電流或均方率就越大。因此，影響放電次數(shù)和放電量的因素也都會影響平均電流和均方率。五、影響放電起始電壓和放電熄滅電壓的因素凡是對氣隙中的電場分布和氣隙中氣體擊穿場強有影響的因素，如介質(zhì)和氣體的相對介電系數(shù)、介質(zhì)和氣隙的厚度、氣隙的形狀、氣隙中氣體的性質(zhì)及壓力等都會影響放電起始電壓和放電熄滅電壓。有些絕緣材料中的氣隙放電起始電壓還與施加電壓的時間有關(guān)，如環(huán)氧紙板在20時，用快速升壓測得的放電起始電壓比逐級升壓測得的高3.5倍。而在溫度為60時這種差別就小得多。有的實驗指出，當(dāng)氣隙直徑小時，這種起始放電的延遲效應(yīng)更為明顯。在有延遲效應(yīng)的情況下，起始放電電壓的測定最好補充規(guī)定電壓上升到

20、起始放電時所需的時間不少于某一規(guī)定值，或者規(guī)定采用逐級升壓法升壓，并規(guī)定每級停留的時間。放電熄滅電壓一般略低于放電起始電壓，在放電過程，氣隙狀態(tài)發(fā)生了變化，或由于局部放電產(chǎn)生了新的氣隙，則在較低的電壓下仍然可以保持放電，這時放電熄滅電壓將明顯地降低。2.4 各類局部放電的特點根據(jù)局部放電發(fā)生的位置和機理的不同，電氣設(shè)備中發(fā)生的局部放電大致可分為三種類型：(1)絕緣介質(zhì)內(nèi)部的局部放電；(2)絕緣介質(zhì)表面的局部放電；(3)高壓電極尖端的電暈放電。各種局部放電的起始條件、放電波形以及放電隨施加電壓的變化規(guī)律各不相同，以下將分別予以討論。2.4.1 絕緣介質(zhì)內(nèi)部的局部放電在絕緣介質(zhì)內(nèi)部或介質(zhì)與電極之間

21、的氣隙放電，都屬于內(nèi)部局部放電，這種放電的特性與介質(zhì)的特性和氣隙的形狀、大小、位置以及氣隙中氣體的性質(zhì)有關(guān)。一、內(nèi)部局部放電的起始電壓對于不同的絕緣結(jié)構(gòu)和不同形狀的氣隙，內(nèi)部放電的起始電壓估算方法也各不相同。現(xiàn)以平板結(jié)構(gòu)為例討論其放電起始電壓的估算公式。圖2.1中，外加電壓為u時有 (2.21)可以推出 (2.22)當(dāng)氣隙上電壓升到氣隙擊穿電壓UCB時，施加于試樣兩端的電壓ui為起始放電電壓，則 (2.23)式中ECB為氣隙的平均擊穿場強，通常由巴申定律ECB=f(P·d)曲線查得，其中P為氣隙內(nèi)氣壓。由于介質(zhì)內(nèi)部氣隙的放電與金屬電極間形成的均勻電場中的氣體放電有區(qū)別，例如：（1）氣

22、隙的上下表面不一定象金屬電極間那樣完全處于等位面中；（2）氣隙中前次放電留下的空間電荷會影響氣隙中的電場分布，從而使氣隙的實際擊穿場強下降；（3）氣隙中前次放電在氣隙表面形成的半導(dǎo)體層也會使實際擊穿場強下降；（4）實際試樣中氣隙不完全是扁平或不是垂直于電場方向的。所以用巴申曲線查得的ECB來計算的起始電壓值與實際測得值往往不完全相符，但差別一般不超過士15%。二、放電波形通常絕緣介質(zhì)內(nèi)部的氣泡放電，在橢圓示波器上可以看到正負半周放電脈沖的圖形基本上是對稱的，如圖1.8所示。在放電初始（外加電壓較低時），局部放電總是出現(xiàn)在試驗電壓瞬時值上升接近90°或270°的相位上；隨著外

23、加電壓的增高，出現(xiàn)放電脈沖的相位范圍逐漸擴展，甚至可以超過 0°和180°，但在90°和270°之后的一段相位內(nèi)不會出現(xiàn)放電脈沖。另外，各次放電大小不等、疏密度不均勻，放電量小的間隔時間短、放電次數(shù)多；放電量大的間隔時間長、放電次數(shù)較少。這些現(xiàn)象說明介質(zhì)內(nèi)部氣隙的實際放電過程要比前面理論分析的更復(fù)雜。當(dāng)氣隙處于金屬（電極）與絕緣介質(zhì)之間時，橢圓示波圖上的工頻正負半周放電波形是不對稱的。如果靠氣隙一邊的導(dǎo)體是高壓端，則放電的波形是正半周放電大而稀，負半周放電小而密，如圖2.4所示。如果靠氣隙一邊的導(dǎo)體是接地的，則放電波形也反過來，即負半周是大而稀正半周是小

24、而密。這是由于導(dǎo)體為負極性時發(fā)射電子容易，氣隙的擊穿電壓UCB降低，因此出現(xiàn)小而密。更容易發(fā)生放電現(xiàn)象圖2.5所示的是絕緣介質(zhì)內(nèi)部氣隙一次放電的波形。這種放電波形與氣隙的形狀、氣隙內(nèi)表面的狀態(tài)以及氣隙中氣體的性質(zhì)都有關(guān)。圖2.5(a)是氣隙內(nèi)表面電阻高(1016W)的放電波形；圖2.5(b)是氣隙內(nèi)表面電阻低(109W)的放電波形。前者時間較短，后者波尾較長。這種差別反映了兩種不同的放電機理。（a） (b)圖2.5 絕緣介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電脈沖波形，（a）氣隙內(nèi)表面電阻高，（b）氣隙內(nèi)表面電阻低 當(dāng)氣隙內(nèi)表面電阻高時，由于放電而產(chǎn)生的電荷只是集中在放電通道所對應(yīng)的氣隙表面上，而不會均勻分布在氣隙的

25、上下底的整個表面上。因此，在電荷聚集的地方產(chǎn)生很強的電場，使整個氣隙中的電場畸變而產(chǎn)生流柱型放電。這種放電是由光子激勵發(fā)展電子崩而形成通道。電子、離子是均勻產(chǎn)生于通道之中，靠陰極近的正離子很快移向陰極，而靠陰極遠的正離子被放電所積聚的負電荷吸引，因此在通道中正離子消失得比較快，即放電波形的波尾比較短，但這種放電的放電量比較大，即放電波形的幅值高。一次流柱放電至少需106個電子崩，每一電子崩約需104個自由電子組成，一次流柱放電最少需要7.6×108個電子，這相當(dāng)于122pC的放電電荷。 當(dāng)氣隙表面電阻較小時，放電產(chǎn)生的電荷能較快地分散到整個氣隙表面，使氣隙中的電場比較均勻。這時氣隙中

26、的放電屬于碰撞電離（湯姆遜放電）。由于大部分正離子要向負電極移動，運動時間較長（只有少數(shù)被負離子中和而消失），故放電波尾較長。2.4.2 表面局部放電 沿介質(zhì)表面的電場強度達到其擊穿場強時產(chǎn)生的局部放電稱為表面局部放電。這主要存在于不均勻電場中（電極邊緣處），如圖2.6(a)，電場可以分解為具有平行于介質(zhì)表面的電場分量Ea和垂直于介質(zhì)表面的電場分量Eb；又因介質(zhì)的沿面擊穿電壓遠低于介質(zhì)內(nèi)部的擊穿場強，因此，電極邊緣具有較高的Ea分量時，沿介質(zhì)表面就會發(fā)生局部放電。圖2.6(b)為沿介質(zhì)表面發(fā)生滑閃放電時電極邊緣處介質(zhì)的等值電路。圖中各參數(shù)分別定義為：（1） C1=e1/d，為介質(zhì)表面單位長度下

27、，單位面積相對于下部電極的等值電容；（2） C2=ke2，為介質(zhì)表面相鄰單位面積之間的等值電容；（3） R1=rvd，為介質(zhì)柱體的電阻，rv為介質(zhì)等值體積電阻率，柱體高度即為d，柱端面積為單位面積；（4） R2=rs，為介質(zhì)表面相鄰單位面積之間的等值電阻，rs為為介質(zhì)表面電阻率；（5） e1、e2分別為絕緣介質(zhì)的介電常數(shù)及周圍物質(zhì)的介電常數(shù)。 以下按圖2.6 (b)的鏈式等值電路來分析介質(zhì)表面局部放電。一、表面局部放電起始放電電壓ui及平均場強Ei 根據(jù)圖2.6(b)的等值電路，以電極a1的邊緣作為坐標原點O，沿電極表面介質(zhì)的長度為l。a1、a2間施加交流電壓，距O點x處的電壓為，則 （2.2

28、4）式中。沿 介質(zhì)表面的電場強度為 （2.25）在x=0，即電極a1的邊緣處場強最大， （2.26） 當(dāng)達到介質(zhì)的表面擊穿場強時，電極邊緣介質(zhì)表面發(fā)生局部放電，則表面局部放電的起始電壓為 （2.27） 對工業(yè)電介質(zhì)而言，工頻下，R1可以忽略不計；如果介質(zhì)周圍物質(zhì)的電阻率很高，其表面電阻率rs 很大（rs >1012·m），工頻下，R2也可以忽略不計，則 （2.28）通常l足夠長，th(al)1，因而式(2.27)可簡化為 （2.29）則 （2.30） 當(dāng)rs1012·m時（用工業(yè)液體電介質(zhì)浸漬的絕緣都是如此），可近似忽略C2，則 （2.31） （2.32）則 （2.33） 由（2.30） 、（2.33）可見，表面局部放電的起始電壓ui與介質(zhì)厚度有關(guān)，可用下式表達為 （2.34）式中B為與介質(zhì)的形狀、尺寸、材料性質(zhì)有關(guān)的常數(shù)。表面局部放電的平均起始場強為 （2.35） 由（2.35）可見，局部放電的起始電場強度Ei隨絕緣厚度d的減小而增大。