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文檔簡介

1、分立器件熱阻測試方法一、瞬態(tài)熱阻瞬態(tài)熱阻是指器件在脈沖工作狀態(tài)下的熱阻。脈沖作用下的瞬態(tài)熱阻定義為最大結溫升與耗散功率脈沖幅值之比。對功率晶體管通常以殼溫作為溫度參考點，其表達式為：0jC=Tj/PH=(Tj-TC)/PH(1)其中 Tj 為芯片結溫；T殼溫；PH 為施加的脈沖功率。瞬態(tài)熱阻測量歸結為對脈沖功耗 PH 殼溫 TCMZ溫 Tj 的測量。顯然，雙極晶體管的結溫 Tj無法進行直接測量。為此，電學法利用發(fā)射結的正向壓降 VBE 與結溫 Tj在相當寬的范圍內(0200C)呈線性關系，通過對 VBE 的測量間接地測量結溫 Tj。關系式為：VBE(Tj)=MXTj=VBE(Ta)-VBE(T

2、j)(2)式中 M 為溫敏系數，是與溫度 T 基本無關的負常數；VBE(Ta),VBE(Tj)分別為加脈沖功率前、后的溫敏參數值。由(1)和(2)式得到瞬態(tài)熱阻與溫敏參數 AVB 灰系表達式：0jC=VBE(Tj)/PH(3)公式(3)為電學法測量瞬態(tài)熱阻的基本原理：在一定條件下，器件從結到外殼的熱阻 0jC 和VBE 成正比關系。圖 1 所示為單脈沖測量雙極晶體管瞬態(tài)熱阻時序。圖中 tH 為加熱功率持續(xù)時間；tms 為溫敏參數的測試時間；td 為加熱脈沖切斷后測量 VBE(Tj)的延遲時間。圖 1 單脈沖測量瞬態(tài)熱阻時序二、晶體管熱阻的測試電路原理根據瞬態(tài)熱阻測試原理，圖 2 所示為國標和軍

3、標中關于分立器件熱阻的測試電路原理圖。每次測試的大致情況是：（1）首先，開關S1 和 S2 置于 2,用于加熱前被測器件 DU 福敏參數（源漏 SD 之間）的電壓 VSD量；（2）然后，開關 S1 和 S2 置于 1,對被測器件施加功率（功率設置為 VDSID）;最后，斷開功率（開關 S1 和 S2 斷開 1 置于 2）后，在很短的延遲后，快速對溫敏參數 VSM 行測量。圖 2（S1 和 S2 分別置于 1 的位置是加熱狀態(tài)，置于 2 則用于器件初始值和加熱后的測量狀態(tài)）測量時序圖如圖 3 所示，測試時的測試電流 Im、加熱電流 Ih、加熱時間 Th（加熱功率）及延時時間 Td 均可設置。在兩個測試電流 Im 狀態(tài)下分別測量 VBE1（VDS1）與 VBE2（V）S2）兩個參數。三、參數要求項目范圍調節(jié)度精度加熱電流0-20A加熱電壓0-20

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