模擬電子技術題庫答案分解

1、模擬電子技術試題匯編成都理工大學工程技術學院電子技術基礎教研室2010-9第一章半導體器件一、填空題1、本征硅中若摻入5價元素的原子，則多數載流子應是電子 ，少數載流子應是空穴 。2、在N型半導體中，電子濃度 大于 空穴濃度,而在P型半導體中，電 子濃度 小于空穴濃度。3、PN結反向偏置時，空間電荷區(qū)將變 寬 。4、雙極型三極管輸出特性的三個區(qū)域分別是飽和 區(qū)、放大區(qū)、 截止區(qū)。5、場效應管分為兩大類：一類稱為 結型場效應管,另一類稱為 絕緣柵場效應管。6、PN結外加反向電壓，即電源的正極接 N區(qū)，電源的負極接P區(qū)，這種接法稱 為 反向接法或 反向偏置。7、半導體二極管的基本特性是單向導電性

2、，在電路中可以起_整流禾口 檢波等作用。8、雙極型半導體三極管按結構可分為NPN型和 PNP型兩種,它們的符號分別為 和。9、PN結中進行著兩種載流子的運動：多數載流子的擴散 運動和少數載流子的 漂移 運動。10、硅二極管的死區(qū)電壓約為 _0.5 V,錯二極管的死區(qū)電壓約為_0.1 M11、晶體管穿透電流I CEO是反向飽 和電流Icbo的 1 + 8倍,在選用晶體管的時候，一般希望ICBO盡量 /、。gm12、場效應管實現(xiàn)放大作用的重要參數是跨導 。13、PN結具有單向導電_特性。14、雙極型三極管有兩個PN結，分別是 集電結木口發(fā)射結。15、為了保證三極管工作在放大區(qū)，應使發(fā)射結正向偏置、

3、集電路 反向 偏置。16、場效應管是電壓控制型元件、而雙極型三極管是電流控制型元件。17、本征硅中若摻入3價元素的原子，則多數載流子應是 空穴 ，少數載 流子應是電子 018、P型半導體的多數載流子是 空穴 ，少數載流子是 電子 。19、PN結外加正向電壓，即電源的正極接 P區(qū)，電源的負極接N區(qū)，這種接法稱 為正向接法 或正向偏置。20、從雙極型三極管內部三個區(qū)引出三個電極， 分別是 集電極> 發(fā)射 極_禾口極。21、雙極型三極管起放大作用的外部條件是：（1）發(fā)射結外加上向電壓；（2）集電結外加反向電壓。22、N型半導體可用 正 離子和等量的女電子 來簡化表示。23、PN結正向偏置時，空

4、間電荷區(qū)將變窄。24、二極管的兩個電極分別稱為陽極和陰極、二極管的符號是025、當溫度升高時，三極管的輸入特性曲線會一左 移、輸出特性曲線會 移，而且輸出特性曲線之間的間隔將增大。26、影響雙極型三極管參數變化的主要因素是溫度。27、P型半導體可用!離子和等量的 空穴來簡化表示。28、主要半導體材料是®禾口 錯 ；兩種載流子是 空穴和電子;兩種雜質半導體是 P型 f口N型29、二極管外加 正 向電壓導通、外加 反向電壓截止。30、當溫度升高時，三極管的參數 B會 變大 、Icbo會 增加,導通電壓會 變小。31、雙極型三極管有兩種載流子導電， 即多數載流子 J口少數載流/導電，而單極

5、型三極管只有一種載流子導電，即多數載流子導電。32、N型半導體的多數載流子是電子 ，少數載流子是一空穴。33、某晶體管的極限參數PCm =l50mW , Icm =100mA, U（br）ceo = 30V。若它的 工作電壓UCE =10V ,則工作電流不得超過15 mA;若工作電壓UCE =1V ,則工作電流不得超過 100 mA：若工作電流IC =1mA,則工作電壓不得超 過 30 V。34、放大電路中，已知三極管三個電極的對地電位為 Va=-9V, Vb = 6.2V, Vc=6V,則該三極管是 PNP 型三極管，A為集電極,B為基極,C為發(fā)射極。35、雙極型三極管實現(xiàn)放大作用的重要參數

6、是P o36、場效應管輸出特性的三個區(qū)域分別是 ®流 區(qū)、:可變電阻M_夾斷愕。37、純凈的、不含其他雜質的半導體稱為 本征半導體。38、場效應管與晶體管比較，一場效應 管的熱穩(wěn)定好，輸入電阻高，.晶 體 管的放大能力強。39、雙極型三極管內部有三個摻雜區(qū)域，分別是 發(fā)射區(qū)> 基區(qū) ? 口_集電區(qū)。、選擇題B ）時處于正偏1、從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管兩端壓降大于（導通狀態(tài)。A. 0B.死區(qū)電壓C.反向擊穿電壓D.正向壓降2、雜質半導體中（ A ）的濃度對溫度敏感。A.少子B.多子C.雜質離子D.空穴3、晶體管的集電結反向偏置、發(fā)射結正向偏置，它的工作狀態(tài)是（若集電結

7、和發(fā)射結都反向偏置，它的工作狀態(tài)是（A ），若集電結和發(fā)射結均正向偏置，則它的工作狀態(tài)是（C ）。A.截止 B.放大C.飽和D.損毀4、當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結電壓和集電結電壓應為（ B ）。A.前者反偏、后者也反偏C.前者正偏、后者也正偏5、雙極型晶體管工作時有（A而場效應管所導電過程僅僅取決于（A.多子B.少子6、 當 NPN 型晶體管工作在放大區(qū)時，A>B<B.前者正偏、后者反偏D.前者反偏、后者也正偏）和（B ）兩種載流子參與導電A ）的流動。C.自由電子D.空穴各極電位關系為U C（ A ） U B（ A ） U EC.=D.<7、對二極管正向電阻rZ 和反向

8、電阻rF 的要求是（C ）ArZ、 rF 都大BrZ 、 rF 都小C .rz很小，f很大D .rz大，f小8、穩(wěn)壓二極管動態(tài)電阻rZ（B ），穩(wěn)壓性能愈好。A.愈大B.愈小C.為任意值9、 三極管當發(fā)射結和集電結都正偏時工作于（C ）狀態(tài)。A 放大B截止C飽和D 無法確定10結型場效應管放大電路的偏置方式是（A、 D ）A.自給偏壓電路B.外加偏壓電路C.無須偏置電路D.柵極分壓與源極自偏結合11、在雜質半導體中，多數載流子的濃度主要取決于（A ），而少數載流子的濃度與（B ）有很大關系。A.溫度 B.摻雜工藝C.雜質濃度D.晶體管缺陷12、場效應管屬于（B ）控制型器件，而晶體管若用簡化h

9、 參數來分析，則可認為是（C ）控制型器件。A.電荷B.電壓C.電流13、當PN節(jié)外加反向電壓時，擴散電流（ B ）漂移電流，耗盡層（D ）。A.大于 B.小于 C.等于 D.變寬 E.變窄 F.不變14、當溫度升高時，二極管正向特性和反向特性曲線分別（ D ）。A.左移，下移 B.右移，上移 C.左移，上移 D.右移，下移15、PN結加正向電壓時導通，此時空間電荷區(qū)將（ A ）。A.變窄B.基本不變C.變寬D.先變窄，后變寬16、 在250C時，某二極管的死區(qū)電壓 Uth = 0.5V,反向飽和電流Is=0.1pA, 則在350C時，下列哪組數據可能正確：（ D ）。A Uth= 0.575

10、V, Is=0.05pAB Uth0.575V, Is=0.2pAC Uth= 0.475V, Is=0.05pAD Uth = 0.475V, Is=0.2pA17、用萬用表判斷放大電路中處于正常工作的某個晶體管的類型（NPN或PNP） 與三個電極時，最為方便的測試方法為（ B ）。A.測試各極間電阻B.測試各極問、對地電壓C.測試各極電流三、判斷題1、三極管在工作頻率大于最高工作頻率 fM時會損壞。（X ）2、穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時應工作在正向導通區(qū)域。（ X ）3、與三極管放大電路相比，場效應管放大電路具有輸入電阻很高、噪聲低、溫 度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。（V ）4、P型半導體可通過在純凈半導體中摻

11、入五價磷元素而獲得。（ X ）5、有人測得晶體管在Ube=0.6V時，Ib=5 PA,因此認為在此工作點上的 心大約為 26mv =5.2 KC。（ V ）IB6、通常結型場效應管JFET在漏極和源極互換使用時，仍有正常的放 大作用。（V ）7、通常的雙極型晶體管BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時，仍有較大的電流放大作用。（X ）8、在N型半導體中，摻入高濃度的三階雜質可以改型為 P型半導體。（V ）9、P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。（ X ）10、PN結內擴散電流是載流子在電場作用下形成的。（ X ）11、漂移電流是少數載流子在電場作用下形成的。（ V ）12、由于PN結交界面兩邊存在電

12、位差，所以當把 PN結兩端短路時，就有電流 流過。（X ）13、PN結方程可以描述PN結的正向特性和反向特性，也可以描述PN結的反向 擊穿特性。（X ）14、場效應管的突出優(yōu)點是具有特別高的輸出電阻（ X ）15、有人測試晶體管的% ,方法是通過測得晶體管的Ube = 0.7, %=20mA,推算出be =Ube/Ib =0.7V/20mA = 35KQ。（ X ）四、綜合題1、放大電路中測得晶體管各電極電位如下表所示，試將表格填寫完整。（10分）管腳（各電極）電位晶體管1晶體管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V電極（e或b或c）ebccbeNPN 或 PNPNPNPNP材料（Si或

13、Ge）SiGe2、判斷下列管子的工作狀態(tài)（a飽和；b.放大；c.截止；d損壞）（共8分）管子類型NPNPNPNPNPNP各電極電位UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc(V)21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2狀態(tài)cbda3、如下圖，試確定二極管D是正偏還是反偏？設二極管正偏時的正向壓降為 0.7V, 試計算Ux和Uy的值（共9分）+10VR+10V2RUy3ED Ux2 2R本Do Ux1 RUy(b)(a)答案：(a)D正偏導通,10 -0.7I=3R 10-0.7U x -2RI=6.2V3Uy =6.2 0,7 =6.9V(b)D僅偏截止I=0Ux =0Uy

14、 =10V4、如下圖，設硅穩(wěn)壓管Vdzi、Vdz2的穩(wěn)壓值分別為6V和9V,求Uo為多少? （共3分）1K1 VD1 VD2 NS I+ 20V 1K Uo .答：u 0 =9-6=3VU0。5、（3分）圖示電路中二極管為理想二極管，請判斷它是否導通，并求出110D 導通，U0=-3V6、判斷下列電路能否放大電壓信號。(設圖中所有電容對交流信號視為短路) (9分)都不能放大電壓信號降為0.7V,試寫出輸出電壓R(a)(b)(c)輸入交流短路無直流基極偏壓輸入交流短路7、如下圖，設硅穩(wěn)壓管Vdzi、Vdz2的穩(wěn)壓值分別為6V和9V,穩(wěn)壓管的正向壓Uo為多少？(共8分)R1K 1 1 - 25V

15、VDZ1 本VDZ2U0=0.7V (b)(a) U0 =15V(c) Uo =6.7VU0 = 6V (d)Uo=?8、設二極管理想化，試判斷下列各圖二極管是否導通還是截止？并求出(a) D 導通 U0 = -6V(b) D 截止 Uo = -12VD1白+VO12V(c) D1導通D2截止(d) D2先導通D1截止U0=0VU 0 =-3V第二章放大電路原理一、填空題1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中，共集 組態(tài)帶負載能力強、共基組態(tài)頻率響應好，共射組態(tài)有倒相作用，共集 組態(tài)向信號源索取的電流小。2、多級放大電路的 對數增益等于其各級對數增益的 之和。3、BJT放大電路的三種組態(tài)是共射、

16、共基: 共集4、影響放大電路工作點穩(wěn)定的主要原因是溫度變化5、三極管 共集 組態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特點。6、放大電路最常用的基本分析方法， 就是 圖解法?口微變等效電路法07、共集電極放大電路又稱為射極輸出器或射隨器8、多級放大電路常用的耦合方式有三種：即一阻容放合、 直接耦合、變壓器耦合。9、放大電路的三種基本組態(tài)中，一共射組態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力，共集只具有電流放大能力，共基組態(tài)只具有電壓放大能力。10、放大的本質首先是實現(xiàn) B*的控制；所謂放大作用，具放大的對象是 變化量。11、產生零點漂移的主要原因是放大器件的參數受溫度 的影響而發(fā)生波動，導致放大電

17、路的 靜態(tài)工作點不穩(wěn)定。12、輸出電壓離開零點，緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化，這種現(xiàn)象稱為零點漂移0二、選擇題1、關于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點（簡稱 Q點），下列說法中不正確的是 （D ）。A. Q點過高會產生飽和失真B. Q點過低會產生截止失真C.導致Q點不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化D. Q點可采用微變等效電路法求得2、雙極型三極管放大電路中，輸入電阻最大的是B 電路。A.共發(fā)射極 B.共集電極C .共基極 D .不能確定3、晶體管放大電路中，高頻特性最好的電路是（ D ）。A.共射電路B. 共集電路C.共源電路 D.共基電路4、有兩個放大倍數（電路相同，采用同一晶體管）相同，輸入和輸出電阻不同

18、 的放大電路A和B,對同一個具有內阻的信號源電壓進行放大，在負載開路的條件下測得A的輸出電壓小，這說明A的（B ）。A.輸入電阻大 B .輸入電阻小 C .輸出電阻大 D .輸出電阻小5、多極放大電路的增益Au是（B ）、輸入電阻R是（A ）、輸出電阻Ro是（C ）。A.由第一級確定B.由各級共同確定C.由末級電路確定6、某放大電路在負載開路時的輸出電壓為 4V,接入30的負載電阻的輸出電壓 降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為（C ）A. 10K B . 2K C 1K D 0.5K7、放大電路產生零點漂移的主要原因是（ A ）。A.環(huán)境溫度變化引起參數變化B .放大倍數太大C.晶體管的噪聲

19、太大D .外界存在干擾源8、在多級放大電路常見的三種耦合方式中選擇合適者：（本題可多選） （1）要求各級靜態(tài)工作點互不影響，可選用（A,C ）。（2）要求能放大直流信號，可選用（B ）。（3）要求能放大高頻交流信號，可選用 （A,B ）。（4）要求電路的溫漂小，可選用（A,C ）。（5）為了實現(xiàn)阻抗交換，使信號與負載間有較好的耦合,應采用（ C ）。.變壓器耦合9、用微變等效電路法分析放大電路（BA.只能分析靜態(tài)工作點B.只能分析動態(tài)參數C.既可分析靜態(tài)，也能分析動態(tài)10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是（）;既能放大電流，又能放A.阻容耦合大電壓的電路是（C ）。A.共基放大電路B .共集放

20、大電路C .共射放大電路11、對于基本共射放大電路，如下圖，試判斷某一參數變化時放大電路動態(tài)性能的變化情況，選擇正確答案填入空格Rb減小時，輸入電阻R _B(1)(2)Rc增大時，輸出電阻Ro A(3)信號源內阻Rs增大時，輸入電阻R C 。Au(4)信號源遠內阻Rs減小時，電壓放大倍數UoUs(5)負載電阻Rl增大時，電壓放大倍數3 =UoUi(6)負載電阻RL減小時，輸出電阻Ro C ;(7) 若Rb減小，則靜態(tài)的Ib將 A , U CEQ將B、電壓放大倍數Au| = UoUi 將 A 。(8)若換一個P值較小的晶體管，則靜態(tài)的Ib將 C 。Rb增大時，U CEQ 將 A。(10) Rc增

21、大時,U CEQ 將B。(11) Rs增大時，U CEQ 將C。(12) Rl 增大時，U CEQ 將C。A.增大B.減小C.12、由NPNft體管組成的基本放大電路，如圖：輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真，則:(1)這種失真是B頻率失真。A.飽和失真B.截止失真C.交越失真 D.(2)為了消除這種失真，應 DC.增大基極偏置電阻RbA.減小集電極電阻Rc B.改換°小的管子D.減小基極偏置電阻Rb, E.減小電源電壓VCC13、由PNP®體管組成的基本放大電路，如圖：A(1)這種失真是A.飽和失真B. 截止失真 C交越失真D頻率失真。(2)為了消除這種失真，應A, B,

22、CA.減小集電極電阻Rc B.改換d小的管子C增大基極偏置電阻Rb14、如下圖，選擇正確答案填空(1)D.減小基極偏置電阻Rb E.減小電源電壓VCC。要使靜態(tài)工作電流Ic減小，則 凡2應出(2)&2在適當范圍內增大，則| Aul _ B, RRo C o(3)Re在適當范圍內增大，則| Au| CRi _CRo C oB，(設從輸出端開路，到接上Rl ,靜態(tài)工作點將_C, Uo靜態(tài)工作點偏低)(5) Vcc減小時，直流負載線斜率 _C Q(6) Rc減小時，直流負載線斜率 A 。A. 增大 B. 減小C. 不變(7)若Vcc=10V, %=4 KQ ,Rb2=6KC, Re =3.3

23、 KO,氏=2KC, C1、C2足夠大，設U BE =0.7V則：Vi=0 ,管壓降U CE大約是 B(A. 4V B . 4.7V C 7V D 5V)使管子寸由50改為100,則Au|是 A1(A.約為原來的2倍B.約為原來的2 C.基本不變D約為原來的4倍)保持口 =50不變，將Re由3.3 KC改為6.6 KC ,則| Au| C 。1(A約為原來的2倍 B 約為原來的2 C基本不變1D約為原來的4倍 E約為原來的4 )15、兩級放大電路 Au1=-40, Au2=-50,若輸入電壓ui =5mV，則輸出電壓uo為_CA . -200mV B.-250mV C.10V D.100V三、

24、判斷題M不能正常放大的畫1、試判斷圖示各電路能否放大交流電壓信號(能放大的 公)。VxX2、測得某些電路中幾個三極管各極的電位如下圖所示，試判斷各三極管 晶體管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)。放大截止飽和放大3、判斷三極管的工作狀態(tài)（放大、截止、飽和）。（6分）.（a）放大.（b） 截止3分，共4、判斷圖示電路是否有信號放大作用（用，“X”表示。每圖 12分）心 +Vcci +Vcc+Vcc(d)(e)(d)x(e) x(f) V5、判斷下列電路能否放大電壓信號。(設圖中所有電容對交流信號視為短路),(b)(c)(a) V(b)X(c) X 6、如下圖，判斷是否正確:(1) R = Rbi

25、/Rb2(& + Re) ( X )(2) R = Rbi/Rb2%e+(1+B)Re(義)(3) R = Rbi/&2rbe( V )(4) Ro=Rc/Rl(義)(5) Ro=Rc( V )(6) Au= -P-L ( x )be Re Au= PR2( X )be(8) Au= -PR/3( V)be7、判斷下列說法是否正確，對的畫 M錯誤的畫X(1)晶體管的輸入電阻be是一個動態(tài)電阻，故它與靜態(tài)工作點無關。(X)(2)在基本共射放大電路中，為得到較高的輸入電阻，在固定不變的條件下， 晶體管的電流放大系數P應該盡可能大些。( X)(3)在基本共射放大電路中，若晶體管的P增

26、大一倍，則電壓放大倍數也相應增大一倍。(V)(4)對于基極分壓式工作點穩(wěn)定電路來說，其電壓放大倍數也隨。的增大成正比的增大。(x )(5)共集放大電路的電壓放大倍數是小于 1 ,故不能用來實現(xiàn)功率放大。(X)(6)共射放大電路既能放大電壓，也能放大電流。( 附(7)共集放大電路可放大電壓，但不能放大電流。( X)(8)共基放大電路只能放大電流，但不能放大電壓。( X)四分析題有三個錯誤:(圖中晶體管類型不允許改變)(1):電源極性錯(2) : C1.C2極性錯(3) : Rc位置接錯2、分析下圖有何錯誤，應如何改正才能使電壓正常放大，畫出更改后的電路, 要求所用的晶體管不變以及其他元件不增減。

27、+VCC有三個錯（1） R位置接錯（2） C2位置接錯（3） C3位置接錯3、分析下圖能否對1KHz的正弦電壓進行線性放大，如不能指出錯在哪里，并進 行改正，要求不增減元件，且電壓放大倍數絕對值要大于1, uo無直流成分。答：不能正常放大。錯誤有：（1）Ci位置接錯。（2） C2位置接錯。（3）Ci、C2極性接反。（4）若要Au > 1 ,則不能從射極輸出。AP（Rc/Rl ）.Aj = , n - > 1 ,且 V。無直流成分。be + （1 +Re4、有兩個放大電路如下圖所示，向各是什么組態(tài)？（共射，共基，共集）若晶 體管都工作在放大區(qū)，輸入端均加上正弦小信號電壓，請問圖中所示

28、的輸出波形 是否正確？若有錯誤，應如何改正？設電容都很大。-Vcc(a)均為共基組態(tài)。U0波形有錯。(a)圖U0波形應與Ui波形相同(b)圖UO波形應無直流分量五、計算題1、在下圖的放大電路中，設三極管的P=30, UBEQ=0.7V, rbe = 1 kC, Rbi=10kC ,Rb2 =50KC , Re=1.3kC ,Rc=Rt=5kC ,Vcc=12V。+VccUiRb2RcC2C1Rb1R .L UoRe|+ Ce（1）試估算靜態(tài)時的IBQ、ICQ、UCEQ； （5分）（2）設電容Ci、C2和Ce均足夠大，試估算放大電路的中頻電壓放大倍數Aum；（5分）（3）估算放大電路的輸入電阻

29、R和輸出電阻R。； （5分）（4）如果去掉旁路電容Ce,寫出此時放大電路的中頻電壓放大倍數Aum和輸入電阻Ri和輸出電阻R。的表達式（可不計算出具體數值）。（5分）(1)U BQI CQRbMcRb1Rb2Vbq I EQ -10*122V10 50-U BEQ記2-0.7 d A=1mA1.3Vceq =Vcc - Icq -(尺 R) =12-1*(5 1.3) = 5.7V(2)Aum24.3075rbeRi =%/%：% =1eR0 = Rc = 5kiJCe斷開，Re有電流串聯(lián)負反饋，（Aum下降），Ri增加，Rg不變;AumYRc/Rl)rbe (1 JReRi = Rb1/%/&

30、amp; (11)ReR0 =Rc =5k2、 (20分)圖示電路中，已知 Ubeq=0.7V, P =100, ,=374。，Rbi=5 kQ ,Rb2=15 kQ , Re=2.3 kQ , Rc=Rl=3 kQ , Vcc=12V。(1)估算電路的靜態(tài)工作點 ubq、icq、uceq(2)畫出微變等效電路，計算電壓放大倍數 AU、 輸入電阻Ri、輸出電阻Ro(3)若信號源內阻為Rs=1kQ時，求Aus=U0/Us 的數值。(1)U BQRbi Vcc 5 12Rbi Rb2 -5 15U BQ -U BEQ 3 -0.7I cq 11 eq 二二二 1mACQ EQRe2.3Uceq =

31、Vcc -cq(RcRe) =12 -1 (3 2.3) = 6.7V(2)圖略26.rbe374 (1 100)-6 =3H1Au一但心.一幽3 70rbe3R =5153kQ =1.66kGR0 = Rc = 3k(3)usRiRsRAu1.661 1.66(-50) u-31.23、如下圖，C1C4足夠大,+Vcc(+20V)-T0R3 JL1K C3R180K10K(1)畫出直流通路和微變等效電路(6分)。(2)設U BEQ 0.7V ,求靜態(tài)工作點1cQ、UCEQ (4分)U-(3)求 R、R。、入=2，設 P=30, rbb'=19 4 c (6 分)Ui(4) I CEO

32、、U ces忽略不計，估算最大不失真輸出電壓峰值Uom (4分)(總共20分)解：(1)圖略(2), ,R220 U BQ -U BEQ 4 0.7,U bq =Vcc =20 4V , I cq 11 eq 1 mAR1 R220 80R53.3Uceq =Vcc -Icq(R3 R4 R5) =20 -1 (1 10 3.3) = 5.7V(3)- 2626Ri =R1R3rbe ： %e =%'(1：)=194 (1 30) =1KJI EQ1R0 = R4 =10KJ:UoYR4Rl)30(10/10)Au 二二二二-150u%1(4)不飽和失真 Uom =Uceq =5.7V

33、不截止失真Uom = /出4&)=1 (10/10)=5V二最大不是真輸出電壓峰值U om = 5V4、如圖所示電路中，已知三極管T為硅管rbb,=337Q,UBEQ=0.7V, （3=50；Ri=51KQ , R b2=15KQ , R e=1KQ , Rc=2K Q ,RL=2KQ ,VcC=12U （共 18 分）試求：（1）靜態(tài)工作點Q （IbqI cqUceQ） ?（2）電壓放大倍數Au=?輸入電阻R = ?輸出電阻R=?二 +VCcRCTC2R2REUo解：（1）U BQRb2 Vcc15 12= 2.7VI CQ I EQU BQ51 15-U BEQ2.7 -0.7二

34、2mA1 BQ1 CQRe2=0.04mA50Uceq =Vcc -Icq(RcRe) =12 -2 (2 1) = 6V(2)Ri=Rb1 / Rb2 Rbe ：be =1Kbe=rbb''（一）患EQ26= 337 (1 50)26 =1KRo=Rc =2KAuUo(Rc/Rl)Ui50 (2/2)-505、電路如下圖（a）利用圖解法分別求出所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時 Ubeq = 0.7V。Rl = 8和Rl= 3kQ時的靜態(tài)工作點和最大不失真輸出電壓Uom。（共15分）bRc5K(2)畫出微變等效電路，估算放大器的動態(tài)參數A、R、Ro (設rbb=340C

35、 ,1 - 0.215 103uC6.根據圖示放大電路及晶體管的輸出特性曲線。0，UCEUiI -BQ=12V12 八=4mA3(共1UC%-12- ic c>h) ric3解：RL =吧，做宜流負載線UCELCEBBBEQt I Bq =40uA相交 Q點，得 Icq =2.4mA,Uceq =12V152025UCE /VRL)/3K®悌如f電晶(LQI、CQRQ')=02(3/I3)=40SV1P =50)(6分)(9分)io/mA(1)作直流負載線 UCE =VCC -iCRC<20uA244.8"3.62.41.2051040uA+Vcc-+2

36、4Vui5Kic =0,Uce二 12VUce =0,iC=4.8mA80uA60uAUo590KRl Ii =Rbbe ： "e =12P(RcRl_50(55)Au =二：be1be =bb' (1-b, 26mvbe =bb+(1+ 一 )- = rbb+ I EQI BQ =1K'I EQRo = Rc = 5KJ7、如下圖，CiC3足夠大，（1）畫出直流通路和微變等效電路（4分）（2）求靜態(tài)工作點IBQ、UCEQ。（4分）（3）求輸入、輸出電阻R、Ro及電壓放大倍數Au各自的表達式。（4分）（總共12分）Uo(1)略(2) Ibq(1 B)RcI(R1 R2

37、)Vbeq =VccBQVcc -Vbeq(1 B)RcR1R2,Vceq= Vcc -(1B)IbqRc(3) Ri=R1/rbeRo=R2/R3u-1(R2/R3Rl)Au=- U 1be8.電路如下圖所示，晶體管的B=100, r bb =100Q , UBEQ=0.7V(共20分)(1)畫直流通路和微變等效電路。(6分)(2)求電路的Q點、Auh Ri和Ro； (9分)(3)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數發(fā)生變化？如何變化？ (5分)5 12=2VBQ5 252 -0.7 d 八Icq =1mA1.3Uceq=12-1(5+1.3)=5.7v26 _rbe =100+(1+100) 26=2.7k 111au=-