09電子高頻線路課程設(shè)計(jì)任務(wù)

1、09電子咼頻線路課程設(shè)計(jì)任務(wù)以及相關(guān)參考資料一. 課程設(shè)計(jì)主要任務(wù)1、掌握小功率調(diào)幅發(fā)射機(jī)原理；2、設(shè)計(jì)出實(shí)現(xiàn)調(diào)幅功能的電路圖；3、應(yīng)用multisim軟件對(duì)所設(shè)計(jì)電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證。二. 調(diào)幅發(fā)射機(jī)方案（僅供參考）調(diào)幅發(fā)射機(jī)的結(jié)構(gòu)框圖三.單元電路（僅供參考）1. 低頻振蕩部分預(yù)習(xí)要求：模電中運(yùn)放同相、反相放大和文氏電橋振蕩的相關(guān)理論。（1）文氏電橋電路如下圖。要求輸出的頻率為1KHz。請(qǐng)給出電路中的電阻電容的參數(shù)。說(shuō)明D1、D2的作用。并在Multisim中完成仿真，獲取仿真波形。(2)麥克風(fēng)放大電路電路如下圖所示。電路的放大倍數(shù)為11,設(shè)計(jì)出圖中電阻和電容的參數(shù)。電路中的電阻R24和電容C1

2、1有什么作用。在Multisim中完成波形仿真，所以Multisim沒(méi)有麥克風(fēng)傳感器，仿真時(shí)可用信號(hào)發(fā)生器作為輸出，測(cè)試放大電路是否正常。2. 高頻振蕩部分預(yù)習(xí)內(nèi)容：高頻電路教材中關(guān)于電容三點(diǎn)式、電感三點(diǎn)氏或者石英晶體振蕩器電路的相關(guān)理論。設(shè)計(jì)一個(gè)頻率為1M左右的載波信號(hào)。參考電路如下圖所示。分析其工作原理。并給出該模塊的仿真結(jié)果波形。4V112VV112V>R15.1k|?R750%1Q150k|?Key二A?3HR仆C5C1R210k|?C6豐470pF10nFQ22N2222A2N2222A6R5820|?C4二68pF3：!L1400uHR82k|?XFC1123.10C2二hl

3、nFC32.21°3.AM調(diào)幅電路AM調(diào)幅電路以模擬乘法器MC1496為核心，通過(guò)調(diào)節(jié)W1可輸出各種類(lèi)型的AM波。請(qǐng)查找有關(guān)MC1496的資料，完成下圖的原理分析。在Multisim仿真時(shí)，系統(tǒng)沒(méi)有MC1496的仿真軟件。必須自行設(shè)計(jì)MC1496的內(nèi)部電路如下圖所示。106I0121061012I08Q9I010I04I04I01叮TIS981Q10TIS98Q111I010Q13TIS98Q15108I01TIS98I02ID21N5719TIS983卄R1rl1R2500|?500|?Q12>-TIS982Q14TIS98Q16TIS985R3I03102 103I014I

4、014在軟件中，先輸入該內(nèi)部結(jié)構(gòu)電路，然后選中，按CTRL+B或者在執(zhí)行Place/NewSubcircuit按鈕，將內(nèi)部結(jié)果轉(zhuǎn)換為子電路，根據(jù)提示輸入子電路名稱（名稱最好不要用中文）。生成子電路模塊后，將內(nèi)部結(jié)構(gòu)電路剪切到生成的子電路編輯區(qū)內(nèi)，就完成了MC1496模擬乘法器模塊電路的設(shè)計(jì)。生成的模塊如右圖所示。模擬乘法器的仿真電路如下：X2I01I02I04I03I05iI08I0141010I061012MC1496R2110k|?Key=C50%V4R141k|?R151k|?800mVrmsI1kwZ-丄°?C4ih：10U1F10nFTl-七C21nFHI.R16IR174

5、.7k|?4.7k|?IIR19510k|?V3500mVrms100kHz0?J1打Key=AR475031R11R7J210k|?R10750|?|750Key=R5卄750|R9UR810k|?R6-750|?R126.8k|?X1I01I02104 I03105 I014I08I010106I012MC1496C51nFR131k|?C61nFVIR181k|?Q1XSC1ExtTrigABC31nFdlR205k|?50%Key=AexTIS97V112V-V28VR9,觀測(cè)抑制載0.10.9之10k|?Key二B50%用高、低頻信號(hào)發(fā)生器送到AM波調(diào)制電路，設(shè)置電位器波調(diào)制和有載波

6、調(diào)制時(shí)的波形并記錄。有載波調(diào)制時(shí)，調(diào)制系數(shù)可在間選擇。4.D類(lèi)功放預(yù)習(xí)：甲類(lèi)、乙類(lèi)、甲乙類(lèi)、D類(lèi)功放電路的特點(diǎn)參考教材，設(shè)計(jì)一個(gè)D類(lèi)的功率放大器。D類(lèi)功放仿真參考電路如下。R2丄1nFL11C4丄1nFL2rwm100uHC7丄1nFC8二1nFV112VC6200pFT2XFG1ssss;=AgilentC120nFR13kQQ1T1R651Q2N22222N2222R3100QR5100QC520nF|亂IC220nF1XSC1T1、T2是從系統(tǒng)中的基本元件庫(kù)中調(diào)出的線性變壓器圖中的變壓器Transformer中的TS_XFMER1，將變壓比修改為0.33。T2為T(mén)S_RP*,將它的變壓比

7、n修改為2,電感Lm修改為127uH。變壓器參數(shù)的修改方法為：雙擊元件，在Value選項(xiàng)中，點(diǎn)擊EditModel按鈕，進(jìn)入變壓器屬性修改界面。主要參數(shù)解釋如下：n為變壓比，即初級(jí)與次級(jí)的電壓比之。Le為漏電電感，Lm為等效電感。修改變壓比的時(shí)候，除了要更改n的內(nèi)容外，還要設(shè)置E1、E2、F1和F2的數(shù)值，E1=E2=1/(2n),F1=F2=1/n。電路命令。此子電路名為變壓器屬性中的各個(gè)選項(xiàng)解釋如下：SUBCKTts_pwr_10_to_112345/.SUBCKT是子“ts_pwr_10_to_1;"有5個(gè)引腳，分別為15。注釋行。1,2為主繞組；3,*1,2-primaryw

8、inding,*3,4-secondaryterminal,5-neutural/:0<K<14為副繞組終端；5為中間抽頭。Rs11111.000e-3/Rs1為1與11端之電阻，值為1/1000歐。Rl23131.000e-3/R12為31與3端之電阻，值為1/1000歐。RI34141.000e-3/R13為41與4端之電阻，值為1/1000歐。L11125.000e+000/L1為11與2端之電感量，值為5亨。L23155.000e-002/L1為31與5端之電感量，值為0.05亨。L35415.000e-002/L1為5與41端之電感量，值為0.05亨。K12L1L29.999e-001/K12為L(zhǎng)1和L2之間的耦合系數(shù)，值為0.9999。注K13L1L39.999e-001/K13為L(zhǎng)1和L3之間的耦合系數(shù)，值為0.9999。K23L2L39.999e-001/K12為L(zhǎng)2和L3之間的耦合系數(shù)，值為0.9