光學(xué)薄膜理論培訓(xùn)1利達(dá)光電

1、光學(xué)薄膜理論培訓(xùn)1利達(dá)光電2 目 錄v 一、光學(xué)薄膜基礎(chǔ)知識(shí)v 二、真空及真空系統(tǒng)v 三、薄膜的制備技術(shù)v 四、薄膜制備工藝v 五、薄膜材料v 六、膜厚的監(jiān)控v 七、光學(xué)薄膜的性能和檢測(cè)v 八、光學(xué)薄膜產(chǎn)品的常見(jiàn)疵病及相應(yīng)的注意事項(xiàng)v 九、膜系設(shè)計(jì)相關(guān)一、光學(xué)薄膜基礎(chǔ)知識(shí)41、光是什么？光是一種電磁波，可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍是380760nm；紅外光為約760 到107nm量級(jí)；紫外光1-380nm；比紫外光短的還有X射線(xiàn)、射線(xiàn)（）等；而比紅外長(zhǎng)的就是我們熟悉的無(wú)線(xiàn)電波。2、什么叫做光學(xué)薄膜？所謂光學(xué)薄膜 首先它應(yīng)該是薄的 基于光的干涉效應(yīng)（比如光圈牛頓環(huán)，也是基于光的干涉效應(yīng)）61.減反膜2.濾光膜

2、3 保護(hù)膜4 內(nèi)反射5 外反射6 高反膜7 分束膜8 分色膜9 偏振膜10 導(dǎo)電膜3、光學(xué)薄膜的類(lèi)型與符號(hào)光學(xué)薄膜的類(lèi)型與符號(hào)4、光學(xué)薄膜在光學(xué)系統(tǒng)中的作用n 提高光學(xué)效率、減少雜光。如減反射膜（AR）、高反射膜（HR）n 實(shí)現(xiàn)光束的調(diào)整或再分配。如分束膜、分色膜、偏振分光膜就是根據(jù)不同需要進(jìn)行能量再分配的光學(xué)元件。n 通過(guò)波長(zhǎng)的選擇性透過(guò)提高系統(tǒng)信噪比。如窄帶及帶通濾光片、長(zhǎng)波通、短波通濾光片。n 實(shí)現(xiàn)某些特定功能。如ITO透明導(dǎo)電膜、憎水膜、透明超硬膜等5、當(dāng)前最熱門(mén)的應(yīng)用領(lǐng)域8u數(shù)碼相機(jī)用的IR-CUT（OLPF系列）u減反射膜（AR）-永遠(yuǎn)的熱門(mén)u投影顯示光學(xué)系統(tǒng)-包括LCD、DLP、

3、LCOSu光通訊：DWDM (dense wavelengh division multiplexer)濾光片u激光領(lǐng)域-激光反射腔高反射膜u液晶領(lǐng)域-ITO膜 二、真空與真空系統(tǒng)1、真空10（1）、定義真空是壓力低于一個(gè)大氣壓的任何氣態(tài)空間。一般采用真空度來(lái)表示真空的高低。 （2）、單位真空度以壓強(qiáng)為單位來(lái)度量，壓強(qiáng)高表示真空度低，壓強(qiáng)低標(biāo)識(shí)真空度高。真空度的國(guó)際單位是帕斯卡，簡(jiǎn)稱(chēng)帕（Pa）。大氣壓強(qiáng)為105Pa1、真空11真空在薄膜制備中的作用（1）減少蒸氣分子與殘余氣體分子的碰撞；（2）抑制殘余氣體和蒸發(fā)分子之間的反應(yīng)； 分類(lèi)特性粗真空低真空高真空超高真空真空度范圍（Pa）1031021

4、0-110-110-610-6氣流特點(diǎn)氣體分子之間有大量碰撞過(guò)渡區(qū)域氣體分子之間較少碰撞氣體分子之間間幾乎不碰撞一般要求在高真空下鍍膜（3）、分類(lèi)2、真空系統(tǒng)真空泵泵名原理工作范圍機(jī)械泵機(jī)械壓縮排除氣體10510-2Pa羅茨泵機(jī)械壓縮排除氣體10410-2Pa擴(kuò)散泵蒸汽流攜帶排除氣體10010-6Pa（1）、常見(jiàn)真空泵機(jī)械泵 常見(jiàn)種類(lèi)：旋片式、定片式和滑閥式； 旋片式，噪音最小，運(yùn)轉(zhuǎn)速度高（1000轉(zhuǎn)/分），是真空鍍膜常用的機(jī)械泵； 主要構(gòu)成：定子、轉(zhuǎn)子、嵌于轉(zhuǎn)子的兩個(gè)旋片及其彈簧； 機(jī)械泵油的作用：密封、潤(rùn)滑，提高壓縮率； 機(jī)械泵油的要求：低的飽和蒸氣壓，一定的粘度，較高的穩(wěn)定性；2、真空系

5、統(tǒng)真空泵2、真空系統(tǒng)真空泵不能在大氣下工作，當(dāng)壓強(qiáng)10+4Pa時(shí)才可啟動(dòng)。轉(zhuǎn)速較大可以達(dá)到3000轉(zhuǎn)/分。關(guān)機(jī)時(shí)，在關(guān)閉羅茨泵后，需要等待30秒，讓羅茨泵逐漸停止轉(zhuǎn)動(dòng)后，方可關(guān)閉機(jī)械泵羅茨泵2、真空系統(tǒng)真空泵2、真空系統(tǒng)真空泵v 結(jié)構(gòu)：冷阱、鋁制的各級(jí)傘形噴嘴（一般為三級(jí)噴嘴）和蒸氣導(dǎo)管是擴(kuò)散泵的核心部分。v ploycold的作用：減少返油和排除水氣v 必須在壓強(qiáng)7Pa，才可啟動(dòng)、工作。擴(kuò)散泵2、真空系統(tǒng)真空泵評(píng)價(jià)真空泵的兩個(gè)重要的性能參數(shù)v 極限壓強(qiáng)該泵所能獲得的最低壓強(qiáng)v 抽速單位時(shí)間內(nèi)的抽氣能力 （2）、評(píng)價(jià)真真空泵的兩個(gè)參數(shù)2、真空系統(tǒng)真空泵三、薄膜制備技術(shù)1、常用薄膜制備技術(shù)薄膜的

6、制備方法分為a. PVD(1) 熱蒸發(fā)熱蒸發(fā): 如：阻蒸， 電子束蒸發(fā)，激光束蒸發(fā)，高頻誘導(dǎo) (2) 濺射濺射: e.g. 直流濺射，射頻濺射，等離子增強(qiáng)，離子束，磁控濺射(3) 離子鍍離子鍍(4) 分子束外延MBE (Molecular Beam Epitaxy)b. CVD APCVD (Atmospheric pressure CVD) LPCVD ( Low pressure CVD) PECVD ( Plasma enhanced CVD) PCVD (Photon CVD) MOCVD ( Metal Organic CVD)c. Deposition from Solutions

7、 Sol-gel, LB, Spin Metal films( e.g. Ag) Oxide films (SiO2-TiO2) 光學(xué)薄膜真空鍍膜技術(shù)一般采用物理氣相沉積（PVD）技術(shù)。所以，我們主要針對(duì)PVD技術(shù)中的一些蒸發(fā)方式進(jìn)行論述2、電子束蒸發(fā)原理 電功率電子動(dòng)能膜料熱能 在極短時(shí)間內(nèi)膜料溫度上升到幾千度!2、電子槍結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn): 1.強(qiáng)磁場(chǎng)使二次電子減少； 2.坩堝水冷,膜污染少； 3.材料蒸汽分子動(dòng)能高,膜致密； 4.蒸發(fā)材料不分餾或分餾小； 5.燈絲藏下面,不易污染,壽命長(zhǎng)； 6.有效抑制高壓放電。缺點(diǎn): 1.價(jià)格高； 2.焦斑位置和挖坑對(duì)膜厚分布影響很大； 3.電子束控制不當(dāng)，仍有

8、二次電子，特別是SiO2。3、e形電子槍特點(diǎn)4、電子槍故障分析A、高壓加不上真空度低燈絲短路(變形,膜料掉進(jìn)去)高壓進(jìn)線(xiàn)短路冷卻水不足安全開(kāi)關(guān)松開(kāi)小柜內(nèi)三只保險(xiǎn)絲接觸不良過(guò)流保護(hù)截止管不良B.束流不正常束流無(wú): 燈絲接觸不良或燒斷；燈絲短路；束流小: 燈絲短路(有臟物，裝配不良)；燈絲裝得太緊；束流大: 燈絲裝得太松； 局部短路(有臟物，裝配不良)。C.光斑差 偏轉(zhuǎn)線(xiàn)圈電壓不正常燈絲裝配定位不準(zhǔn)確陽(yáng)極孔打壞D.打火真空度低(抽速慢，材料除氣不充分等)，空氣電離；槍頭、底座有接觸不良槍頭、底座有太多臟污充氧太多或太快； 蒸發(fā)速率太快,材料分子電離密度高；5、離子輔助淀積機(jī)理:離子轟擊給到達(dá)基板的

9、膜料粒子提供了足夠的動(dòng)能，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加。 離子輔助淀積(IAD)提高膜層密度；提高折射率；減小吸收散射；提高濾光片穩(wěn)定性；提高牢固度和硬度；調(diào)節(jié)應(yīng)力 清潔基板 鍍膜前轟擊基板3-5分鐘，清潔效果很好 6、離子源的用途7、離子源和中和器故障分析A、中和器不能啟動(dòng)中和器的罩子沒(méi)有取出氣體流量低Keeper臟Collector臟接觸不良B.離子源不能啟動(dòng)Pusle電壓設(shè)定過(guò)低中和器電流和功率設(shè)置過(guò)低ACC 和Screen之間短路石英槽污染氣體流量過(guò)低新清潔的柵極沒(méi)有經(jīng)過(guò)高溫烘烤 離子源的罩子沒(méi)有取出C.IB啟動(dòng)時(shí)放電嚴(yán)重或者點(diǎn)著后容易熄火 清潔后的柵極預(yù)熱時(shí)間不夠柵

10、極表面清潔不徹底柵極使用后受到污染柵極組裝不良 柵極間的陶瓷墊片用錯(cuò)四、薄膜的制備工藝主要工藝因素（1）基板處理：包括拋光、清潔、離子轟擊（2）制備參數(shù)：包括基板溫度、蒸發(fā)速率、真空度薄膜主要性質(zhì)：（1）光學(xué)性質(zhì)：包括折射率、各項(xiàng)異性、吸收、散射、光學(xué)穩(wěn)定性等（2）機(jī)械性質(zhì)：包括硬度、附著力、應(yīng)力（3）抗激光損傷。1、基板處理（1）拋光（2）基板清潔清洗方法主要有：酸洗、洗滌劑、有機(jī)溶劑和超聲波清洗等。2、制備參數(shù)制備參數(shù)主要有：基板溫度、淀積速率、真空度、充氧（1 1）基板溫度）基板溫度提高基板溫度，使膜料蒸汽與基板的反應(yīng)更劇烈，提高膜層與基板的結(jié)合力，并形成更加致密的薄膜，提高膜層的折射率

11、?；鍦囟缺仨氝m當(dāng)。溫度過(guò)高，可能形成大顆粒凝結(jié)或材料分解，甚至膜層發(fā)霧。MgF2的鍍膜溫度必須大于250，最好在300以上； OS-50的鍍膜溫度，不用IAD的最好在300以下，使用IAD的最好在200以下。（2 2）沉積速率）沉積速率 薄膜淀積過(guò)程是薄膜材料分子在基板上吸附、遷移、凝結(jié)和解吸的一個(gè)綜合平衡過(guò)程。 蒸發(fā)速率較低時(shí)，吸附原子在其平均停留時(shí)間內(nèi)能充分進(jìn)行表面遷移，凝結(jié)只能在大的凝結(jié)體上進(jìn)行，反蒸發(fā)嚴(yán)重，所以膜層結(jié)構(gòu)松散。反之，淀積速率提高，結(jié)構(gòu)較緊密，但由于缺陷增多而使內(nèi)應(yīng)力增大。 OS-50、SiO2、H4、MgF2的速率一般為多少？（3 3）真空度）真空度真空度的高低使沉積分

12、子產(chǎn)生碰撞的情況不同，造成蒸汽分子到達(dá)基底的動(dòng)能不同，形成膜層的致密程度不同。提高真空度，可提高膜層的致密性，減小膜層的吸收。IR、AR膜系的設(shè)定真空度一般是多少？（4 4）充氧）充氧在鍍膜過(guò)程中，有許多氧化物容易失去部分的氧，造成薄膜的吸收。沖入適當(dāng)?shù)难鯕猓欣跍p少膜層吸收。OS-50 no IAD、 SiO2 、 MgF2、H4時(shí)的充氧一般為多少？3、膜層厚度均勻性（1）影響因素： 膜料的純度、是否受潮，以及形狀、高低、加料的虛實(shí)等。 坩堝位置是否偏。 光斑的大小、形狀、位置。 修正板裝配是否到位、升降是否正常、有無(wú)變形。 盤(pán)、工裝有無(wú)變形，是否放置到位。 真空度的高低。 基板溫度的高低

13、。 蒸發(fā)速率的快慢。 充氧的大小。 使用IAD的，離子源安裝是否到位。3、膜層厚度均勻性（2）修正板的修剪方法使用拉線(xiàn)法將修正板劃分為與盤(pán)上每一圈對(duì)應(yīng)的區(qū)域。做單層，一般為550nm的37個(gè)極值。根據(jù)單層曲線(xiàn)找出一直列樣品中每一圈的波峰（或波谷）的波長(zhǎng)。 （注：盡量選擇接近控制波長(zhǎng)的那組波峰或者波谷）選出一個(gè)基準(zhǔn)波長(zhǎng)，用每一圈的波峰（或波谷）波長(zhǎng)減去基準(zhǔn)波長(zhǎng)，得到波長(zhǎng)差值。 （注：基準(zhǔn)波長(zhǎng)盡量選取平均值，也可波峰或波谷最集中的區(qū)域，這樣會(huì)減少修剪的圈數(shù)）根據(jù)波長(zhǎng)差1nm、修剪1mm，“+”的補(bǔ)、“-”的剪的原則進(jìn)行修剪。 重復(fù)，直至均勻性滿(mǎn)足要求。五、常用用的鍍膜材料1.金屬膜，多用于高反射膜

14、2.介質(zhì)膜和半導(dǎo)體膜良好膜料應(yīng)具備的特性：（1）具有良好的透明度，吸收小高折射率材料在可見(jiàn)區(qū)的消光系數(shù)比低折射率材料大10100倍以上。（2）具有穩(wěn)定的、重復(fù)性良好的折射率（3）膜料本身具有良好的機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)性能（4）薄膜與基板，薄膜與薄膜之間要有良好的附著力常用的鍍膜材料在550nm的折射率材料MgF2SiO2折射率1.3861.474材料M2Al2O3折射率1.701.67低折射率材料中間折射率材料材料H4Ta2O5Nb2O5OS-50折射率2.062.252.362.40高折射率材料六、薄膜厚度監(jiān)控技術(shù)膜厚有三種概念：即幾何厚度、光學(xué)厚度和質(zhì)量厚度。幾何厚度：表示薄膜的物理厚度或?qū)嶋H厚

15、度；光學(xué)厚度：幾何厚度與膜層折射率的乘積；質(zhì)量厚度：?jiǎn)挝幻娣e上膜的質(zhì)量，若已知膜層的密度，可以轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的幾何厚度?，F(xiàn)場(chǎng)常用的膜層厚度監(jiān)控方法：晶振法（Crystal）、極值法（Optical）、過(guò)正控制（LightOpticalRitio）、時(shí)間控制（Time1、晶振法原理： 晶控片的厚度決定它的振動(dòng)頻率。在晶控片上鍍膜后，相當(dāng)于晶控片的厚度發(fā)生改變，其振動(dòng)頻率也隨之改變。我們可以通過(guò)檢測(cè)晶控片的頻率的改變來(lái)檢測(cè)膜層的厚度。特點(diǎn)：晶振法是目前唯一可以同時(shí)控制膜層厚度和成膜速率的方法。 晶振法監(jiān)控的是物理厚度，不能監(jiān)控膜層的折射率。 晶振片的電極對(duì)膜厚監(jiān)控、速率控制至關(guān)重要。目前，市場(chǎng)上提供三

16、種標(biāo)準(zhǔn)電極材料：金、銀和合金。 金是最廣泛使用的傳統(tǒng)材料，它具有低接觸電阻，高化學(xué)溫定性，易于沉積。金最適合于低應(yīng)力材料，如金，銀，銅的膜厚控制。 銀是接近完美的電極材料，有非常低的接觸電阻和優(yōu)良的塑變性。然而，銀容易硫化，硫化后的銀接觸電阻高，降低晶振片上膜層的牢固性。 銀鋁合金晶振片最近推出一種新型電極材料，適合高應(yīng)力膜料的鍍膜監(jiān)控，如SiO， SiO2，MgF2，TiO2。晶振片的安裝及注意事項(xiàng)與技巧 保持晶振片的清潔。切記不要用手指直接接觸晶振片以免留下油漬，晶振片的前后中心位置和何晶體和夾具之間的顆?；蚧覍訉⒂绊戨娮咏佑|，而且會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力點(diǎn)，從而改變晶體振動(dòng)的模式。1. 保持足夠的冷卻

17、水使晶振頭溫度在20-40。 如果可以將溫度誤差保持在1-2范圍內(nèi)，效果更佳。 晶振片要不要換主要看以下方面： 鍍IR時(shí)，晶控片的頻率一般需大于5850；鍍AR膜時(shí)，一個(gè)新晶控片頻率5900后就要換新的。蒸發(fā)速率出現(xiàn)明顯異常； 晶振片的表面明顯出現(xiàn)膜脫落或起皮的現(xiàn)象； 2、極值法(optical)：極值法原理：在玻璃上鍍制單層膜，玻璃的透過(guò)率或者反射率會(huì)發(fā)生改變，蒸發(fā)過(guò)程中出現(xiàn)極值點(diǎn)的次數(shù)來(lái)控制四分之一波長(zhǎng)整數(shù)倍膜層厚度，即鍍膜結(jié)束的時(shí)候停在極值點(diǎn)。極值法特點(diǎn)： 常規(guī)的極值法監(jiān)控精度比較低，因?yàn)樵跇O值點(diǎn)附近信號(hào)變化較小。 不能控制成膜速率。3、過(guò)正控制(LightRatioPeak)： 原理：

18、在玻璃上鍍制單層膜，玻璃的透過(guò)率或者反射率會(huì)發(fā)生改變，與極值法不同的時(shí)，故意產(chǎn)生一個(gè)一致性的過(guò)正量，即鍍膜結(jié)束時(shí)候不是停在極值點(diǎn)。 特點(diǎn)： 監(jiān)控精度一般比極值法高。 不能控制鍍膜速率。（極值法、過(guò)正法）補(bǔ)充（極值法、過(guò)正法）補(bǔ)充u 相同點(diǎn)：控制的原理相同，均利用在玻璃常鍍制單層膜，玻璃的透相同點(diǎn)：控制的原理相同，均利用在玻璃常鍍制單層膜，玻璃的透過(guò)或者反射率會(huì)發(fā)生變化。過(guò)或者反射率會(huì)發(fā)生變化。u 不同點(diǎn)：不同點(diǎn)：在鍍膜結(jié)束時(shí)，在鍍膜結(jié)束時(shí)，極值法停在極值點(diǎn)，過(guò)正法不是停在極值極值法停在極值點(diǎn)，過(guò)正法不是停在極值點(diǎn)點(diǎn)u 光學(xué)膜厚儀光學(xué)膜厚儀OPM-Z1的測(cè)光范圍為的測(cè)光范圍為3501100nm，

19、測(cè)量波長(zhǎng)的設(shè)定值，測(cè)量波長(zhǎng)的設(shè)定值為。為。u 應(yīng)盡量避開(kāi)應(yīng)盡量避開(kāi)600nm波長(zhǎng)，因?yàn)榇瞬ㄩL(zhǎng)出的光學(xué)膜厚儀的信號(hào)最弱。波長(zhǎng)，因?yàn)榇瞬ㄩL(zhǎng)出的光學(xué)膜厚儀的信號(hào)最弱。u 目的比率的取值一般在目的比率的取值一般在560之間。之間。u 現(xiàn)在測(cè)量的是反射現(xiàn)在測(cè)量的是反射信號(hào)信號(hào)光量走勢(shì)異常的原因光量走勢(shì)異常的原因1、光量為一條直線(xiàn)、光量為一條直線(xiàn) 沒(méi)有加膜料沒(méi)有加膜料 電子槍光斑太散或者太偏，導(dǎo)致蒸發(fā)速率太慢，幾乎為零電子槍光斑太散或者太偏，導(dǎo)致蒸發(fā)速率太慢，幾乎為零2、逆振、逆振 光控片上清洗不干凈，有臟點(diǎn)或者有印子光控片上清洗不干凈，有臟點(diǎn)或者有印子 關(guān)機(jī)或更換鋁皮時(shí)造成光控片臟，沒(méi)有及時(shí)更換下一個(gè)關(guān)

20、機(jī)或更換鋁皮時(shí)造成光控片臟，沒(méi)有及時(shí)更換下一個(gè) 預(yù)熔后，光控片被污染，沒(méi)有及時(shí)更換下一個(gè)預(yù)熔后，光控片被污染，沒(méi)有及時(shí)更換下一個(gè) 光控片是用過(guò)的，沒(méi)有及時(shí)更換光控片是用過(guò)的，沒(méi)有及時(shí)更換 光控片使用過(guò)程中碎裂光控片使用過(guò)程中碎裂 APC流量異常流量異常3、時(shí)間控制(Time)： 原理：利用時(shí)間的長(zhǎng)短來(lái)控制膜厚。 特點(diǎn)： 監(jiān)控精度很低。 不能控制鍍膜速率。七、光學(xué)薄膜的性能及檢測(cè)七、光學(xué)薄膜的性能及檢測(cè)光學(xué)薄膜的性能主要包括：光學(xué)薄膜的性能主要包括： 光學(xué)指標(biāo)：反射率、透射率，吸收率等 顏色指標(biāo)（實(shí)際上包含于第一項(xiàng)） 光潔度 膜層的牢固度 膜層的硬度 膜層透射、反射的相位1. 抗環(huán)境性能八、現(xiàn)場(chǎng)

21、產(chǎn)品的最常見(jiàn)疵病v點(diǎn)子點(diǎn)子v印子印子v擦痕（路子）擦痕（路子）v分光特性不良分光特性不良（一）點(diǎn)子（一）點(diǎn)子形成原因形成原因1、坩堝架打掃太臟，或打掃不徹底2、膜料被污染，或受潮3、電子槍裝配不到位或由臟污，有打火、電流不穩(wěn)、光斑能量分布不均等4、離子源的柵極等處臟，或裝配不到位，有打火現(xiàn)象5、坩堝變形、或冷卻水故障，導(dǎo)致冷卻效果不好6、鋁皮、防污板、蓋板等掉渣7、工裝、盤(pán)等掉渣8、晶控片不良，導(dǎo)致速率波動(dòng)過(guò)大9、玻璃本身有點(diǎn)子、超洗后遺留有臟10、工房潔凈度太差，其中懸浮的臟污顆粒太多（二）印子（二）印子形成原因形成原因1、清洗不干凈留下的水跡、IPA跡、污漬2、基底本身有腐蝕，或拋光不良3

22、、髙閥返油、真空度太低等，造成膜層不牢4、環(huán)境濕度長(zhǎng)時(shí)間大于80%，導(dǎo)致零件表面會(huì)形成水膜（三）擦痕（路子）（三）擦痕（路子）形成原因形成原因1、震盤(pán)，導(dǎo)致玻璃滑動(dòng)、2、下玻璃時(shí)，玻璃滑到一起、或掉落3、插框時(shí)，玻璃掉落、插框用力過(guò)大、或玻璃之間有接觸4、測(cè)曲線(xiàn)時(shí)，玻璃被樣品架劃傷（四）分光特性不良（四）分光特性不良形成原因形成原因1、鍍膜機(jī)干凈程度、冷熱程度等不同，導(dǎo)致抽氣速率發(fā)生變化，導(dǎo)致曲線(xiàn)變形或前后移動(dòng)2、膜料是否受潮3、膜料多少、壓實(shí)程度3、修正板用錯(cuò)、變形、裝配位置偏等4、電子槍裝配不到位，導(dǎo)致光斑偏、或能量分布發(fā)生變化5、離子源三個(gè)柵極之間沒(méi)裝好，或整體裝偏6、溫度模式用錯(cuò)、或者沒(méi)加熱7、膜系設(shè)計(jì)容差太小九、膜系設(shè)計(jì)相關(guān)AR1.合格膜系的要求：寬帶增透膜的帶寬要求有至少20nm的余量；反射率至少小于要求0.1%；在1%的光學(xué)厚度誤差范圍內(nèi)，特性