第2章 集成電路材料與器件物理基礎(chǔ)

1、集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)與工具集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)與工具 第二章第二章 集成電路材料與器件物理基礎(chǔ)集成電路材料與器件物理基礎(chǔ) 本章基本要求：本章基本要求：掌握集成電路材料的種類及功能；掌握集成電路材料的種類及功能；了解半導(dǎo)體材料的特性；了解半導(dǎo)體材料的特性；了解歐姆型接觸和肖特基（了解歐姆型接觸和肖特基（Schottky）型型接觸及其區(qū)別；接觸及其區(qū)別；了解雙極型晶體管、了解雙極型晶體管、MOS晶體管及金屬晶體管及金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET)的基本的基本結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)內(nèi)容提要內(nèi)容提要 v2.1 集成電路材料及其功能集成電路材料及其功能v2.2 半導(dǎo)體材料的特性半導(dǎo)體材料的特性v2.

2、3 歐姆型接觸歐姆型接觸v2.4 雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)v2.5 MOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)晶體管的基本結(jié)構(gòu)v2.6 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET）的基本結(jié)構(gòu)）的基本結(jié)構(gòu)v2.7 本章小結(jié)本章小結(jié)2.1集成電路（集成電路（IC）材料及其功能）材料及其功能v材料按導(dǎo)電能力可以分為材料按導(dǎo)電能力可以分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體緣體三類三類 。IC制造所應(yīng)用到的材料見下表：制造所應(yīng)用到的材料見下表：二氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiON）、氮化硅（Si3N4）等絕緣體硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（GaP）、氮化鎵（

3、GaN）等半導(dǎo)體鋁（Al）、金（Au）、鎢（W）、銅（Cu）等金屬，鎳鉻（NiCr）等合金；重?fù)诫s的多晶硅導(dǎo) 體電 導(dǎo) 率（Scm-1）材 料分 類5102-91010-14-221010v作為導(dǎo)體，鋁、金、鎢、銅等金屬和鎳鉻等合金在集作為導(dǎo)體，鋁、金、鎢、銅等金屬和鎳鉻等合金在集成電路工藝中主要具有如下功能：成電路工藝中主要具有如下功能：（1）構(gòu)成低值電阻；）構(gòu)成低值電阻；（2）構(gòu)成電容元件的極板；）構(gòu)成電容元件的極板；（3）構(gòu)成電感元件的繞線；）構(gòu)成電感元件的繞線；（4）構(gòu)成傳輸線（微帶線和共面波導(dǎo)）的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；）構(gòu)成傳輸線（微帶線和共面波導(dǎo)）的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；（5）與輕摻雜半導(dǎo)體構(gòu)成肖特基結(jié)接

4、觸；）與輕摻雜半導(dǎo)體構(gòu)成肖特基結(jié)接觸；（6）與重?fù)诫s半導(dǎo)體構(gòu)成半導(dǎo)體器件的電極的歐姆接觸；）與重?fù)诫s半導(dǎo)體構(gòu)成半導(dǎo)體器件的電極的歐姆接觸；（7）構(gòu)成元器件之間的互連；）構(gòu)成元器件之間的互連；（8）構(gòu)成與外界焊接用的焊盤。）構(gòu)成與外界焊接用的焊盤。重?fù)诫s的多晶硅電導(dǎo)率接近導(dǎo)體，因此常常被作為導(dǎo)體看重?fù)诫s的多晶硅電導(dǎo)率接近導(dǎo)體，因此常常被作為導(dǎo)體看待，主要用來構(gòu)成待，主要用來構(gòu)成MOS晶體管的柵極以及元器件之間的短晶體管的柵極以及元器件之間的短距離互連。距離互連。 v作為絕緣體，二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等硅的氧作為絕緣體，二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等硅的氧化物和氮化物在集成電路工藝中主要具有如下

5、功能：化物和氮化物在集成電路工藝中主要具有如下功能：（1）構(gòu)成電容的絕緣介質(zhì)；（）構(gòu)成電容的絕緣介質(zhì)；（MIM電容）電容）（2）構(gòu)成金屬）構(gòu)成金屬-氧化物氧化物-半導(dǎo)體器件（半導(dǎo)體器件（MOS）的柵絕緣層；）的柵絕緣層；（3）構(gòu)成元件和互連線之間的橫向隔離；）構(gòu)成元件和互連線之間的橫向隔離；（4）構(gòu)成工藝層面之間的垂直隔離；）構(gòu)成工藝層面之間的垂直隔離；（5）構(gòu)成防止表面機(jī)械損傷和化學(xué)污染的鈍化層。）構(gòu)成防止表面機(jī)械損傷和化學(xué)污染的鈍化層。v半導(dǎo)體材料，是集成電路制造中的核心材料，則主半導(dǎo)體材料，是集成電路制造中的核心材料，則主要利用半導(dǎo)體摻雜以后形成要利用半導(dǎo)體摻雜以后形成P型和型和N型半導(dǎo)

6、體，在導(dǎo)型半導(dǎo)體，在導(dǎo)體和絕緣體材料的連接或阻隔下組成各種集成電路體和絕緣體材料的連接或阻隔下組成各種集成電路的元件的元件半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件。 半導(dǎo)體材料在集成電路的制半導(dǎo)體材料在集成電路的制造中起著根本性的作用。造中起著根本性的作用。 2.2 半導(dǎo)體的特性半導(dǎo)體的特性v半導(dǎo)體材料具有以下特性：半導(dǎo)體材料具有以下特性：通過摻入雜質(zhì)可明顯改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。通過摻入雜質(zhì)可明顯改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。當(dāng)半導(dǎo)體受到外界光電熱等激發(fā)時(shí)，其導(dǎo)電能力將發(fā)生顯著的當(dāng)半導(dǎo)體受到外界光電熱等激發(fā)時(shí)，其導(dǎo)電能力將發(fā)生顯著的變化。變化。利用金屬與摻雜的半導(dǎo)體材料接觸，可以形成肖特基二極管和利用金屬與摻雜的半導(dǎo)體材料

7、接觸，可以形成肖特基二極管和金屬金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET）與高電子遷移率晶體）與高電子遷移率晶體管（管（HEMT）等器件。）等器件。對(duì)不同區(qū)域的半導(dǎo)體材料進(jìn)行不同類型和濃度的摻雜，可以形對(duì)不同區(qū)域的半導(dǎo)體材料進(jìn)行不同類型和濃度的摻雜，可以形成不同類型，不同功能的晶體管。成不同類型，不同功能的晶體管。利用金屬利用金屬-氧化物氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可以形成PMOS、NMOS和和CMOS場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)晶體管。v總之，正是由于這些獨(dú)特的特性使得半導(dǎo)體材料在微電總之，正是由于這些獨(dú)特的特性使得半導(dǎo)體材料在微電子方面具有十分重要的作用。子方面具有十

8、分重要的作用。 2.3 肖特基接觸與歐姆接觸肖特基接觸與歐姆接觸v金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)，由于金屬費(fèi)米能級(jí)與半導(dǎo)體的費(fèi)金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)，由于金屬費(fèi)米能級(jí)與半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)不同，將導(dǎo)致電子從金屬流向半導(dǎo)體或者半導(dǎo)體米能級(jí)不同，將導(dǎo)致電子從金屬流向半導(dǎo)體或者半導(dǎo)體流向金屬。從而形成流向金屬。從而形成肖特基接觸肖特基接觸。v理論上當(dāng)金屬的費(fèi)米能級(jí)高于理論上當(dāng)金屬的費(fèi)米能級(jí)高于P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)時(shí)，型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)時(shí)，或者金屬費(fèi)米能級(jí)低于或者金屬費(fèi)米能級(jí)低于N型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)時(shí)，由于型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)時(shí)，由于電子或空穴的流動(dòng)將在半導(dǎo)體表面附近產(chǎn)生勢(shì)壘區(qū)形成電子或空穴的流動(dòng)將在半導(dǎo)體表面附近產(chǎn)生勢(shì)壘

9、區(qū)形成肖特基接觸。其他情況不形成肖特基接觸肖特基接觸。其他情況不形成肖特基接觸v事實(shí)上由于半導(dǎo)體表面態(tài)的存在，事實(shí)上由于半導(dǎo)體表面態(tài)的存在，金屬與輕摻雜的半導(dǎo)金屬與輕摻雜的半導(dǎo)體接觸都能形成肖特基接觸體接觸都能形成肖特基接觸。v當(dāng)金屬與重?fù)诫s當(dāng)金屬與重?fù)诫s的半導(dǎo)體接觸時(shí)，由于半導(dǎo)體中的多的半導(dǎo)體接觸時(shí)，由于半導(dǎo)體中的多子濃度大，形成的勢(shì)壘區(qū)將非常薄。這導(dǎo)致金屬中的子濃度大，形成的勢(shì)壘區(qū)將非常薄。這導(dǎo)致金屬中的電子不用越過接觸勢(shì)壘就能夠通過電子不用越過接觸勢(shì)壘就能夠通過隧穿效應(yīng)隧穿效應(yīng)達(dá)到半導(dǎo)達(dá)到半導(dǎo)體中。半導(dǎo)體中的載流子同樣如此。此時(shí)勢(shì)壘對(duì)載流體中。半導(dǎo)體中的載流子同樣如此。此時(shí)勢(shì)壘對(duì)載流子的

10、阻礙作用幾乎可以忽略，載流子能夠子的阻礙作用幾乎可以忽略，載流子能夠 “自由自由”通過金屬與半導(dǎo)體的接觸區(qū)。這樣的金屬與半導(dǎo)體接通過金屬與半導(dǎo)體的接觸區(qū)。這樣的金屬與半導(dǎo)體接觸稱為觸稱為歐姆接觸歐姆接觸。2.4 雙極型晶體管雙極型晶體管2.4.1 雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu) v在半導(dǎo)體晶體中形成兩個(gè)靠得很近的在半導(dǎo)體晶體中形成兩個(gè)靠得很近的PN結(jié)即可構(gòu)成雙結(jié)即可構(gòu)成雙極型晶體管。極型晶體管。v它們的排列順序可以是它們的排列順序可以是N-P-N或者或者P-N-P。前者我們稱。前者我們稱之為之為NPN晶體管晶體管，后者稱之為，后者稱之為PNP晶體管晶體管。v三個(gè)區(qū)域分別稱為三個(gè)區(qū)

11、域分別稱為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，對(duì)應(yīng)引出的，對(duì)應(yīng)引出的電極分別稱為發(fā)射極電極分別稱為發(fā)射極E、基極、基極B和集電極和集電極C。E-B之間的之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，C-B之間的之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)。結(jié)稱為集電結(jié)。v一般在制作時(shí)，一般在制作時(shí)，發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基區(qū)和集電區(qū)發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基區(qū)和集電區(qū)；基區(qū)做；基區(qū)做的很?。ㄒ晕⒚咨踔良{米計(jì)）；的很?。ㄒ晕⒚咨踔良{米計(jì)）；集電結(jié)的面積大于發(fā)射結(jié)的面積集電結(jié)的面積大于發(fā)射結(jié)的面積。因此，在使用時(shí)，因此，在使用時(shí)，E、C兩個(gè)電極是不能交換的兩個(gè)電極是不能交換的。電路符號(hào)中。電路符號(hào)中E電極電極的箭頭，表

12、示正向電流的方向。的箭頭，表示正向電流的方向。 NPN和和PNP晶體管的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖、能帶結(jié)構(gòu)示意圖和它們的晶體管符號(hào)。晶體管的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖、能帶結(jié)構(gòu)示意圖和它們的晶體管符號(hào)。 2.4.2 雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的工作原理v由于晶體管有兩個(gè)由于晶體管有兩個(gè)PN結(jié)，所以它有四種不同的運(yùn)用狀結(jié)，所以它有四種不同的運(yùn)用狀態(tài)。態(tài)。（1）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，為）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，為放大放大工作狀態(tài)；工作狀態(tài)；（2）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏時(shí)，為）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏時(shí)，為飽和飽和工作狀態(tài)；工作狀態(tài)；（3）發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)也反偏時(shí)，為）發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)也反偏時(shí)，為截止

13、截止工作狀態(tài)；工作狀態(tài)；（4）發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏時(shí)，為）發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏時(shí)，為反向反向工作狀態(tài)。工作狀態(tài)。v在放大電路中，主要應(yīng)用其放大工作狀態(tài)。在放大電路中，主要應(yīng)用其放大工作狀態(tài)。 v雙極型晶體管的放大作用就用雙極型晶體管的放大作用就用正向電流放大倍數(shù)正向電流放大倍數(shù)F來描述，來描述， F定義為：定義為：vv也稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，也稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，F(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于1（通常大于（通常大于100）。）。v如果將發(fā)射極和集電極對(duì)換，從原理上講沒有本質(zhì)上的不同。如果將發(fā)射極和集電極對(duì)換，從原理上講沒有本質(zhì)上的不同。但由于晶體管的實(shí)際結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，特別是在集成電路中，發(fā)但由

14、于晶體管的實(shí)際結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，特別是在集成電路中，發(fā)射區(qū)嵌套在基區(qū)內(nèi)，基區(qū)嵌套又在集電區(qū)內(nèi)，發(fā)射結(jié)比集電射區(qū)嵌套在基區(qū)內(nèi)，基區(qū)嵌套又在集電區(qū)內(nèi)，發(fā)射結(jié)比集電結(jié)小得多，結(jié)小得多，反向電流放大倍數(shù)反向電流放大倍數(shù)R比比F小得多小得多，故這種工作狀，故這種工作狀態(tài)基本不用。態(tài)基本不用。BCFII2.5 MOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)與工作原理晶體管的基本結(jié)構(gòu)與工作原理2.5.1MOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)晶體管的基本結(jié)構(gòu)v金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱為MOS器件器件vMOS是由是由導(dǎo)體、絕緣體導(dǎo)體、絕緣體與構(gòu)成與構(gòu)成MOS器件襯底的摻雜器件襯底的摻雜半導(dǎo)體半導(dǎo)體這這三層材料疊

15、在一起組成的，絕緣體介于導(dǎo)體和摻雜半導(dǎo)體之間。三層材料疊在一起組成的，絕緣體介于導(dǎo)體和摻雜半導(dǎo)體之間。vMOS的基本原理：在半導(dǎo)體靠近絕緣體界面感應(yīng)出與原摻雜的基本原理：在半導(dǎo)體靠近絕緣體界面感應(yīng)出與原摻雜類型相反的載流子，形成一條類型相反的載流子，形成一條導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道，從而導(dǎo)通兩側(cè)的摻雜，從而導(dǎo)通兩側(cè)的摻雜半導(dǎo)體電極。半導(dǎo)體電極。v根據(jù)形成導(dǎo)電溝道的載流子的類型，根據(jù)形成導(dǎo)電溝道的載流子的類型，MOS管被分為管被分為NMOS和和PMOS。 NMOS和和PMOS結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖2.5.2 MOS晶體管的基本工作原理晶體管的基本工作原理v以以NMOS晶體管為例，晶體管為例，如果沒有任何外

16、加偏置電壓，從漏到源是兩個(gè)背對(duì)如果沒有任何外加偏置電壓，從漏到源是兩個(gè)背對(duì)背的二極管結(jié)構(gòu)背的二極管結(jié)構(gòu)。它們之間所能流過的電流就是二極管的反向漏電流。在。它們之間所能流過的電流就是二極管的反向漏電流。在柵極下空穴。柵極下空穴。v如果把源漏和襯底接地，在柵上加一足夠高的正電壓，正的柵壓將要排斥如果把源漏和襯底接地，在柵上加一足夠高的正電壓，正的柵壓將要排斥柵下的柵下的P型襯底中的空穴而吸引電子。電子在表面聚集到一定濃度時(shí)，柵型襯底中的空穴而吸引電子。電子在表面聚集到一定濃度時(shí)，柵下的下的P型層將變成型層將變成N型層，即呈現(xiàn)型層，即呈現(xiàn)反型反型。N反型層與源漏兩端的反型層與源漏兩端的N型擴(kuò)散層型擴(kuò)

17、散層連通，就形成以電子為載流子的連通，就形成以電子為載流子的導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道。v如果漏源之間有電位差，將有電流流過。如果漏源之間有電位差，將有電流流過。v如果加在柵上的正電壓比較小，不足以引起溝道區(qū)反型，器件仍處在不導(dǎo)如果加在柵上的正電壓比較小，不足以引起溝道區(qū)反型，器件仍處在不導(dǎo)通狀態(tài)。引起溝道區(qū)產(chǎn)生強(qiáng)表面反型的最小柵電壓，稱為通狀態(tài)。引起溝道區(qū)產(chǎn)生強(qiáng)表面反型的最小柵電壓，稱為閾值電壓閾值電壓VT。2.5.3MOS晶體管性能分析晶體管性能分析v一個(gè)一個(gè)MOS管的正常導(dǎo)電特性管的正常導(dǎo)電特性可分為以下幾個(gè)區(qū)域：可分為以下幾個(gè)區(qū)域：（1）“截至截至”區(qū)區(qū)：溝道未形成；：溝道未形成；（2）“線性線

18、性”區(qū)區(qū)：弱反型區(qū)，：弱反型區(qū)，這時(shí)漏極電流隨柵壓線性增加；這時(shí)漏極電流隨柵壓線性增加；（3）“飽和飽和”區(qū)區(qū)：溝道強(qiáng)反型，：溝道強(qiáng)反型，漏極電流與漏極電壓無關(guān)。漏極電流與漏極電壓無關(guān)。MOS的電壓電流特性曲線的電壓電流特性曲線 v當(dāng)漏極電壓太高時(shí)，會(huì)發(fā)生稱為當(dāng)漏極電壓太高時(shí)，會(huì)發(fā)生稱為雪崩擊穿或穿通雪崩擊穿或穿通的的非正常導(dǎo)電情況。非正常導(dǎo)電情況。v描述描述NMOS器件在三個(gè)區(qū)域中性能的理想表達(dá)式為器件在三個(gè)區(qū)域中性能的理想表達(dá)式為dsTgsTgsNTgsdsdsdsTgsNTgsdsVVVVVKVVVVVVVKVVI0)(202)(0022截止區(qū) 線性區(qū) 飽和區(qū) vKN是是NMOS晶體管的

19、晶體管的跨導(dǎo)系數(shù)跨導(dǎo)系數(shù)，KN與工藝參數(shù)及器件的幾何尺寸與工藝參數(shù)及器件的幾何尺寸有關(guān)，其關(guān)系為有關(guān)，其關(guān)系為 v各項(xiàng)結(jié)構(gòu)參數(shù)如下圖器件示意圖所示各項(xiàng)結(jié)構(gòu)參數(shù)如下圖器件示意圖所示)()(oxNLWKLWtKnMOS器件方程式中各幾何項(xiàng)器件方程式中各幾何項(xiàng) 2.5.4MOS器件的電壓器件的電壓-電流特性電流特性v線性區(qū)與飽和區(qū)之間的線性區(qū)與飽和區(qū)之間的分界線對(duì)應(yīng)于條件分界線對(duì)應(yīng)于條件Vds=VgsVTMOS的電壓電流特性曲線的電壓電流特性曲線 v從圖上可以得到微分后得從圖上可以得到微分后得線性區(qū)輸出電導(dǎo)線性區(qū)輸出電導(dǎo) Tgsdsds0dslimVVKdVdIVNv飽和區(qū)電流與飽和區(qū)電流與Vds無

20、關(guān)，無關(guān)，類似電流源類似電流源 v跨導(dǎo)跨導(dǎo)gm表示輸出電流表示輸出電流Ids和輸入電壓和輸入電壓Vgs之間的關(guān)系，可以用之間的關(guān)系，可以用gm來衡量來衡量MOS器件的增益器件的增益 常數(shù)dsgsdsmVVIgv在線性區(qū)，跨導(dǎo)在線性區(qū)，跨導(dǎo)gm為為 dsN)(VK線性mgv在飽和區(qū)，跨導(dǎo)在飽和區(qū)，跨導(dǎo)gm為為 ）（飽和TgsN)(VVKmg2.6 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MESFET v利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的肖特基結(jié)可以構(gòu)造利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的肖特基結(jié)可以構(gòu)造MESFET器件。器件。 MESFET器件用器件用GaAs和和InP基半導(dǎo)體材料構(gòu)成?；雽?dǎo)體材料構(gòu)成。Ga

21、As基基MESFETv工作原理工作原理對(duì)于耗盡型對(duì)于耗盡型MESFET，當(dāng)柵壓，當(dāng)柵壓VG為零，而源漏電壓為零，而源漏電壓VD很小時(shí)，柵很小時(shí)，柵下耗盡區(qū)并未延伸到下耗盡區(qū)并未延伸到N-GaAs下沿，器件處于導(dǎo)通狀態(tài)，下沿，器件處于導(dǎo)通狀態(tài)， 因此源因此源漏電流漏電流ID很小并隨源漏電壓線性變化。很小并隨源漏電壓線性變化。 當(dāng)當(dāng)VD增大時(shí)，靠近漏區(qū)的耗盡區(qū)先接觸到半絕緣襯底，形成夾斷。增大時(shí)，靠近漏區(qū)的耗盡區(qū)先接觸到半絕緣襯底，形成夾斷。這時(shí)的這時(shí)的VD稱為飽和電壓稱為飽和電壓VDsat 當(dāng)當(dāng)VG反偏而反偏而VD很小時(shí)，柵下耗盡區(qū)寬度在反偏增加時(shí)增寬，很小時(shí)，柵下耗盡區(qū)寬度在反偏增加時(shí)增寬，VD反反偏減小時(shí)變窄，偏減小時(shí)變窄，VD不變的情況下通過改變不變的情況下通過改變VD反偏而改變柵下反偏而改變柵下N-GaAs的耗盡區(qū)寬度，也就改變了的耗盡區(qū)寬度，也就改變了ID