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1、1、【2018江蘇(物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))】臭氧(Q)在Fe(H 化為SO:和NO3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)部分(共10題)SQ、NQ分別氧20 )612+催化下能將煙氣中的,NQ也可在其他條件下被還原為N2(1) SO:中心原子軌道的雜化類型為 ;NQ 3的空間構(gòu)型為(用文字描述)(2) Fe2+基態(tài)核外電子排布式為。(3) 與Q分子互為等電子體的一種陰離子為(填化學(xué)式)0(4) N2分子中b鍵與n鍵的數(shù)目比n ( b): n (n) =。(5) Fe(H 2Q)6 2+與NQ反應(yīng)生成的Fe(NQ)(H 2。)2+中,nq以N原子與Fe2+形成配位鍵。請在Fe(NQ)(H 2。»廣 結(jié)構(gòu)示意圖的相

2、應(yīng)位置補填缺少的配體。2、【2018全國I 35 ( 15分)】Li是最輕的固體金屬,采用 Li作為負極材料的電池具有小而輕、能量密度大等優(yōu)良性能,得到廣泛應(yīng)用。回答下列問題:出廠口(填標(biāo)號)(1) 下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中,能量最低和最高的分別為A.BC.D(2) Li +與H具有相同的電子構(gòu)型,r(Li +)小于r(H-),原因是。(3) LiAlH 4是有機合成中常用的還原劑,_ LiAlH 4中的陰離子空間構(gòu)型是 。中心原子的雜化形式為,LiAlH 4中,存在 (填標(biāo)號)。A.離子鍵B .b鍵C .n鍵D .氫鍵(4) Li 2Q是離子晶體,其品格能可通過圖(a)的born

3、- Haber循環(huán)計算得到。kJ ? molkJ ? mol- 1 , Q=Q 鍵鍵能為可知,Li原子的第一電離能為(5) Li 2Q具有反螢石結(jié)構(gòu),晶胞如圖(b)所示。已知晶胞參數(shù)為(列出計算式)g ? cmkJ ?mol -1, Li 2Q晶格能為nm ,阿伏加德羅常數(shù)的值為Na,則Li 2Q的密度為3、【2018全國H 35.( 15分)硫及其化合物有許多用途,相關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)如下表所示H2sS8FeSSQSQI4SQ熔點/ C->600 (分解)-沸點/ C-回答下列問題:(1) 基態(tài)Fe原子價層電子的電子排布圖(軌道表達式)為 基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為 形。

4、(2) 根據(jù)價層電子對互斥理論,氣態(tài)分子中,中心原子價層電子對數(shù)不同其他分子的是 (3)化硫的熔點和沸點高很多,主要原因為_HS、SQ、SQ 的0圖(a)為S8的結(jié)構(gòu),其熔點和沸點要比二氧4 5o加德羅常數(shù)的值為 Na, Zn的密度為 g- cm6 7 8 (列出計算式)4氣態(tài)三氧化硫以單分子形式存在,其分子的立體構(gòu)型為 形,其中共價鍵的類型有 種;固體三氧化硫中存在如圖(b)所示的三聚分子,該分子中 S原子的雜化軌道類型為 。(4)硝酸鎰是制備上述反應(yīng)催化劑的原料, Mn(NO )2中的化學(xué)鍵除了 b鍵外,還存在。(5)最密堆積方式,r (O2-)為 nm MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu),晶胞參

5、數(shù)為8、【2017江蘇物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)鐵氮化合物(FexN)在磁記錄材料領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。某6Fe3+基態(tài)核外 電子排布式為 0(2)丙酮()分子中碳原子軌道的雜化類型是 MgC具有NaCl型結(jié)構(gòu)(如圖),其中陰離子采用面心立方 X射線衍射實驗測得 MgO的晶胞參數(shù)為a= nm ,則a' = nm ,貝U r(Mn2+)為 nmFexNy的制備需鐵、氮氣、丙酮和乙醇參與。.,1 mol丙酮分子中含有 b鍵的數(shù)目為 。5、【 2017 全國 135.( 15 分) 】鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?;卮鹣铝袉栴}:(1) 元素 K 的焰色反應(yīng)呈紫紅色,其中紫色

6、對應(yīng)的輻射波長為 nm( 填標(biāo)號 ) 。A.B. C .D.E.(2) 基態(tài) K 原子中,核外電子占據(jù)最高能層的符號是 , 占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為 。 K 和 Cr屬于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同,但金屬 K 的熔點、沸點等都比金屬 Cr 低,原因是 。(3) X 射線衍射測定等發(fā)現(xiàn), I 3ASF6 中存在 |3 離子。|3離子的幾何構(gòu)型為 ,中心原子的雜化形式為(4) KIO3 晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料,具有鈣鈦礦型的立方結(jié)構(gòu),邊長為 a= nm, 晶胞中K、 I、 O 分別處于頂角、體心、面心位置,如圖所示。K與。間的最短距離為 nm與K緊鄰的O個數(shù)為 。(5

7、) 在KIO 3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中,I處于各頂角位置,則 K處于 位置, O 處于 位 置。6、【 2017 全國 II 35 .( 15 分) 】我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4CI (用R代表)?;卮鹣铝袉栴}:( 1 ) 氮原子價層電子的軌道表達式 ( 電子排布圖 ) 為 。(2) 元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個電子形成氣態(tài)負一價離子時所放出的能量稱作第一電子親和能 (E) 。第二周期部分元素的 E變化趨勢如圖 ( a) 所示,其中除氮元素外,其他元素的 E 自左而右依次增大的原因是; 氮元素的 E 呈現(xiàn)異常的原因是 經(jīng)X射線衍射測得化合物

8、R的晶體結(jié)構(gòu),其局部結(jié)構(gòu)如圖(b)所示。 從結(jié)構(gòu)角度分析, R 中兩種陽離子的相同之處為不同之處為( 填標(biāo)號 )A. 中心原子的雜化軌道類型B.中心原子的價層電子對數(shù)C.立體結(jié)構(gòu) R 中陰離子 N 5 中的鍵總數(shù)為n 鍵可用符號m 表示,其中 m 代表參與形成大n 鍵的原子數(shù), nD.共價鍵類型代表參與形成大n鍵的電子數(shù)(如苯分子中的大n鍵可表示為6),則N5中的大n鍵應(yīng)表示為 圖(b)中虛線代表氫鍵,其表示式為(NH : )N- H - CN (4) R 的晶體密度為 d g ? cm- 3 ,其立方晶胞參數(shù)為 a nm, 晶胞中含有y 個 (N 5)6( H3O) 3( NH)Q 單元,該

9、單元的相對質(zhì)量為 M 則 y 的計算表達式為 。7、【 2017 全國山 35 .( 15 分) 】研究發(fā)現(xiàn),在CO 低壓合成甲醇反應(yīng) ( CO+3H 2=CHOH+H ) 中, Co 氧化物負載的 Mn 氧化物納米粒子催化劑具有高活性,顯示出良好的應(yīng)用前景?;卮鹣铝袉栴}:(1) Co 基態(tài)原子核外電子排布式為 。元素 Mn 與 O 中,第一電離能較大的是 ,基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)較多的是 。(2) CO 和 CHOH 分子中 C 原子的雜化形式分別為 和 。(3) 3 ) 在 CO2 低 壓 合 成 甲 醇 反 應(yīng) 所 涉 及 的 4 種 物 質(zhì) 中 , 沸 點 從 高 到 低 的 順 序

10、 為 , 原 因 是9、【 2016 全國 I 27. ( 15 分) 37.( 15 分)】鍺( Ge )是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。回答下列問題:( 1 ) 基態(tài) Ge 原子的核外電子排布式為 Ar ,有 個未成對電子。8 C 、 H O 三種元素的電負性由小到大的順序為 。( 4) 乙醇的沸點高于丙酮,這是因為 。(5)某FexNy的晶胞如題21圖-1所示,Cu可以完全替代該晶體中 a位置Fe或者b位置Fe,形成Cu替代型產(chǎn)物Fe(x- n)CUnN。FexNy轉(zhuǎn)化為兩種 Cu 替代型產(chǎn)物的能量變化如題 21 圖 -2 所示,其中更穩(wěn)定的 Cu 替代型產(chǎn)物的化學(xué)式為(

11、2) Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是(3)比較下列錯鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因 GeCbGeBr,GeL熔點/ C-26146沸點/ C186約400(4)光催化還原CO制備CH反應(yīng)中,帶狀納米 ZmGeO是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge O電負性由大至小的順序是 。(5) Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為 ,微粒之間存在的作用力是 。(6 )晶胞有兩個基本要素: 原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置,下圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0 ) ; B為(,0,

12、 ) ; C為(,0) o則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為 O 晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀,已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=pm ,其密度為 g- cm -3 (列出計算式即可)。10、【2016全國山37 .(15分)】碑化錢(GaAS是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?;卮鹣铝袉栴}:(1 )寫出基態(tài) As原子的核外電子排布式 。(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑Ga As第一電離能 Ga As (填“大于”或“小于”)(3) AsCl3分子的立體構(gòu)型為 ,其中As的雜化軌道類型為 o(4) GaF3的熔點高于1000C, GaCb的熔點為'C,其原因是 。(5) GaAs的

13、熔點為1238 C,密度為p g ? cm- 3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為 ,Ga與As以 鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為 MGa g ? mol-1和Mas g ? mol- 1,原子半徑分別為 g pm和s pm,阿伏加德羅常數(shù)值為 Na,則GaAs晶胞 中原子的體 積占晶胞體積的百分率為 。(5) FeS晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS相對式量為M阿伏加德羅常數(shù)的值為 2,其晶體密度的計算表達式為 g ? cm- 3;晶胞中Fe2+位于S2所形成的正八面體的體心,該正八面體的邊長為 nnr4、【2018全國山35 . (15分)】鋅在工業(yè)中有重要作用,也是人體必需的微量元素?;卮鹣铝袉栴}:(1) Zn 原子核外 電子排布式為。(2) 黃銅是人類最早使用的合金之一,主要由Zn和Cu組成。第一電離能|1 (Zn) I 1 (Cu)(填“大于”或“小于”)。原因是。(3

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